CN104412104A - 基于纳米结构银氧化物膜的水系伏安法除害剂传感器及制备所述传感器的方法 - Google Patents
基于纳米结构银氧化物膜的水系伏安法除害剂传感器及制备所述传感器的方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及用于天然水中的除害剂例如硫丹或阿特拉津或甲基对硫磷的基于纳米结构银氧化物膜的伏安法传感器,是高度灵敏的,可靠的,精确的,稳定且可再生的。其方法如下:i)通过在1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4溶液中在0.32V Vs Ag/AgCl下静电位电化学加工多晶银电极15min。ii)通过在电势范围-0.3至+0.5V vs Ag/AgCl中重复动电位循环(7-9循环)形成纳米结构银氧化物膜。iii)在NaOH-Na2HPO4样品介质中基于伏安法传感器进行电化学检测。就灵敏度、精确度以及提供较宽的校准范围而言,该设计的传感器超越迄今报道的传感器。该开发的传感器可以广泛应用于针对所选除害剂的环境筛查&监测、化学工业、临床诊断以及其它相关的领域。
Description
以下说明书具体地描述本发明的特征以及其实施方式
技术领域
本发明涉及基于纳米结构银氧化物膜的水系伏安法除害剂传感器,以及制备所述传感器的方法。更具体地,本发明涉及用于(在电化学加工后)形成纳米结构银氧化物膜的方法,该膜在7个十进位的宽浓度范围内可靠且精确地检测超痕量的硫丹或阿特拉津或甲基对硫磷。
背景技术
可参考引用:通过银金属形成银氧化物[Sieger,USP 4,913,781;Urry,6,258,132B1;Budget等人,US 2010/0047689A1以及katan等人,USP 4,461,677],从硝酸银结晶通过银氧化物形成微孔单质银[Sieger,USP 4,851,310],以及用于电池的银/银氧化物电极[Strauss,USP 3,358,138);Balters,USP 4,209,578]。还可参考引用制备银氧化物电极的方法[Rampel,USP 3,258,362;和Langan,USP 4,250,234 Glen等人,USP 4,892,629 Langguth等人,USP 3,353,998],纳米尺寸的银氧化物粉末的制备[Berube & Banerjee,USP 7,201,888 B2],以及用于处理银氧化物的方法[Borberly,USP 4,126,584]。
还可参考引用:Murray等人的通过电化学步骤边缘装饰在高度定向的热解石墨电极表面上制备直径为0.7至1.1μm的AgxO(1<x<2),Chem.Mater.17(2005)6611。还可参考引用:经由无模板电化学路线合成定向的银氧化物纳米结构[Wei等人,J.Mater.Chem.21(2011)432]。
还可参考引用:在制备用于碱性电池的银氧化物的过程中,将添加剂例如金[Davis,USP 3,853,623]、汞、硒、碲,或者汞与铅或锡的组合[Tvarusko,USP 3,650,832]、硫化物[Megahed等人,USP 4,078,127]、PbS[Megahed等人,USP 4,835,077]、铋[Passaniti等人,USP 5,589,109]和镍[Berndt等人,USP 3,630,780]掺入碱性电解液中。
还可参考引用:通过在0.2M NaOH和0.2M NaOH+0.01M磷酸钠(用于检测糖类及相关的化合物)[De Mott等人,Electroanal.10(1998)836]与0.5M NaOH+0.5M NaOH+0.01M磷酸钠(用于检测氨基酸)[De Mott等人,Electroanal.17(2005)599]之间溶剂切换,将银电极浸入流动系统中,通过双脉冲电流法形成银氧化物。
还可参考引用:在多晶银电极上形成银氧化物膜,通过i)从8M KOH并在45℃的升高的温度下(涉及形成的动力学-不涉及检测)(Hur & Chung,J.Electrochem.Soc.152(2005)A179-A185),和ii)从1M KOH通过循环伏安法技术根据还原-氧化(Red-Ox)峰强度的下降检测氰化物和氰基磷酸二乙酯(Fathi等人,Langmuir 27(2011)12098)。
可参考引用:除害剂的其它纳米结构传感器,即,用于方波溶出伏安法测定5种除害剂三氯杀螨醇、氯氰菊酯、久效磷(monochrotophos)、毒死蜱(chlorpyriphos)和伏杀磷的聚3,4-亚乙基二氧基噻吩改性的玻璃碳(GC)[Manisankar等人,Anal.Chim.Acta,528(2005)157];用于检测黄草灵的镍(II)酞菁-MWCNT改性的基面热解石墨[Siswana等人,Anal.Bioanal.Chem.14(2010)1351];用于电流检测对硫磷的MWCNT-Nafion改性的GC[Li等人,Anal.Bioanal.Chem.381(2005)1049];用于线性扫描伏安法检测对硫磷的金纳米颗粒-MWCNT[Zhang等人,Microchim.Acta 165(2009)307];用于差分脉冲伏安法检测甲基对硫磷和对硫磷的银纳米颗粒-Nafion复合材料改性的GC[Kumaravel &Chandrasekaran,J.Electroanal.Chem.638(2010)231]。
还可参考引用:通过UV-可见光谱法定量硫丹[Sowbhagya等人,Pestic.Sci 15(1984)571];[Sreekumaran Nair等人,J.Environ.Monit.5(2003)363];反相液相色谱法[Siddiqueetal,J.Liquid.chromotatography & Related Technologies 26(2003)1069];GC-MS-EI选择性离子监测模式[Ramesh & Ravi,J.Environ.Monit.4(2002)190];Ramesh &Vijayalekshmi,Pest Manag.Sci.58(2002)1048]用于测定痕量硫丹。还可参考引用各种电分析方法,即差分脉冲极谱法[Reviejo等人,Anal.chim.Acta 264(1992)141;Reviejo等人,Talanta 39(1992)899,Reviejo等人,Electroanal.4(1992)111],差分脉冲/方波溶出伏安法[Latha等人,Ind.J.chem.37A(1998)1027;Prabhu & Manisankar,Analyst 119(1994)1867;Manisankar等人,Int.J.Environ.Anal.Chem.82(2002)331],以及循环伏安法[Sunitha &Sushma,Ind.J.Chem.Technol.11(2004)509;Manisankar等人,Int.J.Environ.Sci.& Health39B(2004)89]测定痕量硫丹。表1中汇总了各种硫丹传感器的检测特征的对比。
表1对比各种硫丹传感器的检测特征
根据以上提及的描述,没有实现硫丹低至0.01ppb或2.5x10-11M(最大容许限度)的快速,可靠且精确的测定。已报道的分析方法的另一个限制是也在微摩尔范围中的有限的3-4十进位的窄校准范围。然而,本发明在这两方面具有希望。
本发明的目的
本发明的主要目的是设计和开发消除大多数缺点的基于纳米结构银氧化物膜的水系伏安法除害剂传感器以及制备所述传感器的方法。
本发明的另一个目的是通过机械&超声化学抛光和电化学加工制备可再现的表面对表面和圆盘对圆盘多晶银电极表面。
本发明的另一个目的是从氢氧化钠-磷酸氢二钠介质形成纳米结构银氧化物膜
本发明的另一个目的是用于除害剂的基于银氧化物膜的伏安法传感器的可再生性。
发明内容
因此,本发明提供一种用于检测除害剂的纳米结构伏安法传感器,其中所述传感器包括具有纳米结构银氧化物膜的多晶银电极,其中检测限是~3x10-13M。
在本发明的一个实施方式中,其中伏安法传感器在0.32V Vs Ag/AgCl下响应于除害剂。
在本发明的另一个实施方式中,其中传感器在碱金属、碱土金属和重金属的存在下以3x10-13M的检测限检测除害剂。
在本发明的另一个实施方式中,其中所述传感器通过在电势范围-0.3至+0.5V中记录循环伏安图并在0.32V Vs Ag/AgCl测量峰电流检测1.0M NaOH+5.0x10-5M Na2HPO4介质中的除害剂。
一种用于制备基于纳米结构银氧化物膜的传感器的方法,其中所述方法包括步骤:
i)用2/0、3/0和5/0级别的砂纸各抛光25±5min,接着用炭抛光7-8min,然后在丙酮和去离子水中超声化学法抛光5分钟。
ii)通过使多晶银电极在1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4溶液中在-0.3V Vs Ag/AgCl下静电位保持15min进行电化学加工,
iii)通过在1.0M NaOH+5.0x10-5M Na2HPO4溶液(pH 11.8)中在电势范围-0.3至+0.5V Vs Ag/AgCl中以125至150mV/s的扫描速率进行7-9次循环伏安法扫描在多晶银电极上形成银氧化物膜。
在本发明的另一个实施方式中,根据权利要求1所述的传感器,其中所述传感器最多30天是稳定的。
在本发明的一个实施方式中,其中纳米结构银氧化物膜可以在抛光(机械&超声化学)、电化学加工和重复的循环伏安法扫描之后被再生。
因此,本发明还提供一种利用上述传感器检测除害剂(硫丹或阿特拉津或甲基对硫磷)的方法,其中步骤包括在电势范围-0.3至+0.5V中记录循环伏安图,并在0.32V VsAg/AgCl测量峰电流。
附图说明
图1显示基于银氧化物膜的硫丹传感器的循环伏安法曲线图。
图2显示基于银氧化物膜的阿特拉津传感器的循环伏安法曲线图。
图3显示基于银氧化物膜的甲基对硫磷传感器的循环伏安法曲线图。
图4描绘银氧化物膜的X-射线衍射图案。
图5显示银氧化物膜的扫描电子显微镜显微照片。
图6显示银氧化物膜的透射电子显微镜显微照片。
图表1:在多晶电极上形成纳米结构银氧化物膜的流程图。
具体实施方式
因此,本发明提供“基于纳米结构银氧化物膜的水系伏安法除害剂传感器及制备所述传感器的方法”,包括构建用于检测硫丹或阿特拉津或甲基对硫磷的电化学改性的电极的方法,其采用
a)多晶银电极的机械&超声化学抛光和电化学加工。
b)内米结构银氧化物膜的形成,和
c)硫丹或阿特拉津或甲基对硫磷的循环伏安法检测。
本发明提供一种从水系介质在多晶银圆盘电极上制备硫丹检测膜的方法。本发明的显著特征是:
a)多晶银电极的机械&超声化学抛光和电化学加工
多晶银电极的抛光包括相继机械&超声化学抛光和电化学加工的步骤(参见图表1的步骤1)。机械抛光是通过用2/0、3/0和5/0级别的砂纸各抛光25±5min,接着用炭抛光7-8min进行。此后,将以上经机械抛光的多晶银电极在丙酮和去离子水中超声化学法抛光5min。最后,通过使电极在1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4溶液中在-0.3V Vs Ag/AgCl下静电位保持15min,对经机械和超声化学法抛光的多晶银圆盘电极进行电化学加工。
b)形成纳米结构银氧化物膜
在将电极浸入1M NaOH+5.0x10-5M Na2HPO4中后,通过在电势范围-0.3至+0.5V中以125-150mV/s的扫描速率进行动电位循环(7-9次),在经机械&超声化学法抛光和电化学法加工的多晶银电极上形成纳米结构银氧化物膜。(参见图表1,步骤2)
c)循环伏安法检测硫丹
图1、2&3显示,按照图表1的步骤3,在将硫丹或阿特拉津或甲基对硫磷以递增量添加至1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4溶液时,分别对硫丹、阿特拉津&甲基对硫磷所作的循环伏安图。在半对数绘图纸上,通过在0.32V Vs Ag/AgCl下的峰电流对除害剂浓度作图,绘制校准图。图4显示纳米结构银氧化物膜的XRD图,指示主要量的Ag2O和少量的AgO。纳米结构银氧化物膜的SEM图像显示如图5中所示的似花的纳米棒。图6中的TEM图像证实每个纳米棒具有20-90nm的宽度。
本发明的突出特征包括以下
i)在银多晶电极上形成AgOX膜。
ii)测定硫丹或阿特拉津或甲基对硫磷除害剂。
iii)检查再现性
iv)分析合成样品
v)分析真实样品
i)在银多晶电极上形成AgOX膜。
通过遵循实施例1至6中所述的方法,在银多晶电极上形成AgOX膜。
ii)测定硫丹或阿特拉津或甲基对硫磷
将各1ml的1x10-3M Na2HPO4和20M NaOH取出,稀释至20ml,并转移至电化学池中。如部分i)中所述形成AgOX膜。
加入10-13至10-6M浓度的硫丹,作出循环伏安(voltametric)曲线,并在半对数绘图纸上,用在0.32V Vs Ag/AgCl的峰电流对[硫丹]绘制校准图。通过与以上校准图参照,获得未知样品的硫丹浓度。遵循类似的方法来测定阿特拉津或甲基对硫磷。
iii)再现性
通过用五种不同的AgOX膜进行5次相继的测定,对于10-12M硫丹,确定硫丹传感器的膜对膜再现性。测得平均值和相对标准偏差分别为1.03x10-12M和0.12%。
iv)分析合成的多组分混合物
表2中显示,在分析0、10-6和10-2M的每种碱金属离子&碱土金属离子(Na+、K+、Ca2+和Mg2+)添加到10-12M硫丹的合成混合物时所得的结果。从该表可见,即使在1010倍量的碱金属和碱土金属的混合物存在下,硫丹的%信号回收率是定量的。
表2分析碱金属&碱土金属离子的多组分合成混合物
表3显示,在将0、10-6、10-5和10-4M每种重金属离子(Cu2+、Pb2+、Hg2+和Tl+)作为混合物添加到10-12M硫丹中时,测试硫丹回收率所得的结果。在浓度≤10-5M的重金属离子混合物下获得可接受的信号回收率。
表3分析重金属离子的多组分合成混合物
表4描绘当掺有阴离子(Cl-、NO3 -、ClO4 -和SO4 2-)(0、10-6和10-4M)的多组分混合物时10-12M硫丹的%信号回收率。在添加10-4M阴离子混合物时存在严重的干扰,但是可容许最多106倍。
表4分析阴离子的多组分合成混合物
v)分析真实样品
用于分析天然水的方法
向水样品的适当的等分量(10ml)中,加入各1ml的1x10-3MNa2HPO4和20M NaOH以及2ml的xM硫丹(x=0,10-12,10-11,10-10,10-8&10-6M),并定容至20ml。转移到电化学池,绘制循环伏安法曲线,并通过参照ii)部分的校准图估算硫丹浓度。从表5可见,硫丹的信号回收率是定量的,并且测得硫丹浓度低于检测限。
表5天然水的分析*
*通过标准加入方法
实施例
已描述本发明,给出以下实施例以说明在多晶银圆盘电极上制备纳米结构银氧化物膜的方法。
实施例1
通过首先在1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4溶液中在-0.3V电化学加工15min,接着在浸入1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4溶液中后在电势范围-0.3至+0.5vs Ag/AgCl中以125mV/s的扫描速率循环伏安法扫描7次,在多晶银电极上制备纳米结构银氧化物膜。
实施例2
通过首先在1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4中在-0.3V vs Ag/AgCl电化学加工15min,接着在浸入1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4溶液中后在电势范围-0.3至+0.5vsAg/AgCl中以125mV/s的扫描速率循环伏安法扫描8次,在多晶银电极上制备纳米结构银氧化物膜。
实施例3
通过首先在1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4中在-0.3V vs Ag/AgCl电化学加工15min,接着在浸入1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4溶液中后在电势范围-0.3至+0.5vsAg/AgCl中以125mV/s的扫描速率循环伏安法扫描9次,在多晶银电极上制备纳米结构银氧化物膜。
实施例4
通过首先在1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4中在-0.3V vs Ag/AgCl电化学加工15min,接着在浸入1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4溶液中后在电势范围-0.4至+0.5vsAg/AgCl中以125mV/s的扫描速率循环伏安法扫描8次,在多晶银电极上制备纳米结构银氧化物膜。
实施例5
通过首先在1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4中在-0.3V vs Ag/AgCl电化学加工15min,接着在浸入1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4溶液中后在电势范围-0.35至+0.5vsAg/AgCl中以125mV/s的扫描速率循环伏安法扫描8次,在多晶银电极上制备纳米结构银氧化物膜。
实施例6
通过首先在1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4中在-0.3V vs Ag/AgCl电化学加工15min,接着在浸入1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4溶液中后在电势范围-0.3至+0.5vsAg/AgCl中以150mV/s的扫描速率循环伏安法扫描8次,在多晶银电极上制备纳米结构银氧化物膜。
利用在多晶银电极上的纳米结构银氧化物膜测定硫丹的实验方法
实施例7
将适当量的在1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4(pH=11.8)中的硫丹(1x10-13至10-6M)置于20ml电化学池中,接着在它中安装3电极系统,其中工作电极是在多晶银电极上的纳米结构银氧化物膜,Pt箔和Ag/AgCl分别是反电极和参比电极。通过在电势范围-0.3至+0.5V中以150mV/s的扫描率扫描,记录循环伏安图。通过参照在0.32V的峰电流vs.硫丹浓度绘制的校准图,确定硫丹的未知浓度。
利用在多晶银电极上的纳米结构银氧化物膜测定阿特拉津的实验方法
实施例8
将适当量的在1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4(pH=11.8)中的阿特拉津(1x10-13至10-6M)置于20ml电化学池中,接着在它中安装3电极系统,其中工作电极是在多晶银电极上的纳米结构银氧化物膜,Pt箔和Ag/AgCl分别是反电极和参比电极。通过在-0.3至+0.5V的电势范围中以150mV/s的扫描率扫描,记录循环伏安图。通过参照在0.32V的峰电流vs.阿特拉津浓度绘制的校准图,确定阿特拉津的未知浓度。
利用在多晶银电极上的纳米结构银氧化物膜测定甲基对硫磷的实验方法
实施例9
将适当量的在1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4(pH=11.8)中的甲基对硫磷(1x10-13至10-6M)置于20ml电化学池中,接着在它中安装3电极系统,其中工作电极是在多晶银电极上的纳米结构银氧化物膜,Pt箔和Ag/AgCl分别是反电极和参比电极。通过在-0.3至+0.5V的电势范围中以150mV/s的扫描率扫描,记录循环伏安图。通过参照在0.32V的峰电流vs.甲基对硫磷浓度绘制的校准图,确定甲基对硫磷的未知浓度。
本发明的优点
1)设计并开发基于银氧化物膜的水系伏安法硫丹传感器
2)本发明的传感器提供对所选的除害剂的快速、可靠、精确且高度灵敏的检测和定量。
3)本发明的传感器响应于天然水、蔬菜等中的在10-12至10-6M即6个十进位的宽浓度范围内的硫丹或阿特拉津或甲基对硫磷。
4)就除害剂分析信号的再现性而言,传感器的再生性通过本发明中所述的仔细设计的机械&超声化学法抛光和电化学法加工方法得以保证。
Claims (13)
1.一种用于检测除害剂的纳米结构伏安法传感器,包括具有纳米结构银氧化物膜的多晶银电极,其中检测限是~3x10-13M。
2.根据权利要求1所述的伏安法传感器,其中伏安法传感器以0.32V Vs Ag/AgCl响应于除害剂。
3.根据权利要求1所述的传感器,其中所述传感器稳定长至30天
4.根据权利要求1所述的传感器,其中传感器在碱金属、碱土金属和重金属存在下以最高3x10-13M的检测限检测除害剂。
5.根据权利要求1所述的传感器,其中所述传感器通过在电势范围-0.3至+0.5V中记录循环伏安图并在0.32V Vs Ag/AgCl测量峰电流检测1.0M NaOH+5.0x10-5MNa2HPO4介质中的除害剂。
6.根据在先权利要求中的任一项所述的传感器,其中除害剂选自硫丹或阿特拉津或甲基对硫磷。
7.一种用于制备权利要求1所述的纳米结构银氧化物膜的方法,其中所述方法包括步骤:
i)用2/0、3/0和5/0级别的砂纸各抛光25±5分钟,接着用炭抛光7-8分钟,然后在丙酮和去离子水中超声化学法抛光5分钟。
i)通过使多晶银电极在1M NaOH+5x10-5M Na2HPO4溶液中在-0.3V Vs Ag/AgCl下静电位保持15分钟进行电化学加工,
ii)通过在1.0M NaOH+5.0x10-5M Na2HPO4溶液(pH 11.8)中在电势范围-0.3至+0.5V Vs Ag/AgCl中以125至150mV/s的扫描速率进行7-9次循环伏安法扫描在多晶银电极上形成银氧化物膜。
8.根据权利要求1所述的方法,其中纳米结构银氧化物膜可以在抛光(机械&超声化学)、电化学加工和重复的循环伏安法扫描之后被再生。
9.一种利用权利要求1所述的传感器检测除害剂的方法,其中步骤包括:在电势范围-0.3至+0.5V中记录循环伏安图,在0.32V Vs Ag/AgCl下测量峰电流,和与校准图参比。
10.根据权利要求9所述的检测除害剂的方法,其中所述除害剂选自硫丹或阿特拉津或甲基对硫磷。
11.根据权利要求9所述的检测除害剂的方法,其中除害剂检测限是3x10-13M。
12.根据权利要求9所述的检测除害剂的方法,其中所述传感器稳定长至30天。
13.根据权利要求9所述的检测除害剂的方法,在碱金属、碱土金属和重金属存在下检测除害剂的最大检测限是3x10-13M。
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