CN104423572A - 通过霍尔传感器感测滑动的方法和使用该方法的感测系统 - Google Patents

Abstract

一种通过霍尔传感器感测滑动的方法和使用该方法的感测系统。该通过传感器感测滑动的方法包括：将一个或更多个霍尔元件分组为一个或更多个分组，测量由磁场源所生成的磁场强度，以及对在一个或更多个霍尔元件处的磁场强度进行比较以确定是否发生水平滑动。

Description

通过霍尔传感器感测滑动的方法和使用该方法的感测系统

相关申请的交叉引用

本申请根据35USC119(a)要求于2013年8月29日向韩国知识产权局提交的第10-2013-0103458号韩国专利申请的权益，其整个公开通过引用并入本文以用于所有目的。

技术领域

下面的说明涉及一种通过霍尔传感器感测滑动的方法和使用该方法的感测系统。

背景技术

第20-0167871号韩国实用新型注册涉及一种用于感测翻盖式无绳电话的翻盖的打开或关闭的装置，并且描述了包括PCB(印刷电路板)、磁传感器以及翻盖的构思。PCB被安装在本体中，并且可以通过选择按钮而访问。磁传感器检测在PCB底部处的磁力以控制装置的电力供给。因此，现有技术受限于其检测翻盖的运动的能力。例如，现有技术未描述感测是否发生翻盖离开终端装置的表面的水平滑动。

发明内容

提供本发明内容，以介绍在以下的具体实施方式中进一步描述的简化形式的概念的集合。本发明内容不旨在确定要求保护的主题的关键特征或实质特征，也不旨在用作确定要求保护的主题的范围的辅助内容。

在一个通常的方面中，一种通过传感器感测滑动的方法包括：布置一个或更多个霍尔元件；布置磁场源，该磁场源配置成生成磁场；将一个或更多个霍尔元件分组为一个或更多个分组；以及使用一个或更多个霍尔元件测量由磁场源所生成的磁场强度。

该方法还可以包括：将在一个或更多个霍尔元件处所生成的磁场强度进行比较；确定是否发生水平滑动，其中布置一个或更多个霍尔元件包括将一个或更多个霍尔元件布置在第一本体上；布置磁场源包括将磁场源布置在与第一本体相对应的第二本体上；以及确定是否发生水平滑动包括确定是否发生第二本体离开第一本体的表面的水平滑动。

比较磁场强度可以包括检查在一个或更多个霍尔元件处所生成的磁场强度的相似度。

检查相似度可以包括确定从分组的第一霍尔元件所收集的磁场强度与从分组的第二霍尔元件所收集的磁场强度的比例。

对磁场强度进行比较还可以包括测量磁场强度的标准偏差。

确定是否发生第二本体离开第一本体的表面的水平滑动可以包括响应于相似度和所述标准偏差满足阈值，确定未发生第二本体的滑动。

确定是否发生第二本体离开第一本体的表面的水平滑动可以包括响应于相似度和标准偏差中之一未满足阈值，确定发生了第二本体的滑动。

相似度的阈值可以为从大约0.5到大约1.5的范围。

标准偏差的阈值可以为从大约0到大约0.5的范围。

第一本体可以包括包含传感器芯片的终端。

第二本体可以包括包含磁体的翻盖。

使用磁场源与一个或更多个霍尔元件之间的距离确定一个或更多个分组。

在另一通常的方面中，一种感测装置包括：一个或更多个霍尔元件，配置成收集外部磁场强度；相似度测量单元，配置成测量磁场强度的相似度；以及标准偏差测量单元，配置成测量磁场强度的标准偏差。

该装置还可以包括：检查单元，配置成检查是否满足相似度和标准偏差中之一；以及确定单元，配置成确定是否发生盖离开包括一个或更多个霍尔元件的表面的水平滑动。

确定单元可以配置成响应于相似度和标准偏差满足阈值，确定未发生第二本体的滑动。

确定单元可以配置成响应于相似度和标准偏差中之一未满足阈值，确定发生了第二本体的滑动。

相似度的阈值可以为从大约0.5到大约1.5的范围。

标准偏差的阈值可以为从大约0到大约0.5的范围。

在另一通常的方面中，一种用于感测盖的水平滑动的装置可以包括：一个或更多个霍尔元件，布置在装置上，并且配置成检测由在盖上的磁场源所生成的磁场强度；分组单元，配置成将一个或更多个霍尔元件分组成一个或更多个分组；以及确定单元，配置成确定是否发生盖的水平滑动。

确定单元可以配置成通过将一个或更多个分组的一个或更多个霍尔元件的相似度和标准偏差与相似度阈值和标准偏差阈值进行比较，确定是否发生盖的水平滑动。

附图说明

图1是示出了显示终端和翻盖的示例的图。

图2是示出了霍尔传感器(或传感器芯片)的示例的图。

图3是示出了由至少一个霍尔元件检测的磁场强度的集合的示例的图。

图4是示出了对至少一个霍尔元件分组进行分类的过程的示例的图。

图5是示出了避免滑动的示例和移除翻盖的水平滑动的处理的图。

图6是示出了磁相似度和磁标准偏差的示例的图。

图7是示出了通过生成翻盖的水平滑动移除磁场强度的变化的图。

贯穿附图和具体实施方式之中，除非另外描述或规定，否则相同的附图参考标记将被理解为指的是相同的元件、特征以及结构。附图不按照比例，并且出于明晰、例示以及方便的目的可以夸大附图中的元件的相对尺寸、比例以及绘制。

具体实施方式

提供下面的具体实施方式以辅助读者获得在本文中所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，对于本领域内的普通技术人员，在本文中所描述的系统、设备和/或方法的各种改变、修改、以及等价形式将是明显的。所描述的处理步骤和/或操作的演进为示例；然而，步骤和/或操作的序列不限于在此所陈述的序列，并且除了需要按照一定的顺序发生的步骤和/或操作之外，可以如在本技术领域内已知地改变。另外，出于改进明晰和简明的目的，省略了对于本领域内的普通技术人员所熟知的功能和结构的说明。

在本文中所描述的特征可以被例示为不同的形式，并且在本文中所描述的特征不应被解释为限于在本文中所描述的示例。此外，提供在本文中所描述的示例，使得本公开将是透彻且完整的，并且将本公开的完整范围传达给本领域内的普通技术人员。

图1是示出了包括显示终端和翻盖的电子装置的示例的图。

参照图1，电子装置1包括第一本体(body)100和第二本体200。第一本体100可以对应于显示终端。出于方便的原因，第一本体100可以指的是显示终端100。显示终端100包括霍尔传感器110和主体(mainbody)120。第二本体200可以对应于翻盖200。出于方便的原因，第二本体200可以指的是翻盖200。翻盖200可以包括磁体210和覆盖单元220。在此，显示终端100和翻盖200仅是按照其各自功能而命名的，并且在其他示例中，可以整体地实现显示终端100和翻盖200。即，翻盖200可以直接地耦接到显示终端100或耦接到背面侧电池盖。

显示终端100可以对应于无线通信装置，诸如蜂窝电话、智能电话以及双向无线电设备。显示终端100可以包括霍尔传感器(即，传感器芯片)110和主要本体120。

霍尔传感器110可以感测由翻盖200的磁体210所生成的磁场。霍尔传感器110可以为矩形形状，并且可以包括在每个拐角处的至少一个霍尔元件。在一个示例中，如图4所示，霍尔传感器110包括在每个拐角处的单一霍尔元件。在另一示例中，霍尔传感器110包括在每个拐角处的两个或更多个霍尔元件。霍尔传感器110可以指的是传感器芯片。换言之，霍尔传感器110可以包括在每个拐角处的单个霍尔元件或两个或更多个霍尔元件。当在每个拐角处布置两个霍尔元件时，霍尔传感器110可以包括总共八个霍尔元件。

主要本体120可以包括显示装置和无线收发器。

翻盖200可以对应于能够保护显示器和显示终端100的外观的盖，并且具体地，其保护显示终端100避免划痕或由掉落所引起的损坏。翻盖200可以包括生成磁场的磁体210和覆盖显示终端100的正面的覆盖单元220。翻盖200的打开或关闭，或翻盖200的水平滑动可以生成磁场的变化，其由显示终端100的霍尔传感器110检测。例如，水平滑动对应于由外部力在关于显示终端100的表面或霍尔传感器110的水平方向上所生成的翻盖200的移动。

磁体210在霍尔传感器110附近生成磁场。磁体210耦接到或附接到覆盖单元220，以根据覆盖单元220的移动而移动，并且在霍尔传感器110附近的磁场根据覆盖单元220的移动而改变。

覆盖单元220保护显示终端100的正面，并且可以内部地或外部地包括磁体210。磁体210可以生成磁场作为磁场源。

图2是示出霍尔传感器的示例的框图。

参照图2，霍尔传感器110包括分组分类单元111、磁场强度测量单元112、相似度测量单元113、标准偏差测量单元114、检查单元117、水平滑动确定单元115、以及控制单元116。

分组分类单元111可以基于至少一个霍尔元件150中的每个与磁体210之间的距离将至少一个霍尔元件150分类为分组。可以基于磁体210与至少一个霍尔元件150之间的距离确定每个分组。分组分类单元111可以将至少一个霍尔元件150中的每个预分配为分组。如图4(a)所示，例如，当四个霍尔元件150分别地布置在霍尔传感器110的拐角处时，第一分组410a包括在磁体210附近的两个霍尔元件150a、150b，并且第二分组410b包括远离磁体210的两个霍尔元件150c、150d。即，第一霍尔分组410a包括第一霍尔元件150a和第二霍尔元件150b。第一霍尔元件150a和第二霍尔元件150b相似地离开磁体210，所以霍尔元件可以感测到相似的磁场强度。从磁体200的角度，第一霍尔元件和第二霍尔元件以基本上相等的距离离开磁体210，并且检测到相似的磁场强度。

同样地，第二分组410b包括第三霍尔元件150c和第四霍尔元件150d。在此示例中，当在第一分组410a与第二分组410b之间对磁场强度进行比较时，第一分组410a的磁场强于第二分组410b的磁场。

图3是示出了由至少一个霍尔元件检测的磁场强度的集合的示例的图。

在图3(a)中，线310指示由图4(a)的第一分组410a所检测到的磁场强度，并且线320指示由图4(a)的第二分组410b所检测到的磁场强度。由第一分组所检测到的磁场强度强于由第二分组所检测到的磁场强度，这是因为磁体210与第一分组之间的距离近于磁体210与第二分组之间的距离。由在第一分组中的每个霍尔元件所检测到的磁场强度基本上相同。因此，相似度测量单元113对在同一分组中的霍尔元件之间的相似度进行测量和比较。不需要比较第一分组与第二分组的相似度，这是因为由第一分组所检测到的磁场的磁场强度与由第二分组所检测到的磁场的磁场强度不同。可以将至少一个霍尔元件中的每个预分配到指定的分组，这是因为在翻盖200中磁体210是静止的。

图4示出了两个示例；在第一示例中，未发生霍尔传感器110的水平滑动，而在第二示例中，发生了霍尔传感器110的水平滑动。例如，在图4(a)中未发生霍尔传感器110的水平滑动，并且在图4(b)中可能发生霍尔传感器110的水平滑动。参照图4(a)，在第一分组中的霍尔元件之间的相似度高。参照图4(b)，由于翻盖200的水平滑动，磁体210移动接近霍尔元件150b。在此示例中，第一分组中的第一霍尔元件150a和第二霍尔元件150b的磁场强度可以改变，并且相似度阈值可以发生偏离。同样地，第二分组中的第三霍尔元件150c和第四霍尔元件150d的磁场强度可以改变，并且相似度阈值可以偏离。

再次参照图2，磁场强度测量单元112测量由翻盖200的磁体210所生成的磁场强度和磁场方向。磁场强度测量单元112可以实现为霍尔元件150。应当理解，霍尔效应是沿着电导体的电压差异(霍尔电压)、导体中的横向电流以及与电流垂直的磁场的乘积。霍尔电压与电流的量和磁场强度成正比，并且当电流的量为常数时，霍尔电压与磁场强度成正比。磁场强度测量单元112测量由磁体210所生成的磁场强度。

检查单元117通过对由磁场强度测量单元112所测量的每个测量值的磁场强度进行比较，检查在每个霍尔元件处的磁场强度。检查单元117对磁场强度彼此进行比较，以检查相似度和标准偏差是否满足一定标准。因此，检查单元117可以包括相似度测量单元113和标准偏差测量单元114。相似度测量单元113对在至少一个霍尔元件150处的磁场强度的相似度进行测量和比较，并且标准偏差测量单元114对在至少一个霍尔元件150处的磁场强度的标准偏差进行测量和比较。

相似度测量单元113可以确定每个分组中的霍尔元件之间的相似度。例如，相似度测量单元113可以测量指定分组中的霍尔元件之间的相似度。即，相似度指示在每个分组中的霍尔元件处的磁场强度的相似程度，并且相似度可以满足下面的数学等式1。

[数学等式1]

相似度＝HA/HB

HA：霍尔元件A的磁场强度

HB：霍尔元件B的磁场强度

假定第一霍尔元件和第二霍尔元件被包括在第一分组中，并且第一霍尔元件的磁场强度的值对应于HA以及第二霍尔元件的磁场强度的值对应于HB，当HA和HB的值分别地被测量为500mT时，相似度可以对应于值1。在另一示例中，当HA的值被测量为500mT并且HB的值被测量为530mT时，相似度对应于值0.943。相似度比例越接近于值1，则霍尔元件A和霍尔元件B的磁场强度的变化越相似。

如图4(b)所示，当发生水平滑动时，第一分组中的第一霍尔元件150a和第二霍尔元件150b的磁场强度可以改变。因此，当发生水平滑动时，水平滑动确定单元115可以确定翻盖异常地打开。同样地，可以使用第二分组检测相同的效果。

在图2中，标准偏差测量单元114可以确定通过磁场强度测量单元112所收集的每个磁场强度的标准偏差。标准偏差不仅可以在指定的分组处而且可以在所有的霍尔元件150处对磁场强度进行比较。磁标准偏差指示从至少一个霍尔元件150中的每个所收集的磁场强度偏离磁场强度的平均的程度。当霍尔元件的数量为4时，可以根据数学等式2计算磁标准偏差。

可以基于磁体210的数量和尺寸改变标准偏差(M_sd)的阈值的范围。阈值可以为从大约0到大约0.5的范围。即，阈值可以是小于0.5的任何值。当标准偏差超过0.5时，可以确定标准偏差未满足标准。

[数学等式2]

$M\_\mathrm{sd}=\sqrt{\left(\mathrm{variation}\right)}$

$\mathrm{Variation}=\frac{{(\mathrm{HA}-\mathrm{avg})}^2+{(\mathrm{HB}-\mathrm{avg})}^2+{(\mathrm{HC}-\mathrm{avg})}^2+{(\mathrm{HD}-\mathrm{avg})}^2}{4}$

$\mathrm{Avg}=\frac{(\mathrm{HA}+\mathrm{HB}+\mathrm{HC}+\mathrm{HD})}{4}$

M_sd:标准偏差

Variation:磁场强度的离差

Avg:磁场强度的算术平均

HA:霍尔元件A的磁场强度

HB:霍尔元件B的磁场强度

HC:霍尔元件C的磁场强度

HD:霍尔元件D的磁场强度

4:霍尔元件的总量

水平滑动确定单元115确定是否发生第二本体或翻盖200离开第一本体或终端的表面的水平滑动。即，水平滑动确定单元115可以基于由相似度测量单元113所测量的相似度和由标准偏差测量单元114所测量的标准偏差，确定翻盖200是否水平地滑动。因此，当相似度的值和标准偏差的值中的至少一个满足一定标准时，翻盖200可以被确定为打开。在图5至图7中示出了水平滑动确定单元115的示例。

控制单元116控制分组分类单元111、磁场强度测量单元112、磁相似度测量单元113、磁标准偏差测量单元114、检查单元117、以及水平滑动确定单元115的操作和数据的流程。

如图3所示，图描述了由至少一个霍尔元件所生成的磁场强度的测量的示例。

参照图3(a)，当翻盖200关闭(0度)时，由磁场强度测量单元112所测量的磁场强度是在一定级别的最大值处的常数。另一方面，当霍尔传感器110由于翻盖200的移动而远离翻盖200的磁体210时，由磁场强度测量单元112所测量的磁场强度指数地下降。

当翻盖200关闭(0度)时，至少一个霍尔元件150中的每个与磁体210之间的距离可以改变，并且磁场强度的最大值也可以改变。在磁体210的附近的第一距离之中的至少一个霍尔元件150的磁场强度310可以强于在离开磁体210较远的第二距离中的霍尔元件150的磁场强度320。例如，在图4(a)中，当霍尔元件150布置在矩形霍尔传感器110的拐角处并且磁体210布置在霍尔传感器110上方时，通过布置在磁体210附近的上方侧的霍尔元件150a、150b所测量的最大值可以强于通过布置在下方侧的霍尔元件150c、150d所测量的最大值。

对于更精确的计算，使用磁场强度的值计算相似度和标准偏差。如图3(b)所示，根据图3(a)所收集的磁场强度的值可以被用来确定磁体210的距离的比例。基于磁场强度、使用下面的数学等式3计算离开磁体210的距离的比例。

[数学等式3]

Intensity_N＝(Raw_0–Raw_N)/Raw_0

Intensity_N:在N度角度处磁体之间的距离的比例

Raw_N:在N度处的磁场强度

Raw_0:在0度处的磁场强度

随着翻盖200的打开角度增加，离开磁体210的距离的比例可以逐渐地增加。因此，打开角度增加的越多，离开磁体210的距离的比例就越收敛到一定的值。离开磁体210的距离的比例对应于从每个霍尔传感器110到磁体210的直线距离。可以基于在每个霍尔元件处所测量的磁场强度计算离开磁体210的距离的比例。如图3(b)所示，当翻盖200被霍尔传感器110密切地接近时，离开磁体210的距离的比例接近于值0。另一方面，当翻盖220打开的更多时，如由远处的霍尔传感器110所检测的、其与磁体210之间的距离增长的越来越多。在此示例中，假定当打开的角度对应于90度时，离开磁体210的距离的比例接近于值1。

通过翻盖200的垂直移动和水平移动可以针对每个霍尔传感器生成离开磁体210的距离的比例的变化。当计算打开的角度时可以排除通过翻盖200的水平滑动所生成的磁场强度的变化，使得可以增加使用霍尔传感器感测翻盖200的移动的精度。因为由于水平滑动移动所引起的故障，所以不可以精确地感测打开翻盖200。

在图4中，图示出了对至少一个霍尔元件分组进行分类的过程的示例。

参照图4，霍尔元件150被分配在霍尔传感器110的每个拐角处。在此示例中，将一个霍尔元件150布置在每个拐角处，但是在其他示例中，可以将两个或更多个霍尔元件布置在每个拐角处。霍尔元件的数量增加的越多，则精度逐渐地增加的越多。精度可以根据霍尔元件的数量的下降而降低，从而导致不精确的感测。霍尔元件分组可以各自包括至少一个霍尔元件150，并且可以基于每个霍尔元件110与磁体210之间的距离设置霍尔元件分组。

在图4(a)中，可以通过霍尔传感器110与磁体210之间的距离、采用第一霍尔元件分组410a和第二霍尔元件分组410b对磁场强度测量单元112进行分类。如图4(b)所示，图指示由于水平滑动，磁体210的位置何时发生改变。

图5是示出了避免滑动的示例和移除翻盖200的水平方向滑动的处理的图。

参照图5，分组分类单元111可以确定霍尔元件分组。磁场强度测量单元112可以测量由翻盖200的磁体210所生成的磁场强度S510。磁场相似度测量单元113可以测量指定分组的霍尔元件150的磁场强度是否相似。磁标准偏差测量单元114可以测量标准偏差，其将每个霍尔元件150的磁场强度与由所有霍尔元件所测量的磁场进行比较。

水平滑动确定单元115可以确定所确定的相似度满足预先确定的值(阈值)S520。相似度的阈值对应于磁相似度的可能变化，并且阈值可以是与霍尔元件分组的分类有关的预先固定的值。例如，水平滑动确定单元115的相似度的阈值可以为从大约0.5到大约1.5的范围(1±0.5)。当相似度超过1.5或小于0.5时，确定发生水平滑动。另外，当相似度为从大约0.5到大约1.5的范围时，确定未发生水平滑动。

当相似度在阈值范围之外时，水平滑动确定单元115可以取消所测量的磁场强度S530。即，磁场强度可以被确定为是翻盖200的水平滑动的结果，并且可以从翻盖200的角度的计算中排除。

当相似度满足阈值范围时，水平滑动确定单元115可以基于由标准偏差测量单元114所确定的标准偏差确定翻盖200是否水平地滑动。

水平滑动确定单元115可以确定标准偏差是否落在标准偏差的阈值范围中S540。在此，标准偏差的阈值是标准偏差的可能的变化范围，并且阈值可以是与霍尔元件分组的分类过程有关的预先固定的值。

当标准偏差满足标准偏差的阈值范围时，水平滑动确定单元115可以确定磁场强度的正常操作。在此示例中，磁场强度可以由作为垂直滑动而不是水平滑动的结果所生成的磁场来确定。此磁场强度可以应用到用于确定翻盖200的角度的计算S550。另一方面，当标准偏差在标准偏差的阈值范围之外时，磁场强度可以被确定为由翻盖200的水平滑动所生成，并且可以根据翻盖200的角度的计算取消该磁场强度S530。例如，水平滑动确定单元115的标准偏差的阈值为从大约0.5到大约1.5的范围(1±0.5)。当标准偏差超过1.5或小于0.5时，确定发生水平滑动。另外，当标准偏差为从大约0.5到大约1.5的范围时，确定未发生水平滑动。

图6是示出磁相似度和磁标准偏差的示例的图。

参照图6，基于由霍尔元件112所测量的每个磁场强度所测量的离开磁体210的距离的比例可以根据水平滑动或垂直滑动的移动而发生改变。线610、620、以及630指示何时发生水平滑动。因此，所有线指示不满足相似度和标准偏差的结果。在翻盖200的角度的计算时，翻盖200的移动确定要排除的水平滑动的移动。另一方面，在垂直移动的范围中所示的一部分指示正常操作。图片未示出在相似度和标准偏差范围之中的较大的差异。在此，图6指示翻盖200的正常打开的范围。在这种情况下，水平滑动确定单元115应用磁场强度的值以计算翻盖200的打开的角度。

图7是示出了通过生成翻盖200的水平方向滑动移除磁场强度的变化的示例的图。

参照图7，当水平滑动确定单元115基于相似度和标准偏差确定通过翻盖200的水平滑动移动所生成的磁场强度时，可以在一定的范围上，从角度的计算中排除磁场强度的变化。另一方面，当水平滑动确定单元115满足相似度和标准偏差时，磁场强度的变化可以被确定为翻盖200的垂直移动，并且磁场强度的变化可以包括在翻盖200的角度的计算中。垂直移动对应于翻盖200的打开。

因此，在各个方面中，霍尔传感器110确定翻盖200的垂直移动的数据，并且基于翻盖200是否水平地滑动排除由水平滑动移动所生成的磁场强度的变化。

显示终端110可以基于由霍尔传感器110所确定的垂直移动的数据计算翻盖200的角度的变化和移动距离，并且所计算的结果可以被用于改变用户接口(即，UI)或游戏数据设置。

可以使用一个或更多个硬件组件、一个或更多个软件组件、或一个或更多个硬件组件与一个或更多个软件组件的组合来实现以上所描述的各种单元、模块、元件以及方法。

例如，硬件组件可以是物理地执行一个或更多个操作的物理装置，但是其不限于此。硬件组件的示例包括麦克风、放大器、低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、模拟-数字转换器、数字-模拟转换器以及处理装置。

例如，软件组件可以通过由软件或指令所控制的处理装置实现，以执行一个或更多个操作，但是其不限于此。计算机、控制器或其他控制装置可以使得处理装置运行软件或执行指令。一个软件组件可以由一个处理装置实现，或两个或更多个软件组件可以由一个处理装置实现，或一个软件组件可以由两个或更多个处理装置实现，或两个或更多个软件组件可以由两个或更多个处理装置实现。

可以使用一个或更多个通用或专用计算机(诸如，例如处理器、控制器和算术逻辑单元、数字信号处理器、微型计算机、现场可编程阵列、可编程逻辑单元、微处理器、或能够运行软件或执行指令的任何其他装置)实现处理装置。处理装置可以运行操作系统(OS)，并且可以运行一个或更多个在OS下所操作的软件应用程序。当运行软件或执行指令时，处理装置可以访问、存储、操纵、处理以及创建数据。出于简化的目的，可以在说明书中使用单数术语“处理装置”，但是本领域内的普通技术人员将理解，处理装置可以包括多个处理元件和多个类型的处理元件。例如，处理装置可以包括一个或更多个处理器，或一个或更多个处理器和一个或更多个控制器。另外，诸如并行处理器或多核处理器的不同的处理配置是可能的。

配置成实现软件组件以执行操作A的处理装置可以包括被编程为运行软件或执行指令以控制处理器执行操作A的处理器。另外，配置成实现软件组件以执行操作A、操作B以及操作C的处理装置可以具有各种配置，例如，诸如，配置成实现软件组件以执行操作A、操作B以及操作C的处理器；配置成实现软件组件以执行操作A的第一处理器和配置成实现软件组件以执行操作B和操作C的第二处理器；配置成实现软件组件以执行操作A和操作B的第一处理器和配置成实现软件组件以执行操作C的第二处理器；配置成实现软件组件以执行操作A的第一处理器，配置成实现软件组件以执行操作B的第二处理器，以及配置成实现软件组件以执行操作C的第三处理器；配置成实现软件组件以执行操作A、操作B、以及操作C的第一处理器，以及配置成实现软件组件以执行操作A、操作B以及操作C的第二处理器，或各自实现操作A、操作B以及操作C中的一个或更多个的一个或更多个处理器的任何其他配置。尽管这些示例涉及三个操作A、操作B以及操作C，但是可以实现的操作的数量不限于三个，而可以是实现期望的结果或执行期望的任务所需要的任何数量的操作。

用于控制处理装置以实现软件组件的软件或指令可以包括计算机程序、代码、指令或其一些组合，以用于独立的或协同地指令或配置处理装置以执行一个或更多个期望的操作。软件或指令可以包括：由处理装置直接地执行的机器代码，诸如由编译器所生成的机器代码；和/或可以通过处理装置使用解释器所执行的高级代码。软件或指令和任何相关联的数据、数据文件以及数据结构可以永久地或暂时地例示为各种类型的机器、组件、物理的或虚拟的设备、计算机存储介质或装置、或能够提供指令或数据或由处理装置所解释的传播信号波。软件或指令和任何相关联的数据、数据文件、以及数据结构还可以经由网络耦接的计算机系统而分发，使得软件或指令和任何相关联的数据、数据文件、以及数据结构以分布的方式存储并且执行。

例如，软件或指令和任何相关联的数据、数据文件、以及数据结构可以记录、存储或固定在一个或更多个非易失性计算机可读存储介质中。非易失性计算机可读存储介质可以是能够存储软件或指令和任何相关联的数据、数据文件、以及数据结构，使得其可以由计算机系统或处理装置所读取的任何数据存储装置。非易失性计算机可读存储介质的示例包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、闪速存储器、CD-ROM、CD-R、CD+R、CD-RW、CD+RW、DVD-ROM、DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD+RW、DVD-RAM、BD-ROM、BD-R、BD-R LTH、BD-RE、磁带、软盘、磁光数据存储装置、光数据存储装置、硬盘、固态盘、或本领域内的普通技术人员已知的任何其他非易失性计算机可读存储介质。

用于实现在本文中所公开的示例的功能程序、代码、以及代码片段可以由示例所属的领域内的技术程序设计人员基于在本文中所提供的附图和其相对应的说明容易地构建。

虽然本公开包括具体的示例，但是对于本领域内的普通技术人员明显的是在这些示例中可以做出各种形式上的和细节的改变，而不背离权利要求及其等价形式的精神和范围。在本文中所公开的示例仅应被认为是描述性的，并且不是出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的说明应被认为适用于其他示例中的相似的特征或方面。如果按照不同的顺序执行所描述的技术，并且/或如果在所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，以不同的方式和/或由另外的组件或其等价形式代替或补充，则可以实现合适的结果。因此，本公开的范围不是由具体实施方式所限定，而是由权利要求及其等价形式所限定，并且在权利要求及其等价形式中的各种变化应当被解释为包括在本公开中。

Claims (20)

1.一种通过传感器感测滑动的方法，包括：

布置一个或更多个霍尔元件；

布置磁场源，所述磁场源配置成生成磁场；

将所述一个或更多个霍尔元件分组为一个或更多个分组；以及

使用所述一个或更多个霍尔元件，测量由所述磁场源所生成的磁场强度。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将在所述一个或更多个霍尔元件处所生成的磁场强度进行比较；

确定是否发生水平滑动，其中

布置一个或更多个霍尔元件包括将一个或更多个霍尔元件布置在第一本体上；

布置磁场源包括将所述磁场源布置在与所述第一本体相对应的第二本体上；以及

确定是否发生水平滑动包括确定是否发生所述第二本体离开所述第一本体的表面的水平滑动。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，对磁场强度进行比较包括检查在所述一个或更多个霍尔元件处所生成的磁场强度的相似度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，检查相似度包括确定从分组的第一霍尔元件所收集的磁场强度与从分组的第二霍尔元件所收集的磁场强度的比例。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，对磁场强度进行比较还包括测量所述磁场强度的标准偏差。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，确定是否发生所述第二本体离开所述第一本体的表面的水平滑动包括：响应于所述相似度和所述标准偏差满足阈值，确定未发生所述第二本体的滑动。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，确定是否发生所述第二本体离开所述第一本体的表面的水平滑动包括：响应于所述相似度和所述标准偏差中之一未满足阈值，确定发生了所述第二本体的滑动。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述相似度的阈值为从大约0.5到大约1.5的范围。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述标准偏差的阈值为从大约0到大约0.5的范围。

10.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一本体包括包含传感器芯片的终端。

11.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二本体包括包含磁体的翻盖。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述磁场源与所述一个或更多个霍尔元件之间的距离确定所述一个或更多个分组。

13.一种感测装置，包括：

一个或更多个霍尔元件，配置成收集外部磁场强度；

相似度测量单元，配置成测量所述磁场强度的相似度；以及

标准偏差测量单元，配置成测量所述磁场强度的标准偏差。

14.根据权利要求13所述的感测装置，还包括：

检查单元，配置成检查是否满足所述相似度和所述标准偏差中之一；以及

确定单元，配置成确定是否发生盖离开包括所述一个或更多个霍尔元件的表面的水平滑动。

15.根据权利要求14所述的感测装置，其中，所述确定单元配置成响应于所述相似度和所述标准偏差满足阈值，确定未发生第二本体的滑动。

16.根据权利要求14所述的感测装置，其中，所述确定单元配置成响应于所述相似度和所述标准偏差中之一未满足阈值，确定发生了第二本体的滑动。

17.根据权利要求13所述的感测装置，其中，所述相似度的阈值为从大约0.5到大约1.5的范围。

18.根据权利要求13所述的感测装置，其中，所述标准偏差的阈值为从大约0到大约0.5的范围。

19.一种用于感测盖的水平滑动的装置，包括：

一个或更多个霍尔元件，布置在所述装置上，并且配置成检测由在所述盖上的磁场源所生成的磁场强度；

分组单元，配置成将所述一个或更多个霍尔元件分组为一个或更多个分组；以及

确定单元，配置成确定是否发生所述盖的水平滑动。

20.根据权利要求19所述的装置，其中，所述确定单元配置成通过将所述一个或更多个分组的所述一个或更多个霍尔元件的相似度和标准偏差与相似度阈值和标准偏差阈值进行比较，确定是否发生所述盖的水平滑动。