CN104518059A - 基于GaN基量子阱的外延结构及其生长方法 - Google Patents
基于GaN基量子阱的外延结构及其生长方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104518059A CN104518059A CN201410624040.3A CN201410624040A CN104518059A CN 104518059 A CN104518059 A CN 104518059A CN 201410624040 A CN201410624040 A CN 201410624040A CN 104518059 A CN104518059 A CN 104518059A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- quantum well
- gan
- type gan
- well layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
Abstract
本发明公开了一种基于GaN基量子阱的外延结构及其生长方法,外延结构依次包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层,所述量子阱层包括InxGa(1-x)N势阱层和GaN势垒层,其特征在于,所述量子阱层上方生长有AlxGa(1-x)N覆盖层。本发明中能够更好把量子阱层中的In局限在一层极薄的薄膜中防止In的扩散,有效缓解因升温带来的In聚集效应,同时还能提高量子阱的晶体质量,提高量子阱中的发光效率和均匀性,从而提高亮度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光器件技术领域,特别是涉及一种基于GaN基量子阱的外延结构及其生长方法。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现,早期只能发出低光度的红光,之后发展出其他单色光的版本,时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线,光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等;随着技术的不断进步,发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。
GaN(氮化镓)基材料是离子晶体,由于正负电荷不重合,形成自发极化;另外由于InGaN(氮化铟镓)和GaN材料之间的晶格适配,又会引起压电极化,进而形成压电极化场。极化场的存在,一方面使得量子阱的等效禁带宽度减小,发光波长红移;另一方面电子和空穴波函数的交叠会减小,降低其辐射复合几率。
因此,现有技术中揭示了在GaN基材料上生长InGaN/GaN量子阱结构,但由于在生长量子阱结构时温度较高,In容易扩散并产生聚集效应,从而影响了InGaN/GaN量子阱的晶体质量,进而对InGaN/GaN量子阱的发光效率和均匀性造成一定的影响。
因此,针对上述技术问题,有必要提供一种基于GaN基量子阱的外延结构及其生长方法。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种基于GaN基量子阱的外延结构及其生长方法。
为了实现上述目的,本发明实施例提供的技术方案如下:
一种基于GaN基量子阱的外延结构,所述外延结构依次包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层,所述量子阱层包括InxGa(1-x)N势阱层和GaN势垒层,所述量子阱层上方生长有AlxGa(1-x)N覆盖层。
作为本发明的进一步改进,所述AlxGa(1-x)N覆盖层的厚度为1~2nm。
作为本发明的进一步改进,所述AlxGa(1-x)N覆盖层中的x的取值范围为0.5%~10%。
作为本发明的进一步改进,所述GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层和高温GaN缓冲层,所述P型GaN层包括低温P型GaN层和高温P型GaN层。
作为本发明的进一步改进,所述低温P型GaN层和高温P型GaN层之间包括AlGaN电流阻挡层。
相应地,一种基于GaN基量子阱的外延结构的生长方法,所述生长方法包括:
S1、提供一衬底;
S2、在衬底上外延生长GaN缓冲层;
S3、在GaN缓冲层上外延生长N型GaN层;
S4、在N型GaN层上外延生长量子阱层,量子阱层包括依次生长的InxGa(1-x)N势阱层和GaN势垒层;
S5、在量子阱层上外延生长AlxGa(1-x)N覆盖层;
S6、在AlxGa(1-x)N覆盖层上外延生长P型GaN层。
作为本发明的进一步改进,所述步骤S5中AlxGa(1-x)N覆盖层的厚度为1~2nm。
作为本发明的进一步改进,所述步骤S5中AlxGa(1-x)N覆盖层中x的取值范围为0.5%~10%。
作为本发明的进一步改进,所述生长方法中以三甲基镓、三甲基铝、三甲基铟和氨气分别作为Ga源、Al源、In源和N源进行外延生长。
本发明具有以下有益效果:
AlxGa(1-x)N覆盖层能够有效使InGaN势阱层中的In局限在量子阱层内;
AlxGa(1-x)N覆盖层能够有效缓解因升温导致的In被析出的聚集效应,可以最大程度降低芯片主波长的半宽;
In均匀分布在量子阱中,可以提高芯片的发光均匀性,从而提高芯片的发光亮度;
精确控制Al组分和AlxGa(1-x)N覆盖层的厚度可以调整MQW中的能带结构,从而可以精确调整控制量子阱的应力,减小极化效应的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中基于GaN基量子阱外延结构的示意图;
图2为本发明一具体实施方式中基于GaN基量子阱外延结构的示意图;
图3a为现有技术中MQW(量子阱层)的电镜图;
图3b为本发明一具体实施方式中MQW(量子阱层)的电镜图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
此外,在不同的实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明,不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。
本发明公开了一种基于GaN基量子阱的外延结构,该外延结构依次包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层,量子阱层包括InxGa(1-x)N势阱层和GaN势垒层,量子阱层上方生长有AlxGa(1-x)N覆盖层。
优选地,AlxGa(1-x)N覆盖层的厚度为1~2nm,AlxGa(1-x)N中的x的取值范围为0.5%~10%。
本发明还公开了一种基于GaN基量子阱的外延结构的生长方法,该生长方法包括:
S1、提供一衬底;
S2、在衬底上外延生长GaN缓冲层;
S3、在GaN缓冲层上外延生长N型GaN层;
S4、在N型GaN层上外延生长量子阱层,量子阱层包括依次生长的InxGa(1-x)N势阱层和GaN势垒层;
S5、在量子阱层上外延生长AlxGa(1-x)N覆盖层;
S6、在AlxGa(1-x)N覆盖层上外延生长P型GaN层。
以下结合具体实施方式对本发明作进一步说明。
参图1所示,现有技术中的外延结构依次包括:
衬底10,衬底可以为蓝宝石、Si、SiC、GaN、ZnO等;
GaN缓冲层20,缓冲层可以为一层结构,也可以为多层结构;
N型GaN层30,位于GaN缓冲层20上;
量子阱层40,量子阱层为InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,包括InxGa(1-x)N(0<x<1)势阱层41和GaN势垒层42;
P型GaN层60,位于量子阱层40上。
参图2所示,在本发明的一具体实施方式中,外延结构依次包括:
衬底10,衬底可以为蓝宝石、Si、SiC、GaN、ZnO等,本实施方式中选用蓝宝石衬底;
GaN缓冲层20,缓冲层可以为一层结构,也可以为多层结构。优选地,本实施方式中GaN缓冲层为两层结构,包括低温GaN缓冲层和高温GaN缓冲层;
N型GaN层30,位于GaN缓冲层20上;
量子阱层40,量子阱层为InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,包括InxGa(1-x)N(0<x<1)势阱层41和GaN势垒层42。本实施方式中仅包含一层InxGa(1-x)N势阱层和GaN势垒层,在其他实施方式中也可以是多层InxGa(1-x)N势阱层/GaN势垒层结构,各层In组分含量从下向上逐渐增大。
AlxGa(1-x)N覆盖层50,本实施方式中AlxGa(1-x)N覆盖层的厚度为1~2nm,AlxGa(1-x)N中x的取值范围为0.5%~10%。
P型GaN层60,P型GaN层可以为一层结构,也可以为多层结构。优选地,本实施方式中P型GaN层为两层结构,P型GaN层包括低温P型GaN层和高温P型GaN层,进一步地,低温P型GaN层和高温P型GaN层之间包括AlGaN电流阻挡层。
与现有技术相比,本实施方式中在InxGa(1-x)N势阱层/GaN势垒层结构上增加了一层AlxGa(1-x)N覆盖层,通过控制Al组分的比例(x介于0.5%-10%之间),能够更好把量子阱层中的In局限在一层极薄的薄膜中防止In的扩散,有效缓解因升温带来的In聚集效应,同时还能提高量子阱的晶体质量,提高量子阱中的发光效率和均匀性,从而提高亮度。
相应地,本实施方式中外延结构的生长方法具体包括:
S1、提供一蓝宝石衬底。
S2、在蓝宝石衬底上外延生长GaN缓冲层。
本实施方式中首先控制温度在450℃~650℃之间,生长15nm~35nm厚的低温GaN缓冲层;然后控制温度在1000℃~1200℃之间,生长厚度为0.8um~4um间的高温GaN缓冲层。
S3、在GaN缓冲层上外延生长N型GaN层。
S4、在N型GaN层上外延生长量子阱层,量子阱层包括依次生长的InxGa(1-x)N势阱层和GaN势垒层。
优选地,本实施方式中InxGa(1-x)N势阱层中In的组份保持不变,在10%~50%之间,势阱层的厚度在2nm~5nm之间,生长温度在720℃~820℃之间;GaN势垒层的生长温度在820℃~920℃之间。
S5、在量子阱层上外延生长AlxGa(1-x)N覆盖层。
量子阱层长完后,在温度升高至势垒层的温度的同时,生长一层1~2nm的AlxGa(1-x)N覆盖层,通过控制Al源来控制Al组分的比例(x介于0.5%~10%之间)。
AlxGa(1-x)N覆盖层能够更好把量子阱层中的In局限在一层极薄的薄膜中防止In的扩散,有效缓解因升温带来的In聚集效应,同时还能提高量子阱的晶体质量,提高量子阱中的发光效率和均匀性,从而提高亮度。
S6、在AlxGa(1-x)N覆盖层上外延生长P型GaN层。
量子阱层生长结束后,生长厚度10nm~100nm之间的低温P型GaN层,生长温度在500℃~800℃之间,生长时间在5分钟~20分钟之间。在生长低温P型GaN层的过程中,N2作为载气,并掺杂介质二茂镁;
低温P型GaN层生长结束后,将温度升至900℃~1100℃之间,生长厚度10nm~100nm之间的P型AlGaN电流阻挡层;
P型AlGaN电流阻挡层生长结束后,生长一层厚度0.1um~0.9um之间的高温P型GaN层,其生长温度在850℃~1090℃之间,生长时间在5~20min之间。
本实施方式中以高纯氢气或氮气作为载气,以三甲基镓(TMGa)、三甲基铝(TMAl)、三甲基铟(TMIn)和氨气(NH3)分别作为Ga源、Al源、In源和N源进行外延生长,在其他实施方式中也可以采用其他Ga源等进行生长。
参图3a、3b所示分别为现有技术和本实施方式中MQW(量子阱层)的电镜图,由图中可以看出,现有技术中存在明显的In聚集效应,而本实施方式中通过增加了AlxGa(1-x)N覆盖层,In聚集效应得到了明显的改善。
由上述实施方式可以看出,本发明具有以下有益效果:
AlxGa(1-x)N覆盖层能够有效使InGaN势阱层中的In局限在量子阱层内;
AlxGa(1-x)N覆盖层能够有效缓解因升温导致的In被析出的聚集效应,可以最大程度降低芯片主波长的半宽;
In均匀分布在量子阱中,可以提高芯片的发光均匀性,从而提高芯片的发光亮度;
精确控制Al组分和AlxGa(1-x)N覆盖层的厚度可以调整MQW中的能带结构,从而可以精确调整控制量子阱的应力,减小极化效应的影响。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (9)
1.一种基于GaN基量子阱的外延结构,所述外延结构依次包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层,所述量子阱层包括InxGa(1-x)N势阱层和GaN势垒层,其特征在于,所述量子阱层上方生长有AlxGa(1-x)N覆盖层。
2.根据权利要求1所述的外延结构,其特征在于,所述AlxGa(1-x)N覆盖层的厚度为1~2nm。
3.根据权利要求1所述的外延结构,其特征在于,所述AlxGa(1-x)N覆盖层中的x的取值范围为0.5%~10%。
4.根据权利要求1所述的外延结构,其特征在于,所述GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层和高温GaN缓冲层,所述P型GaN层包括低温P型GaN层和高温P型GaN层。
5.根据权利要求1所述的外延结构,其特征在于,所述低温P型GaN层和高温P型GaN层之间包括AlGaN电流阻挡层。
6.一种基于GaN基量子阱的外延结构的生长方法,其特征在于,所述生长方法包括:
S1、提供一衬底;
S2、在衬底上外延生长GaN缓冲层;
S3、在GaN缓冲层上外延生长N型GaN层;
S4、在N型GaN层上外延生长量子阱层,量子阱层包括依次生长的InxGa(1-x)N势阱层和GaN势垒层;
S5、在量子阱层上外延生长AlxGa(1-x)N覆盖层;
S6、在AlxGa(1-x)N覆盖层上外延生长P型GaN层。
7.根据权利要求6所述的生长方法,其特征在于,所述步骤S5中AlxGa(1-x)N覆盖层的厚度为1~2nm。
8.根据权利要求6所述的生长方法,其特征在于,所述步骤S5中AlxGa(1-x)N覆盖层中x的取值范围为0.5%~10%。
9.根据权利要求6所述的生长方法,其特征在于,所述生长方法中以三甲基镓、三甲基铝、三甲基铟和氨气分别作为Ga源、Al源、In源和N源进行外延生长。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410624040.3A CN104518059A (zh) | 2014-11-06 | 2014-11-06 | 基于GaN基量子阱的外延结构及其生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410624040.3A CN104518059A (zh) | 2014-11-06 | 2014-11-06 | 基于GaN基量子阱的外延结构及其生长方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104518059A true CN104518059A (zh) | 2015-04-15 |
Family
ID=52793064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410624040.3A Pending CN104518059A (zh) | 2014-11-06 | 2014-11-06 | 基于GaN基量子阱的外延结构及其生长方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104518059A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109346576A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-02-15 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
CN111785817A (zh) * | 2020-08-25 | 2020-10-16 | 北京蓝海创芯智能科技有限公司 | 一种InGaN/(In)GaN量子阱结构及提高量子阱发光均匀性的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1586015A (zh) * | 2001-11-15 | 2005-02-23 | 三菱电线工业株式会社 | 紫外光发射元件 |
CN101268553A (zh) * | 2003-04-15 | 2008-09-17 | 发光装置公司 | 发光装置 |
US20120280248A1 (en) * | 2007-08-09 | 2012-11-08 | Dae Sung Kang | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
CN102820394A (zh) * | 2011-06-07 | 2012-12-12 | 山东华光光电子有限公司 | 一种采用铝组分渐变电子阻挡层的led结构 |
CN103811601A (zh) * | 2014-03-12 | 2014-05-21 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法 |
-
2014
- 2014-11-06 CN CN201410624040.3A patent/CN104518059A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1586015A (zh) * | 2001-11-15 | 2005-02-23 | 三菱电线工业株式会社 | 紫外光发射元件 |
CN101268553A (zh) * | 2003-04-15 | 2008-09-17 | 发光装置公司 | 发光装置 |
US20120280248A1 (en) * | 2007-08-09 | 2012-11-08 | Dae Sung Kang | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
CN102820394A (zh) * | 2011-06-07 | 2012-12-12 | 山东华光光电子有限公司 | 一种采用铝组分渐变电子阻挡层的led结构 |
CN103811601A (zh) * | 2014-03-12 | 2014-05-21 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109346576A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-02-15 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
CN111785817A (zh) * | 2020-08-25 | 2020-10-16 | 北京蓝海创芯智能科技有限公司 | 一种InGaN/(In)GaN量子阱结构及提高量子阱发光均匀性的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103887380B (zh) | 一种紫光led的外延生长方法 | |
CN102832306B (zh) | 一种高亮度发光二极管的外延结构及其实现方法 | |
CN103560190B (zh) | 阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法及其结构 | |
US20110284824A1 (en) | Light emitting diode structure and a method of forming a light emitting diode structure | |
JP2002232001A (ja) | 半導体発光素子 | |
CN103996769B (zh) | Led外延层结构、生长方法及具有该结构的led芯片 | |
JP2002368267A (ja) | 半導体発光素子 | |
CN104051586A (zh) | 一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法 | |
CN104576852A (zh) | 一种GaN基LED外延结构的发光量子阱应力调控方法 | |
JP2018074173A (ja) | 発光素子 | |
CN103811601A (zh) | 一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法 | |
CN105742415A (zh) | 紫外GaN基LED外延结构及其制造方法 | |
CN203398149U (zh) | 一种新型GaN基发光二极管外延结构 | |
CN104253181A (zh) | 一种具有多重垒层led外延结构 | |
CN105914270A (zh) | 硅基氮化镓led外延结构的制造方法 | |
CN104362237B (zh) | 一种发光二极管的生长方法及发光二极管 | |
CN103779465A (zh) | Led多量子阱结构装置及生长方法 | |
US8461029B2 (en) | Method for fabricating InGaN-based multi-quantum well layers | |
US8278129B2 (en) | Manufacturing method of nitride semi-conductor layer, and a nitride semi-conductor light emitting device with its manufacturing method | |
CN110620168A (zh) | 一种led外延生长方法 | |
CN104900778B (zh) | 一种发光二极管外延片的生长方法及外延片 | |
CN204289495U (zh) | 一种GaN基LED外延结构 | |
CN104518059A (zh) | 基于GaN基量子阱的外延结构及其生长方法 | |
JP2002261324A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5896454B2 (ja) | 赤色発光半導体素子とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 215123 Suzhou Province Industrial Park, Jiangsu new road, No. 8 Applicant after: FOCUS LIGHTINGS TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 215123 Suzhou Province Industrial Park, Jiangsu new road, No. 8 Applicant before: Focus Lightings Tech Inc. |
|
COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: FOCUS LIGHTING (SUZHOU) CO., LTD. TO: FOCUS LIGHINGS TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150415 |