CN104425684A - 具有地形玻璃护层的led芯片封装 - Google Patents

具有地形玻璃护层的led芯片封装 Download PDF

Info

Publication number
CN104425684A
CN104425684A CN201410383365.7A CN201410383365A CN104425684A CN 104425684 A CN104425684 A CN 104425684A CN 201410383365 A CN201410383365 A CN 201410383365A CN 104425684 A CN104425684 A CN 104425684A
Authority
CN
China
Prior art keywords
landform
glass sheath
led chip
metal gasket
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410383365.7A
Other languages
English (en)
Inventor
刑陈震仑
郭倩丞
洪荣豪
李正中
林鼎尧
李孟锜
蔡秉纯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Prolight Opto Technology Corp
Original Assignee
Prolight Opto Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Prolight Opto Technology Corp filed Critical Prolight Opto Technology Corp
Publication of CN104425684A publication Critical patent/CN104425684A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，地形玻璃护层用于增强散热的效果。另外，可以设置一个筒状反射壁，用以围绕LED芯片，反射LED芯片的光线至前方；地形玻璃护层可以进一步延伸涂布，覆盖到筒状反射壁的内壁面，更提高散热效果。玻璃护层面积愈大，传导热量愈多，使得LED芯片封装产品的散热效果愈好。本发明具有地形玻璃护层的LED芯片封装，因为具有较高的散热效率，比起传统的LED芯片而言，本发明具有地形玻璃护层的LED芯片封装具有较长的产品寿命。

Description

具有地形玻璃护层的LED芯片封装
技术领域
本发明涉及一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，尤其涉及一种具有沿着地形高低做玻璃护层的LED芯片封装，玻璃护层可以提供LED芯片封装产品较佳的散热效果。
背景技术
图1显示了一种常见LED芯片封装，LED芯片11安置在中央铜块10的上方，左边铜块101被设置于中央铜块10的左边；右边铜块102被设置于中央铜块10的右边。将封装胶体14填充在铜块101、10、102之间的间隙，提供电性绝缘并提供铜块之间的固定功能。LED芯片11具有第一表面电极与第二表面电极，第一表面电极通过金属线121电性耦合至左边铜块101；第二表面电极通过金属线122电性耦合至右边铜块102。
众所周知，LED芯片点亮时会发热，长时间点亮的热量累积，会缩短LED芯片的寿命，如果该些热量可以更有效地从LED芯片封装中快速移除，则LED芯片11的寿命可以持续更长的时间。
发明内容
针对现有技术的上述不足，根据实施例，希望提供一种能快速、有效地移除LED芯片点亮时发出的热量，具有较高的散热效率，能有效延长LED芯片使用寿命的具有地形玻璃护层的LED芯片封装。
根据实施例，本发明提供的一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，包含LED芯片、中间铜块、左边铜块、右边铜块、第一金属线、第二金属线和地形玻璃护层，LED芯片具有第一表面电极和第二表面电极；中间铜块承载LED芯片；左边铜块安置于中间铜块的左边；右边铜块安置于中间铜块的右边；第一金属线电性耦合第一表面电极到左边铜块；第二金属线电性耦合第二表面电极到右边铜块；地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于LED芯片和铜块的上表面，并包裹覆盖在金属线的外表面。
根据实施例，本发明提供的另一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，包含左边铜块、右边铜块、LED芯片和地形玻璃护层；LED芯片具有第一底面电极和第二底面电极，LED芯片跨坐于左边铜块与右边铜块上方，第一底面电极电性耦合至左边铜块，第二底面电极电性耦合至右边铜块；地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于铜块以及LED芯片的上表面。
根据实施例，本发明提供的另一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，包含陶瓷基材、左边金属垫、右边金属垫、LED芯片、第一金属线、第二金属线和地形玻璃护层，左边金属垫设置于陶瓷基材的上表面左边；右边金属垫设置于陶瓷基材的上表面右边；LED芯片具有第一表面电极和第二表面电极；第一金属线电性耦合第一表面电极到左边金属垫；第二金属线电性耦合第二表面电极到右边金属垫；地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于陶瓷基材、金属垫以及LED芯片的上表面，并包裹覆盖在金属线的外表面。
根据实施例，本发明提供的另一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，包含陶瓷基材、左边金属垫、右边金属垫、LED芯片和地形玻璃护层，左边金属垫设置于陶瓷基材的上表面左边；右边金属垫设置于陶瓷基材的上表面右边；LED芯片跨坐于左边金属垫以及右边金属垫；地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于金属垫、LED芯片以及陶瓷基材的上表面。
根据实施例，本发明提供的另一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，包含MCPCB基材、电性绝缘层、左边金属垫、右边金属垫、LED芯片、第一金属线、第二金属线和地形玻璃护层，MCPCB基材具有金属核心；电性绝缘层设置于金属核心的上表面；左边金属垫设置于电性绝缘层的上表面左边；右边金属垫设置于电性绝缘层的上表面右边；LED芯片具有第一表面电极和第二表面电极；第一金属线电性耦合第一表面电极至左边金属垫；第二金属线电性耦合第二表面电极至右边金属垫；地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于电性绝缘层、金属垫以及LED芯片的上表面，并包裹覆盖在金属线的外表面。
根据实施例，本发明提供的另一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，包含MCPCB基材、电性绝缘层、左边金属垫、右边金属垫、LED芯片和地形玻璃护层，MCPCB基材具有金属核心；电性绝缘层设置于金属核心的上表面；左边金属垫设置于电性绝缘层的上表面左边；右边金属垫设置于电性绝缘层的上表面右边；LED芯片跨坐于左边金属垫与右边金属垫上面；地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于电性绝缘层、金属垫以及LED芯片的上表面。
根据实施例，本发明提供的一种具有地形玻璃护层的晶圆，其特征是，包含晶圆和地形玻璃护层，地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于晶圆的上表面。
根据实施例，本发明提供的一种具有地形玻璃护层的芯片，其特征是，包含芯片和地形玻璃护层，芯片具有垂直边壁；地形玻璃护层覆盖于芯片的上表面；地形玻璃护层具有垂直边壁，与芯片的垂直边壁呈齐平状。
根据实施例，本发明提供的一种具有地形玻璃护层的晶圆制程，包含如下步骤：
准备晶圆；
进行地形玻璃护层的涂布。
根据实施例，本发明提供的一种具有地形玻璃护层的芯片制程，包含如下步骤：
准备芯片；
准备玻璃护层材料，沿着地形高低涂布于芯片表面。
众所周知，空气的导热系数是0.024W/mK，而玻璃的导热系数为0.8W/mK；换算一下，可知玻璃的导热系数是空气的导热系数的33倍。因此，玻璃的导热效果显然比空气的导热效果好很多。本发明施加地形玻璃护层(Topographical Glass Coating；TGC)于LED芯片的上表面，可以将芯片所产生的热量快速传递出去，可以提高LED芯片的散热效果而延长LED芯片(以及LED芯片封装)的寿命。本发明将地形玻璃护层施作于LED芯片表面，另外，也可以将地形玻璃护层的涂布区域延伸到芯片的周边区域，沿着地形的高低作更大面积的地形玻璃护层的涂布，使得LED芯片所产生的热量，可以较快地传送发散到上面的空气中。一般的LED芯片的厚度约为50～250微米，本发明的地形玻璃护层的厚度小于20nm，相对于芯片厚度，本发明的地形玻璃护层为非常薄的一层护层。
附图说明
图1是常见LED芯片封装的结构示意图。
图2是本发明第一实施例的结构示意图。
图3A～图3B是本发明第二实施例的结构示意图。
图4是本发明第三实施例的结构示意图。
图5是本发明第四实施例的结构示意图。
图6是本发明第五实施例的结构示意图。
图7是本发明第六实施例的结构示意图。
图8是本发明第七实施例的结构示意图。
图9是本发明第八实施例的结构示意图。
图10是本发明第九实施例的结构示意图。
图11是本发明第十实施例的结构示意图。
图12是本发明第十一实施例的结构示意图。
图13是本发明的地形玻璃封装芯片的第一制程的流程图。
图14A～图14B是图13所描述的方法制成的产品的示意图。
图15是本发明的地形玻璃封装芯片的第二制程的流程图。
图16A～图16B是图15所描述的方法制成的产品的示意图。
图17是本发明的可靠度实验数据列表图。
图18是图17的实验数据的图标。
其中：11,21为芯片；10,101,102为铜块；121,122为金属线；13为筒状反射壁；131为内壁面；14为封装胶体；201,202为玻璃护层；26为电性绝缘层；30为陶瓷基材；40为金属核心；401,402为铜块；40为金属核心印刷电路板；41,42,51,52为金属垫；60为晶圆；600为具有地形玻璃护层的晶圆；601为玻璃护层；602为切割晶圆；61,71为芯片；62为切割线；63,64为垂直边壁；65,75为具有地形玻璃护层的芯片；70为切割用胶布；701为玻璃薄膜；702为垂直面；72为空间。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐述本发明。这些实施例应理解为仅用于说明本发明而不用于限制本发明的保护范围。在阅读了本发明记载的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等效变化和修饰同样落入本发明权利要求所限定的范围。
本发明第一实施例
图2显示一个具有地形玻璃护层的LED芯片封装。图中显示LED芯片11安置在一个中央铜块10的上面，LED芯片11具有第一表面电极和第二表面电极，左边铜块101设置于中心铜块10的左边。右边铜块102设置于中心铜块10的右边。第一金属线121电性耦合第一表面电极至左边铜块101，第二金属线122电性耦合第二表面电极至右边铜块102。地形玻璃护层201沿着地形高低，包裹覆盖于金属线121，122的外表面；地形玻璃护层201并延着LED芯片11的上表面地形的高低而覆盖；地形玻璃护层201并延着铜块101、10、102的上表面地形的高低而覆盖之。
可用于地形玻璃护层201的材料，可以是氧化硅(SiOx)，其中x＝1.5～2、氮化硅(SiNx)、氧化铝(AlOx)、氮氧化铝(AlOxNy)、和碳氮化硅(SiCxNy)。传统的溅射处理可以被执行，以产生铝化合物的地形玻璃护层；一个传统的电浆增强型化学气相沉积(Plasma-Enhanced Chemical VaporDeposition；PECVD)制程，可用于生产硅化合物的地形玻璃护层。
本发明第二实施例
图3A显示了一个具有地形玻璃护层的LED芯片封装；图中显示筒状反射壁13被建立了，围绕着LED芯片11，用以反射LED芯片11发出的光线至前方。筒状反射壁13围绕LED芯片11、以及金属线121、122；筒状反射壁13具有内壁面131，反射LED芯片11的光线至前方。地形玻璃护层201沿着地形高低，覆盖于LED芯片11的上表面，也覆盖筒状反射壁13所包围的区域的上表面；也就是说，地形玻璃护层201沿着地形高低，覆盖LED芯片10的上表面以及铜块101、10、102的上表面。
图3B显示图3A的KK'截面图。图3B显示了一个LED芯片11被安置在中央铜块10的上表面，地形玻璃护层201沿着地形高低，覆盖于筒状反射壁13所包围的区域的上表面；地形玻璃护层202也分别包裹金属线121，122的外表面。
本发明第三实施例
图4显示LED芯片11被筒状反射壁13所包围。除了筒状反射壁13所包围的面积被地形玻璃护层201覆盖以外，地形玻璃护层201更延伸涂布，覆盖于筒状反射壁13的内壁面131与上方。本发明地形玻璃护层201覆盖面积愈大，导热效果愈显著，因为玻璃的热传导系数远大于空气的热传导系数。
本发明第四实施例
图5显示一个左边铜块401和右边铜块402，封装胶体14填充于两个铜块401、402之间的隙缝。左边铜块401的上表面、封装胶体14的上表面、与右边铜块402的上表面为共平面。LED芯片21具有双底面电极，安置在两个铜块401、402上面，分别电性耦合至铜块401、402。换言之，LED芯片21具有第一底面电极和第二底面电极，LED芯片21横跨安置在左边铜块401和右边铜块402上面。LED芯片21的第一底面电极电性耦合至左边铜块401，LED芯片21的第二底面电极电性耦合至右边铜块402，一个地形玻璃护层201沿着地形高低，覆盖LED芯片21上表面，也覆盖于铜块401、402的上表面。一个筒状反射壁13可以是选择性地被建构起来，以围绕LED芯片21；地形玻璃护层201延伸涂布，覆盖筒状反射壁13的内壁面131与上方。
本发明第五实施例
图6显示一个陶瓷基材30被用作为封装基材。左边金属垫41设置于陶瓷基材30的上表面左边，右边金属垫42设置于陶瓷基材30的上表面右边。LED芯片11具有第一表面电极和第二表面电极，第一金属线121电性耦合第一表面电极至左边金属垫41，第二金属线122电性耦合第二表面电极至右边金属垫42；地形玻璃护层201，覆盖LED芯片11的上表面，也沿着地形高低，覆盖于金属垫41、42、陶瓷基材30的上表面。同时，地形玻璃护层202包裹着金属线121、122的外表面。
本发明第六实施例
图7显示具有地形玻璃护层的LED芯片封装，它类似于图6。主要区别在于，增加设置了一个筒状反射壁13，用以围绕LED芯片11，用于反射从LED芯片11的光线至前方；地形玻璃护层201，还延伸涂布，覆盖筒状反射壁13的内壁面131与上方表面。
本发明第七实施例
图8显示一个陶瓷基材30被用作封装基材。左边金属垫41设置于陶瓷基材30的上表面左边；右边金属垫42设置于陶瓷基材30的上表面右边。LED芯片21具有第一底面电极与第二底面电极，跨坐于金属垫41、42上；第一底面电极电性耦合至左边金属垫41，第二底面电极电性耦合至右边金属垫42。地形玻璃护层201覆盖于LED芯片21、金属垫41,42、以及陶瓷基材30的上表面。
一个筒状反射壁13可以被建立起来，用以包围LED芯片21、和金属垫41,42；地形玻璃护层201还延伸涂布，覆盖筒状反射壁13的内壁面131。
本发明第八实施例
图9显示一个金属核心印刷电路板(MCPCB)被用作封装基材。电性绝缘层26形成于金属核心40的上表面。在这里，铝(Al)金属可以是作为金属核心40的一个例子。左边金属垫51设置于电性绝缘层26的上表面左边，右边金属垫52设置于电性绝缘层26的上表面右边；LED芯片21具有第一表面电极和第二表面电极。第一金属线121电性耦合第一表面电极至左边金属垫51，第二金属线122电性耦合第二表面电极至右边金属垫52；地形玻璃护层201覆盖LED芯片11、金属垫51,52、电性绝缘层26的上表面。地形玻璃护层202覆盖包裹着金属线121,122的外表面。
本发明第九实施例
图10显示具有地形玻璃护层的LED芯片封装，它类似于图9。主要区别在于，增加建立了一个筒状反射壁13，用以包围LED芯片11以及金属垫51,52，用于反射从LED芯片11发出的光线到前方。地形玻璃护层201还延伸涂布，覆盖筒状反射壁13的内壁面131以及上方。
本发明第十实施例
图11显示另一LED芯片封装。LED芯片21是覆晶芯片，具有第一底面电极与第二底面电极；LED芯片21被安置在金属核心印刷电路板(Metal CorePrinted Circuit Board,MCPCB)上面。MCPCB基材具有金属核心40，在这里，铝(Al)金属可以被用作于此一金属核心40的一个例子；电性绝缘层26设置于金属核心40的上表面，左边金属垫51设置于电性绝缘层26的上表面左边；右边金属垫52设置于电性绝缘层26的上表面右边。LED芯片21是覆晶芯片，具有第一底面电极与第二底面电极，跨坐于金属垫51、52上。第一底面电极电性耦合至左边金属垫51，第二底面电极电性耦合至右边金属垫52，地形玻璃护层201沿着地形高低，覆盖LED芯片21、金属垫51,52、以及电性绝缘层26的上表面。
本发明第十一实施例
图12是图11的修饰版本的产品，显示一个筒状反射壁13可以被建立起来，用以围绕LED芯片21和金属垫51,52；地形玻璃护层201还延伸涂布，覆盖筒状反射壁13的内壁面131。
本发明地形玻璃封装芯片的第一制程
图13显示产生地形玻璃护层芯片的制程，包含：准备晶圆60；进行地形玻璃护层的涂布601；制成具有地形玻璃护层的晶圆600；晶圆切割602；以及制成具有地形玻璃护层的芯片65。
图14A显示晶圆60被准备了；晶圆60上制作有多个芯片61；然后，将玻璃护层材料，依据地形高低，施加在晶圆60的上表面，以产生具有地形玻璃护层的晶圆600。图14B显示图14A的AA'截面图。图14B显示玻璃护层601，依据地形高低，施加于各芯片61的上表面；制成具有地形玻璃护层的晶圆600；然后，依据切割线62加以切割，以产生多个具有地形玻璃护层的芯片65。图中显示：地形玻璃护层601具有垂直边壁63，与芯片61的垂直边壁64齐平。
本发明的地形玻璃封装芯片的第二制程
图15显示具有地形玻璃护层的芯片的第二制程，包含：准备芯片71；该些芯片71系安置于切割用胶布70上者；进行地形玻璃护层的涂布701；以及制成具有地形玻璃护层的芯片75。
图16A显示切割用胶布70的上表面贴附有芯片71，该些芯片71搜集自晶圆切割以后挑选出来的多个芯片71。空间72存在于相邻的芯片71之间，然后将玻璃护层材料701，依据地形高低，涂布于芯片71上面。此外，芯片71的前后左右四个垂直侧面702也被玻璃护层701所披覆。图16B显示图16A的BB’截面图。图16B显示了玻璃护层701施加于各芯片71的上表面以及四个垂直侧面702的边壁。
图17显示对于本发明产品实施的一个可靠度实验数据，本实验进行湿气和高温工作寿命(Wet and High-Temperature Operation Life,WHTOL)，测试图9的产品在具有SiOx玻璃护层201的芯片封装产品，比对于并未涂布SiOx玻璃护层201的芯片封装产品。实验组为具有SiO x玻璃护层的芯片封装产品，对照组为未涂布SiOx玻璃护层的芯片封装产品。实验条件为：在摄氏85度、相对湿度85％的条件下进行测试；经过1008小时测试以后，数据显示一个35W的具有地形玻璃护层的LED芯片封装产品，仍保持100.3％的光强度；而对照组(不具有地形玻璃护层的LED芯片封装产品)则只剩下78.2％的光强度。图18显示，Y坐标为光强度(light intensity)、X坐标为测试时间。在1,008小时的测试以后，具有地形玻璃护层的LED芯片封装产品，变化如较高的线型所示，保持几乎不变的光照强度或100.3％光照强度。然而，不具有地形玻璃护层的LED芯片封装产品，变化如较低的线型所示，只剩下78.2％的光强度。显然，本发明在LED芯片的上表面上涂布地形玻璃护层，确实对于产品的散热有很大的改进效果。

Claims (27)

1.一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，包含LED芯片、中间铜块、左边铜块、右边铜块、第一金属线、第二金属线和地形玻璃护层，LED芯片具有第一表面电极和第二表面电极；中间铜块承载LED芯片；左边铜块安置于中间铜块的左边；右边铜块安置于中间铜块的右边；第一金属线电性耦合第一表面电极到左边铜块；第二金属线电性耦合第二表面电极到右边铜块；地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于LED芯片和铜块的上表面，并包裹覆盖在金属线的外表面。
2.根据权利要求1所述的具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，进一步包含筒状反射壁，筒状反射壁包围LED芯片以及金属线；地形玻璃护层覆盖于筒状反射壁所包围的区域的上表面。
3.根据权利要求2所述的具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，地形玻璃护层进一步延伸涂布，覆盖筒状反射壁的内壁面。
4.一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，包含左边铜块、右边铜块、LED芯片和地形玻璃护层；LED芯片具有第一底面电极和第二底面电极，LED芯片跨坐于左边铜块与右边铜块上方，第一底面电极电性耦合至左边铜块，第二底面电极电性耦合至右边铜块；地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于铜块以及LED芯片的上表面。
5.根据权利要求4所述的具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，进一步包含筒状反射壁，筒状反射壁包围LED芯片；地形玻璃护层进一步延伸涂布，覆盖于筒状反射壁的内壁面。
6.根据权利要求1所述的具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，玻璃护层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、二氧化硅或碳氮化硅。
7.一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，包含陶瓷基材、左边金属垫、右边金属垫、LED芯片、第一金属线、第二金属线和地形玻璃护层，左边金属垫设置于陶瓷基材的上表面左边；右边金属垫设置于陶瓷基材的上表面右边；LED芯片具有第一表面电极和第二表面电极；第一金属线电性耦合第一表面电极到左边金属垫；第二金属线电性耦合第二表面电极到右边金属垫；地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于陶瓷基材、金属垫以及LED芯片的上表面，并包裹覆盖在金属线的外表面。
8.根据权利要求7所述的具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，进一步包含筒状反射壁，筒状反射壁包围LED芯片以及金属线；地形玻璃护层进一步延伸涂布，覆盖筒状反射壁的内壁面。
9.根据权利要求7所述的具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，玻璃护层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、二氧化硅或碳氮化硅。
10.一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，包含陶瓷基材、左边金属垫、右边金属垫、LED芯片和地形玻璃护层，左边金属垫设置于陶瓷基材的上表面左边；右边金属垫设置于陶瓷基材的上表面右边；LED芯片跨坐于左边金属垫以及右边金属垫；地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于金属垫、LED芯片以及陶瓷基材的上表面。
11.根据权利要求10所述的具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，进一步包含筒状反射壁，筒状反射壁包围LED芯片与金属垫；地形玻璃护层进一步延伸涂布，覆盖筒状反射壁的内壁面。
12.根据权利要求10所述的具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，玻璃护层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、二氧化硅或碳氮化硅。
13.一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，包含MCPCB基材、电性绝缘层、左边金属垫、右边金属垫、LED芯片、第一金属线、第二金属线和地形玻璃护层，MCPCB基材具有金属核心；电性绝缘层设置于金属核心的上表面；左边金属垫设置于电性绝缘层的上表面左边；右边金属垫设置于电性绝缘层的上表面右边；LED芯片具有第一表面电极和第二表面电极；第一金属线电性耦合第一表面电极至左边金属垫；第二金属线电性耦合第二表面电极至右边金属垫；地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于电性绝缘层、金属垫以及LED芯片的上表面，并包裹覆盖在金属线的外表面。
14.根据权利要求13所述的具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，进一步包含筒状反射壁，筒状反射壁包围LED芯片与金属垫；地形玻璃护层进一步延伸涂布，覆盖筒状反射壁的内壁面。
15.根据权利要求13所述的具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，玻璃护层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、二氧化硅或碳氮化硅。
16.一种具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，包含MCPCB基材、电性绝缘层、左边金属垫、右边金属垫、LED芯片和地形玻璃护层，MCPCB基材具有金属核心；电性绝缘层设置于金属核心的上表面；左边金属垫设置于电性绝缘层的上表面左边；右边金属垫设置于电性绝缘层的上表面右边；LED芯片跨坐于左边金属垫与右边金属垫上面；地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于电性绝缘层、金属垫以及LED芯片的上表面。
17.根据权利要求16所述的具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，进一步包含筒状反射壁，筒状反射壁包围LED芯片与金属垫；地形玻璃护层进一步延伸涂布，覆盖于筒状反射壁的内壁面。
18.根据权利要求16所述的具有地形玻璃护层的LED芯片封装，其特征是，玻璃护层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、二氧化硅或碳氮化硅。
19.一种具有地形玻璃护层的晶圆，其特征是，包含晶圆和地形玻璃护层，地形玻璃护层沿着地形高低，覆盖于晶圆的上表面。
20.根据权利要求19所述的具有地形玻璃护层的晶圆，其特征是，玻璃护层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、二氧化硅或碳氮化硅。
21.一种具有地形玻璃护层的芯片，其特征是，包含芯片和地形玻璃护层，芯片具有垂直边壁；地形玻璃护层覆盖于芯片的上表面；地形玻璃护层具有垂直边壁，与芯片的垂直边壁呈齐平状。
22.根据权利要求21所述的具有地形玻璃护层的芯片，其特征是，玻璃护层的材料为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、二氧化硅或碳氮化硅。
23.一种具有地形玻璃护层的晶圆制程，其特征是，包含如下步骤：
准备晶圆；
进行地形玻璃护层的涂布。
24.根据权利要求23所述的具有地形玻璃护层的晶圆制程，其特征是，进一步包含如下步骤：切割，制成具有地形玻璃护层的芯片。
25.根据权利要求24所述的具有地形玻璃护层的晶圆制程，其特征是，地形玻璃护层具有四个垂直边壁；芯片具有四个垂直边壁，地形玻璃护层的四个垂直边壁与芯片的四个垂直边壁呈齐平状。
26.一种具有地形玻璃护层的芯片制程，其特征是，包含如下步骤：
准备芯片；
准备玻璃护层材料，沿着地形高低涂布于芯片表面。
27.根据权利要求26所述的具有地形玻璃护层的芯片制程，其特征是，将地形玻璃护层覆盖于芯片的上表面和四个垂直边缘。
CN201410383365.7A 2013-08-20 2014-08-06 具有地形玻璃护层的led芯片封装 Pending CN104425684A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/971,066 US20150054017A1 (en) 2013-08-20 2013-08-20 Led chip package
US13/971,066 2013-08-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104425684A true CN104425684A (zh) 2015-03-18

Family

ID=52479582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410383365.7A Pending CN104425684A (zh) 2013-08-20 2014-08-06 具有地形玻璃护层的led芯片封装

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20150054017A1 (zh)
CN (1) CN104425684A (zh)
TW (1) TW201508956A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107195750A (zh) * 2016-03-14 2017-09-22 涂波 Led芯片护层的改善

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6490932B2 (ja) * 2013-09-16 2019-03-27 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
DE102015212383B4 (de) * 2015-07-02 2023-06-01 Vitesco Technologies Germany Gmbh Elektronische Komponente
JP2020167366A (ja) * 2019-02-26 2020-10-08 ローム株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
TWI277223B (en) * 2004-11-03 2007-03-21 Chen-Lun Hsingchen A low thermal resistance LED package
DE102005061248B4 (de) * 2005-12-20 2007-09-20 Infineon Technologies Ag Systemträger mit in Kunststoffmasse einzubettenden Oberflächen, Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers und Verwendung einer Schicht als Haftvermittlerschicht
US8581113B2 (en) * 2007-12-19 2013-11-12 Bridgewave Communications, Inc. Low cost high frequency device package and methods
JP2010199547A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107195750A (zh) * 2016-03-14 2017-09-22 涂波 Led芯片护层的改善

Also Published As

Publication number Publication date
TW201508956A (zh) 2015-03-01
US20150054017A1 (en) 2015-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104425684A (zh) 具有地形玻璃护层的led芯片封装
US9506642B2 (en) LED light module and LED chip
US8497143B2 (en) Reflective pockets in LED mounting
JP2013247067A (ja) 色変換用無機成形体及びその製造方法、並びに発光装置
TW201242097A (en) Package substrate having light-emitting element and fabrication method thereof
CN104779339B (zh) 倒装高压led芯片及其制备方法
CN206312923U (zh) 倒装cob基板
JP2016535937A (ja) Ｌｅｄを取り囲む全内部反射レイヤを伴うｌｅｄのためのサブストレート
TW201205771A (en) Light-emitting diode
CN102610539B (zh) 利用集成pn结测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法
JP2013213131A (ja) 色変換用無機成形体及びその製造方法、並びに発光装置
CN106449621A (zh) 一种led封装方法及其结构
US20130285096A1 (en) Light emitting diode package and method for manufacturing the same
US10749084B2 (en) Optoelectronic component and method of producing an optoelectronic component
CN102280553A (zh) 覆晶发光二极管晶粒及其晶粒阵列
TW201242098A (en) LED package and method for manufacturing the same
CN105336878A (zh) 一种oled显示器件及其封装工艺
CN203674260U (zh) 一种esd保护的led封装结构
CN201893369U (zh) 一种发光二极管
TW200921896A (en) Light emitting surface element and method for producing light emitting surface element
CN102969437A (zh) Led发光元器件
CN207199666U (zh) 一种倒装芯片cob基板及光源产品
JPS63124555A (ja) 半導体装置用基板
CN105322081A (zh) 发光二极管封装改良结构及其改良方法
CN102751396A (zh) 发光二极管封装结构的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150318

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication