CN104576794A - 一种抗隐裂太阳能组件的生产方法 - Google Patents

一种抗隐裂太阳能组件的生产方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104576794A
CN104576794A CN201410783142.XA CN201410783142A CN104576794A CN 104576794 A CN104576794 A CN 104576794A CN 201410783142 A CN201410783142 A CN 201410783142A CN 104576794 A CN104576794 A CN 104576794A
Authority
CN
China
Prior art keywords
production method
solar
rete
void region
components according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410783142.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN104576794B (zh
Inventor
任现坤
王光利
尹兰超
黄国强
姜言森
贾河顺
马继磊
张春艳
徐振华
支开印
陈兵兵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LINUO PV HIGH-TECH Co Ltd
Original Assignee
LINUO PV HIGH-TECH Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LINUO PV HIGH-TECH Co Ltd filed Critical LINUO PV HIGH-TECH Co Ltd
Priority to CN201410783142.XA priority Critical patent/CN104576794B/zh
Publication of CN104576794A publication Critical patent/CN104576794A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104576794B publication Critical patent/CN104576794B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种抗隐裂太阳能组件的生产方法,将太阳能电池片进行串焊、组版、层压和组框工序,制备太阳能电池组件,在进行组板工序时,将第二层膜置于太阳能电池片层与第三层膜之间,所述的第二膜层为阻隔层,采用与第三膜层不粘合的膜层结构,实现第三膜层与太阳能电池片层的局部分离,本发明大幅提升了组件本身的抗隐裂能力,同时不影响组件的散热,还能够与组件其它材料如:玻璃、EVA、背板和太阳能电池提供了更大的减薄空间。另外,本发明的太阳能组件,加工工艺简单,成品率高,使用过程中衰减低,使用寿命长。

Description

一种抗隐裂太阳能组件的生产方法
技术领域
本发明涉及太阳能组件的制造领域,具体涉及一种抗隐裂太阳能组件的生产方法。
背景技术
随着晶硅太阳能市场的不断发展,越来越多的质量问题被暴露出来,业内对于光伏电池组件质量认识也越来越深入。目前光伏组件隐裂正受到更多重视,即封装在光伏组件内的太阳能电池片出现裂片的现象。由于封装的存在和EVA的粘性,发生裂片的电池各部分碎片间仍保持原来的结合和导电。短时从外观和输出功率上看不到太大的变化,仅能使用电致发光测试机台(EL)测出。但从长期看存在电池片裂片之间受热胀冷缩作用被彻底分离影响发电的隐患,严重的可能导致部分碎片不导通,影响功率,甚至产生热斑发生着火危险。
近期大量的电站发现了名为“闪电纹”的外观情况,成为制造商、安装商和电站业主关注和争论的焦点。经过研究分析发现,闪电纹虽然不完全是隐裂造成的,但总是伴随着隐裂的出现而出现。虽然当前对发电功率影响不大。但影响外观,导致客户接受度变差,长期可能带来其他的性能和安全隐患。
导致隐裂产生的原因有很多,光伏组件的生产、包装、运输、安装和安装之后的环境应力:风、雪、冰雹和温度变化等都有可能造成隐裂。但归根究底,光伏组件的自身强度仍需要提高。
目前行业趋势是制造成本的降低,制造成本的降低不但要求光电转换效率的提升,还要求各项原材料成本的降低。大多数原材料厂家都采用了降低原材料厚度或用量的手段来进行,这种发展趋势进一步降低了组件的结构强度。材料减薄和组件自身强度的提升互相矛盾。
发明内容
本发明的目的就是为克服上述现有技术存在的缺陷而提供的一种抗隐裂太阳能组件的生产方法。本发明大幅提升了组件本身的抗隐裂能力,同时不影响组件的散热,还能够与组件其它材料如:玻璃、EVA、背板和太阳能电池提供了更大的减薄空间。另外,本发明的太阳能组件,加工工艺简单,成品率高,使用过程中衰减低,使用寿命长。
本发明的一种抗隐裂太阳能组件的生产方法技术方案为,将太阳能电池片进行串焊、组版、层压和组框工序,制备太阳能电池组件,在进行组板工序时,将第二层膜置于太阳能电池片层与第三层膜之间,该太阳能电池组件包括基板,在基板上依次有第一膜层、太阳能电池片层、第二层膜、第三膜层、透明背板。
所述的第二膜层为阻隔层,采用与第三膜层不粘合的膜层结构,实现第三膜层与太阳能电池片层的局部分离。
所述的第二膜层为聚四氟乙烯树脂、硅油或者聚酰亚胺树脂。
所述的第二膜层局部镂空,形状为网格或者螺旋结构。
第二膜层的厚度为10-2000微米,镂空区域占第二膜层的总面积比为20~80%。
所述的网格结构镂空区域均匀分布,镂空区域为规则图形或不规则图形,网格结构镂空区域平均宽度为0.1-5000微米,网格结构非镂空区域平均宽度为0.1-5000微米。
所述的螺旋结构可以为一个以上,螺旋结构在组件中均匀分布,其螺旋结构镂空区域宽度为0.1-5000微米,螺旋结构非镂空区域宽度为0.1-5000微米。
所述的螺旋结构数目与太阳能电池片数一一对应。
所述的基板为有机玻璃或者钢化玻璃;所述的第一、三膜层为EVA 膜、PVB 膜、硅胶、PO膜或者POE膜。
所述太阳能电池片可以为单晶、多晶、类单晶等晶硅电池片。
本发明的有益效果为:本发明采用第三膜层与太阳能电池片层的局部分离的设计,使得在太阳能组件受到外力作用导致变形时,可以将第三膜层对太阳能电池片大部分作用力转移到第三膜层没有与太阳能电池片接触的区域。这样,不仅可以增强组件的强度和韧性,还大幅提升了组件本身的抗隐裂能力,同时不影响组件的散热,还能够与组件其它材料如:玻璃、EVA、背板和太阳能电池提供了更大的减薄空间。另外,本发明的太阳能组件,加工工艺简单,成品率高,使用过程中衰减低,使用寿命长。未来随着太阳能电池厚度的和其他材料的厚度的持续降低,这种结构会受到越来越多的运用。
附图说明:
图1所示为本发明的太阳能组件结构示意图;
图2所示为现有技术的太阳能组件结构示意图;
图3所示为实施例1的第二膜层螺旋结构镂空示意图;
图4所示为实施例2的第二膜层网格结构镂空示意图。
图中,1. 基板,2. 第一膜层,3. 太阳能电池片层,4. 第二膜层,5.第三膜层,6. 透明背板,7镂空区域,8非镂空区域。
具体实施方式:
为了更好地理解本发明,下面结合附图来详细说明本发明的技术方案,但是本发明并不局限于此。
    本发明包括基板1,在基板1上依次有第一膜层2、太阳能电池片层3、第二层膜4、第三膜层5、透明背板6。在太阳能组件生产过程中,进行串焊、组版、层压和组框工序,制备太阳能电池组件,在进行组板工序时,将第二层膜4置于太阳能电池片层3与第三层膜5之间。
实施例1
太阳能电池片层3采用156多晶太阳能电池封装6*10太阳能组件版型,基板1为有机玻璃,第一膜层2、第三膜层5为EVA 膜,第二膜层4为聚四氟乙烯树脂。如说明书附图图3所示,第二膜层4采用螺旋结构镂空,螺旋结构60个,与太阳能电池片一一对应,厚度为500微米,螺旋结构镂空区域7宽度为200微米,螺旋结构非镂空区域8宽度为300微米。组件生产过程为:
串焊:太阳能电池片通过焊带串联成一排。
组版:将串好太阳能电池片排列在已铺设好的玻璃和其上的一层EVA上,多排电池片串之间再通过焊带串联,这样就将所有电池片串联。之后往电池片上铺设一层聚四氟乙烯树脂,再铺设一层EVA,最后铺设一层透明背板6。
层压:组版好的结构置于层压机内进行真空热压。
打框:在层压好的半成品四周安装铝合金边框。
实施例2:
太阳能电池片层3采用156单晶太阳能电池封装6*10太阳能组件版型,基板1为钢化玻璃,第一膜层2、第三膜层5为POE 膜,第二膜层4为聚酰亚胺树脂。如说明书附图图4所示,第二膜层4采用网格结构镂空,厚度为1000微米,网格结构镂空区域7宽度为800微米,网格结构非镂空区域8宽度为800微米。组件生产过程为:
串焊:太阳能电池片通过焊带串联成一排。
组版:将串好太阳能电池片排列在已铺设好的玻璃和其上的一层POE上,多排电池片串之间再通过焊带串联,这样就将所有电池片串联。之后往电池片上铺设一层聚酰亚胺树脂,再铺设一层POE,最后铺设一层透明背板6。
层压:组版好的结构置于层压机内进行真空热压。
打框:在层压好的半成品四周安装铝合金边框。

Claims (9)

1.一种抗隐裂太阳能组件的生产方法,将太阳能电池片进行串焊、组版、层压和组框工序,制备太阳能电池组件,其特征在于,在进行组板工序时,将第二层膜置于太阳能电池片层与第三层膜之间,该太阳能电池组件包括基板,在基板上依次有第一膜层、太阳能电池片层、第二层膜、第三膜层、透明背板。
2. 根据权利要求1所述的一种抗隐裂太阳能组件的生产方法,其特征在于,所述的第二膜层为阻隔层,采用与第三膜层不粘合的膜层结构,实现第三膜层与太阳能电池片层的局部分离。
3. 根据权利要求2所述的一种抗隐裂太阳能组件的生产方法,其特征在于,所述的第二膜层为聚四氟乙烯树脂、硅油或者聚酰亚胺树脂。
4. 根据权利要求3所述的一种抗隐裂太阳能组件的生产方法,其特征在于,所述的第二膜层局部镂空,形状为网格或者螺旋结构。
5. 根据权利要求4所述的一种抗隐裂太阳能组件的生产方法,其特征在于,第二膜层的厚度为10-2000微米,镂空区域占第二膜层的总面积比为20~80%。
6. 根据权利要求5所述的一种抗隐裂太阳能组件的生产方法,其特征在于,所述的网格结构镂空区域均匀分布,镂空区域为规则图形或不规则图形,网格结构镂空区域平均宽度为0.1-5000微米,网格结构非镂空区域平均宽度为0.1-5000微米。
7. 根据权利要求5所述的一种抗隐裂太阳能组件的生产方法,其特征在于,所述的螺旋结构可以为一个以上,螺旋结构在组件中均匀分布,其螺旋结构镂空区域宽度为0.1-5000微米,螺旋结构非镂空区域宽度为0.1-5000微米。
8. 根据权利要求7所述的一种抗隐裂太阳能组件的生产方法,其特征在于,所述的螺旋结构数目与太阳能电池片数一一对应。
9. 根据权利要求1所述的一种抗隐裂太阳能组件的生产方法,其特征在于,所述的基板为有机玻璃或者钢化玻璃;所述的第一、三膜层为EVA 膜、PVB 膜、硅胶、PO膜或者POE膜。
CN201410783142.XA 2014-12-17 2014-12-17 一种抗隐裂太阳能组件的生产方法 Active CN104576794B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410783142.XA CN104576794B (zh) 2014-12-17 2014-12-17 一种抗隐裂太阳能组件的生产方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410783142.XA CN104576794B (zh) 2014-12-17 2014-12-17 一种抗隐裂太阳能组件的生产方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104576794A true CN104576794A (zh) 2015-04-29
CN104576794B CN104576794B (zh) 2017-02-01

Family

ID=53092428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410783142.XA Active CN104576794B (zh) 2014-12-17 2014-12-17 一种抗隐裂太阳能组件的生产方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104576794B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105539667A (zh) * 2015-12-31 2016-05-04 杨传斌 太阳能电动滑板
CN110911513A (zh) * 2018-09-14 2020-03-24 杭州纤纳光电科技有限公司 Bipv组件的结构和制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080115827A1 (en) * 2006-04-18 2008-05-22 Itn Energy Systems, Inc. Reinforcing Structures For Thin-Film Photovoltaic Device Substrates, And Associated Methods
CN102272947A (zh) * 2008-10-31 2011-12-07 陶氏康宁公司 光生伏打电池组件和形成方法
CN102769053A (zh) * 2011-05-04 2012-11-07 Lg电子株式会社 太阳能电池模块及其制造方法
CN104157711A (zh) * 2014-07-31 2014-11-19 江西瑞晶太阳能科技有限公司 高效抗pid双玻光伏组件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080115827A1 (en) * 2006-04-18 2008-05-22 Itn Energy Systems, Inc. Reinforcing Structures For Thin-Film Photovoltaic Device Substrates, And Associated Methods
CN102272947A (zh) * 2008-10-31 2011-12-07 陶氏康宁公司 光生伏打电池组件和形成方法
CN102769053A (zh) * 2011-05-04 2012-11-07 Lg电子株式会社 太阳能电池模块及其制造方法
CN104157711A (zh) * 2014-07-31 2014-11-19 江西瑞晶太阳能科技有限公司 高效抗pid双玻光伏组件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105539667A (zh) * 2015-12-31 2016-05-04 杨传斌 太阳能电动滑板
CN110911513A (zh) * 2018-09-14 2020-03-24 杭州纤纳光电科技有限公司 Bipv组件的结构和制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104576794B (zh) 2017-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN205177858U (zh) 无主栅双面电池组件
CN108023537A (zh) 一种彩钢瓦屋顶光伏组件结构
CN201838609U (zh) 一种具有示温效应的光伏组件
CN204680679U (zh) 一种太阳能电池组件
CN203674229U (zh) 透光型晶硅太阳电池组件
CN103035768A (zh) 一种太阳电池组件及其制备方法
CN104576794A (zh) 一种抗隐裂太阳能组件的生产方法
CN110993727A (zh) 一种高效太阳能光伏发电组件的加工方法
CN109545871A (zh) 一种正六边形mwt太阳能电池半片、组件及排列方法
CN104347741A (zh) 一种柔性透光光伏组件及其制备方法
Wang et al. Influence of novel photovoltaic welding strip on the power of solar cells and photovoltaic assembly
CN105552168B (zh) 太阳能光伏组件的封装材料的封装效果的预测方法
CN104810420A (zh) 透光型晶硅太阳电池组件
CN204464298U (zh) 一种抗隐裂太阳能组件
CN104393060A (zh) 一种抗隐裂光伏组件
CN106558631B (zh) 无主栅双面电池组件及其制作工艺
CN206402161U (zh) 一种双面发电光伏组件及光伏发电系统
Dross et al. Vacuum-free, cost-effective, developing-country-material-available solar cell encapsulation
TWI599059B (zh) 弧彎透光組件、其用途及其製作方法
CN205621749U (zh) 一种太阳能电池真空玻璃窗
CN208970529U (zh) 抗蜗牛纹光伏组件
CN204885188U (zh) 一种异形太阳能电池组件
CN207968385U (zh) 一种彩钢瓦屋顶光伏组件结构
CN208873734U (zh) 贴膜全黑光伏组件
CN206976358U (zh) 一种太阳能电池片及太阳能组件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant