CN104529498B - 放电等离子烧结一步制备多层环境障碍涂层的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种放电等离子烧结一步制备多层环境障碍涂层的方法。实施方法为：以碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料(SiC/SiC)为基体，在其表面直接制备环境障碍涂层材料，根据涂层面层材料的不同，在1050℃温度利用放电等离子烧结(SPS)，保温时间2min,模具内压强为48MPa,升温速率为50℃/min，将压成片的涂层材料和基体一起放进模具内，可以直接得到带有多层环境障碍涂层的SiC/SiC复合材料。使用该法在基体材料上制备多层环境障碍涂层，相对与化学气相沉积(CVD)，等离子喷涂法和溶胶‑凝胶法等，更加便捷，大大的降低成本，缩短制备周期，而且涂层质量可控制，得到的涂层致密度更高，性能优越。
Description
所属技术领域
本文属于涂层制备领域，具体涉及一种放电等离子烧结一步制备多层环境障碍涂层的方法，通过放电等离子烧结法可以一步制备出所需要的多层复合的环境障碍涂层。
背景技术
随着航空工业的迅猛发展，高推重比发动机已成为航空发动机发展的重点。要实现航空发动机在高推重比和高效能上的重大突破,就必须提高发动机中燃气的温度并且减少结构质量，而燃气温度的提高相应的就会造成高压涡轮热端部件表面温度的提高。高推重比航空发动机高压涡轮热端部件表面温度将达到1400℃以上,这大大超过了现有镍基高温合金所能承受的温度范围。要满足先进航空发动机对材料的要求,就必须研制能够取代镍基高温合金在更高温度下使用的新型高温结构材料。硅基非氧化物陶瓷SiC、Si3N4被认为是最有希望取代镍基高温合金在发动机热端部件中得以应用的高温结构材料,新型硅基陶瓷材料的高温力学性能非常优越，但是单纯的陶瓷制品有其致命的缺点，脆性大，我们自然想到了连续纤维增强陶瓷基复合材料(CMC)，比如连续纤维增强碳化硅陶瓷复合材料(CMC-SiC)，该材料具有低密度、优异的高温力学性能及抗氧化性能，在在实验室干燥环境中,硅基非氧化物陶瓷还表现出了良好的稳定性。然而,在干燥环境中具有良好稳定性的硅基非氧化物陶瓷在发动机工作环境中表面稳定性却发生了急剧的恶化,成为目前制约硅基结构陶瓷在航空发动机热端部件中使用的主要因素。因为硅基结构陶瓷的服役环境包含众多腐蚀性介质，如高温、高压水蒸气、氧气以及各种熔盐杂质(Na,Cl,S等)。而这些腐蚀介质，尤其是水蒸气以及各种熔盐杂质，会与SiC氧化生成的SiO2保护层发生反应生成挥发性气态物质Si(OH)4,其化学方程式为SiO2(s)+2H2O(g)＝Si(OH)4(g)，挥发性的Si(OH)4被高速运动的气流带走,使得硅基结构陶瓷暴露于高温燃烧气体中,重新生成SiO2层。硅基陶瓷氧化生成SiO2的过程和SiO2跟水蒸汽反应生成挥发性Si(OH)4被带走的过程同时发生,两者最终达到平衡,使得表面SiO2层厚度维持恒定,而硅基陶瓷尺寸成线性减小，使其丧失保护基体的功能，加速纤维的氧化，导致复合材料性能的迅速下降，最终造成热端构件性能急剧恶化。因此，解决CMC-SiC长时间腐蚀问题就成为发展高性能发动机热端构件的关键。而使构件可在燃气环境长期服役的涂层，即环境障碍涂层，理所当然地成为航空发动机材料研究的热点。环境障碍涂层(Environmental Barrier Coatings,简称EBCs)技术正是解决这一难题的关键技术。环境障碍涂层是指在发动机环境下使用的高温结构材料表面的防护涂层(一般为氧化物或氧化物混合物陶瓷涂层),该涂层能够在高温结构材料和发动机恶劣环境(腐蚀性介质、高速气流冲刷等)间设立一道屏障,阻止或减小发动机环境对高温结构材料性能的影响。
目前制备多层环境障碍涂层的方法有等离子喷涂法，化学气相沉积法(CVD)，电子束物理气相沉积法(PVD)，溶胶-凝胶法，浆料法，烧结法等，等离子喷涂法制得的多层环境障碍涂层致密度低，有气孔的存在，而且由于喷涂温度过高，会导致涂层表面有熔融区的存在，同时成本非常高，气相沉积法制备周期长，不利于大批量的制备而且成本也很高，而溶胶-凝胶法制备的涂层在进行热处理的时候体积收缩较大，致密性不足，成本也较高，浆料法在制备环境障碍涂层的时候烧结温度较高，容易对基体材料进行破环，而现有的烧结法一般都要通过加入各种助烧结剂，本身就有可能对涂层的性能产生影响。因此低成本一步制备致密的多层环境障碍涂层技术是一种很重要而且很实用的技术。
放电等离子烧结炉(Spark plasma sintering简称SPS)又称等离子活化烧结(Plasma Activated Sintering简称PAS)，该技术的主要特点是利用体加热和表面活化，实现材料的超快速致密化烧结，可广泛应用于磁性材料，梯度功能材料，纳米陶瓷，纤维增强陶瓷和金属间化合物等系列新型材料的烧结，关于其原理通过用品的部分电流激活晶粒表面，击穿孔隙内残留气体，局部放电，甚至产生等离子体，促进晶粒之间的局部结合，SPS工艺优势十分明显，加热均匀，升温速度块，烧结温度低，烧结时间短，生产效率高，产品组织细小均匀，能保持原材料的自然状态，可以得到高致密的材料，可以烧结梯度材料以及复杂工件。
发明内容
为了避免现有技术的不足之处，本发明提出一种放电等离子烧结一步制备多层环境障碍涂层的方法，可以减少在环境障碍涂层制备中的工序，做到一步制备，可以有效的减少制备多层环境障碍涂层的成本，有效缩短制备多层环境障碍涂层的周期，提高制备出多层环境障碍涂层的致密度，可以通过控制每一层粉末质量来控制多层环境障碍涂层中每一层的厚度。
为实现上述指标采取的技术方案如下：
一种放电等离子烧结一步制备多层环境障碍涂层的方法的步骤如下：
步骤一：取一定质量的硅粉(Si)，莫来石粉(3Al2O3-2SiO2)，面层材料粉末；硅粉(Si)，莫来石粉末(3Al2O3-2SiO2)，面层材料粉末的质量根据需要称取用来控制涂层厚度；
步骤二：将硅粉(Si)，莫来石粉(3Al2O3-2SiO2)，面层材料粉末分别利用压片机压制成块状；
步骤三：将压制好的涂层材料和碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基体(SiC/SiC)按照碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基体(SiC/SiC)——硅粉(Si)——莫来石粉(3Al2O3-2SiO2)——面层材料粉末顺序一起放入放电等离子烧结(SPS)装置内部模具里面，具体工艺参数为：升温速率50℃/min,保温温度1050℃，保温时间2min,内部压强48MPa；
步骤四：保温时间结束以后，设置冷却速度为50℃/min，冷却至室温后取出样品。
本发明的有益效果是：
(1)实现了一步制备出多层环境障碍涂层。(2)制备周期非常短。(3)致密度非常高。(4)性能非常优越。(5)不用加入各种助烧结剂，不会因为助烧结剂的残留对涂层产生影响。(6)保温温度较低，不会对基体材料产生损坏。
附图说明
图1：放电等离子活化烧结(SPS)装置示意图，1指的是电极，2指的是冲头，3指的是模腔，4指的是样品，5代表的是特殊电源，6代表的是特殊油压，7代表的是气氛，8代表的是控制系统。
图2：实施例一中SiC/SiC(三维编织)——Si——3Al2O3-2SiO2——Yb2SiO5系统环境障碍涂层表面扫描电子显微镜示意图
图3：实施例一中SiC/SiC(三维编织)——Si——3Al2O3-2SiO2——Yb2SiO5系统环境障碍涂层截面扫描电子显微镜示意图
图4：实施例二中SiC/SiC(三维编织)——Si——3Al2O3-2SiO2——Yb2SiO5系统环境障碍涂层水氧腐蚀实验中质量-时间曲线。
具体实施方式
本发明用下列具体实施例来进一步说明发明，但本发明的保护范围并不限于下列实施例。
实施例一步骤如下：
步骤一：称取Si粉0.52g,利用压片机压制成片，称取3Al2O3-2SiO2粉质量为0.42g，压制成片，称取Yb2SiO5粉末0.31g，压制成片。
步骤二：将SiC/SiC，压制成片的Si，3Al2O3-2SiO2，Yb2SiO5，从下到上按照SiC/SiC，Si，3Al2O3-2SiO2，Yb2SiO5，的顺序放入图1所示的膜腔内，开启SPS装置。
步骤三：保持SPS装置中升温速率为50℃/min，压强为48MPa，设置保温温度为1050℃。
步骤四：当温度升高到1050℃时，保温2min,然后冷却，将冷却速度控制在50℃/min。
步骤五：冷却至室温后，取出样品即得到带有Si——3Al2O3-2SiO2——Yb2SiO5系统环境障碍涂层的基体样品。
图2表示是实施例一中制得的样品表面的扫描电镜图，从图中可以看出涂层的表面致密度很高，基本没有裂纹的出现。图3表示的是实施例一中制得的样品截面的扫描电镜示意图，从图中可以看出多层环境障碍涂层与基体，以及环境障碍涂层内部层与层之间有着很好的结合。
实施例二：
在水氧腐蚀装置中经行实施例一中所制得的涂层的抗水氧腐蚀能力的考核，整个水氧腐蚀实验条件为：炉内温度为1000℃。气氛为：水蒸气和氧气的混合气，且水蒸气的饱和蒸气压为0.5个大气压。气体流速为150ml/min,此流速是根据气体流量计控制。压力为1个大气压。整个水氧腐蚀时间为144小时。结果如图4所示，从图中可以看出，不带有环境障碍涂层的基体样在实验时间内，质量变化波动非常大，而带有实施例一中制得的多层环境障碍涂层的基体样的质量变化波动是很小的，在实验时间到达130小时左右的时候不带有环境障碍涂层的样品已经出现很严重的失重状态，而带有环境障碍涂层的样仍然保持着相对稳定的质量，由此可以得到本发明中提到的放电等离子活化烧结一步制得的多层环境障碍涂层对基体在抗水氧腐蚀方面有着优良的性能。
以上所述仅为本发明的若干个实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (3)
1.一种放电等离子烧结一步制备多层环境障碍涂层的方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤一：取一定质量的硅粉（Si），莫来石粉（3Al2O3-2SiO2），面层材料粉末；硅粉（Si），莫来石粉末（3Al2O3-2SiO2），面层材料粉末的质量根据需要称取用来控制涂层厚度；其中面层材料为以下之一：Yb2SiO5，YSZ，Y2SiO5，Lu2SiO5，Er2SiO5，Sc2SiO5；
步骤二：将硅粉（Si），莫来石粉（3Al2O3-2SiO2），面层材料粉末分别利用压片机压制成块状；
步骤三：将压制好的涂层材料和碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基体（SiC/SiC）按照碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基体（SiC/SiC）——硅粉（Si）——莫来石粉（3Al2O3-2SiO2）——面层材料粉末顺序一起放入放电等离子烧结(SPS)装置内部模具里面，具体工艺参数为：升温速率50℃ /min,保温温度1050℃，保温时间2min,内部压强48MPa；
步骤四：保温时间结束以后，设置冷却速度为50℃ /min，冷却至室温后取出样品。
2.根据权利要求1所述的放电等离子烧结一步制备多层环境障碍涂层的方法，其特征在于：上述碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基体（SiC/SiC）中碳化硅纤维的排列方式包括单向排列，二维编织和三维编织。
3.根据权利要求1所述的放电等离子烧结一步制备多层环境障碍涂层的方法，其特征在于：上述步骤一中称取硅粉（Si）0.52g,莫来石粉（3Al2O3-2SiO2）0.42g,面层材料粉末为0.31g的Yb2SiO5。
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