CN104423143A - 布局图形的检查方法 - Google Patents

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Abstract

一种布局图形的检查方法，包括：提供目标图形和光学透镜系统，以及根据目标图形和光学透镜系统设计的原始光掩模图形；获取所述原始光掩模图形和光学透镜参数，根据光学透镜系统参数对所述原始光掩模图形进行第一模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的空间光强；获取光刻参数，根据光刻参数对所述空间光强进行第二模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的光刻光强；逐一比较所述原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强，获取两者的区别值，当所述区别值大于第一预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。提高了找到的潜在的缺陷点的准确率，因此，可得到较为准确的初步符合要求的设计光掩模图形。

Description

布局图形的检查方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种布局图形的检查方法。
背景技术
在半导体制造过程中，光刻工艺处于中心地位，是集成电路生产中最重要的工艺步骤。随着半导体制造技术的发展，特征尺寸越来越小，对光刻工艺技术中分辨率（通过光刻机在硅片表面能曝光的最小特征尺寸）的要求就越来越高。
为了实现微小的光刻分辨率，必须使光掩模板上更加精细的图像聚焦在光刻胶上，并且必须增强光刻分辨率，以制造接近光掩模板工艺中光刻分辨率极限的半导体器件。分辨率增强技术包括利用短波长光源、相移掩模方法、利用轴外照射（OAI，Off-Axis Illumination）的方法等。理论上讲，在利用OAI的情况下，分辨率大约比利用传统照射时的分辨率高约1.5倍，并且能够增强聚焦深度（DOF，depth of focus）。通过OAI技术，由光学系统印制在半导体衬底上的器件的CD的最小空间周期可以被进一步缩短，但是会产生光学邻近效应(OPE，Optical Proximity Effect)。受光学邻近效应的影响，光掩模版上的图形与后续实际形成的光刻图形并不相同。
请参考图1，实际制造过程中，布局图形的检查方法包括：执行步骤S101，提供目标图形和光学透镜系统，以及根据目标图形和光学透镜系统设计原始的光掩模图形；执行步骤S102，将原始的光掩模图形经过光学邻近校正（OPC，Optical Proximity Correction）模型处理，得到一模拟的光刻图形；执行步骤S103，逐一获取所述模拟的光刻图形的各点与对应的目标图形上的各点之间的距离；执行步骤S104，比较所述距离是否大于预定值；若是，执行步骤S105，对所述原始光掩模图形上的该点进行标记；若否，则继续执行步骤S103，直至比较完所有的点；执行步骤S106，根据目标图形修改原始光掩模图形上所有被标记的点，形成新的设计光掩模图形；之后反复执行步骤S102-S106，直至模拟得到的光刻图形的各点与对应的目标图形上的各点之间的距离均小于预定值，才认为设计的光掩模图形初步符合要求，即得到初步符合要求的设计光掩模图形。
由于上述初步符合要求的设计光掩模图形是依据OPC模型得到的模拟的光刻图形为基础进行反复修改的，后续还需要进行实际的检查。所以，现有技术的布局图形的检查方法还包括图2所示的如下步骤：步骤S201，提供目标图形、具有初步符合要求的设计光掩模图形的光掩模板和表面涂有光阻材料的晶圆；执行步骤S202，利用所述光掩模板和光学透镜系统，对所述晶圆进行曝光显影，在所述晶圆表面形成实际的光刻图形；执行步骤S203，逐一比较所述实际的光刻图形的各点与对应的目标图形上的各点之间的距离；执行步骤S204，比较所述距离是否大于预定值；若是，执行步骤S205，对所述初步符合要求的光掩模图形上的该点进行标记；若否，则继续执行步骤S203，直至比较完所有的点；执行步骤S206，根据所述目标图形修改初步符合要求的光掩模图形上所有被标记的点，形成新的初步符合要求的设计光掩模图形和新的光掩模板；之后反复执行步骤S202-S206，直至实际的光刻图形的各点与对应的目标图形上的各点之间的距离均小于预定值，才认为设计的光掩模图形符合要求，即得到最终的设计光掩模图形。
现有技术在后续利用该初步符合要求的设计光掩模图形进行实际的布局图形检查时，仍然需要经过多次修改，才能获得最终的设计光掩模图形，现有技术找到的潜在的缺陷点的准确率不高，即利用具有所述初步符合要求的设计光掩模图形的光掩模板进行曝光显影后形成实际的光刻图形的良率仍然有待提高，大大增加了制造成本。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种布局图形的检查方法，使得经该检查方法得到的具有所述初步符合要求的设计光掩模图形的光掩模板进行曝光显影后形成实际的光刻图形的良率的良率高，后续利用该初步符合要求的设计光掩模图形进行实际的布局图形检查时的修改次数减少，制造成本降低。
为解决上述问题，本发明提供一种布局图形的检查方法，包括：提供目标图形和光学透镜系统，以及根据目标图形和光学透镜系统设计的原始光掩模图形；获取所述原始光掩模图形和光学透镜参数，根据光学透镜系统参数对所述原始光掩模图形进行第一模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的空间光强；获取光刻参数，根据光刻参数对所述空间光强进行第二模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的光刻光强；逐一比较所述原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强，获取两者的区别值，当所述区别值大于第一预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。
可选的，获取所述区别值的方法为：根据所述原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强，获得两者差值的绝对值，然后获得所述差值的绝对值与所述光刻光强之间的比值。
可选的，所述第一预定值为7%-10%。
可选的，还包括：根据目标图形修改原始光掩模图形上所有被标记的点，形成初步符合要求的光掩模图形；依据所述初步符合要求的光掩模图形，制作原始光掩模板。
可选的，还包括：提供晶圆和原始光掩模板；利用所述原始光掩模板和光学透镜系统对所述晶圆进行曝光显影，形成实际的光刻图形，所述实际的光刻图形上的各点分别与所述原始光掩模图形上的各点、所述目标图形上的各点一一对应。
可选的，还包括：获取光线经光刻系统后的静态焦距，根据所述静态焦距对所述原始光掩模图形进行模拟，形成静态焦距相关图形；逐一获取所述静态焦距相关图形上各点与对应的目标图形上各点的距离，当所述距离大于第二预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。
可选的，还包括：获取光线经光刻系统后的动态焦距，根据所述动态焦距对所述原始光掩模图形进行模拟，形成动态焦距相关图形；逐一获取所述动态焦距相关图形上各点与对应的目标图形上各点的距离，当所述距离大于第三预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。
可选的，所述第二预定值小于第三预定值。
可选的，还包括：根据原始光掩模图形上被标记的点检查实际的光刻图形上对应的点与目标图形上对应的点的距离，当实际的光刻图形上对应的点与目标图形上对应的点的距离大于第四预定值时，则判定原始光掩模图形上的该点为缺陷点。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
分别对原始光掩模图形进行第一模型化和第二模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的空间光强和光刻光强，通过逐一比较原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强的区别值，找出原始光掩模图形上潜在的缺陷点，并予以标记，有效提高了找到的潜在的缺陷点的准确率，因此，可得到较为准确的初步符合要求的设计光掩模图形。本领域的技术人员在后续利用该初步符合要求的设计光掩模图形进行实际的布局图形检查时，修改的次数可显著减少，即利用具有所述初步符合要求的设计光掩模图形的光掩模板进行曝光显影后形成实际的光刻图形的良率增加，降低了生产成本。
进一步的，所述布局图形的检查方法还包括：逐一获取所述静态焦距相关图形上各点与对应的目标图形上各点的距离，当所述距离大于第二预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记，可进一步找出理想情况下原始光掩模图形上的潜在缺陷点。
更进一步的，所述布局图形的检查方法还包括：逐一获取所述动态焦距相关图形上各点与对应的目标图形上各点的距离，当所述距离大于第三预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。还考虑了实际情况下噪声的影响，进一步找出实际情况下原始光掩模图形上的潜在缺陷点。
附图说明
图1-图2是现有技术的布局图形的检查方法的流程示意图；
图3为本发明实施例的布局图形的检查方法的流程示意图；
图4为本发明实施例的光刻系统的结构示意图；
图5为本发明实施例的原始光掩模图形上各点的空间光强和光刻光强的分布示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术在后续利用该初步符合要求的设计光掩模图形进行实际的布局图形检查时，仍然需要经过多次修改，才能获得最终的设计光掩模图形，即利用具有所述初步符合要求的设计光掩模图形的光掩模板进行曝光显影后形成实际的光刻图形的良率仍然有待提高，大大增加了制造成本。
经过分析后，现有技术通过逐一比较所述模拟的光刻图形的各点与对应的目标图形上的各点之间的距离，找出潜在的缺陷点（potential weak point）的方式，其前提是用于模拟光刻图形的OPC模型是精确的。虽然所述OPC模型是经过大量试验反复论证后建立的，但是，该模型在由设计光掩模图形模拟得到光刻图形时，可能会存在过度纠正（over fitting）的情况，使得得到的模拟的光刻图形本身就与后续实际形成的光刻图形存在较多区别，即所述模拟的光刻图形并不准确，那么通过比较该并不准确的模拟的光刻图形与目标图形，得到的潜在的缺陷点的信息也不准确，甚至会漏掉一些潜在的缺陷点。因此，本领域的技术人员在后续利用该初步符合要求的设计光掩模图形进行实际的布局图形检查时，仍然需要经过多次修改，才能获得最终的设计光掩模图形，利用具有所述初步符合要求的设计光掩模图形的光掩模板进行曝光显影后形成实际的光刻图形的良率并不理想。
经过进一步研究，OPC模型在根据设计光掩模图形模拟得到光刻图形的过程中，实际进行了一系列的模型化步骤，例如根据光学透镜系统的光学透镜参数对所述设计光掩模图形进行第一模型化，获得与所述设计光掩模图形上的各点相对应的空间光强（Aerial Intensity），再根据光刻参数对所述空间光强进行第二模型化，获得与所述设计光掩模图形上的各点相对应的光刻光强（Resist Intensity），最后再根据所述光刻光强得到模拟的光刻图形。由于过度纠正（over fitting）的情况通常就是在上述各个模型化的步骤中产生的。因此，在进行布局图形的检查时，有必要对中间模型化步骤得到的空间光强和光刻光强进行比较，以改善上述光掩模板。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
请参考图3，图3示出了本发明实施例的布局图形的检查方法的流程示意图，包括：
步骤S301，提供目标图形和光学透镜系统，以及根据目标图形和光学透镜系统设计的原始光掩模图形；
步骤S302，获取所述原始光掩模图形和光学透镜参数，根据光学透镜系统参数对所述原始光掩模图形进行第一模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的空间光强；
步骤S303，获取光刻参数，根据光刻参数对所述空间光强进行第二模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的光刻光强；
步骤S304，逐一比较所述原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强，获取两者的区别值，当所述区别值达到第一预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。
具体地，所述目标图形一般由客户提供，所述目标图形是客户希望形成在晶圆上的图形。
请参考图4，所述光学透镜系统402是在实际制造（光刻）过程中用到的设备，其内部包含多个光学元件，可以使光线在其内部发生多次反射、折射、聚焦等变化。通常，光源400发出的光线经光掩模板401后，进入光学透镜系统402，并在其内部发生多次反射、折射、聚焦等变化后，最终由光学透镜系统402射出，照射到涂布在晶圆404表面的光阻材料403表面，形成实际的光刻图形。
所述原始光掩模图形依据目标图形和当前使用的光学透镜系统402进行设计得到。如背景技术所述，原始光掩模图形和最后形成的实际的光刻图形并不相同，在集成电路制造时，通常需要对原始光掩模图形进行反复检查，包括模拟检查和实际检查，以使最后形成的实际的光刻图形与客户提供的目标图形相匹配，符合客户的需求。
如前文所述，为消除OPC模型不精确对布局图形的检查的影响，本发明的实施例中，在获取到所述原始光掩模图形后，还需要获取光学透镜系统的光学透镜参数，并根据光学透镜系统参数对所述原始光掩模图形进行第一模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的空间光强；然后，获取光刻参数，根据光刻参数对所述空间光强进行第二模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的光刻光强；再逐一比较所述原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强，获取两者的区别值，当所述区别值达到第一预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。后续再对原始光掩模图形上所有被标记的点予以修改，最后再通过实际的光刻工艺来检验实际的光刻图形与目标图形的匹配情况。
其中，所述光学透镜参数与光学透镜系统相关，主要指光学透镜系统中对后续的光刻图形会造成影响的一些基本参数，例如数值孔径（NA）、曝光波长、以及光阻叠层的种类、厚度、折射率、消光系数等；所述空间光强是指光线经光掩模板401和光学透镜系统402之后，到达光阻材料403表面之前，只考虑衍射，而不考虑光线在光学透镜402内部折射和反射造成的损失，所得到的光线在空间上的强度。在本发明的实施例中，为节省成本，在设计出原始光掩模图形后，需要经OPC模型进行第一模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的空间光强，即所述空间光强是由OPC模型模拟得到的，用于后续布局图形的检查。所述第一模型化时的步骤主要包括：曝光焦平面的校准，模拟图形的深度校准，光酸扩散长度校准，棱镜偏振校准等。
需要说明的是，通常光照到光阻材料上，光阻材料会产生光酸，所述光酸与后续的显影液反应形成图形。若光酸不扩散，则只是在初始生成光酸的地方形成图形；但是实际上，光酸会扩散，其扩散到的地方后续都会形成的图形。因此，上述第一模型化的步骤中还包括光酸扩散长度校准的步骤。
所述光刻参数为光线由光学透镜系统402射出后到形成光刻图形的过程中影响光刻图形的相关参数，例如光阻材料403的材料、厚度、光照条件、曝光显影采用的化学试剂等，本领域技术人员知道如何获得上述参数；所述光刻光强是指光线经光阻材料403后的强度，所述光刻光强与上述光刻参数密切相关。如前所述，为节省成本，在设计出原始光掩模图形后，还需要利用OPC模型对前述光刻光强进行第二模型化，得到光刻光强。所述第二模型化的步骤主要包括：空间光强度的高斯化处理，类酸化处理，类碱化处理等。
经第一模型化和第二模型化后，分别得到所述原始光掩模图形上的各点与空间光强、光刻光强的分布图。请参考图5，在本发明的实施例中，横轴为原始光掩模图形上各点的位置坐标，纵轴为模拟得到的光强。其中，虚线501为空间光强分布图，即原始光掩模图形上各点与空间光强的对应关系；实线502为光刻光强分布图，即原始光掩模图形上各点与光刻光强的对应关系。
实际情况下，只有当所述原始光掩模图形上的点的空间光强和光刻光强之间的区别值（difference）达到第一预定值（7%-10%）时，后续实际形成的光刻图形才有可能出现缺陷，即不能满足客户的需求。在本发明的实施例中，所述第一预定值为8%。
经过反复研究，本发明的实施例中，获取原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强的区别值的方法为：根据所述原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强，获得两者差值的绝对值，然后获得所述差值的绝对值与所述光刻光强之间的比值。例如，对于原始光掩模图形上的A点，其对应的空间光强为95cd/m2，光刻光强为100cd/m2，那么A点的空间光强与光刻光强的区别值则为5%。又例如，对于原始光掩模图形上的B点，其对应的空间光强为109cd/m2，光刻光强为100cd/m2，那么B点的空间光强与光刻光强的区别值则为9%。
将原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强的区别值与第一预定值比较，当所述区别值大于第一预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记；当所述区别值小于等于第一预定值时，则不用对该点进行标记，继续检查原始光掩模图形上的下一个点，直至将所有的点检查完毕。在本发明的实施例中，只有当原始光掩模图形上各点的空间光强与光刻光强的区别值大于8%时，才会对该点予以标记，然后检查原始光掩模图形上的下一个点；若所述区别值小于等于8%时，则不用标记，继续检查原始光掩模图形上的下一个点，直至将所有的点检查完毕。
当检查完所有的点后，将会依据目标图形对原始光掩模图形上所有被标记的点予以修改，具体修改方式本领域技术人员知道如何获得，例如反复试验等，在此不再赘述。
为了能够找出所有潜在的缺陷点，使得利用具有初步符合要求的光掩模图形的原始光掩模板制作出的实际的光刻图形与目标图形相匹配。在本发明的实施例中，布局布形的检测方法还包括：获取光线经光刻系统后的静态焦距，根据所述静态焦距对所述原始光掩模图形进行模拟，形成静态焦距相关图形；逐一获取所述静态焦距相关图形上各点与对应的目标图形上各点的距离，当所述距离大于第二预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。即进行静态焦距的光学规则检查（Norminal Optical Rule Check，NorminalORC）。其中，所述静态焦距为光学透镜系统在不工作条件下所得到的焦距，此时光学透镜不受噪声干扰，得到的焦距为一固定值。
进一步的，实际工作条件下，受外界环境或光学透镜系统自身的限制，所述光学透镜系统的焦距可能会发生微小的变化，虽然只是微小的变化，但是仍然会对后续形成的光刻图形产生较大影响。因此，在本发明的实施例中，布局图形的检测方法还包括：获取光线经光刻系统后的动态焦距，根据所述动态焦距对所述原始光掩模图形进行模拟，形成动态焦距相关图形；逐一获取所述动态焦距相关图形上各点与对应的目标图形上各点的距离，当所述距离大于第三预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。即进行工艺窗口的光学规则检查（Process Window Optical Rule Check，PWORC）。其中，所述动态焦距为考虑了上述噪声影响后得到的焦距范围，即实际工作条件下的焦距范围。
考虑到静态焦距是排除了噪声干扰，属于理想情况下的焦距，而动态焦距是考虑了实际工作条件的焦距。为了能够更加准确的找到潜在的缺陷点，在确定第二预定值时，可适当提高要求，即所述第二预定值小于第三预定值。例如，本发明的实施例中，所述第二预定值为4纳米-6纳米，例如将第二预定值设定为5纳米所述第三预定值为7纳米-9纳米，例如将所述第三预定值设定为8纳米。
在本发明的实施例中，在进行布局图形的检测时，可以先进行静态焦距的光学规则检查，再进行工艺窗口的光学规则检查，最后再按照前述方法检查原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强，分别将各次检查中不符合要求的点标记出来，最后选取这些所有被标记的点，逐一进行修改。
需要说明的是，在本发明其他的实施例中，上述静态焦距的光学规则检查、工艺窗口的光学规则检查、以及检查原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强的步骤也可以其他任意方式进行组合，同样也可以找出潜在的缺陷点。并且，需要说明的是，在本发明的其他实施例中，还可以仅按照前文所述的方法检查原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强，或者执行静态焦距的光学规则检查或工艺窗口的光学规则检查，再检查原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强。在此不再赘述。
在本发明的实施例中，经过反复修改，可得到一初步符合要求的光掩模图形，依据所述初步符合要求的光掩模图形，制作原始光掩模板。在制作出原始光掩模板后，还需要对所述原始光掩模板进行实际检查。
因此，所述布局图形的检测方法，还包括：提供晶圆；利用所述原始光掩模板和光学透镜系统对所述晶圆进行曝光显影，形成实际的光刻图形，所述实际的光刻图形上的各点分别与所述原始光掩模图形上的各点、所述目标图形上的各点一一对应；根据原始光掩模图形上被标记的点检查实际的光刻图形上对应的点与目标图形上对应的点的距离，当实际的光刻图形上对应的点与目标图形上对应的点的距离大于第四预定值时，则判定原始光掩模图形上的该点为缺陷点（weak point）。本发明的实施例中，所述第四预定值为客户允许的最大误差。例如，第四预定值为8纳米-12纳米。例如，将其设定为10纳米。
本发明的实施例中，在实际检查时，可按照前文所述的方法，进一步对所述初步符合要求的光掩模图形进一步修改，以使得最终形成的光掩模板制作出的实际的光刻图形与目标图形更好的匹配，即最终实际的光刻图形上各点到对应的目标图形上各点的距离均小于第四预定值。
由于本发明的实施例中，考虑了第一模型化、第二模型化等中间步骤得到的空间光强和光刻光强之间的区别值，通过比较所述区别值和第一预定值对不符合要求的点予以标记，有效提高了找到的潜在的缺陷点的准确率，因此，可得到较为准确的初步符合要求的设计光掩模图形。本领域的技术人员在后续利用该初步符合要求的设计光掩模图形进行实际的布局图形检查时，修改的次数可显著减少，即利用具有所述初步符合要求的设计光掩模图形的光掩模板进行曝光显影后形成实际的光刻图形的良率增加，降低了生产成本。
进一步的，所述布局图形的检查方法还包括：逐一获取所述静态焦距相关图形上各点与对应的目标图形上各点的距离，当所述距离大于第二预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记，可进一步找出理想情况下原始光掩模图形上的潜在缺陷点。
更进一步的，所述布局图形的检查方法还包括：逐一获取所述动态焦距相关图形上各点与对应的目标图形上各点的距离，当所述距离大于第三预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。还考虑了实际情况下噪声的影响，进一步找出实际情况下原始光掩模图形上的潜在缺陷点。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (9)

1.一种布局图形的检查方法，其特征在于，包括：
提供目标图形和光学透镜系统，以及根据目标图形和光学透镜系统设计的原始光掩模图形；
获取所述原始光掩模图形和光学透镜参数，根据光学透镜系统参数对所述原始光掩模图形进行第一模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的空间光强；
获取光刻参数，根据光刻参数对所述空间光强进行第二模型化，获得与所述原始光掩模图形上的各点相对应的光刻光强；
逐一比较所述原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强，获取两者的区别值，当所述区别值大于第一预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。
2.如权利要求1所述的布局图形的检查方法，其特征在于，获取所述区别值的方法为：根据所述原始光掩模图形上的各点的空间光强和光刻光强，获得两者差值的绝对值，然后获得所述差值的绝对值与所述光刻光强之间的比值。
3.如权利要求1或2所述的布局图形的检查方法，其特征在于，所述第一预定值为7%-10%。
4.如权利要求1所述的布局图形的检查方法，其特征在于，还包括：根据目标图形修改原始光掩模图形上所有被标记的点，形成初步符合要求的光掩模图形；依据所述初步符合要求的光掩模图形，制作原始光掩模板。
5.如权利要求4所述的布局图形的检查方法，其特征在于，还包括：提供晶圆和原始光掩模板；利用所述原始光掩模板和光学透镜系统对所述晶圆进行曝光显影，形成实际的光刻图形，所述实际的光刻图形上的各点分别与所述原始光掩模图形上的各点、所述目标图形上的各点一一对应。
6.如权利要求1所述的布局图形的检查方法，其特征在于，还包括：获取光线经光刻系统后的静态焦距，根据所述静态焦距对所述原始光掩模图形进行模拟，形成静态焦距相关图形；逐一获取所述静态焦距相关图形上各点与对应的目标图形上各点的距离，当所述距离大于第二预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。
7.如权利要求6所述的布局图形的检查方法，其特征在于，还包括：获取光线经光刻系统后的动态焦距，根据所述动态焦距对所述原始光掩模图形进行模拟，形成动态焦距相关图形；逐一获取所述动态焦距相关图形上各点与对应的目标图形上各点的距离，当所述距离大于第三预定值时，则对所述原始光掩模图形上的该点进行标记。
8.如权利要求7所述的布局图形的检查方法，其特征在于，所述第二预定值小于第三预定值。
9.如权利要求5或8所述的布局图形的检查方法，其特征在于，还包括：根据原始光掩模图形上被标记的点检查实际的光刻图形上对应的点与目标图形上对应的点的距离，当实际的光刻图形上对应的点与目标图形上对应的点的距离大于第四预定值时，则判定原始光掩模图形上的该点为缺陷点。
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