CN104576281A - 等离子刻蚀设备 - Google Patents

Abstract

一种等离子刻蚀设备，用于对衬底进行等离子刻蚀，包括：第一隔室，具有拥有一定横截面积和形状的等离子生成区域；等离子生成装置，用于在等离子生成区域中生成等离子；第二隔室，生成的等离子能够流入第二隔室，第二隔室限定了具有一定的大于等离子生成区域的横截面积和形状的内部；第三隔室，具有用于对具有待等离子刻蚀的上表面的衬底进行支承的衬底支承件，第三隔室具有与第二隔室的界面，以使得等离子或者一种或更多与等离子相关的刻蚀剂可流出第二隔室对衬底进行刻蚀；第二隔室的内部的横截面积与形状大体上对应于衬底的上表面；以及衬底支承件使得，在使用中，衬底与第二隔室的内部大体配准，并且衬底上表面与界面相距80mm或更少。

Description

等离子刻蚀设备

技术领域

本发明涉及一种等离子刻蚀设备、相关的整套装置以及衬底的等离子刻蚀方法。

背景技术

用于在半导体晶圆上制造器件的工艺包括在各种等离子刻蚀工具中实现的大量的等离子刻蚀工艺步骤。通常来说，等离子刻蚀工艺被用于选择性地将材料从并未覆盖有掩膜的晶圆区域上去除。在例如硅、砷化镓(GaAs)、铝和二氧化硅等材料中的刻蚀深度能够在几纳米到几百微米之间变化。在所有的等离子刻蚀工艺中，一般要求提供一致的可重复的刻蚀工艺。这些性质在裸片(在几平方毫米或者平方厘米的区域上)内以及在整个晶圆(目前为300毫米的直径，尽管更大的直径在将来可能成为商业规范)上应该是明显的

由于等离子刻蚀工具和净室的高成本，并且还因为净室占地空间十分稀缺的，因而净室空间的高效利用是很重要的，所以能够尽快对特征进行刻蚀当然在经济上是有益的。遗憾的是，在实践中的大多数情况下，高刻蚀速率的使用带来的工艺时间的减少产生了不太一致的工艺性能。由此，通常进行折中以使得一致性和刻蚀速率都处于可接受的水平。当需要很长的刻蚀工艺时间以在硅中刻蚀诸如MEMS结构或硅通孔(TSV)之类的深的特征(几十到几百微米)时达到高刻蚀速率与晶圆上的刻蚀一致性之间的最近平衡尤为重要。为了形成这些类型的深的硅刻蚀特征，通常使用被称为“Bosch工艺”的循环沉积/刻蚀步骤。Bosch工艺在现有技术中是众所周知的，并且在例如US5501893中进行了描述。

相应地，已经进行了大量的研究以在不牺牲刻蚀一致性的情况下增大刻蚀速率。现有技术的代表性示例包括US2006/0070703和US7371332。在本领域中广泛接受的常识是等离子刻蚀工具所使用的处理隔室的内直径远大于其所处理的晶圆的直径。对于同样构成本领域所接受的常识的该手段存在技术解释。更加具体地，处理隔室具有比所处理晶圆的直径明显更大的直径具有有益效果，因为我们相信在这样的系统中更容易得到一致的等离子，同时导致等离子中的非一致性的隔室的壁的损失在远离所处理的晶圆边缘处出现。US2006/0070703的图1为典型现有技术中单晶圆ICP等离子刻蚀系统的代表性示意图。如该图中所描绘的，圆柱形的隔室具有放置待处理圆形晶圆的中央压盘支承件或者静电卡盘(ESC)。通过在此情况下为多匝线圈的天线将RF电力耦合到隔室内的气体来引发和维持等离子。使用合适的泵送装置使气体进入到隔室的顶部并且使刻蚀工艺的副产物从隔室底部排出。晶圆压盘在一定的系统配置中可以被RF驱动，从而如现有技术中已知的那样对入射到晶圆表面的离子进行进一步控制。尽管US2006/0070703的图1是示意性的，然而实际上，晶圆与隔室的相对尺寸是现有技术的大体上精确的表示。

本发明的发明人认识到当在如US2006/0070703的图1所示类型的标准等离子刻蚀隔室中对晶圆进行刻蚀时，一部分活性刻蚀气体通过沿着隔室的侧面向下流动而完全绕过晶圆。本发明的发明人还认识到其气体利用是没有效率的。因为泵送发生在晶圆表面以下，引入到隔室中的大多数气体可能不会到达晶圆表面。例如，对于如US2006/0070703的图1所示类型的具有350mm直径的隔室以及隔室中央的200mm直径的晶圆，大约三分之二的气流将直接从泵中排出。此外，本发明的发明人认识到该配置在晶圆的中央附近导致较高的刻蚀速率并且在晶圆外围观察到较低的刻蚀速率。图1对此进行示意性地表示，其示出了硅刻蚀速率，该硅刻蚀速率是距离晶圆中心的位置的函数。能够看到，现有技术的配置促进了中央的高刻蚀速率，该刻蚀速率基本随刻蚀剂的浓度梯度而变化，该浓度梯度是从隔室中心到晶圆外围的距离的函数。

同样已知提供双室等离子刻蚀设备，其中，在第一隔室中生成的等离子流入保留有衬底的第二处理隔室。同样，本领域中所接受的常识是，处理室的内直径明显大于所处理的晶圆的直径。此外，本发明人意识到，生成等离子的第一隔室相对于晶圆的直径通常具有相对更大的尺寸。US2007/0158305和EP2416351两者公开了有效的双隔室装置，其中可能是平头锥形导管的导管被用于将等离子引导至位于第二隔室中的衬底。然而，生成等离子的第一隔室的区域的直径明显大于所处理的晶圆的直径。

本发明在其至少一些实施例中解决了一个或者多个上述问题。特别地，相对于传统系统，本发明的至少一些实施例能够提供改进的刻蚀一致性和/或改进的气体利用率。此外，相对于传统系统，本发明的至少一些实施例能够提供改进的刻蚀速率。

发明内容

为了避免疑义，当在本申请中提及“包括”或“包含”以及类似用语时，本发明还可理解为包括诸如“由...构成”和“大体上由...构成”之类的更加限定性的用语。

根据本发明的第一方面，提供了一种等离子刻蚀设备，用于对衬底进行等离子刻蚀，所述衬底包括：

第一隔室，具有等离子生成区域，所述等离子生成区域具有一定的横截面积和形状；

等离子生成装置，用于在所述等离子生成区域中生成等离子；

第二隔室，在所述等离子生成隔室中生成的等离子能够流入所述第二隔室，其中，所述第二隔室限定了具有一定横截面积和形状的内部，并且所述内部的横截面积大于所述等离子生成区域的横截面积；

第三隔室，具有一用于对具有待等离子刻蚀的上表面的衬底进行支承的衬底支承件，其中，所述第三隔室具有与所述第二隔室的界面，以使得等离子或者一种或更多种与等离子相关的刻蚀剂可流出所述第二隔室以对所述衬底进行刻蚀；

其中，

所述第二隔室的所述内部的横截面积与形状大体上对应于所述衬底的上表面；以及

所述衬底支承件被布置以使得，在使用中，所述衬底大体上与所述第二隔室的所述内部配准，并且所述衬底的上表面被放置成与所述界面相距80mm或更少。

待处理的所述衬底和所述第二隔室的内部各自可以具有至少一个宽度。所述第二隔室的内部宽度与所述衬底的宽度之比可以是1.15或更小，1.1或更小，1.0或更大，0.85或更大，0.9或更大，或者这些比值的任意结合。特别地，所述第二隔室的内部宽度与所述衬底的宽度之比可以在1.15到0.85范围内，优选地在1.1到0.9范围内。

更加优选地，所述第二隔室的内部宽度与所述衬底的宽度之比可以在1.15到1.0范围内，优选地在1.1到1.0的范围内。

应当理解，所述待处理的衬底以及所述第二隔室的内部通常具有圆形横截面，在此情况下以上所称的宽度为直径。原则上说，所述待处理的衬底以及所述第二隔室的内部可以具有不同的横截面形状，并且原则上这样的非圆形形状还可以具有多于一个的特征宽度。在这些实施例中，与所述横截面相关联的每个特征宽度将具有对应的所述第二隔室的内部宽度与所述衬底的宽度之比。在这些实施例中，每个宽度比可以满足以上的量化标准。

在一些实施例中，所述衬底支承件被布置成使得，在使用中，所述衬底的上表面被放置成与所述界面相距60mm或更少。

在一些实施例中，所述衬底支承件被布置成使得，在使用中，所述衬底的所述上表面被放置成距离所述界面10mm或更多。

优选地，所述衬底支承件被布置成使得，在使用中，所述衬底的上表面被放置成距离所述界面10－60mm。

等离子生成区域与所述第二隔室的内部中的每一个具有横截面积，所述等离子生成区域的横截面积与所述第二隔室的横截面积之比可以在0.07到0.7范围内。

通常，所述第一隔室和所述第二隔室共轴。在使用中，所述衬底通常也与所述第一隔室和所述第二隔室共轴。

通常，所述第一隔室和所述第二隔室都具有圆形横截面。通常，待等离子刻蚀的衬底也具有圆形横截面。

所述第一隔室可以具有钟形罩形状，也就是说，所述第一隔室可以具有非恒定的圆形横截面，该圆形横截面沿着所述隔室的纵轴根据位置的不同而变化，从而向外展开成所述第二隔室。

所述装置进一步可以包括布置在所述衬底支承件之上或附近的隔板以引导气体流到衬底附近。可以对所述隔板进行布置以在使用中增加不同种类的刻蚀剂在所述晶圆外围的滞留时间。

在一些实施例中，所述界面由布置在所述第二隔室与所述第三隔室之间的间隔元件来限定。所述间隔元件可以是诸如环的环形元件。间隔元件的使用是方便的，因为这使得所述衬底的上表面与界面之间的距离能够变化并且精细调节。

通常，所述第二隔室并未配备有等离子生成装置。实际上，仅所述第一隔室具有相关的等离子生成装置。

通常，所述衬底支承件被配置为对具有至少200mm直径的衬底进行支承。当被应用于具有200mm和300mm直径的晶圆时，本发明得到出众的结果。

本发明可容易地应用于许多刻蚀材料和工艺气体，包括但不仅限于Si、GaAs、聚合物、Al刻蚀材料以及基于氟、氯和氧的化学物。本发明可以被用于使用交替刻蚀和沉积步骤的Bosch工艺的刻蚀。

等离子生成装置可以使ICP(Inductively Coupled Plasma，感应耦合等离子)源、ECR(Electron Cyclotron Resonance，电子回旋加速共振)源、或者任何其它传统装置。

本发明的等离子刻蚀设备可以被提供为制造的原始物品。替代性地，本发明的一个优点在于，可以对其中设置有处理隔室的现有等离子刻蚀设备进行改型，所述处理隔室的横截面积明显大于所要刻蚀的所处衬底的上表面的面积。

可以提供结合所述衬底的等离子刻蚀设备，所述衬底使用所述衬底支承件进行支承。然而，本发明还有关于未被使用或使用之前的等离子刻蚀设备，也就是说，在所述衬底支承件上没有所述衬底。

根据本发明的第二方面，提供了一种对现有等离子刻蚀设备进行改型的整套装置，从而提供根据本发明的第一方面的经改型的等离子刻蚀设备。所述整套装置可以包括：

接合器，用于连接到所述现有等离子刻蚀设备的一个或更多个部分，所述接合器包括一当所述接合器被连接时被配置为充当所述第二隔室的套筒，并且所述接合器进一步包括一允许所述接合器被连接到所述现有等离子刻蚀设备的所述一个或更多个部分上以将所述套筒放置在合适位置处的连接机构。

所述接合器可以包括用于连接到所述现有等离子刻蚀设备的一个或更多个部分上的一个或更多个法兰部分。所述接合器可以包括上法兰部分和下法兰部分。所述法兰部分可以形成包括所述套筒的结构的一部分。替代性地，所述法兰部分可以形成容纳有所述套筒的结构的一部分。该结构可以包括用于容纳所述套筒的外套筒，所述套筒被配置为充当所述第二隔室。

所述整套装置进一步可以包括间隔元件，所述间隔元件被配置为布置在所述套筒以下并且可连接到所述接合器和/或所述现有等离子刻蚀设备，以限定所述经改型的等离子刻蚀设备中的所述第二隔室与所述第三隔室之间的界面。

根据本发明的第三方面，提供了一种对衬底进行等离子刻蚀的方法，包括以下步骤：

i)提供根据本发明的第一方面的等离子处理设备；

ii)使所述衬底由所述衬底支承件进行支承，以使得所述衬底大体上与所述第二隔室的内部配准并且所述衬底的上表面被放置成距离所述界面80mm或更少；

iii)在所述等离子生成区域中生成等离子；以及

iv)使所述等离子或者与所述等离子相关联的一种或更多种刻蚀剂对所述衬底进行刻蚀。

虽然以上对本发明进行了说明，但是本发明扩展到以上给出的，或者在以下说明书、附图或权利要求书中给出的特征的任意启发性的组合。例如，与本发明的一个方面相关的任意特征被认为公开成也与本发明的其它方面相关。

附图说明

将参照附图对根据本发明的装置和方法的实施例进行说明，在附图中：

图1示出了在使用传统装置进行刻蚀期间作为到硅晶圆中心距离的函数的硅刻蚀速率；

图2为经改型以提供本发明的等离子刻蚀设备的刻蚀设备的截面图；

图3为图2的等离子刻蚀设备的第二隔室与第三隔室之间的界面区域的透视图；

图4示出了作为在300mm硅晶圆上位置的函数的刻蚀深度；

图5示出了作为在200mm硅晶圆上位置的函数的硅刻蚀速率；

图6示出了在对200mm硅晶圆进行刻蚀时作为第二隔室的直径的函数的硅刻蚀速率和刻蚀深度的一致性；以及

图7示出了在对200mm直径的硅晶圆进行刻蚀时作为第二隔室与晶圆上表面之间间隔的函数的硅刻蚀速率和刻蚀深度的一致性。

具体实施方式

图2描绘了通常被示为10的本发明的等离子刻蚀设备。图2中所示的实施例实际上是经改型以产生根据本发明的装置的市售等离子刻蚀设备。更加具体地，图2中所示的装置是对申请人制造的并且以商标名DSi销售的等离子刻蚀设备的改型。装置10包括具有进气口12a的陶瓷钟形罩形式的第一隔室12，通过进气口12a引入气体以产生等离子。第一隔室12的一部分由ICP源14所围绕，ICP源14被用于以本领域的技术人员所熟知的方式在第一隔室12的至少一个等离子生成区域中引发并维持等离子。第一隔室12的下端向外展开成装置10的中间部分。中间部分通常在图2中描绘为16，并且是装置10中的主要改型部件。中间部分16包括具有套筒18a、上法兰部分18b以及下法兰部分18c的接合器结构18。上法兰部分被连接到第一隔室12以及装置10的其它上部部分。下法兰部分被连接到第三隔室20。套筒18a的大小被设置以承载一被安装在并位于套筒18a中的套筒形式的直径被减小的第二隔室22。第二隔室22能够进一步包括下环22a，下环22a在该实施例中被连接到套筒22。在包括第二隔室的中间部分的下方存在第三隔室20，第三隔室20容纳有用于支承待处理晶圆26的静电卡盘(ESC，electrostatics chuck)。第三隔室20包括用于将晶圆26导入装置10并且用于移除晶圆26的槽阀20a。第三隔室进一步包括出口20b。通过技术人员所熟知的合适泵送装置(未示出)将气体从出口20b排出该装置。

应当注意，图2并未示出第三隔室的完整视图。实际上，图2仅示出第三隔室的上部。第三隔室20的内直径必须明显大于晶圆的直径以使得晶圆能够被导入或者移出装置10。出于安全目的，围绕包括有第一隔室和第二隔室12、22的装置10的上部安装有圆柱封套28。

隔板28被设置在ESC 24与晶圆26周围以增加刻蚀气体在晶圆26的外围的滞留时间。还提供了一种晶圆边缘保护(WEP)装置30。

在传统的DSi装置中，不同的圆柱结构充当第二隔室，并且其内直径远大于晶圆直径。在本发明中，套筒22(和环22a)的内直径匹配于待处理的晶圆的直径。在代表性示例中，晶圆直径为200mm并且套筒22和环22a的内直径也是200mm。如本申请中其它部分所述，尽管使用直径的精确匹配达到了有利的结构，然而并不强制要求这些直径精确符合。应当理解，当晶圆26被安装在ESC 24上时，晶圆26与第二隔室22配准。

在此对使用图2中所示的装置改进刻蚀的示例进行说明。依照Bosch工艺进行刻蚀。

在图4中示出了针对在300mm直径晶圆上使用SF6化学剂的Si刻蚀工艺得到的刻蚀速率和一致性的工艺性能的改进。通过将第二隔室的大小(ID)从标准的350mm减小到300mm并同时将隔室到晶圆的间隔维持为43mm和23mm，刻蚀速率分别增加到9.8mm/min和10.3mm/min，同时一致性还比标准值9.7％有了明显改进。在表1对结果进行总结。

表1.针对使用SF6等离子刻蚀的300mm硅体晶圆的硅刻蚀速率ER(微米/分钟)和一致性值；标准直径(350mm ID)和减小直径(G＝300mm ID)。

在图5、6和7中能够看到针对使用～200mm的第二隔室内直径ID的200mm直径晶圆的代表性结果。在将200mm ID的第二隔室(第二隔室与晶圆之间的间隔为35mm)与标准的350mm ID的第二隔室相对比的全部情况中看出明显改进。

在图5中能够看到对于有图案的Si晶圆上的Bosch Si刻蚀工艺，标准隔室与减小直径的第二隔室之间15％的刻蚀速率改进。一致性也从使用标准第二隔室的+/-9％改进到使用本发明的较小第二隔室的+/-6％。

在图6中能够看到在第二隔室与晶圆之间的固定间隔为35mm的情况下200mm直径的Si晶圆的Si刻蚀速率和一致性是第二隔室的内直径的函数。在～220mm至235mm处，当硅晶圆朝向更大的第二隔室IDS移动时，一致性存在大的减小并且刻蚀速率较平缓地下降。

在图7中确立了小的下隔室与晶圆之间的紧密耦合的重要性，其中，在第二隔室到晶圆的间隔的一定范围(23mm至100mm)内对200mm直径晶圆进行Si刻蚀工艺。刻蚀速率与一致性的最优值在最小间隔时获得。

在不希望被任何特定的理论或者猜测所约束的情况下，应当相信本申请所说明的有利特性可归因为以下三个因素的结合。第一，至少在生成等离子的区域中，第二隔室的内部的横截面积大于第一隔室的横截面积。这样，最初生成的等离子的所在的容积并不是太大，并且能够形成相对一致的初始等离子。相比之下，相对较大的等离子生成隔室可产生螺旋分布的等离子。应当相信，如果初始生成的等离子不是非常一致，则很难提供导致一致刻蚀的后续工艺步骤。第二，第二隔室的直径应当接近晶圆的直径。这是非常意外的，因为这与本领域中所接受的常识相违背。在晶圆的横截面不是圆形的不太可能但理论上可行的情况下，第二隔室应当具有与晶圆的特征尺寸紧密匹配的相似形状。第三，(在刻蚀期间位于使用位置的)晶圆与紧密匹配的第二隔室之间的间隔应当很小。

相对于本领域中更大ID的隔室，本发明所提供的装置能够对晶圆平面上的气体和等离子容纳进行改进。本发明能够避免或者至少减小直接进入泵送管道中的刻蚀气体的流失，增大刻蚀速率，和/或改进晶圆间的深度一致性。同样，在不希望被任何特定的理论或猜测所约束的情况下，应当相信本发明能够促使刻蚀气体在被泵出之前围绕晶圆外围与晶圆进行反应。在实践中，应该在该混合与由此导致的减小的电导之间寻求平衡以用于将刻蚀产物泵送离开晶圆。就此而言，可以围绕或者非常接近晶圆设置隔板以进行协助。然而，隔板的使用并不是本发明的本质特征。技术人员将认识到，本发明能够以许多不同的方式进行实施和优化，并且这样的变形方式在本发明的范围内。例如，并不需要使用ESC来支承晶圆或者并不需要使用WEP装置。同样，除了对现有的装置进行改型之外，还可以制造依照本发明的新的等离子刻蚀设备。第三隔室可以由位于隔室底部而不是隔室侧面的端口进行泵送。可以想到其它的等离子生成装置。

Claims (17)

1.一种等离子刻蚀设备，用于对衬底进行等离子刻蚀，所述设备包括：

第一隔室，具有等离子生成区域，所述等离子生成区域具有一定的横截面积和形状；

等离子生成装置，用于在所述等离子生成区域中生成等离子；

第二隔室，在所述等离子生成隔室中生成的等离子能够流入所述第二隔室，其中，所述第二隔室限定了具有一定横截面积和形状的内部，并且所述内部的横截面积大于所述等离子生成区域的横截面积；

第三隔室，具有一用于对具有待等离子刻蚀的上表面的衬底进行支承的衬底支承件，其中，所述第三隔室具有与所述第二隔室的界面，以使得等离子或者一种或更多种与等离子相关的刻蚀剂可流出所述第二隔室以对所述衬底进行刻蚀；

其中，

所述第二隔室的所述内部的横截面积与形状大体上对应于所述衬底的上表面；以及

所述衬底支承件被布置以使得，在使用中，所述衬底大体上与所述第二隔室的所述内部配准，并且所述衬底的上表面被放置成与所述界面相距80mm或更少。

2.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其中，所述待刻蚀的衬底以及所述第二隔室的所述内部各自具有至少一个宽度，并且所述第二隔室的所述内部的宽度与所述衬底的宽度之比在1.15到0.85范围内，优选地在1.1到0.9范围内。

3.根据权利要求2所述的等离子刻蚀设备，其中，所述第二隔室的所述内部的宽度与所述衬底的宽度之比在1.5到1.0范围内，优选地在1.1到1.0范围内。

4.根据前述权利要求中任一项所述的等离子刻蚀设备，其中，所述衬底支承件被布置成使得，在使用中，所述衬底的上表面被放置成与所述界面相距60mm或者更少。

5.根据前述权利要求中任一项所述的等离子刻蚀设备，其中，所述衬底支承件被布置成使得，在使用中，所述衬底的上表面被放置成与所述界面相距10mm或更多。

6.根据前述权利要求中任一项所述的等离子刻蚀设备，其中，所述等离子生成区域的横截面积与所述第二隔室的横截面积之比在0.07到0.7范围内。

7.根据前述权利要求中任一项所述的等离子刻蚀设备，其中，所述第一隔室和所述第二隔室共轴。

8.根据前述权利要求中任一项所述的等离子刻蚀设备，其中，所述第一隔室与所述第二隔室两者都具有圆形横截面。

9.根据前述权利要求中任一项所述的等离子刻蚀设备，其中，所述第一隔室具有钟形罩形状。

10.根据前述权利要求中任一项所述的等离子刻蚀设备，其中，所述界面由布置在所述第二隔室与所述第三隔室之间的间隔元件来限定。

11.根据前述权利要求中任一项所述的等离子刻蚀设备，进一步包括布置在所述衬底支承件之上或者附近的隔板以引导气体流到所述衬底附近。

12.根据前述权利要求中任一项所述的等离子刻蚀设备，其中，所述衬底支承件被配置为对具有至少200mm直径的衬底进行支承。

13.根据前述权利要求中任一项所述的等离子刻蚀设备，其结合有所述衬底，所述衬底使用所述衬底支承件进行支承。

14.一种用于对现有等离子刻蚀设备进行改型的整套装置，以提供根据权利要求1所述的经改型的等离子刻蚀设备，所述整套装置包括：

接合器，用于连接到所述现有等离子刻蚀设备的一个或更多个部分，所述接合器包括一当所述接合器被连接时被配置为充当所述第二隔室的套筒，并且所述接合器进一步包括一允许所述接合器被连接到所述现有等离子刻蚀设备的所述一个或更多个部分上以将所述套筒放置在合适位置处的连接机构。

15.根据权利要求14所述的整套装置，其中，所述接合器进一步包括用于连接到所述现有等离子刻蚀设备的一个或更多个部分上的一个或更多个法兰部分。

16.根据权利要求14或15所述的整套装置，进一步包括间隔元件，所述间隔元件被配置为布置在所述套筒以下并且可连接到所述接合器和/或所述现有等离子刻蚀设备，以限定所述经改型的等离子刻蚀设备中的所述第二隔室与所述第三隔室之间的界面。

17.一种对衬底进行等离子刻蚀的方法，包括以下步骤：

i.提供根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备；

ii.使所述衬底由所述衬底支承件进行支承，以使得所述衬底大体上与所述第二隔室的所述内部配准并且所述衬底的上表面被放置成与所述界面相距80mm或更少；

iii.在所述等离子生成区域中生成等离子；以及

iv.使所述等离子或者与所述等离子相关联的一种或更多种刻蚀剂对所述衬底进行刻蚀。