CN104576811B - 近中红外波双色探测器及其制备方法 - Google Patents
近中红外波双色探测器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104576811B CN104576811B CN201510039927.0A CN201510039927A CN104576811B CN 104576811 B CN104576811 B CN 104576811B CN 201510039927 A CN201510039927 A CN 201510039927A CN 104576811 B CN104576811 B CN 104576811B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- infrared
- mid
- contact layer
- layer
- response unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 abstract description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000010181 polygamy Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/1013—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation devices sensitive to two or more wavelengths, e.g. multi-spectrum radiation detection devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种近中红外波双色探测器及其制备方法。该探测器包括：探测波长为0.7‑1.6微米的近红外响应单元、探测波段为3‑5微米的中红外响应单元以及用以与所述近红外响应单元和中红外响应单元配合的电极等；其典型的制备方法包括：在衬底正面上依次生长缓冲层、近红外响应单元、共用接触层、中红外响应单元和顶电极接触层形成外延层；以及，在共用接触层和顶电极接触层上制作顶电极和共用电极，在衬底背面制作底电极等。本发明的探测器在红外光谱照射下能够观察到明显的响应电流，可独立或同时进行近、中红外波段的探测，且器件结构简单，体积小，成本低廉，具有广泛应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体红外探测器特别涉及一种近中红外波双色探测器件及制作方法，属于新型半导体器件领域。
背景技术
红外线自从被发现以来，在人们生活各个领域中的作用都变得越来越重要。不同的红外波段有不同的用处。如果一个系统可以同时对两个波段进行探测，那么可对复杂的环境进行高分辨的识别，从而提高探测效果。双色红外探测器可以降低多波段探测系统光学部分的复杂性和成本，是红外探测器的发展方向。
现在的双色探测器基本都集中于对中远波段的双色测探，而专门用于对近中波段进行探测的半导体器件迄今还很少，这也是本领域的研究热点之一。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种近中红外波双色探测器及其制备方法，以克服现有技术中的不足。
为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
一种近中红外波双色探测器，其包括：
探测波长为0.7-1.6微米的近红外响应单元，包括以In0.53Ga0.47As作为吸收层的PIN结构；
探测波段为3-5微米的中红外响应单元，包括InxAl1-xAs/InyGa1-yAs量子阱结构，0.53≤y＜1,1＜x≤0.52；
以及，电极，用以与所述近红外响应单元和中红外响应单元配合。
作为较为优选的实施方案之一，所述近中红外波双色探测器包括依次形成于衬底正面上的缓冲层、近红外响应单元、共用接触层、中红外响应单元以及顶电极接触层，其中所述衬底背面设置有底电极，所述顶电极接触层和共用接触层上分别设置有顶电极和共用电极。
较佳的，所述衬底背面上设置有电流扩展和/或抗反射层，所述底电极分布在所述电流扩展和/或抗反射层上。
作为较为优选的实施方案之一，可以采用ITO作为电流扩展层以及抗反层淀积在衬底背面，并在其上制作底电极。
进一步的，所述衬底采用重掺杂p型InP衬底。尤为优选的，所述衬底的厚度在100微米到600微米之间。
进一步的，所述缓冲层的材质选自重掺杂p型InP材料，且载流子浓度为5×1018～5×1019cm-3。尤为优选的，所述缓冲层的厚度在0.1微米到2微米之间，
进一步的，所述近红外响应单元包括依次形成的p型InP层、吸收层、n型InP层，其中吸收层的材质选自本征In0.53Ga0.47As材料，载流子浓度为1x1014～1x1017cm-3。尤为优选的，所述吸收层的厚度为0.5微米到3微米。其中，p型、n型InP层系分别作为近红外响应单元的发射和集电区。
进一步的，所述共用接触层及顶电极接触层的材质选自重掺杂n型InP材料，载流子载流子浓度为1×1018～5×1018cm-3。尤为优选的，所述共用接触层及顶电极接触层的厚度为0.2微米到1.5微米。
进一步的，所述中红外响应包括依次形成的第一n型InP渐变层、InxAl1-xAs/InyGa1-yAs量子阱结构和第二n型InP渐变层。
尤为优选的，所述量子阱结构的周期为10～50，其中InxAl1-xAs材料不掺杂，而InyGa1- yAs为n型掺杂，且载流子浓度为5×1017～3×1018cm-3。
更进一步的，其中InxAl1-xAs材料的厚度为30纳米到60纳米之间。
更进一步的，其中InyGa1-yAs材料的厚度为3纳米至7纳米之间。
尤为优选的，第一、第二n型InP渐变层的掺杂浓度为5×1017～2×1018cm-3。
其中，近红外响应单元使用底电极和共用电极，中红外响应单元使用顶电极和共用电极。
其中，近红外波长由In0.53Ga0.47As材料带宽决定，中红外波长由InxAl1-xAs/InyGa1-yAs量子阱阱内基态与激发态的能极差决定。
所述近中红外波双色探测器的制备方法包括：
在衬底正面上依次生长缓冲层、近红外响应单元、共用接触层、中红外响应单元和顶电极接触层形成外延层；
对所述外延层进行刻蚀，直至在共用接触层上形成台面，再在共用接触层和顶电极接触层上制作顶电极和共用电极；
在衬底背面上形成电流扩展和/或抗反射层，并在电流扩展和/或抗反射层刻蚀出电极图形结构，以及，依据所述电极图形结构在电流扩展和/或抗反射层上制作底电极。
作为较为优选的实施方案之一，所述制备方法还可包括：在顶电极接触层和共用接触层上淀积Au/Ge/Ni/Au金属，并在350～400℃退火2min～5min形成欧姆接触，从而形成所述顶电极和共用电极。
与现有技术相比，本发明的优点至少在于：提供的近中红外波双色探测器在红外光谱照射下能够观察到明显的响应电流，可独立或同时进行近、中红外波段的探测，且器件结构简单，体积小，成本低廉，具有广泛应用前景。
附图说明
图1a为本发明一典型实施例中一种近中红外波双色探测器的平面结构示意图；
图1b为图1a所示探测器中PIN InGaAs近红外响应单元的结构示意图；
图1c为图1a所示探测器中红外探测区域的InAlAs/InGaAs量子阱结构示意图；
图2为本发明一典型实施例中一种近中红外波双色探测器的制备工艺流程图。
具体实施方式
本发明的一个方面提供了一种近中红外波双色探测器，其可实现近、中波段红外线的同时探测。
进一步的，在一些实施方案之中，本发明的双色探测器可以InP基材料为主，可以在保证高质量材料的基础上，制作近中红外探测器。
更进一步的，在一些更为具体的实施方案之中，本发明提供了基于InP衬底的，InGaAs和InGaAs/InAlAs量子阱集成的双色探测器，其基本结构可以包括衬底、缓冲层、近红外响应区域、共用接触层、中红外响应区域、顶电极接触层、ITO电流扩展层和金属电极等。
其中，在近红外波段，InGaAs在此波长附近的吸收系数高，可实现较高的红外探测性能。
其中，在中红外波段，与InP匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As利用量子阱的电子带内跃迁，可实现较高的中红外探测性能，特别是可以进行波长约为3.9um的红外波，而通过增加和减少InGaAs及InAlAs材料的In组分，制作出的应变超晶格能使探测波长覆盖3～5um范围。
进一步的，以PIN InGaAs近红外探测结构和InGaAs/InAlAs量子阱中红外探测结构为基础进行近中红外波双色探测器的制作，可以充分保证材料外延的质量，减少因材料匹配度问题产生的缺陷等问题，进而提高双色探测器性能。
更为具体的，在一些实施案例之中，采用重掺杂p型InP做衬底，以In0.53Ga0.47As为吸收层的PIN结构作为近红外探测区域，重掺杂n型InP作为共用及顶电极接触层，组分可变的InxAl1-xAs/InyGa1-yAs量子阱结构作为中红外探测区域；ITO作为光入射面的电流扩展层和抗反层。
所述近中红外波双色探测器采用In0.53Ga0.47As材料作为近红外响应区域的吸收层，探测波长为0.7-1.6微米，与InP衬底晶格匹配，可以减小材料缺陷，降低器件暗电流；中红外响应区域由InxAl1-xAs/InyGa1-yAs量子阱结构构成，带内电子跃迁是其探测原理，其中y≥0.53,x≤0.52，构成应力补偿量子阱，可大大降低材料生长难度，提高器件分辨率，探测波段为3-5微米；近红外探测区域由p型和n型掺杂InP材料作为集电区和发射区，可降低载流子的表面复合；中红外探测区域，n型InP作为接触层和量子阱层的渐变层，有利于提高器件的响应。本器件采用三电极设计，分为顶电极、共用电极和底电极，其中近红外响应区域使用底电极和共用电极，中红外响应区域使用顶电极和共用电极。顶电极和共用电极由Au/Ge/Ni/Au材料构成；底电极淀积在ITO上，由Ni/Au或Ni材料构成。
以下结合附图及实施案例对本发明的技术方案作进一步的说明。
请参阅图1所示，在一实施例中，一种近中红外波双色探测器可以包括：
一衬底层10，所述衬底层材料为重掺杂p型InP；
一缓冲层20，该缓冲层生长在衬底10上，所述缓冲层材料为重掺杂p型InP；
一近红外响应区30，该近红外响应区30生长在缓冲层20上，所述近红外响应区30结构为一p型InP层301，一本征In0.53Ga0.48As吸收层302，一n型InP层303；
一共用接触层40，该共用接触层40生长在红外响应区30上，所述共用接触层40为重掺杂n型InP；
一中红外响应区50，该中红外响应区50生长在共用接触层40上，所述中红外响应区50结构为两n型InP渐变层501；一InxAl1-xAs/InyGa1-yAs量子阱，其中InxAl1-xAs 502为垒层，n型掺杂InyGa1-yAs 503为阱层；
一顶电极接触层60，该接触层60生长在中红外响应区50上，所述接触层60为重掺杂n型InP；
在重掺杂n型InP共用和顶电极接触层上，制作Au/Ge/Ni/Au金属70；
一ITO电流扩展和抗反层80，该ITO层制作在衬底10背面。下金属电极90制作在ITO层的一小块区域，材料为Ni或Ni/Au。
请参阅图1及图2，该近中红外波双色探测器的制作方法可以包括如下具体步骤：
步骤1：利用薄膜外延生长设备在p+-InP衬底上生长外延层。依次生长制作一缓冲层、一近红外响应区、一共用接触层、一中红外响应区和一顶电极接触层；
步骤2：在顶电极接触层上淀积一层SiO2作为掩膜层；
步骤3：在SiO2上光刻做出开口，使用干法或湿法刻蚀，在共用接触层刻蚀出台面；
步骤4：使用电子束蒸发的方法在顶电极和共用接触层上淀积Au/Ge/Ni/Au金属，并进行退火；
步骤5：衬底减薄并抛光；
步骤6：在背面淀积制作ITO薄膜，并进行退火，降低衬底与ITO薄膜的接触电阻；
步骤7：在ITO上淀积SiO2并光刻；
步骤8：在ITO薄膜的一部分区域淀积Ni或Ni/Au金属电极，并进行退火。
经测试表明，本实施例的该近中红外波双色探测器在红外光谱，特别是近、中红外光照射下能够观察到明显的响应电流，可独立或同时进行近、中红外波段的探测，且器件结构简单，体积小，成本低廉。
应当理解，上述实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种近中红外波双色探测器，其特征在于包括依次形成于衬底正面上的缓冲层、近红外响应单元、共用接触层、中红外响应单元以及顶电极接触层，所述衬底背面设置有底电极，所述顶电极接触层和共用接触层上分别设置有顶电极和共用电极；
其中，所述近红外响应单元为探测波长为0.7-1.6微米的近红外响应单元，包括以In0.53Ga0.47As作为吸收层的PIN结构；
所述中红外响应单元为探测波段为3-5微米的中红外响应单元，包括InxAl1-xAs/InyGa1-yAs量子阱结构，0.53≤y＜1，1＜x≤0.52。
2.根据权利要求1所述的近中红外波双色探测器，其特征在于所述衬底背面上设置有电流扩展和/或抗反射层，所述底电极分布在所述电流扩展和/或抗反射层上。
3.根据权利要求1所述的近中红外波双色探测器，其特征在于所述衬底采用重掺杂p型InP衬底。
4.根据权利要求1所述的近中红外波双色探测器，其特征在于所述缓冲层的材质选自重掺杂p型InP材料，且载流子浓度为5×1018～5×1019cm-3。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的近中红外波双色探测器，其特征在于所述近红外响应单元包括依次形成的p型InP层、吸收层、n型InP层，其中吸收层的材质选自本征In0.53Ga0.47As材料，载流子浓度为1×1014～1×1017cm-3。
6.根据权利要求1所述的近中红外波双色探测器，其特征在于所述共用接触层及顶电极接触层的材质选自重掺杂n型InP材料，载流子载流子浓度为1×1018～5×1018cm-3。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的近中红外波双色探测器，其特征在于所述中红外响应包括依次形成的第一n型InP渐变层、InxAl1-xAs/InyGa1-yAs量子阱结构和第二n型InP渐变层；
所述量子阱结构的周期为10～50，其中InxAl1-xAs材料不掺杂，而InyGa1-yAs为n型掺杂，且载流子浓度为5×1017～3×1018cm-3；
第一、第二n型InP渐变层的掺杂浓度为5×1017～2×1018cm-3。
8.权利要求1-7中任一项所述的近中红外波双色探测器的制备方法，其特征在于包括：
在衬底正面上依次生长缓冲层、近红外响应单元、共用接触层、中红外响应单元和顶电极接触层形成外延层；
对所述外延层进行刻蚀，直至在共用接触层上形成台面，再在共用接触层和顶电极接触层上 制作顶电极和共用电极；
在衬底背面上形成电流扩展和/或抗反射层，并在电流扩展和/或抗反射层刻蚀出电极图形结构，以及，依据所述电极图形结构在电流扩展和/或抗反射层上制作底电极。
9.根据权利要求8所述的近中红外波双色探测器的制备方法，其特征在于包括：在顶电极接触层和共用接触层上淀积Au/Ge/Ni/Au金属，并在350～400℃退火2min～5min形成欧姆接触，从而形成所述顶电极和共用电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510039927.0A CN104576811B (zh) | 2015-01-27 | 2015-01-27 | 近中红外波双色探测器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510039927.0A CN104576811B (zh) | 2015-01-27 | 2015-01-27 | 近中红外波双色探测器及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104576811A CN104576811A (zh) | 2015-04-29 |
| CN104576811B true CN104576811B (zh) | 2016-08-31 |
Family
ID=53092442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510039927.0A Active CN104576811B (zh) | 2015-01-27 | 2015-01-27 | 近中红外波双色探测器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104576811B (zh) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106384755A (zh) * | 2016-11-29 | 2017-02-08 | 苏州苏纳光电有限公司 | InP基量子阱远红外探测器及其制作方法 |
| CN107248517A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-10-13 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 偏置控制双波段InAlAs‑InGaAs二极探测器及焦平面阵列 |
| CN107240616B (zh) * | 2017-06-12 | 2018-11-13 | 北京工业大学 | 具有本征层结构的InGaAs/InP光敏晶体管红外探测器 |
| CN107706261B (zh) * | 2017-09-04 | 2019-10-08 | 中国空空导弹研究院 | 一种叠层双色红外焦平面探测器及其制备方法 |
| CN108417592A (zh) * | 2018-02-12 | 2018-08-17 | 中国科学院半导体研究所 | 红外成像器件及其制备方法、仿生红外球面相机 |
| CN108550600B (zh) * | 2018-06-15 | 2021-04-27 | 杭州国翌科技有限公司 | 单片式多色光电探测器 |
| CN109285913B (zh) * | 2018-11-14 | 2020-11-10 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 低表面漏电流台面型光电探测器及其制作方法 |
| CN109728120B (zh) * | 2018-12-26 | 2022-08-09 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种高可靠nip结构台面型光电二极管及其制作方法 |
| CN109742178B (zh) * | 2019-01-29 | 2020-07-17 | 西安工业大学 | 一种透红外的高灵敏可见光探测器及其制备方法 |
| CN110970514B (zh) * | 2019-12-13 | 2021-12-07 | 上海科技大学 | 一种基于二型量子阱的双波段红外光电探测器 |
| CN111628013B (zh) * | 2020-01-14 | 2022-04-05 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种硅基环形多波段探测器及其制作方法 |
| CN114361282A (zh) * | 2021-04-29 | 2022-04-15 | 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司 | 红外探测器及其制备方法 |
| CN113206171A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-08-03 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 柔性太阳能电池及其制作方法 |
| CN113984199B (zh) * | 2021-10-26 | 2023-03-24 | 北京理工大学 | 红外-可见光双色切换上转化成像焦平面器件及制备方法 |
| CN114284377B (zh) * | 2021-12-31 | 2023-07-28 | 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 | 双面Si基AlGaN探测器及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101894831A (zh) * | 2009-05-20 | 2010-11-24 | 中国科学院半导体研究所 | 紫外-红外双波段探测器及其制作方法 |
| CN103843158A (zh) * | 2012-05-30 | 2014-06-04 | 住友电气工业株式会社 | 光接收元件、半导体外延晶片、检测装置和制造光接收元件的方法 |
-
2015
- 2015-01-27 CN CN201510039927.0A patent/CN104576811B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101894831A (zh) * | 2009-05-20 | 2010-11-24 | 中国科学院半导体研究所 | 紫外-红外双波段探测器及其制作方法 |
| CN103843158A (zh) * | 2012-05-30 | 2014-06-04 | 住友电气工业株式会社 | 光接收元件、半导体外延晶片、检测装置和制造光接收元件的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104576811A (zh) | 2015-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104576811B (zh) | 近中红外波双色探测器及其制备方法 | |
| CN104576805B (zh) | 一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器 | |
| CN106711249B (zh) | 一种基于铟砷锑（InAsSb）材料的双色红外探测器的制备方法 | |
| CN105405916B (zh) | 硅基宽光谱探测器及制备方法 | |
| CN104465853B (zh) | 一种雪崩光电二极管及其制作方法 | |
| Jiang et al. | Demonstration of a 256× 256 middle-wavelength infrared focal plane array based on InGaAs/InGaP quantum dot infrared photodetectors | |
| CN106711253B (zh) | 一种iii族氮化物半导体雪崩光电二极管探测器 | |
| CN102244135B (zh) | 一种pin倒置结构紫外雪崩光电探测器及其制备方法 | |
| CN105304748B (zh) | 双工作模式的4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法 | |
| US8299497B1 (en) | Near-infrared photodetector with reduced dark current | |
| CN106684200B (zh) | 一种三色红外探测器的制备方法 | |
| CN103178150B (zh) | 天线耦合太赫兹探测器 | |
| CN104282793A (zh) | 一种三台面p-π-n结构III族氮化物半导体雪崩光电探测器及其制备方法 | |
| CN107359221B (zh) | 一种基于soi-量子点异质结的红外探测器制备方法 | |
| CN109285911A (zh) | 一种短波/中波/长波三波段红外探测器及其制备方法 | |
| Dehzangi et al. | Impact of scaling base thickness on the performance of heterojunction phototransistors | |
| CN107403848B (zh) | 一种背照式级联倍增雪崩光电二极管 | |
| CN101271933A (zh) | 量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 | |
| CN104617166B (zh) | 基于Si衬底的InGaAs红外探测器及其制备方法 | |
| Imran et al. | Molecular beam epitaxy growth of high mobility InN film for high-performance broadband heterointerface photodetectors | |
| CN106024931A (zh) | InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法 | |
| CN105957908A (zh) | 倍增区控制的雪崩光电二极管及其制造方法 | |
| CN103489937B (zh) | 一种非对称沟道量子点场效应光子探测器 | |
| Yakimov et al. | Influence of delta-doping on the performance of Ge/Si quantum-dot mid-infrared photodetectors | |
| CN106384755A (zh) | InP基量子阱远红外探测器及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |