CN104485301A - 包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明揭露了一种包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置,所述化学处理装置包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室,所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部,所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔,所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动,其中所述立柱装置包括立柱、套设在所述立柱外部的保护部及套接在所述保护部端部并连接所述保护部和立柱的固定部,所述立柱装置具有容易更换、耐腐蚀、运动灵活且耐磨的特点。
Description
【技术领域】
本发明涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域,特别涉及一种用于化学处理半导体晶圆表面,以及清洁、蚀刻及其它处理的装置。
【背景技术】
晶圆是生产集成电路所用的载体。在实际生产中需要制备的晶圆具有平整、超清洁的表面,而用于制备超清洁晶圆表面的现有方法可分为两种类别:诸如浸没与喷射技术的湿法处理过程,及诸如基于化学气相与等离子技术的干法处理过程。其中湿法处理过程是现有技术采用较为广泛的方法,湿法处理过程通常包括采用适当化学溶液浸没或喷射晶圆之一连串步骤组成。
现有技术中包含一种采用湿法处理过程对晶圆进行超清洁处理的装置。该装置中形成有一可以紧密接收并处理半导体晶圆的微腔室,该微腔室包括上腔室部和下腔室部,所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔,所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动。所述打开状态可用于供装载与移除半导体晶圆,所述关闭状态用于半导体晶圆的处理。其中所述立柱装置包括立柱和套接在所述立柱外表面的套筒。
但是在实际使用中发现,上述装置还存在以下缺点:第一:立柱包括若干段直径依次变大的圆柱形柱体,结构复杂,制造成本高;第二:安装时,将上述装置的各个零部件先后套在立柱的各个柱体台阶上,操作困难,拆卸更换亦困难;第三:立柱的外表面有套筒覆盖,但立柱上大小不同的柱体衔接处仍暴露在外,容易被化学处理过程中产生的高温和/或腐蚀性的气体所腐蚀而损坏。
因此有必要提供一种新的解决方案来解决上述问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置,所述半导体晶圆化学处理装置具有容易更换、耐腐蚀、运动灵活且耐磨的立柱结构。根据本发明的目的,本发明提供一种包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置,利用处理流体对半导体晶圆及相似工件进行处理,其包括:
包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室,所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部,所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔,所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动,
当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时,半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间,且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙,所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口,
其中所述立柱装置包括立柱、套设在所述立柱外部的保护部及套接在所述保护部端部并连接所述保护部和立柱的固定部。
作为本发明一个优选的实施例,
所述保护部与立柱之间具有间隙,
所述固定部呈T型管状,其包括管状部及自所述管状部的端部沿所述立柱轴线垂直方向向外延伸出的T端部,所述T端部用来对套设在所述立柱上的组件进行定位,
所述固定部的管状部固定嵌设于所述保护部和立柱之间的间隙中,所述T端部沿所述保护部轴向方向卡合住所述保护部,使得所述保护部、固定部和立柱之间同轴固定密封连接。
作为本发明一个优选的实施例,
所述保护部为两个,其分别为第一保护部和第二保护部,所述固定部分别设置于每个保护部的两端。
作为本发明一个优选的实施例,
所述第二保护部的长度大于所述第一保护部的长度。
作为本发明一个优选的实施例,
其还包括:
套设于所述第二保护部外表面的轴承;
固设于所述轴承外围的轴承固定部,所述轴承固定部的内部开设有若干个凹槽,所述轴承固定部随轴承一起沿所述第二保护部的外表面上下运动。
作为本发明一个优选的实施例,
其还包括套设于所述轴承外围的若干个轴承紧固件,所述若干个轴承紧固件对应容纳于所述若干个凹槽内。
作为本发明一个优选的实施例,
所述立柱的两端位于所述立柱所在中轴线上开设有螺纹孔,利用匹配所述螺纹孔的螺丝可将包含柱位孔的组件固定于所述立柱上。
作为本发明一个优选的实施例,
所述轴承固定部一端具有垂直于所述立柱轴线的突出部,另一端具有外螺纹,利用匹配所述外螺纹的螺母可对套设于所述轴承固定部上的组件进行定位并将所述轴承紧贴于所述第二保护部上。
作为本发明一个优选的实施例,
所述轴承为塑料直线轴承。
作为本发明一个优选的实施例,
所述立柱采用金属或者合金制造,所述保护部采用塑料制造,所述固定部采用合金制造。
与现有技术相比,本发明采用的立柱装置包括立柱、套设在所述立柱外部的保护部及套接在所述保护部端部连接所述保护部和立柱的固定部,所述保护部与立柱之间具有间隙,其中,所述保护部对中间立柱提供了保护,同时固定部对中间立柱加强了固定;所述保护部、固定部和立柱之间同轴固定密封连接,可以实现耐腐蚀的特性;本发明的轴承、轴承固定部及保护部选用诸如塑料的材料制成,不仅提高了运动的灵活性,而且大大减少轴承与所述保护部的摩擦系数,提高了立柱装置的耐磨性,并且本发明的立柱采用一体成型金属切割或铸造而成,而保护部采用耐腐蚀的材料制成,即便所述立柱装置发生磨损和腐蚀,只需要更换所述保护部即可。
【附图说明】
结合参考附图及接下来的详细描述,本发明将更容易理解,其中同样的附图标记对应同样的结构部件,其中:
图1为本发明中的半导体晶圆化学处理装置在一个实施例中的立体示意图;
图2为本发明中的半导体晶圆化学处理装置在一个实施例中的正面示意图;
图3为本发明中的半导体晶圆化学处理装置在一个实施例中的俯视示意图;
图4为本发明中的半导体晶圆化学处理装置在一个实施例中的剖视图;
图5为本发明的立柱装置在一个具体实施例中的剖视示意图;
图6为本发明中的立柱在一个实施例中的立体示意图;
图7为本发明中的第一保护部在一个实施例中的立体示意图;
图8为本发明中的第二保护部在一个实施例中的立体示意图;
图9为本发明中的固定部在一个实施例中的立体示意图;
图10为本发明中的轴承在一个实施例中的立体示意图;
图11为本发明中的轴承固定部在一个实施例的立体示意图。
【具体实施方式】
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
请参考图1和图2,其分别示出了本发明中的半导体处理装置在一个实施例100中的立体示意图和正面示意图。简单来讲,所述半导体处理装置100包括顶部模块110、微腔室模块120、驱动模块130和立柱装置140。所述前三个模块中的各个组件由四根互相平行的立柱装置140所固定、支撑或导引,并沿所述立柱装置140由下往上分别为驱动模块130、微腔室模块120和顶部模块110。其中微腔室模块120包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室,所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部,所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔,所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动。当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时,半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间,且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙,所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口。所述下腔室部包括下盒装置124、由下盒装置124支撑的下腔室板122,所述上腔室部包括隔板125、隔板125上方的上盒装置123和由上盒装置123支撑的上腔室板121。所述下盒装置124又由位于其下方的驱动模块130支撑并驱动。
所述驱动模块130可驱动所述下盒装置124依所述立柱装置140导引而相对于所述上盒装置123移动,以便当需要装载及移除半导体晶圆时能够打开或关闭上盒装置123和下盒装置124,也即能够打开或关闭上腔室板121和下腔室板122形成的微腔室。当关闭所述微腔室时,可将化学试剂及其他流体引入所述微腔室内部以供对其内的半导体晶圆进行化学分析、清洁、蚀刻及其他处理,并在处理完毕后,将所述化学试剂及其他流体引出所述微腔室。
为了便于描述本发明,首先描述所述驱动模块130,所述驱动模块130由下向上依次包括底板131、位于底板上方的上板132、位于所述底板131下方的加强装置133。由所述底板131和上板132形成的一个空腔内还包括一驱动器(未示出)。所述加强装置133位于所述底板131朝向下方的一面,所述加强装置133为位于底板131对角线上的凸棱,所述凸棱的截面呈矩形,所述凸棱为所述底板131提供高强度的支撑。所述底板131向上的一面、以垂直于所述底板131所在平面的方向延伸而形成有体积略大于驱动器大小的圆形第一筒壁(未图示)以容纳所述驱动器。所述底板131在靠近中央部分还包括圆形穿孔(未图示)和螺纹穿孔(未图示),所述圆形穿孔用于提供其他设备、管线或者装置。所述螺纹穿孔可用于结合螺丝等部件固定所述驱动器的下方。
所述上板132的四角包括对应于所述立柱装置140的四个柱位孔(未图示),该上板132可以沿所述立柱装置140的导引而向上或者向下移动。所述上板132向下的一面(也即图示中的向上的一面)、以垂直于所述上板132所在平面的方向延伸而形成有体积略大于驱动器大小的圆形的第二筒壁(未图示)以容纳所述驱动器。所述上板132在靠近中央部分还包括螺纹穿孔(未图示),所述螺纹穿孔可用于结合螺丝等部件固定所述驱动器的上方。当所述驱动器产生向上的驱动力时,所述上板132会沿所述立柱装置140的导引而驱动位于所述上板132上方的下盒装置124及下腔室板122向上移动,而使所述微腔室完成从打开状态到关闭状态的变换。
综上所述,所述底板131和上板132形成的一个圆柱形的空腔,其内部空间可容纳有驱动器,所述驱动器是现有技术中较为成熟的产品,比如说气动驱动器,类似地,也可以采用其他诸如机械驱动、电动驱动或者液压驱动原理的驱动器。但是应当了解到,当所述驱动器产生向上的驱动力时,所述上板132会被所述驱动器的驱动力所驱动而向上移动;当所述驱动器产生向下的驱动力时,所述上板132会被所述驱动器的驱动力和自身重力所驱动而向下移动。
请参阅图3,其为本发明中的半导体处理装置在一个实施例中的俯视示意图。所述顶部模块110包括顶板111,所述顶板111的形状呈正方形,并在所述顶板111的四角包括对应于所述立柱装置140的四个柱位孔112,通过该四个柱位孔112可以将所述顶板111固定于四根立柱装置140上。所述顶板111在靠近中央部分还包括圆形穿孔113,所述圆形穿孔113用于提供其他设备、管线或者装置。所述顶板111的四边中部都包含有细长条形穿孔114,可以用于容纳管线及安装其他元件。所述顶板111朝向上方的一面还包括有位于顶板111对角线上的凸棱115,所述凸棱115的截面呈矩形(参阅图1),所述凸棱115加强所述顶板111的承受压力能力。
接着描述如图1和图2中所示出的微腔室模块120。所述微腔室模块120由下向上依次包括下盒装置124、由下盒装置124支撑的下腔室板122、隔板125、隔板125上方的上盒装置123和由上盒装置123支撑的上腔室板121。所述下盒装置124和由下盒装置124支撑的下腔室板122可在所述驱动模块130的驱动下沿所述立柱装置140的导引而向上或者向下移动。所述隔板125、隔板125上方的上盒装置123和由上盒装置123支撑的上腔室板121通常静止不动。当所述下盒装置124和由下盒装置124支撑的下腔室板122在所述驱动模块130的驱动下沿所述立柱装置140的导引而向上移动并与所述上腔室板121和上盒装置123闭合后,将形成微腔室。
请继续参阅图2。所述隔板125的形状也呈正方形,并在所述隔板125的四角包括对应于所述立柱装置140的四个柱位孔。所述隔板125的主要作用是支撑位于其上方的上盒装置123和容纳于所述上盒装置123内的上腔室板121。所述隔板125的四边还分别形成有矩形的缺口(未图示),所述缺口可以用于容纳管线及安装其他诸如阀、流动控制器、感测器之类的元件。在一个实施例中,所述隔板125可以采用不锈钢材料制作。
为了进一步描述上述各个装置与所述立柱装置140的位置关系。请首先参考图4和图5,图4为本发明中的半导体处理装置在一个实施例中的剖视图,图5示出了立柱装置140在一个实施例中的剖视示意图。所述立柱装置140包括立柱141、套设在所述立柱141外部的保护部142、套接在所述保护部142端部并连接所述保护部142和立柱141的固定部143、轴承144、轴承固定部145和轴承紧固件146(如图10中所示)。
请参阅图6,其为本发明中的立柱在一个实施例中的立体示意图。如图5和图6所示,所述立柱141的两端位于所述立柱141所在中轴线上开设有螺纹孔1411,利用匹配所述螺纹孔1411的螺丝可将包含柱位孔的组件(未图示)固定于所述立柱141上。在该实施例中,所述顶板111套设于所述立柱141的一端并与所述固定部143相邻,通过顶板111四个角的柱位孔进而将所述顶板111固定于立柱141上,并使得所述顶板111与固定部143紧密连接,具有良好的密封性,同时所述固定部143对顶板111也起到一个支撑作用。所述底板131套设于所述立柱141的另一端并与所述固定部143相邻,通过底板131四个角的柱位孔使用螺栓134将所述底板131固定于立柱141上,并使得所述底板131与固定部143紧密连接,具有良好的密封性。
请参阅图7和图8,其分别示出了第一保护部和第二保护部在一个实施例中的立体示意图。如图5、图7和图8所示,所述保护部142为圆柱形套筒,所述保护部142与立柱141之间具有间隙147,由于所述固定部143卡设于所述保护部142和立柱141之间用于固定加强立柱141,该间隙147在保证密封的情况下能节约材料。在其他实施例中,所述保护部143还可以设置为与所述立柱141相接触。在该实施例中,所述保护部142采用塑料诸如高分子聚乙烯材料之类的耐腐蚀、耐高温材料制作。在该实施例中,所述保护部142为两个,其分别为第一保护部1421和第二保护部1422,所述第一保护部1421和第二保护部1422的厚度相等以保证立柱141受力的均匀性。所述第二保护部1422的长度大于所述第一保护部1421的长度,所述第二保护部1422以供所述下盒装置124沿其进行上下运动。
请参阅图9,本发明中的固定部在一个实施例中的立体示意图。如图9和图5所示,所述固定部143分别设置于第一保护部1421和第二保护部1422的两端。所述固定部143呈T型管状,其包括管状部1431及自所述管状部1431的端部沿所述立柱141轴线垂直方向向外延伸出的T端部1432,所述T端部用来对套设在所述立柱上的组件进行定位。所述固定部143的管状部1431固定嵌设于所述保护部142和立柱141之间的间隙147中,所述T端部1432沿所述保护部142轴向方向卡合住所述保护部142,使得所述保护部142、固定部143和立柱141之间同轴固定密封连接。在该实施例中,每个立柱141的第一保护部1421和第二保护部1422的端部都设置有固定部143,该固定部143能够对中间支柱141加强保护,防止立柱141被含化学蒸汽的气体腐蚀。在该实施例中,所述固定部143采用高分子聚乙烯材料之类的耐腐蚀、耐高温材料制造。
请继续参阅图4。所述上盒装置123固定套设于所述立柱141上并位于所述第一保护部1421和第二保护部1422之间。在该实施例中,所述上盒装置123的上方与第一保护部1421下端的固定部143相密封连接,所述上盒装置123下方的隔板125与所述第二保护部1422上端的固定部143相密封连接,以保证立柱141不被腐蚀,同时所述第二保护部1422上端的固定部143对上盒装置123和隔板125起到一个辅助支撑作用。
请参阅图10,其为本发明中的轴承在一个实施例中的立体示意图。如图5和图10所示,所述轴承144套设于所述第二保护部1422的外表面。所述轴承144为塑料直线轴承。所述轴承紧固件146套设于所述轴承144的外部对所述轴承144起到紧固作用。在该实施例中,所述轴承紧固件146为密封圈、橡胶或其他标配件。
请参阅图11,其为本发明中的轴承固定部在一个实施例的立体示意图。如图11和图5所示,所述轴承固定部145,其固设于所述轴承144外围。所述轴承固定部145一端具有垂直于所述立柱141轴线的突出部1451,另一端具有外螺纹结构,利用匹配所述外螺纹的螺母148可对套设于所述轴承固定部145上的组件进行定位并将所述轴承144紧贴于所述第二保护部1422上。所述轴承固定部145的内部开设有若干个凹槽1451,所述轴承紧固件146套设于所述轴承144的外围并对应容纳于所述若干个凹槽1451内用于固定轴承144。在该实施例中,所述轴承固定部145的材质为塑料(优选为聚四氟乙烯材料)。当所述轴承固定部145随轴承144一起沿所述第二保护部1422的外表面上下运动时,由于塑料和塑料之间的摩擦系数小,即减少由于摩擦产生的微小颗粒,也因此提高了立柱装置140的耐磨性,延长了立柱装置的使用寿命。
请继续参阅图4和图5。所述下盒装置124卡合于所述轴承固定部145的突出部1451和轴承固定部145端部的螺母148之间,此时,所述螺母148对上盒装置124起到一个支撑作用,当所述驱动器驱动所述上盒装置124时,所述上盒装置124带动所述轴承144和轴承固定部145沿着所述立柱装置140的第二保护部1422进行上下运动。
请继续参阅图2。所述上腔室板121的下表面为所述微腔室的上工作面,所述下腔室板122的上表面的上表面为所述微腔室的下工作面。应当认识到,当所述下腔室板122的下工作面和所述上腔室板121的上工作面闭合或者紧贴时,其中会形成一用于容纳半导体晶圆的空腔。
在本发明另一个实施例中,为了获得较为严密的微腔室,所述上腔室板121的下表面和所述下腔室板122的上表面可以具有相应的贴合或者耦合结构,所述上腔室板121、上盒装置123、下腔室板122和下盒装置124的贴合处还可以采用诸如橡胶质地的密封O环等元件。同时为了能够使化学制剂或者其他流体能够进入和排出微腔室,所述上腔室板121和下腔室板122还应当具有中空的微小管道和导流槽之类的结构。譬如需要使得半导体晶圆在所述微腔室内部时,半导体晶圆和所述微腔室的内壁形成有可供化学制剂流通的空隙,该空隙的预定宽度通常在0.01mm与10mm之间。诸如上述这些本文中未详细描述的部分,均为本领域技术人员所熟知的内容,在此不再累述。
本发明的一个优点和亮点在于:现有技术中诸如此类的半导体处理装置,诸如立柱装置140的组件通常采用一体成型的金属铸造,而一方面由于在化学处理阶段所述微腔室内的化学处理液有时会产生带有腐蚀性和/或高温的气体,当这些带有腐蚀性的气体接触到金属立柱表面时会对所述立柱装置发生腐蚀,另一方面由于所述下盒装置在上升和下降的过程中会对所述立柱装置造成轻微磨损而产生含金属成分的污染颗粒。而本发明中采用的立柱装置140采用立柱141和保护部142、固定部143结合的结构,所述保护部142与立柱141之间具有间隙147,所述保护部142对中间立柱141提供了保护,同时固定部143对中间立柱141进行定位;所述保护部142、固定部143和立柱141之间同轴固定密封连接,防止含有化学蒸汽的气体直接接触采用金属材料制作的立柱141,可以实现耐腐蚀的特性。
本发明的再一个优点和亮点在于:由于本发明的立柱、固定部143和保护部142固定设置,所述固定部143的T端部1432可以用来对套设在所述立柱141上的组件进行定位;同时轴承固定部145及与设置于轴承固定部145端部的螺母对套设于所述轴承固定部145外围的组件也起到一个定位作用。本发明的支柱装置能够支持整个框架,精确定位套设于所述立柱装置上的板块。
本发明的再一个优点和亮点在于:本发明的轴承144、轴承固定部145及保护部142选用诸如塑料的材料制成,不仅降低了制造成本,提高了组装的灵活性,而且大大减少轴承144与所述保护部142的摩擦系数,提高了立柱装置140的耐磨性;并且本发明的立柱采用一体成型金属切割或铸造而成,即便所述立柱装置发生磨损和腐蚀,只需要更换所述保护部即可。
同时由此处描述可以易于联想到,可能与化学试剂及其他流体直接接触的上腔室板121、上盒装置123、下腔室板122和下盒装置124都应当采用耐腐蚀和耐高温的材料制作,而其他组件均可以采用一体成型的金属切割或者铸造而成。
上述说明已经充分揭露了本发明的具体实施方式。需要指出的是,熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地,本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于所述具体实施方式。
Claims (8)
1.一种包含防腐蚀立柱结构的半导体晶圆化学处理装置,利用处理流体对半导体晶圆及相似工件进行处理,其特征在于:其包括:
包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室,所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部,所述上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔,所述上腔室部和/或所述下腔室部可沿贯穿所述柱位孔的立柱装置的导引下在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动,
当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时,半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间,且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙,所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口,
其中所述立柱装置包括立柱、套设在所述立柱外部的保护部及套接在所述保护部端部并连接所述保护部和立柱的固定部。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆化学处理装置,其特征在于:
所述固定部呈T型管状,其包括管状部及自所述管状部的端部沿所述立柱轴线垂直方向向外延伸出的T端部,所述T端部用来对套设在所述立柱上的组件进行定位,
所述固定部的管状部固定嵌设于所述保护部和立柱之间,所述T端部沿所述保护部轴向方向卡合住所述保护部,使得所述保护部、固定部和立柱之间同轴固定密封连接。
3.根据权利要求1所述的半导体晶圆化学处理装置,其特征在于:所述保护部为两个,其分别为第一保护部和第二保护部,所述固定部分别设置于每个保护部的两端。
4.根据权利要求3所述的半导体晶圆化学处理装置,其特征在于:其还包括:
套设于所述第二保护部外表面的轴承;
固设于所述轴承外围的轴承固定部,所述轴承固定部的内部开设有若干个凹槽,所述轴承固定部随轴承一起沿所述第二保护部的外表面上下运动。
5.根据权利要求4所述的半导体晶圆化学处理装置,其特征在于:其还包括套设于所述轴承外围的若干个轴承紧固件,所述若干个轴承紧固件对应容纳于所述若干个凹槽内。
6.根据权利要求1所述的半导体晶圆化学处理装置,其特征在于:所述立柱的两端位于所述立柱所在中轴线上开设有螺纹孔,利用匹配所述螺纹孔的螺丝可将包含柱位孔的组件固定于所述立柱上。
7.根据权利要求4所述的半导体晶圆化学处理装置,其特征在于:所述轴承固定部一端具有垂直于所述立柱轴线的突出部,另一端具有外螺纹,利用匹配所述外螺纹的螺母可对套设于所述轴承固定部上的组件进行定位并将所述轴承紧贴于所述第二保护部上。
8.根据权利要求1所述的半导体处理装置,其特征在于:所述立柱采用金属或者合金制造,所述保护部采用塑料制造,所述固定部采用合金制造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN104485301A true CN104485301A (zh) | 2015-04-01 |
CN104485301B CN104485301B (zh) | 2017-02-22 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN104485301B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104485301B (zh) | 2017-02-22 |
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