CN104466004A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN104466004A CN201310438695.7A CN201310438695A CN104466004A CN 104466004 A CN104466004 A CN 104466004A CN 201310438695 A CN201310438695 A CN 201310438695A CN 104466004 A CN104466004 A CN 104466004A
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周明杰
黄辉
张振华
王平
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Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；所述散射层包括低功函数金属层、三元掺杂层以及有机硅小分子层；其中，所述的三元掺杂层的材质包括铁盐、碳酸盐以及折射率为1.8~2.0的金属氧化物。本发明有机电致发光器件的散射层可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，有效提高发光效率；此外，散射层可提高空穴的注入能力，从而有利于提高出光效率。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
现有发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差）。具体而言，当现有发光器件的玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射，引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
发明内容
本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种有机电致发光器件及其制备方法以提高有机电致发光器件的出光效率。
本发明针对上述技术问题而提出的技术方案为：一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；其特征在于，所述散射层包括低功函数金属层、三元掺杂层以及有机硅小分子层；其中，
所述的三元掺杂层的材质包括铁盐、碳酸盐以及折射率为1.8-2.0的金属氧化物；
所述机硅小分子层的材质为二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3）或p-双（三苯基硅）苯（UGH4）。
进一步地，所述三元掺杂层中，所述的铁盐、所述碳酸盐与所述金属氧化物的掺杂质量比为0.5:1:1～1:4:10。
进一步地，所述低功函数金属层的材质为镁（Mg）、锶（Sr）、钙（Ca）或镱（Yb）；所述金属氧化物为氧化锆（ZrO2）、氧化镁（MgO）或氧化钙（CaO）。
进一步地，所述玻璃基底的折射率为1.8以上，可见光透过率为90%以上。所述可见光的波长优选为400nm。
进一步地，所述低功函数金属层的厚度为20-60nm，所述三元掺杂层的厚度为100～300nm，所述有机硅小分子层的厚度为20～50nm。
进一步地，所述阳极层的材质为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO）；
所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5）；
所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、或N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）；
所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq3）；
所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBi）；
所述电子注入层的材质为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）或氟化锂（LiF）。
所述阴极层为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au）。
本发明还提出一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
（a）在玻璃基底上通过磁控溅射设备来制备阳极层；
（b）使用热阻蒸镀设备在步骤（a）制得的阳极层上制备低功函数金属层，然后使用电子束蒸镀设备在所述低功函数金属层上制备三元掺杂层，最后使用热阻蒸镀设备在所述三元掺杂层上制备有机硅小分子层，从而得到所述散热层；其中，
所述的三元掺杂层的材质包括铁盐、碳酸盐以及折射率为1.8-2.0的金属氧化物，所述的铁盐、所述碳酸盐与所述金属氧化物的掺杂质量比为0.5:1:1～1:4:10；所述金属氧化物为氧化锆、氧化镁或氧化钙；
所述机硅小分子层的材质为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；
所述低功函数金属层的材质为镁、锶、钙或镱；
（c）在步骤（b）制得的散射层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，从而得到所述的有机电致发光器件。
进一步地，在所述步骤（a）中，所述磁控溅射设备的加速电压为300～800V，磁场为50～200G，功率密度为1～40W/cm2。
进一步地，在所述步骤（b）中，所述电子束蒸镀设备的电子束蒸镀能量密度为10～l00W/cm2，所述热阻蒸镀设备的蒸镀速率为0.1～1nm/s；所述低功函数金属层的厚度为20-60nm，所述三元掺杂层的厚度为100～300nm，所述有机硅小分子层的厚度为20～50nm。
进一步地，在所述步骤（c）中，所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.1～1nm/s，所述阴极层的蒸镀速率为1～10nm/s。
所述散射层的各组分的性能如下：所述散射层的空穴掺杂材料可提高空穴的传输速率，同时，其HOMO能级较低，可进一步提高空穴的注入能力；所述散射层的低功函数金属层功函数比较低，自由电子浓度高，可提高散射层的导电性；所述散射层的荧光发光材料与发光层的一致，可对发光光色进行补充，提高光色纯度，有效提高发光效率；所述散射层的三元掺杂层基本上由铁盐、碳酸盐以及折射率为1.8～2.0的金属氧化物组成，铁盐的载流子浓度较高，可提高器件的导电性，铁盐层可降低层间的势垒，使空穴注入的势垒降低，从而提高空穴注入效率，碳酸盐粒径较大，可加强膜层对光的散射，使向两侧发射的光散射回到中间，高折射率的金属氧化物可降低散射层与阳极之间的折射率差，从而有效避免全反射的产生，提高出光效率，；所述散射层的有机硅小分子层的材质为宽能隙的有机硅小分子材料，其HOMO能级很低，可提高空穴的注入能力，而且玻璃化转变温度都很低（50度以下），极易结晶，结晶后的晶体结构对光有散射作用，加强光的散射，提高出光效率，从而有利于提高出光效率。上述HOMO能级是源自前线轨道理论的说法，是指已占有电子的能级最高的轨道，是给予电子的能力的表征。
总而言之，与现有技术相比，本发明的机电致发光器件及其制备方法，具有以下的优点：本发明有机电致发光器件的散射层可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，有效提高发光效率；此外，散射层可提高空穴的注入能力，从而有利于提高出光效率。
附图说明
图1是本发明实施例1的有机电致发光器件的结构示意图。
图2是实施例1的有机电致发光器件与对比例的电流密度与电流效率的关系图。
具体实施方式
以下结合实施例，对本发明予以进一步地详尽阐述。
实施例1
如图1所示，本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为：
玻璃基底101、阳极层102、低功函数金属层103、三元掺杂层104、有机硅小分子层105、空穴注入层106、空穴传输层107、发光层108、电子传输层109、电子注入层110以及阴极层111。低功函数金属层103、三元掺杂层104以及有机硅小分子层105、组成所述散热层。该有机电致发光器件的结构为玻璃基底/ITO/Ca/FeCl3:CaCO3:ZrO2/UGH2/WO3/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag，其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“：”表示相互掺杂。）
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备：
（一）镀膜的预处理
取出玻璃牌号为N-LASF44的玻璃基底101，用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
（二）阳极层的制备
将经步骤（一）制备的的玻璃基底101置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为700V的加速电压、120G的磁场以及250W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃基底101上制备阳极层102，阳极层102材料为铟锡氧化物（ITO）且厚度为80nm。
（三）散射层的制备
将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.2nm/s的蒸镀速率和8×10-4Pa的工作压强，靶材设定钙，使用热阻蒸镀设备在阳极层102上蒸镀低功函数金属层103，使低功函数金属层103的厚度为30nm，低功函数金属层103的材质为钙；
将电子束蒸镀设备的能量密度设定为30W/cm2，靶材设定为氯化铁、碳酸钙以及氧化锆，使用电子束蒸镀设备在低功函数金属层103上蒸镀三元掺杂层104，使三元掺杂层104的厚度为180nm，三元掺杂层104中氯化铁、碳酸钙以及氧化锆掺杂质量比为0.8:2:3；
将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.2nm/s的蒸镀速率和8×10-4Pa的工作压强，靶材设定为p-二（三苯基硅）苯，使用热阻蒸镀设备在三元掺杂层104上蒸镀有机硅小分子层105，使有机硅小分子层105的厚度为80nm，有机硅小分子层105的材质为p-二（三苯基硅）苯，从而制得散热层。
（四）有机电致发光器件的制备
将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.2nm/s的蒸镀速率和8×10-4Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在有机硅小分子层105上依次蒸镀材料为三氧化钨且厚度为40nm的空穴注入层106、材料为N,N'-（1-萘基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺且厚度为40nm的空穴传输层107、材料为4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯且厚度为13nm的发光层108、材料为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑且厚度为120nm的电子传输层109、材料为氟化铯且厚度为1.5nm的电子注入层110；接着将热阻蒸镀制备的蒸镀速率调节为2nm/s，使用热阻蒸镀制备在电子注入层110上蒸渡材料为银且厚度为100nm的阴极层111，从而得到所需要的电致发光器件。
图2为本实施例1有机电致发光器件与一般器件的流明效率与电流密度的关系图。所述一般器件的结构为玻璃基底/ITO/WO3/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag。图2中，横坐标为电流密度的大小，纵坐标为流明效率的大小，曲线1为实施例1有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系曲线，曲线2为对比例器件的电流密度与流明效率的关系曲线。从图2可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，最大的流明效率为3.4W，而对比例的仅为2.3m/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明本发明所制备的散射层提高导电性，提高空穴注入效率，使向两侧发射的光散射回到中间，有效避免全反射的产生，提高出光效率。
实施例2
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为：玻璃基底、阳极层、低功函数金属层、三元掺杂层、有机硅小分子层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层。低功函数金属层、三元掺杂层以及有机硅小分子层、组成所述散热层。所述有机电致发光器件的结构为玻璃基底/IZO/Ca/FeCl3:CaCO3:ZrO2/UGH2/V2O5/NPB/ADN/TAZ/CsN3/Al，其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“：”表示相互掺杂。上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备：
（一）镀膜的预处理
取出玻璃牌号为N-LAF36的玻璃基底，用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
（二）阳极层的制备
将经步骤（一）制备的玻璃基底置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为300V的加速电压、50G的磁场以及40W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃基底上制备材料为铟锌氧化物且厚度为80nm的阳极层。
（三）散射层的制备
将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为1nm/s的蒸镀速率和2×10-3Pa的工作压强，靶材设定镁，使用热阻蒸镀设备在阳极层上蒸镀低功函数金属层，使低功函数金属层的厚度为60nm，低功函数金属层的材质为镁。
将电子束蒸镀设备的能量密度设定为10W/cm2，靶材设定为溴化铁、碳酸镁以及氧化镁，使用电子束蒸镀设备在低功函数金属层上蒸镀三元掺杂层，使三元掺杂层的厚度为50nm，三元掺杂层中溴化铁、碳酸镁以及氧化镁掺杂质量比为0.5:1:1；
将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为1nm/s的蒸镀速率和8×10-4Pa的工作压强，靶材设定为二苯基二（o-甲苯基）硅，使用热阻蒸镀设备在三元掺杂层上蒸镀有机硅小分子层，使有机硅小分子层的厚度为50nm，有机硅小分子层的材质为二苯基二（o-甲苯基）硅，从而制得散热层。
（四）有机电致发光器件的制备
将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为1nm/s的蒸镀速率和2×10-3Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在有机硅小分子掺杂层上依次蒸镀材料为五氧化二钒且厚度为40nm的空穴注入层、材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷且厚度为45nm的空穴传输层、材料为9,10-二-β-亚萘基蒽且厚度为8nm的发光层、材料为N-芳基苯并咪唑且厚度为65nm的电子传输层、材料为叠氮铯且厚度为10nm的电子注入层；再接着将热阻蒸镀制备的蒸镀速率调节为10nm/s，使用热阻蒸镀制备在电子注入层上蒸渡材料为铝且厚度为80nm的阴极层，从而得到所需要的电致发光器件。
实施例3
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为：玻璃基底、阳极层、低功函数金属层、三元掺杂层、有机硅小分子层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层。低功函数金属层、三元掺杂层以及有机硅小分子层、组成所述散热层。该有机电致发光器件的结构为玻璃基底/AZO/Sr/Fe2S3:ZnCO3:CaO/UGH3/MoO3/TCTA/Alq3/TAZ/Cs2CO3/Au，其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“：”表示相互掺杂。上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备：
（一）镀膜的预处理
取出玻璃牌号为N-LASF31A的玻璃基底，用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
（二）阳极层的制备
将经步骤（一）制备的玻璃基底置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为800V的加速电压，200G的磁场，以及1W/cm2的功率密度，使用所述磁控溅射设备在所述玻璃基底上制备材料为铝锌氧化物且厚度为300nm的阳极层。
（三）散射层的制备
将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.2nm/s的蒸镀速率和8×10-4Pa的工作压强，靶材设定锶，使用热阻蒸镀设备在阳极层上蒸镀低功函数金属层，使低功函数金属层103的厚度为20nm，低功函数金属层的材质为锶。
将电子束蒸镀设备的能量密度设定为100W/cm2，靶材设定为硫化铁、碳酸锌以及氧化钙，使用电子束蒸镀设备在低功函数金属层上蒸镀三元掺杂层，使三元掺杂层的厚度为100nm，三元掺杂层中硫化铁、碳酸锌以及氧化钙掺杂质量比为1:4:10；
将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.2nm/s的蒸镀速率和8×10-4Pa的工作压强，靶材设定为1,3-双（三苯基硅）苯使用热阻蒸镀设备在三元掺杂层上蒸镀有机硅小分子层，使有机硅小分子层的厚度为200nm，有机硅小分子层的材质为1,3-双（三苯基硅）苯，从而制得散热层。
（四）有机电致发光器件的制备
将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.1nm/s的蒸镀速率和5×10-5Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在玻璃基底上的有机硅小分子掺杂层上依次蒸镀材料为三氧化钼且厚度为20nm的空穴注入层、材料为4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺且厚度为60nm的空穴传输层、材料为8-羟基喹啉铝且厚度为40nm的发光层、材料为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑且厚度为200nm的电子传输层、材料为碳酸铯且厚度为0.5nm的电子注入层；再接着将热阻蒸镀制备的蒸镀速率调节为1nm/s，使用热阻蒸镀制备在电子注入层上蒸渡材料为金且厚度为100nm的阴极层，从而得到所需要的电致发光器件。
实施例4
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为：玻璃基底、阳极层、低功函数金属层、三元掺杂层、有机硅小分子层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层。低功函数金属层、三元掺杂层以及有机硅小分子层、组成所述散热层。该有机电致发光器件的结构为玻璃基底ITO/Yb/Fe2S3:BaCO3:ZrO2/UGH4/WO3/TCTA/DCJTB/Bphen/LiF/Pt，其中斜杆“/”表示层状结构，冒号“：”表示相互掺杂。上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备：
（一）镀膜的预处理
取出玻璃牌号为N-LASF41A的玻璃基底，用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。
（二）阳极层的制备
将经步骤（一）制备的玻璃基底置于磁控溅射设备下，将磁控溅射设备的工艺参数设置为600V的加速电压，100G的磁场，以及30W/cm2的功率密度，使用磁控溅射设备在玻璃基底上制备材料为铟锡氧化物且厚度为180nm的阳极层。
（三）散射层的制备
将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.5nm/s的蒸镀速率和2×10-4Pa的工作压强，靶材设定镱，使用热阻蒸镀设备在阳极层上蒸镀低功函数金属层，使低功函数金属层的厚度为50nm，低功函数金属层的材质为镱。
将电子束蒸镀设备的能量密度设定为80W/cm2，靶材设定为硫化铁、碳酸钡以及氧化锆，使用电子束蒸镀设备在低功函数金属层上蒸镀三元掺杂层，使三元掺杂层的厚度为150nm，三元掺杂层中硫化铁、碳酸钡以及氧化锆掺杂质量比为0.6:3:5；
将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.5nm/s的蒸镀速率和2×10-4Pa的工作压强，靶材设定为p-双（三苯基硅）苯，使用热阻蒸镀设备在三元掺杂层上蒸镀有机硅小分子层，使有机硅小分子层的厚度为130nm，有机硅小分子层的材质为p-双（三苯基硅）苯，从而制得散热层。
（四）有机电致发光器件的制备
将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.5nm/s的蒸镀速率和2×10-4Pa的工作压强，使用热阻蒸镀制备在二氧化钛掺杂层上依次蒸镀材料为三氧化钨且厚度为80nm的空穴注入层、材料为4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺且厚度为60nm的空穴传输层、材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃且厚度为10nm的发光层、材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉且厚度为35nm的电子传输层、材料为氟化锂且厚度为1nm的电子注入层；再接着将热阻蒸镀制备的蒸镀速率调节为6nm/s，使用热阻蒸镀制备在电子注入层上蒸渡材料为铂且厚度为250nm的阴极层，从而得到所需要的电致发光器件。
与现有技术相比，本发明的机电致发光器件及其制备方法，存在以下的优点：本发明有机电致发光器件的散射层可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，有效提高发光效率；此外，散射层可提高空穴的注入能力，从而有利于提高出光效率。
上述测试与制备设备为高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
上述内容，仅为本发明的较佳实施例，并非用于限制本发明的实施方案，本领域普通技术人员根据本发明的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，其特征在于，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，所述散射层包括低功函数金属层、三元掺杂层以及有机硅小分子层；其中，
所述的三元掺杂层的材质包括铁盐、碳酸盐以及折射率为1.8~2.0的金属氧化物；
所述机硅小分子层的材质为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述三元掺杂层中，所述的铁盐、所述碳酸盐与所述金属氧化物的掺杂质量比为0.5:1:1~1:4:10。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述低功函数金属层的材质为镁、锶、钙或镱；所述金属氧化物为氧化锆、氧化镁或氧化钙。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率为1.8以上，可见光透过率为90%以上。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述低功函数金属层的厚度为20-60nm，所述三元掺杂层的厚度为100~300nm，所述有机硅小分子层的厚度为20~50nm。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，
所述阳极层的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；
所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；
所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N′-（1-萘基）- N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺；
所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝；
所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；
所述电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂。
7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（a）在玻璃基底上通过磁控溅射设备来制备阳极层；
（b）使用热阻蒸镀设备在步骤（a）制得的阳极层上制备低功函数金属层，然后使用电子束蒸镀设备在所述低功函数金属层上制备三元掺杂层，最后使用热阻蒸镀设备在所述三元掺杂层上制备有机硅小分子层，从而得到所述散热层；其中，
所述的三元掺杂层的材质包括铁盐、碳酸盐以及折射率为1.8~2.0的金属氧化物，所述的铁盐、所述碳酸盐与所述金属氧化物的掺杂质量比为0.5:1:1~1:4:10；所述金属氧化物为氧化锆、氧化镁或氧化钙；
所述机硅小分子层的材质为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；
所述低功函数金属层的材质为镁、锶、钙或镱； 
（c）在步骤（b）制得的散射层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，从而得到所述的有机电致发光器件。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（a）中，所述磁控溅射设备的加速电压为300~800V，磁场为50~200G，功率密度为1~40 W/cm2。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（b）中，所述电子束蒸镀设备的电子束蒸镀能量密度为10~l00W/cm2，所述热阻蒸镀设备的蒸镀速率为0.1~1nm/s；所述低功函数金属层的厚度为20-60nm，所述三元掺杂层的厚度为100~300nm，所述有机硅小分子层的厚度为20~50nm。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（c）中，所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.1~1nm/s，所述阴极层的蒸镀速率为1~10nm/s。
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