CN104583454A - 用于物理气相沉积处理的窄源 - Google Patents

Abstract

一种窄溅射源和靶，它们被设计成被连续地安装在溅射室上。所述窄溅射源中的每个具有足以横过溅射区域的一个方向的长度，但比所述溅射区域的正交方向窄得多。当所述溅射室执行经过式溅射处理时，所述窄溅射源中的每个足够长以便在正交于基片行进方向的方向上横过所述溅射区域，但在基片行进的方向上比所述溅射区域窄得多。若干窄溅射源被安装以便在所有方向上横过整个溅射区域。

Description

用于物理气相沉积处理的窄源

相关申请

本申请要求享有2012年4月26日提交的美国临时申请No.61/639,047的优先权益，其全部公开内容通过引用被合并于此。

技术领域

本申请涉及用于物理气相沉积处理的系统，诸如在太阳能电池、平板显示器、触摸屏等的制造中所使用的溅射系统。

背景技术

用于制造半导体IC、太阳能电池、触摸屏等的多种系统在本领域中是已知的。这些系统的工艺是在真空中进行的，并且包括，例如物理气相沉积(PVD–也被称作溅射)、化学气相沉积(CVD)、离子注入、蚀刻等。对于这些系统，存在两种基本途径：单一基片处理或批处理。在单一晶片处理中，在处理期间仅单一基片存在于室内。在批处理中，在处理期间若干基片存在于室内。在平板显示器和其它大基片的制造中，甚至单一基片可能需要相应大的源，例如，溅射源和靶。类似地，在同时处理一批的若干较小基片时，需要大的源和靶。

大的溅射源制造起来复杂且昂贵。它们需要磁控管、冷却系统等的复杂设计。而且，由于它们的绝对尺寸，它们难于维护。此外，靶制造起来非常昂贵并且由于从大靶的整个表面均匀溅射方面的难度而导致利用不足。这增加了拥有这些系统的成本。

发明内容

下列发明内容被包括以便提供对本发明的一些方面和特征的基本理解。本发明内容不是对本发明的宽泛概述，并且同样地其不意在特别识别本发明的关键或关键性要素或描述本发明的范围。其唯一目的是作为在下面呈现的具体实施方式的前序部分而以简化的形式呈现本发明的一些概念。

本发明的各实施方式提供了制造起来简单而廉价的溅射源。另外，溅射源利用非常简单和便宜的靶。所公开的实施方式提供了易于维护且具有高利用率的溅射源和靶。靶的更换容易而快速，减少了系统离线以用于维护的时间。

所述溅射源和靶被构造用于作为横过所需的溅射长度的一系列若干个这种源的一部分而在溅射室中安装。这种布置优于单独安装在室中并且尺寸被确定成横过整个溅射长度的标准溅射源。

所公开的实施方式提供了被构造用于同时处理多个基片的溅射室，所述多个基片被布置在横过处理区域的宽度和长度的二维阵列中，所述室具有被构造用于接纳多个窄溅射源的壁，所述窄溅射源中的每个具有比处理区域的要么宽度要么长度窄的宽度，并且所述窄溅射源中的每个具有与所述溅射区域的宽度或长度相同的长度。所述溅射源中的每个具有外壳，所述外壳由折叠的金属片构成，从而提供了矩形截面，在所述矩形截面的一侧的整个长度上具有窗口。所述窗口的宽度比所述矩形截面的整个侧面窄，使得两个延伸部向内延伸至所述窗口中。细长的靶在其每一侧上形成有一个沟槽，使得所述靶可在所述窗口上被滑动，其中所述延伸部被容纳在所述沟槽内。所述靶通过散热器被冷却，所述散热器通过气动压力被推动抵靠所述靶的背面。将所述散热器压靠在所述靶上还将所述靶固定位并防止所述靶滑动。

所公开的装置使能实现用于更换溅射靶的简单方法，因为所述靶不像现有技术那样被结合至所述散热器。特别地，为更换靶，气动压力被解除，使得所述散热器终止其在靶上的压力。然后所述靶可以被滑离所述源外壳。然后新靶以其沟槽骑跨在所述延伸部上而被滑动到所述外壳上。然后气动压力被恢复，使得所述散热器压靠在所述靶上并且其保持在位。应被意识到的是，使用将所述散热器推动抵靠所述靶的执行器代替使用气动压力时，相同的工艺和相同的布置可以被实现。

附图说明

合并于本说明书中并构成本说明书一部分的附图，举例说明了本发明的实施方式，并且与说明书一起，用来说明和例证本发明的原理。这些图意在以图表的方式示出各示例性实施方式的主要特征。这些图并不意在描绘各实际实施方式的每个特征，也不意在描绘所描绘的元件的相对尺寸，并且未按比例绘制。

图1示出了具有至少一个溅射室的多基片处理系统的实施方式。

图1A示出了其中承载器在传送和处理期间保持处于水平取向的系统的实例，而图1B示出了其中承载器在传送和装载/卸载期间水平、但在处理期间竖直的实例。

图2示出了真空处理室200的实施方式，其中溅射源为了说明而被移除。

图3A示出了具有标准溅射源的溅射室的实施方式。

图3B示出了配备有根据所公开的实施方式的溅射源的溅射室的实施方式。

图4A示出了根据一个实施方式的溅射源的截面。

图4B为根据一个实施方式的溅射源的等距视图。

图4C为根据另一个实施方式的散热器装置的特写。

图4D为根据又另一个实施方式的散热器装置的特写。

图4E为结合了图4C和4D的特征的散热器装置的特写。

具体实施方式

下列详细说明提供了突出了在此所要求保护的创新性溅射源和靶的某些特征和方面的实例。各个公开的实施方式提供了窄溅射源，其具有通常比将被处理的基片窄的宽度。该窄源被设计成以多个单元、并排地被安装在处理室上，使得由所有窄源所覆盖的总体宽度覆盖所需的溅射区域。为理解该窄溅射源的来龙去脉，本说明书以描述具有溅射室的处理系统开始。

图1为多基片处理系统的实施方式的俯视图，其中传送承载器支撑着线性阵列的基片，但处理是在二维阵列的基片上被执行。然而，该窄溅射源也可以与设计用于处理单一大基片(诸如用于平板显示器的玻璃)的系统一起被使用。在图1中所示的系统100中，各基片在装载/卸载站105处，即，从系统的同一侧，被装载和被卸载。然而，应被意识到的是，该系统也可以被设计成使得装载站被设置在系统的一侧上，而卸载站被设置在系统的相反侧上。在一些实施方式中，将基片装载到承载器上和/或从承载器卸载基片可以被手动地执行，而在其它实施方式中，自动化被提供以便执行这些任务中的一者或两者。

基片被装载到定位于装载/卸载站105中的承载器上，并且这些承载器从承载器返回站110被传送。每个承载器支撑着沿与系统内部的行进方向垂直的方向的线性阵列的基片，即，以单一行布置的两个或多个基片。各承载器被从装载/卸载站105经由承载器返回站110移动到缓冲站115。各承载器被停放在缓冲站115中直至低真空装料锁气室(LVLL)120准备好接收它们。在一些实施方式中(这些实施方式将稍后被描述)，该缓冲站还充当倾斜站，其中水平定向的承载器被倾斜90^°以采取竖直取向。在这些实施方式中，当采取竖直取向时，使用夹子来将基片保持在位。

在适当的时候，阀112打开并且定位于缓冲站115中的承载器被传送到LVLL 120中。阀112然后被关闭并且LVLL 120被抽空至初步真空水平。此后阀113打开并且来自LVLL 120的各承载器被传送至高真空装料锁气室(HVLL)125。一旦HVLL被泵吸到其真空水平，阀114就打开并且来自HVLL 125的各承载器就被传送到处理室130中。系统可以具有线性排列的任意数目的处理室130，使得这些承载器可以经由定位在每两个处理室之间的阀从一个室被传送到下一个室。在最后的处理室的末端处定位有阀，该阀通往与在进入系统的入口处相反的装料锁气室布置，即，首先是HVLL并且然后是LVLL。此后各承载器经由阀116退出到承载器返回模块135。例如利用被定位在各处理室130上方或下方的传送机(未示出)，各承载器被从返回模块135返回到承载器返回站110。

如上所述，每个承载器支撑着线性阵列的基片，这使得较易于装载和卸载基片，并且使得各承载器制造、操纵、和传送起来容易得多。然而，为使该系统具有高的生产量，每个处理室130被构造成容纳并同时处理二维阵列的基片，这些基片被定位在一个接一个地定位的若干(即，两个或多个)承载器上。为了更高的效率，在图1的实施方式中，缓冲站115、LVLL120和HVLL 125均被构造成同时容纳与在处理室130内同时容纳的相同数目的承载器。例如，每个承载器可以支撑一行中的三个玻璃基片，但每个处理室被构造成同时处理两个承载器，因而处理3×2的二维阵列的基片。

如图1中所示，系统的专用于传送、装载和卸载基片的那些部分被定位在大气环境中。另一方面，所有的处理在真空环境中被执行。在大气环境中进行传送、装载和卸载比在真空中容易得多。

图1A示出了系统的实例，该系统诸如图1中所示的系统，其中各承载器200在传送和处理期间保持处于水平取向。各承载器经由定位在处理室上方的传送机140被返回到起始点。如图1A中所示，每个承载器200支撑着在一行中线性布置的四个基片220。而且，出于解释的目的，室120的顶部零件被移除，以便暴露被同时定位在其中的六个承载器的布置。因此，根据该实施方式，尽管每个承载器支撑着四个基片，但每个室同时处理二十四个基片。

图1B示出了其中各承载器在传送和装载/卸载期间水平、但在处理期间竖直的实例。图1B的布置非常类似于图1A的布置，除了装料锁气室和处理室被竖直地翻转以便以竖直取向处理基片外。图1A和1B的两个实施方式中的装料锁气室和处理室的构造可以是相同的，除了在图1A中它们被水平地安装而在图1B中它们以它们的侧边被竖直地安装外。因此，缓冲站115和系统另一端上的缓冲站145被修改成包括提升装置，该提升装置将承载器的取向改变90°，如在缓冲站145中所示。

图2示出了可以与所公开的系统及溅射源一起使用的真空处理室200的实施方式。在图4的例证中，该室的盖子与溅射源被移除以便暴露其内部构造。室200可以以水平的或竖直的取向被安装，而不需要对其构成或其构造做任何修改。该室由具有用于真空泵吸的开口222的简单箱形框架构造成。入口开口212在一个侧壁中被切割出，而出口开口213在相反的侧壁中被切割出，从而使承载器224能够进入该室、穿过整个室、并从另一侧离开该室。闸阀被设置在每个开口212和213处，尽管出于清楚性而在图2的例证中仅示出了闸阀214。

为实现承载器224在水平和竖直取向中有效和精确地传送，磁性轮202被设置在该室的相对的侧壁上。承载器具有骑跨在磁性轮202上的磁棒。在上面安装这些轮202的轴延伸到室外侧进入大气环境，其中这些轴由电动机201促动。特别地，若干电动机201被设置，每个电动机利用带(例如，O形环)促动若干轴。而且，惰轮204被设置以便横向地限制各承载器。

图2的实施方式的特征在于，各磁性轮的直径小于该室的侧壁厚度。这使得能够将磁性轮放置在入口开口和出口开口212和213内，如由轮206和207所示。将轮206和207放置在入口开口和出口开口212和213内使能够将承载器平滑地传送入和传送出该室，因为其将承载器在没有来自轮的支撑的情况下必须穿过的间隙减到最小。

如可被理解的，到此为止所描述的系统制造起来是便宜的并且提供了对各种基片(诸如，太阳能电池、触摸屏等)的有效的真空处理。该系统可以被构造成双端或单一端装载和卸载，即，从一侧进行基片装载和卸载，或从一侧进行装载并从相反侧进行卸载。基片操纵不在真空中被执行。系统是模块化的，因为多达需要数量的真空处理室可以被安装在输入和输出装料锁气室之间。各真空室具有简单的设计，其很少的部分在真空中。各真空室可以以水平的或竖直的取向被安装。例如，对于太阳能电池处理，该系统可以以水平的取向处理基片，而对于触摸屏，基片可以以竖直的取向被处理。无论如何，在大气环境中的装载、卸载和传送是使基片处于水平的取向中被完成的。处理源(例如，溅射源)可以被安装在基片的上方和/或下方。该系统能够进行经过式(pass-by)的或静止的处理，即，基片在真空处理期间静止或移动。各室可以容纳溅射源、加热器、注入束源、离子蚀刻源等。

对于太阳能应用，真空室可以包括低能量离子注入机(例如，小于15KV)。对于特殊的太阳能电池设计，诸如PERC、IBC或SE，掩模装置可以被使用以便执行掩蔽的注入。而且，纹理蚀刻可以利用离子蚀刻源或激光辅助蚀刻而在有或没有掩模的情况下被执行。对于点接触式电池，具有与各触点对正的许多孔的掩模可以被使用。而且，通过连续排列若干PVD室并且一层在一层上连续地形成复数个层，厚金属层可以被形成。

对于触控面板应用，这些室可以被用来利用下面公开的溅射源溅射沉积冷和/或热ITO层。处理是在若干(例如，三个)触控面板被横向地布置在每个承载器上、并且若干(例如，两个)承载器被同时定位在每个室内的情况下被执行，以用于较高的生产量但较简单的处置。同一系统可以处置用于平板电脑(pad)或手机尺寸玻璃的触摸屏，而不需要任何内部重新配置。简单地，合适的承载器被构造并且整个系统保持相同。再次，基片操纵不在真空中被执行。

操纵和处理操作对于所有类型和尺寸的基片可以是相同的。空承载器从承载器返回升降机处移动以便装载。如果使用掩模，那么掩模被拆下并停留在升降机处。基片在大气环境中被装载到承载器上。承载器移动回到升降机并且掩模被放置在基片的顶部上。承载器然后移动至装料锁气室中。在真空中承载器传送经由简单的磁性轮进行，这些磁性轮被定位在室壁中并且从室外侧在大气或真空环境中被供能。这些室可以具有用于隔离的阀，并且可以具有位于用于在基片下面进行处理的抽屉上方或之中的源。基片可以在系统的卸载端处被移除，或被留在承载器上以便返回到装载端，即，系统的入口侧。承载器在简单的传送带上从系统的处理端返回到系统的装载端。简单的销式传送机将承载器升起到装载和卸载站或从装载和卸载站降下。

图3A示出了其中单一源301被设置在室300上的实施方式。该单一源被用来处理定位在室300内的所有的基片，不论是单一大基片还是若干较小基片。源301具有覆盖整个单一大基片或同时覆盖全部多个较小基片的长度和宽度。这种大源由于其大的尺寸而制造起来太复杂且太昂贵。而且，针对这种大溅射源制作的溅射靶必须非常大，其也是昂贵的、复杂的、并且导致利用不足。因此，根据图3B的实施方式，若干窄源被一起使用以便覆盖所需的溅射区域。在图3B的实施方式中，源306A-306n中的每个都在一个方向上足够长而横过整个溅射跨度，但在基片行进的正交方向上非常窄。事实上，在一些实施方式中，源306A-306n中的每个甚至比一个基片窄。这种布置同样适合于经过式的或静止的处理。

图4A和4B提供了根据一个实施方式的一个溅射靶的截面和等距视图。如所示出的，源400包括细长的外壳405，该外壳可以由例如不锈钢制成。在本文中，源的前面被视为源的安装靶445的那侧，而源的后面被视为与安装靶的一侧相反的那侧。如图4A中所示，外壳405的前面是开放的，并且侧边被向内弯曲并且只是略微朝向外壳405的开放的前面侧延伸。就是说，外壳405可以通过下列方式被形成：取平坦金属片，弯曲两个侧边以便形成具有两个侧壁的底部，并且随后向内弯曲侧壁的边缘，使得它们向内延伸以便部分地横过前面，但留下开口。就是说，外壳的前面包括横过外壳405的整个长度的短延伸部407。

散热器410被设置在外壳405内，并且散热器的尺寸被确定成从前面到后面自由地移动，如由双头箭头455所示。散热器410的前面侧(即，散热器面对靶445的那侧)支撑着密封件。在图4A的实施方式中，散热器410的前面侧具有沟槽，O形环420被嵌入所述沟槽中。磁极415被设置在外壳405内，并且被置于散热器410的后面。磁极415被机械化成在由双头箭头460示出的线性方向上从一侧到另一侧进行扫描，并且端到端地(即，进进出出图4A的页面地)进行扫描，如由标记465所示。根据另一个实施方式，为增大存量和靶的利用率，磁极415以大约50度的角度被缓慢和连续地扫描短的距离(大约10mm)。这使侵蚀槽伸展开从而大大地提高了利用率和存量。

靶445可以由将被溅射在基片上的单一材料制成。例如，当溅射室被用于沉积铝层时，靶445可以仅仅由挤压铝制成，这是简单而廉价的工艺。靶具有包括凹口447的截面规定，该凹口被确定尺寸以便以滑动的方式包围位于其中的延伸部407，类似于抽屉。

外壳405的背面还包括气动入口425，使气动压力能够在外壳内建立。特别地，一旦靶445通过使其滑动而被插入外壳中使得延伸部407处于凹口447内，气动压力就从入口425被提供，使得该压力向前推动散热器410。因此，散热器压靠着靶445。这具有若干优点。第一点，其防止靶445移动/滑动。第二点，其形成了靶445和散热器410之间的紧密的物理接触，从而提供了良好的热传导率。第三点，该气动压力可以利用可进一步增强热传导率的气体产生。替代地或另外地，为增强热传导率，气体可以被泵入靶和散热器之间的且由密封件限定的空隙中，如由虚线矩形417表示的。该气体可以经由单独的气体入口419被输送。为更换靶445，压力被简单地释放并且用过的靶被滑出而新的靶被滑入。这使得通常为艰难任务的靶的更换如同打开和关闭抽屉那样简单。

如可被理解的，当需要其它的靶材料时，如果该材料是便宜的并且可以被挤出，那么整个靶通过由该溅射材料挤出而被制成。然而，如果该材料是昂贵的或者不能被挤出，例如，ITO，那么该靶材料的平坦固体可以被附着至靶445的前表面448，如由虚线矩形449所示。

图4C为根据另一个实施方式的散热器装置的特写，该散热器装置利用流体进行冷却。图4C中，薄的(例如，0.005”左右)金属膜460被粘接或焊接到散热器410的表面。封闭的空间462被形成在金属膜460和散热器410之间，热传递气体或流体可以被流入其中以便辅助热传递。该热传递流体或气体被连接到贮存器464，该贮存器开放到大气中，但通过金属膜460的焊接或粘接而从真空隔离。

使用该膜至少因为下列原因而有利。就是说，如果靶不是完美的平面或者如果其因为任何原因而翘曲，膜将在来自贮存器464的大气压力下挠曲，以便保持热传递介质与靶接触。没有此特征的话，小面积的不接触变的非常热，导致较大的挠曲和较大面积的不接触。

图4D为根据又另一个实施方式的散热器装置的特写。图4D中，热传递介质463，诸如柔性石墨(grafoil)或其它类型的热传递衬垫，被附着至散热器410，使得当散热器410被气动压力推靠至靶445时，热传递衬垫463被挤压在散热器410和靶445之间。热传递介质463被附着至可移动的散热器410，使得其会与溅射源留在一起，而不是与靶。因此，当靶445被更换时，热传递介质463被重新使用。

图4D中示出的另一特征是用于主动冷却散热器的流体的使用。流体通道467被设置在散热器410内，并且被连接至冷却流体贮存器466，冷却流体贮存器可以包括或不包括热交换器。流体可以在散热器内部循环以便排出热量。

热传递介质463和主动流体冷却467的特征可以被用在在此所公开的任何其它实施方式中。例如，图4E示出了图4C和4D的特征的组合，其中热传递介质463被附着至膜460的前表面。而且，主动流体冷却被并入以便增强从散热器410的热量排出。

如上面所说明的，靶可以通过挤出而被制造，从而提供用于溅射金属(诸如铜或铝)的靶，或者可以通过由棒料进行机加工而被制造。靶不像现有技术中那样被结合至散热器，而是由被气动地压成与靶紧密接触的散热器进行冷却。在散热器的前面有O形环密封件，其在靶的背侧上产生真空紧密密封。靶和散热器之间的空间可以被填充以传导性气体以增大冷却速度。为了更换靶，气动压力被释放并且靶简单地滑出该组件。有最少量的或者没有为拆开源以便进行靶更换所需的螺纹件。

在一些实施方式中，溅射线性磁控管非常窄，小于100mm宽，或者在某些情况中为70-75mm宽，使得多个源可以在室上被安装成一行而不形成过长的工具。例如，为了沉积2um厚的膜，将需要大约30个源以便具有足够的靶存量，以保持电源在10kW以下，并控制基片加热。对于所描述的紧凑的源，所需的长度将是大约2.5米。将靶构造成具有不超过100mm、或者更特别地70-75mm的宽度被发现是有利的，因为其使得利用有效的技术(诸如挤出或由棒料进行铣削)来形成该靶非常容易和廉价。

在此所描述的各实施方式提供了用于溅射室的溅射源，所述溅射室具有溅射区域，所述溅射区域具有区域宽度和区域长度，所述区域长度被定义在基片行进的方向上，所述溅射源包括：细长本体，其具有实质上比所述区域长度窄的宽度，所述细长本体具有包括后壁、自所述后壁向前延伸的两个侧壁、以及两个延伸部的截面轮廓，每个延伸部从所述侧壁之一正交地发出并向内延伸，使得所述两个延伸部限定出在所述延伸部之间的贯穿所述细长本体长度的细长开口；细长散热器，其被设置在所述细长本体内并被构造成朝向和远离所述延伸部自由移动；细长磁极，其被设置在所述细长本体内并被定位在所述细长散热器和所述后壁之间，所述细长磁极被构造用于在所述两个侧壁之间进行扫描运动；以及，气动入口，其被设置在所述后壁处并被构造用于输送气动压力以便朝向所述延伸部推动所述细长散热器。细长的靶可滑动地附装至所述细长本体，所述靶具有在所述靶的长度上延伸的两个沟槽，每个沟槽被设置在所述细长的靶的一侧上并被构造用于接纳所述延伸部之一。所述细长散热器包括密封件，所述密封件被构造成：当气动压力经由所述气动入口被提供以便朝向所述延伸部推动所述细长散热器并推动成抵靠所述靶的背面时，其被压靠在所述靶的背面上。可以包括气体入口，使能够将气体输送至由所述靶的背面、所述细长散热器、和所述密封件限定的空隙或空间，其中所述气体用来增加所述细长散热器和所述细长的靶之间的热传导率。所述细长磁极可以被构造成沿着与基片行进的方向倾斜的方向进行扫描，以便增大靶利用率。

上述的各实施方式提供了一种真空处理室，其具有尺寸被确定成用于容纳并处理一个大基片或容纳并同时处理若干小基片的真空外壳。所述外壳还被构造用于同时支撑若干窄溅射源。所述窄溅射源具有足以横过溅射区域整个宽度的长度，但比所述溅射区域的长度窄得多。在一些实施方式中，所述窄溅射源具有比将被处理的基片的宽度窄的宽度。若干个这种源可以在所述承载器的行进方向上一个接一个地被定位在所述室的整个或部分长度上。在一个实施方式中，所述源被放置得距所述基片足够远，使得来自两个邻近的源的溅射材料重叠并消除了各源之间的任何分离的影响。根据另一实施方式，经过式的处理被执行，使得当各所述基片经过各所述靶时各所述基片得以被每个窄源涂覆，并且各源之间的任何分离对涂覆没有影响。

而且如所描述的，提供了用于在基片上沉积靶材料的溅射室，其包括：室本体，其限定出用于在真空中在处理区域上处理基片的处理空间，所述室本体具有侧壁，所述侧壁被构造用于接纳多个溅射源；多个溅射源，其被附装至所述侧壁并且在一行中彼此邻接，所述溅射源中的每个包括：窄而细长的溅射源，所述溅射源包括窄的外壳，所述外壳具有横过所述外壳的整个长度的开口；细长的靶，其在所述开口上被可滑动地附装至所述外壳；和，散热器，其被定位在所述外壳内并被构造成接触所述细长的靶的背面以便从所述细长的靶排出热量。

根据所公开的各实施方式，用于处理基片的系统被公开，其包括多个溅射室，它们被以线性方式一个附装到另一个上，使得基片离开一个室并直接进入下一个室。所述系统具有入口装料锁气室，其被附装至第一个溅射室，以用于将基片输送至真空环境中。所述系统还具有出口装料锁气室，其被附装至最后的溅射室，以用于从真空环境移除基片并移动至大气环境中。所述溅射室中的每个被构造用于安装多个窄溅射源，使得所述多个窄溅射源覆盖所述溅射室的整个溅射区域。在一些实施方式中，所述窄溅射源中的每个比将在所述溅射室内被处理的基片窄，使得所述溅射室内的每个基片被利用从至少两个邻接的窄溅射源同时溅射的材料涂覆。

尽管本发明已依据具体材料和具体步骤的示例性实施方式进行论述，但应被本领域的技术人员所理解的是，这些具体实例的变体可以被做出和/或使用，并且这些结构和方法将根据由所描述和示出的实践以及对一些操作的论述所赋予的理解得出，这些操作使得在不偏离由所附的权利要求限定的本发明的范围的情况下可被做出的那些修改便利。

Claims (23)

1.用于溅射室的溅射源，所述溅射室具有溅射区域，所述溅射区域具有区域宽度和区域长度，所述区域长度被定义在基片行进的方向上，所述溅射源包括：

细长本体，其具有实质上比所述区域长度窄的宽度，所述细长本体具有包括后壁、自所述后壁向前延伸的两个侧壁、以及两个延伸部的截面轮廓，每个延伸部从所述侧壁之一正交地发出并向内延伸，使得所述两个延伸部限定出在所述延伸部之间的贯穿所述细长本体长度的细长开口；

细长散热器，其被设置在所述细长本体内并被构造成朝向和远离所述延伸部自由移动；

细长磁极，其被设置在所述细长本体内并被定位在所述细长散热器和所述后壁之间，所述细长磁极被构造用于在所述两个侧壁之间进行扫描运动；以及，

气动入口，其被设置在所述后壁处并被构造用于输送气动压力以便朝向所述延伸部推动所述细长散热器。

2.如权利要求1所述的溅射源，还包括细长的靶，所述靶具有在所述靶的长度上延伸的两个沟槽，每个沟槽被设置在所述细长的靶的一侧上并被构造用于接纳所述延伸部之一。

3.如权利要求2所述的溅射源，其中所述细长散热器包括密封件，所述密封件被构造成：当气动压力经由所述气动入口被提供以便朝向所述延伸部推动所述细长散热器并推动成抵靠所述靶的背面时，其被压靠在所述靶的背面上。

4.如权利要求3所述的溅射源，还包括气体入口，所述气体入口使得能够将气体输送至由所述靶的背面、所述细长散热器、和所述密封件限定的空隙，其中所述气体用来增加所述细长散热器和所述细长的靶之间的热传导率。

5.如权利要求1所述的溅射源，其中所述细长的靶包括挤出的金属。

6.如权利要求5所述的溅射源，其中所述细长的靶包括挤出的铜或挤出的铝。

7.如权利要求1所述的溅射源，其中所述细长的靶包括从棒料进行机加工的金属。

8.如权利要求1所述的溅射源，其中所述细长磁极被构造成沿着与基片行进的方向倾斜的方向进行扫描。

9.用于在基片上沉积靶材料的溅射室，其包括：

室本体，其限定出用于在真空中在处理区域上处理基片的处理空间，所述室本体具有侧壁，所述侧壁被构造用于接纳多个溅射源；

多个溅射源，其被附装至所述侧壁并且在一行中彼此邻接，所述溅射源中的每个包括：

窄而细长的溅射源，所述溅射源包括窄的外壳，所述外壳具有横过所述外壳的整个长度的开口；

细长的靶，其在所述开口上被可滑动地附装至所述外壳；

散热器，其被定位在所述外壳内并且具有被构造成接触所述细长的靶的背面以便从所述细长的靶排出热量的前侧；

磁极，其在所述散热器后面被定位在所述外壳内。

10.如权利要求9所述的室，其中所述外壳还包括用于接纳气动压力的入口，并且其中所述散热器被构造成由所述气动压力推动抵靠所述靶的背面。

11.如权利要求10所述的室，其中所述散热器包括面对所述靶的背面的密封件。

12.如权利要求11所述的室，其中所述密封件包括O形环，其在所述靶的背面和所述散热器之间限定出内部空间，并且其中所述外壳还包括用于使气体流动至所述内部空间中的气体入口。

13.如权利要求9所述的室，其中所述细长的靶具有不超过100mm的宽度。

14.如权利要求13所述的室，其中所述细长的靶具有70-75mm的宽度。

15.如权利要求9所述的室，其中所述室本体的尺寸被确定成容纳并同时处理二维阵列的基片。

16.如权利要求15所述的室，其中所述靶中的每个具有小于单一基片宽度的宽度。

17.如权利要求15所述的室，还包括多个基片承载器，每个基片承载器支撑着一维阵列的基片。

18.如权利要求9所述的室，其中所述靶包括挤出的铝或挤出的铜。

19.如权利要求9所述的室，其中所述靶包括基材，所述基材具有两个细长的沟槽，所述沟槽在所述基材的每侧上有一个，以便可滑动地附装至所述外壳，并且靶材料的板被附着至所述基材。

20.如权利要求19所述的室，其中所述外壳包括被构造成延伸至两个沟槽中的两个延伸部。

21.如权利要求9所述的室，还包括附着至所述散热器的前表面的热传递介质。

22.如权利要求9所述的室，还包括薄膜，其被焊接至所述散热器的前表面并在所述散热器的前表面和所述靶的背面之间限定出封闭容积，所述封闭容积被从真空环境密封并具有到大气环境的导管。

23.如权利要求9所述的室，还包括流体导管，其被形成在所述散热器内并在所述流体导管内具有热传递流体。