CN104505326A - 一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备 - Google Patents

一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备 Download PDF

Info

Publication number
CN104505326A
CN104505326A CN201410797353.9A CN201410797353A CN104505326A CN 104505326 A CN104505326 A CN 104505326A CN 201410797353 A CN201410797353 A CN 201410797353A CN 104505326 A CN104505326 A CN 104505326A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plasma
cavity
substrate
coupling window
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410797353.9A
Other languages
English (en)
Inventor
张庆钊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JIAXING MICROELECTRONIC INSTRUMENT AND EQUIPMENT ENGINEERING CENTER CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
Jiaxing Microelectronic Instruments and Equipment Engineering Center of CAS
Original Assignee
JIAXING MICROELECTRONIC INSTRUMENT AND EQUIPMENT ENGINEERING CENTER CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIAXING MICROELECTRONIC INSTRUMENT AND EQUIPMENT ENGINEERING CENTER CHINESE ACADEMY OF SCIENCES filed Critical JIAXING MICROELECTRONIC INSTRUMENT AND EQUIPMENT ENGINEERING CENTER CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
Priority to CN201410797353.9A priority Critical patent/CN104505326A/zh
Publication of CN104505326A publication Critical patent/CN104505326A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J21/00—Vacuum tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Abstract

本发明公开了一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子设备，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极、等离子聚焦结构和磁性件，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，且为中空结构，用于施加磁场。本申请实施例通过提供一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备，能够控制等离子体的流体分布，使得等离子体与产品的表面反应更充分。

Description

一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备
技术领域
本发明涉及等离子体技术领域，具体涉及一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备。
背景技术
随着等离子技术的飞速发展，大面积高密度的等离子体源，如ECR，ICP和TCP等离子体等都被运用于大规模集成电路制造，其制造工艺会被等离子体密度、电子温度、气体流量和反应温度等参数的影响，进而可以通过对等离子体设备的硬件参数和工艺参数进行控制，以更佳的工艺条件对产品进行加工，使得产品的合格率和成品率更高。
现有的等离子体设备在对产品进行加工时，通常是将产品放入等离子体设备中的腔室结构中进行等离子反应，而现有的腔室结构如图1所示，所述腔室结构包括射频线圈10、石英耦合窗11、腔体12、衬底13和下电极14，射频线圈10设置在石英耦合窗11的上部，石英耦合窗11设置在腔体12的上部，衬底13设置在下电极14的上部，衬底13和下电极14设置在腔体12的下部，腔体12的内部设置有等离子体15，其中，衬底13根据加工的产品进行相应的选择，将产品放入衬底13上，通过射频线圈11和下电极14的共同作用下，使得等离子体15的中粒子与产品的表面进行反应，将产品的表面的部分刻蚀掉，以及反应所生成的副产物在其表面沉积，从而完全对产品的等离子体刻蚀。
但是，现有的等离子体设备的腔室结构中产品设置在衬底13上，而衬底13与等离子体15之间是真空，使得等离子体15与产品的表面进行反应时，不能控制等离子体15的等离子的流动方向，进而使得等离子体15与产品的表面反应的控制也受影响的问题。
发明内容
本申请实施例通过提供一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备，能够控制等离子体的流体分布，使得等离子体与产品的表面反应更充分，使得产品的合格率和成品率得以提高。
本申请实施例提供了一种应用于等离子体设备的腔室结构，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极、等离子聚焦结构和磁性件，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，且为中空结构，用于施加磁场。
可选的，所述等离子体聚焦结构是由金属、陶瓷或石英材料制成。
可选的，所述等离子体聚焦结构具体为圆筒体或椭圆筒体。
可选的，所述磁性件与所述等离子体聚焦结构连接。
可选的，所述磁性件设置在所述等离子体聚焦结构的上部。
可选的，所述磁性件设置在所述等离子体聚焦结构的下部。
可选的，所述磁性件设置在所述等离子体聚焦结构的内部。
本申请另一实施例还提供了一种等离子体设备，所述设备包括：
等离子设备本体；
腔室结构，设置在所述等离子设备本体中，所述腔室结构包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极、等离子聚焦结构和磁性件，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，且为中空结构，用于施加磁场。
本发明有益效果如下：
本发明实施例中，本申请技术方案是将射频线圈设置在石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在腔体的上部，衬底设置在下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，由于所述等离子聚焦结构能够控制所述等离子体的流体分布，从而可以使得所述等离子体能够向设置在所述衬底上的产品流动，与现有技术相比，使得产品在相同时间内接触所述等离子体中的中粒子的数量更高，使得产品的表面与所述等离子体反应更充分，使得产品的合格率和成品率得以提高；而且所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，用于施加磁场，使得等离子体在磁场的作用下密度得以增大，能够调节对应的局部的工艺表现能力如刻蚀速度、刻蚀均匀性等，进一步提高产品的质量。
附图说明
图1为现有技术中等离子体设备的腔室结构的结构图；
图2为本发明实施例中应用于等离子体设备的腔室结构的第一种结构图；
图3为本发明实施例中磁性件的第一种结构图；
图4为本发明实施例中腔室结构的第二种结构图；
图5为本发明实施例中腔室结构的第三种结构图；
图6为本发明实施例中磁性件的第二种结构图。
图中有关附图标记如下：
10——射频线圈，11——石英耦合窗，12——腔体，13——腔体，14——下电极，15——等离子体，20——射频线圈，21——石英耦合窗，22——腔体，23——腔体，24——下电极，25——等离子聚焦结构，26——等离子体，27——开口结构，30——磁性件，31——实体部分，32——中空部分，33——永磁体。
具体实施方式
本申请实施例通过提供一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备，能够控制等离子体的流体分布，使得等离子体与产品的表面反应更充分，使得产品的合格率和成品率得以提高。
下面结合各个附图对本发明实施例技术方案的主要实现原理、具体实施方式及其对应能够达到的有益效果进行详细地阐述。
本发明一实施例提出了一种应用于等离子体设备的腔室结构，参见图2，包括射频线圈20、石英耦合窗21、腔体22、衬底23、下电极24、等离子聚焦结构25和磁性件30，射频线圈20设置在石英耦合窗21的上部，石英耦合窗21设置在腔体22的上部，衬底23设置在下电极24的上部，衬底23和下电极24设置在腔体22的下部，等离子聚焦结构25设置在腔体24的内部，且设置在腔体22中设置的等离子体26的下部，用于控制等离子体26的流体分布，以使得等离子体26向设置在衬底13上的产品流动，磁性件30与等离子聚焦结构25连接，且为中空结构，用于施加磁场，其中，磁性件30例如是磁体、软磁等组成。
其中，等离子体聚焦结构25是由金属、陶瓷或石英等中的一种或多种材料制成，等离子体聚焦结构25具体为一个圆筒体或椭圆筒体，第一等离子聚焦结构25的外侧与腔体22的内壁固接，且等离子体聚焦结构25设置在腔室22的上部，由于等离子体聚焦结构25具体为一个圆筒体或椭圆筒体，使得等离子体聚焦结构25的竖剖面形成一个开口结构27，且开口结构27下部正对衬底23，以使得产品放入衬底23上进行反应时，等离子体26从开口结构27向下流向衬底23，与现有技术相比，使得产品在相同时间内接触等离子体26中的中粒子的数量更高，使得产品的表面与等离子体26反应更充分，使得产品的合格率和成品率得以提高。
具体的，参见图2和图3，磁性件30与等离子体聚焦结构25连接，磁性件30具体可以为圆筒体、锥形体等形状，且磁性件30可以是由N级永磁体和S级永磁体组成，其中，磁性件30与等离子体聚焦结构25可以是一体成型的，当然磁性件30还可以通过焊接的方式与等离子体聚焦结构25连接。
具体的，参见图2，磁性件30设置在等离子体聚焦结构25的下部，使得磁性件30的下端与等离子体聚焦结构25的末端的下表面连接，所述末端是指等离子体聚焦结构25中的靠近中空结构的一端，使得磁性件30对等离子体26施加磁场，而等离子体26在磁场的作用下密度会增大，从而能够调节对应的局部的工艺表现能力如刻蚀速度、刻蚀均匀性等，进一步提高产品的质量。
具体的，参见图4，磁性件30设置在等离子体聚焦结构25的上部，使得磁性件30的下端与等离子体聚焦结构25的末端的上表面连接，所述末端是指等离子体聚焦结构25中的靠近中空结构的一端，使得磁性件30对等离子体26施加磁场，而等离子体26在磁场的作用下密度会增大，从而能够调节对应的局部的工艺表现能力如刻蚀速度、刻蚀均匀性等，进一步提高产品的质量。
具体的，参见图5，磁性件30设置在等离子体聚焦结构25的内部，使得磁性件30的上下两端分别与等离子体聚焦结构25的末端的上表面和下表面连接，所述末端是指等离子体聚焦结构25中的靠近中空结构的一端，使得磁性件30对等离子体26施加磁场，而等离子体26在磁场的作用下密度会增大，从而能够调节对应的局部的工艺表现能力如刻蚀速度、刻蚀均匀性等，进一步提高产品的质量。
具体的，参见图6，磁性件30为中空结构，所述中空结构的横截面可以圆形，磁性件30包括实体部分31、中空部分32和永磁体33，永磁体33包括N级永磁体和S级永磁体，成间隔分布，即每两个N级永磁体之间有一个S级永磁体，每两个S级永磁体之间有一个N级永磁体，当然所述中空结构的横截面还可以矩形、椭圆形等形状，本申请不作具体限制。
在实际应用过程中，由于第一等离子体聚焦结构25具体为一个圆筒体或椭圆筒体，使得第一等离子体聚焦结构25的竖剖面形成一个开口结构27，使得等离子体26在流动过程中，在开口结构27的作用下，从上到下，从下到上进行流动，而开口结构27正下方正对衬底23，而产品正设置在衬底23上，从而使得等离子体26持续流向产品，与现有技术相比，使得产品在相同时间内接触等离子体26中的中粒子的数量更高，使得产品的表面与等离子体26反应更充分，使得产品的合格率和成品率得以提高。
本发明有益效果如下：
本发明实施例中，本申请技术方案是将射频线圈设置在石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在腔体的上部，衬底设置在下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，由于所述等离子聚焦结构能够控制所述等离子体的流体分布，从而可以使得所述等离子体能够向设置在所述衬底上的产品流动，与现有技术相比，使得产品在相同时间内接触所述等离子体中的中粒子的数量更高，使得产品的表面与所述等离子体反应更充分，使得产品的合格率和成品率得以提高；而且所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，用于施加磁场，使得等离子体在磁场的作用下密度得以提高，能够进一步调节对应的局部的工艺表现能力如刻蚀速度、刻蚀均匀性等，进一步提高产品的质量。
本申请另一实施例还提供了一种等离子体设备，包括等离子设备本体；腔室结构，设置在所述等离子设备本体中，所述腔室结构包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极、等离子聚焦结构和磁性件，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，且呈中空结构，用于施加磁场。
较佳的，所述等离子体聚焦结构是由金属、陶瓷或石英材料制成。
较佳的，所述等离子体聚焦结构具体为圆筒体或椭圆筒体。
较佳的，所述磁性件与所述等离子体聚焦结构连接。
较佳的，所述磁性件设置在所述等离子体聚焦结构的上部。
较佳的，所述磁性件设置在所述等离子体聚焦结构的下部。
较佳的，所述磁性件设置在所述等离子体聚焦结构的内部。
本发明有益效果如下：
本发明实施例中，本申请技术方案是将射频线圈设置在石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在腔体的上部，衬底设置在下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，由于所述等离子聚焦结构能够控制所述等离子体的流体分布，从而可以使得所述等离子体能够向设置在所述衬底上的产品流动，与现有技术相比，使得产品在相同时间内接触所述等离子体中的中粒子的数量更高，使得产品的表面与所述等离子体反应更充分，使得产品的合格率和成品率得以提高；而且所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，用于施加磁场，使得等离子体在磁场的作用下密度得以提高，能够进一步调节对应的局部的工艺表现能力如刻蚀速度、刻蚀均匀性等，进一步提高产品的质量。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (8)

1.一种应用于等离子体设备的腔室结构，其特征在于，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极、等离子聚焦结构和磁性件，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，且为中空结构，用于施加磁场。
2.如权利要求1所述的腔室结构，其特征在于，所述等离子体聚焦结构是由金属、陶瓷或石英材料制成。
3.如权利要求2所述的腔室结构，其特征在于，所述等离子体聚焦结构具体为圆筒体或椭圆筒体。
4.如权利要求4所述的腔室结构，其特征在于，所述磁性件所述等离子体聚焦结构连接。
5.如权利要求4所述的腔室结构，其特征在于，所述磁性件设置在所述等离子体聚焦结构的上部。
6.如权利要求4所述的腔室结构，其特征在于，所述磁性件设置在所述等离子体聚焦结构的下部。
7.如权利要求4所述的腔室结构，其特征在于，所述磁性件设置在所述等离子体聚焦结构的内部。
8.一种等离子体设备，其特征在于，所述设备包括：
等离子设备本体；
腔室结构，设置在所述等离子设备本体中，所述腔室结构包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极、等离子聚焦结构和磁性件，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布，所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接，且为中空结构，用于施加磁场。
CN201410797353.9A 2014-12-19 2014-12-19 一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备 Pending CN104505326A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410797353.9A CN104505326A (zh) 2014-12-19 2014-12-19 一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410797353.9A CN104505326A (zh) 2014-12-19 2014-12-19 一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104505326A true CN104505326A (zh) 2015-04-08

Family

ID=52947065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410797353.9A Pending CN104505326A (zh) 2014-12-19 2014-12-19 一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104505326A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116997068B (zh) * 2023-09-25 2023-12-26 湘潭宏大真空技术股份有限公司 用于磁控溅射镀膜的等离子发生器及磁控溅射镀膜机

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729890A (ja) * 1993-07-08 1995-01-31 Kokusai Electric Co Ltd プラズマ発生装置
CN101578683A (zh) * 2006-11-02 2009-11-11 陶氏康宁公司 通过从等离子体沉积形成膜的方法和设备
CN102355792A (zh) * 2011-10-19 2012-02-15 中微半导体设备(上海)有限公司 改进等离子均匀性和效率的电感耦合等离子装置
CN102677019A (zh) * 2012-05-21 2012-09-19 中南大学 一种运动磁场辅助增强化学气相沉积方法及装置
CN103766002A (zh) * 2011-06-09 2014-04-30 韩国基础科学支援硏究所 包括带状磁铁的等离子产生源及利用此的薄膜沉积系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729890A (ja) * 1993-07-08 1995-01-31 Kokusai Electric Co Ltd プラズマ発生装置
CN101578683A (zh) * 2006-11-02 2009-11-11 陶氏康宁公司 通过从等离子体沉积形成膜的方法和设备
CN103766002A (zh) * 2011-06-09 2014-04-30 韩国基础科学支援硏究所 包括带状磁铁的等离子产生源及利用此的薄膜沉积系统
CN102355792A (zh) * 2011-10-19 2012-02-15 中微半导体设备(上海)有限公司 改进等离子均匀性和效率的电感耦合等离子装置
CN102677019A (zh) * 2012-05-21 2012-09-19 中南大学 一种运动磁场辅助增强化学气相沉积方法及装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116997068B (zh) * 2023-09-25 2023-12-26 湘潭宏大真空技术股份有限公司 用于磁控溅射镀膜的等离子发生器及磁控溅射镀膜机

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6715621B2 (ja) プラズマスキュー制御のための遠隔プラズマ源
KR100768019B1 (ko) 플라즈마 처리 시스템 및 그 방법
CN106548918A (zh) 一种射频和直流混合驱动的磁化容性耦合等离子体源
JP2015196252A (ja) 積層造形物の製造装置及び製造方法
CN104217914A (zh) 等离子体处理装置
CN104505326A (zh) 一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备
CN108004516A (zh) 磁控溅射腔室、磁控溅射设备以及磁控管
CN104465293A (zh) 一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备
JP6277055B2 (ja) プラズマ処理装置
CN105586566A (zh) 一种反应腔室及半导体加工设备
KR100751535B1 (ko) 다중 주파수 유도 코일을 갖는 페라이트 코어를 구비한플라즈마 발생기 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치
CN102471879A (zh) 成膜装置
JP2010248576A (ja) マグネトロンスパッタリング装置
CN104505327A (zh) 一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备
CN104485272A (zh) 一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备
CN105689123A (zh) 多次超高磁场选铁矿石装置
CN104342621B (zh) 磁场调节装置及等离子体加工设备
CN105931940A (zh) 一种电感耦合等离子体装置
TW201630034A (zh) 電漿處理裝置
CN210518976U (zh) 天线单元及包括该天线单元的等离子体处理装置
JP2016072065A (ja) プラズマ処理装置
KR100425453B1 (ko) 고밀도 플라즈마용 자석과 그 제조방법 및 이를 이용한고밀도 플라즈마용 반도체 제조장치
TWI524366B (zh) 脈衝式磁場產生裝置
Jalilpour et al. The effects of secondary emission on the sheath structure in an electrostatic dusty plasma containing energetic electrons and charged nanoparticles
KR20190050527A (ko) 유도 결합 플라즈마 처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150408