CN104409393A - 晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法 - Google Patents

晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104409393A
CN104409393A CN201410654598.6A CN201410654598A CN104409393A CN 104409393 A CN104409393 A CN 104409393A CN 201410654598 A CN201410654598 A CN 201410654598A CN 104409393 A CN104409393 A CN 104409393A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
etching
inner chamber
damascus
exocoel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410654598.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104409393B (zh
Inventor
李全宝
刘斌
江旻
曾林华
任昱
吕煜坤
朱骏
张旭升
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN201410654598.6A priority Critical patent/CN104409393B/zh
Publication of CN104409393A publication Critical patent/CN104409393A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104409393B publication Critical patent/CN104409393B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02019—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法，晶圆净化装置内设置用于装载晶圆的内腔和用于气体流通的外腔，通过机械泵的吸引力使内腔中的刻蚀后的晶圆上的刻蚀残留气体向排气通道平行流动，并经过排气通道沿外腔排出，从而可以避免刻蚀残留气体在内腔中向上流动，减小未刻蚀晶圆表面的刻蚀残留气体浓度，避免与未刻蚀晶圆表面反应形成污染物；并且通过在内腔侧壁设置具有一定间隔距离的晶圆卡块，使得存放于其上的晶圆也能够以一定间距隔开，进一步减小了刻蚀残留气体在晶圆表面的浓度，避免刻蚀后的晶圆对未刻蚀的晶圆表面造成交叉污染和缺陷，提高了铜互连的可靠性。

Description

晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶圆净化装置、金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀机台及其大马士革刻蚀方法。
背景技术
随着集成电路技术的进步，追求高速度、高器件密度、低功耗以及低成本的芯片成为超大规模集成电路制造的趋势。集成规模加大了芯片中的导线密度，从而使导线宽度和间距不断减小，互联中的电阻和电容所产生的寄生效应越来越明显。当器件的尺寸小到一定技术节点后，就需要克服阻容迟滞带来的信号传播延迟、线间干扰以及功率耗散等。然而在后段铜互联工艺中，低介电常数(lowk)材料和金属硬掩模(Metal Hard Mask)工艺的加入，成为集成电路工艺发展的又一必然选择。金属硬掩模一体化刻蚀技术采取主刻蚀和去胶在同一腔体内进行刻蚀沟槽和通孔，大大节约了工艺时间和成本，它除了带来最大的利益之外，对工艺的要求更加苛刻。
目前，后段铜互连使用的金属硬质掩模大马士革一体化刻蚀技术工艺上还存在缺陷，尤其在干法刻蚀过程中，刻蚀过的晶圆和未刻蚀的晶圆受刻蚀过程中散发出来的气体影响，在一个FOUP里晶圆之间出现交叉污染现象，靠近FOUP上方位置的未蚀刻的晶圆表面的光阻与刻蚀后挥发出来的气体发生反应生成一种副产品附在光阻表面，受到影响的晶圆存在明显的空间效应，并且与散发出的刻蚀后残留气体的浓度有着很强的相关性，当晶圆进入刻蚀腔刻蚀时，发生反应的光阻就相当于一层硬掩模使刻蚀难以进行，刻蚀完成后被阻挡区域的薄膜层就会残留下来，如图1所示，图1为填充铜之后的晶圆结构示意图，缺陷a形成于刻蚀的沟槽顶部，从而导致填铜之后铜连线b破损，影响铜互连的可靠性。
如下图2a和2b，同一晶圆表面未刻蚀前与刻蚀后的电子扫描显微镜图片对比，刻蚀前表面生成的副产品(虚线框住的部分)导致蚀刻后出现典型的缺陷(虚线框框住的部分)。
产生缺陷机理为：未反应晶圆的光阻表面，接触孔下底部的铜以及光阻去除后的金属硬掩模(TIN)，这些区域均会受刻蚀后残留气体的影响。
产生缺陷的化学反应式如下：
SiF4+2H2O→SiO2↓+4HF↑；CuF2+H2O→CuO+2HF↑
TiO+HF→TiOHF
HF+NH3→(NH4)F↓
上述由于交叉污染而导致的刻蚀缺陷，会影响后续工艺的顺利进行以及器件的质量。
发明内容
为了克服以上问题，本发明旨在提供晶圆净化装置、金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀机台及其大马士革刻蚀方法，通过晶圆净化装置将存放于其中的晶圆上的刻蚀残留气体及时排出晶圆净化装置外，减少刻蚀残留气体在晶圆净化装置内的停留时间以及降低其浓度。
为了实现上述目的，本发明提供了一种晶圆净化装置，其包括：
内腔，用于装载晶圆；
多层晶圆卡块，在竖直方向上以一定的间隔分布于所述内腔的内侧壁上，其用于支撑多个晶圆在竖直方向上以一定的间隔排布；
外腔，连接于所述内腔外侧；
排气通道，在竖直方向上排布于所述内腔的一侧的侧壁上，且穿过所述内腔的侧壁到所述外腔，使所述内腔与所述外腔连通；
机械泵，连接于所述外腔，用于使所述内腔中刻蚀残留气体平行流动并流经所述排气通道、沿所述外腔而排出。
优选地，所述外腔与所述内腔具有共用的侧壁，所述排气通道为排气孔；所述排气孔穿透所述共用的侧壁。
优选地，所述机械泵通过一管道连接于所述外腔的底部。
优选地，所述内腔中的刻蚀残留气体沿水平方向平行流动。
本发明还提供了一种金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀机台，包括：用于对晶圆进行大马士革刻蚀工艺的多个工艺腔，连接于多个所述工艺腔之间的传送腔，传送装置，其通过所述传送腔将所述晶圆在多个所述工艺腔之间进行搬运，以及用于存储晶圆的存储腔，其连接于所述传送腔的一端；其还包括上述的晶圆净化装置，所述晶圆净化装置位于所述存储腔的一端。
本发明还提供了一种采用上述的刻蚀机台进行金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀的方法，其特征在于，包括：
在每个所述工艺腔中对所述晶圆进行大马士革刻蚀工艺中相应的刻蚀过程；
通过所述传送装置将在所述工艺腔完成相应刻蚀过程的所述晶圆取出，并传送至所述存储腔；
所述传送装置将所述晶圆传送至所述晶圆净化装置的所述内腔内部；
在所述机械泵的驱动下，所述内腔中的刻蚀残留气体平行流动，并穿过所述排气通道、沿所述外腔而排出；
经一定的时间后，所述传送装置将所述晶圆取出，并传送至进行下一个刻蚀过程的所述工艺腔中；
依此循环，直至完成所述大马士革刻蚀工艺。
优选地，所述大马士革刻蚀工艺的各个刻蚀过程依次包括：
步骤01：在表面具有硬掩膜层的衬底上涂覆光刻胶并光刻，以所述光刻后的光刻胶为掩膜刻蚀出凹槽结构的过程；
步骤03：在完成所述步骤02中的刻蚀过程的衬底上涂覆光刻胶并光刻，以所述光刻后的光刻胶为掩膜刻蚀出通孔结构的过程；
步骤05：去除光刻胶的过程；
步骤06；继续向下刻蚀，使所述通孔结构达到目标结构，并在通孔结构上部刻蚀出沟槽结构的过程。
优选地，所述刻蚀残留气体沿水平方向平行流动。
本发明的晶圆净化装置和金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀机台及刻蚀方法，晶圆净化装置内设置用于装载晶圆的内腔和用于气体流通的外腔，通过机械泵的吸引力使内腔中的刻蚀后的晶圆上的刻蚀残留气体向排气通道平行流动，并经过排气通道沿外腔排出，从而可以避免刻蚀残留气体在内腔中向上流动，减小未刻蚀晶圆表面的刻蚀残留气体浓度，避免与未刻蚀晶圆表面反应形成污染物；并且通过在内腔侧壁设置具有一定间隔距离的晶圆卡块，使得存放于其上的晶圆也能够以一定间距隔开，进一步减小了刻蚀残留气体在晶圆表面的浓度，避免刻蚀后的晶圆对未刻蚀的晶圆表面造成交叉污染和缺陷，提高了铜互连的可靠性。
附图说明
图1为填充铜之后的晶圆结构示意图
图2a为刻蚀前的晶圆表面的扫描电子显微镜图片
图2b为刻蚀后的晶圆表面的扫描电子显微镜图片
图3为本发明的一个较佳实施例的晶圆净化装置示意图
图4为本发明的一个较佳实施例的金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀机台的示意图
图5为本发明的一个较佳实施例的金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀方法的流程示意图
图6为使用本发明的一个较佳实施例的晶圆净化装置之前和之后存储盒内的氟离子浓度曲线示意图
图7为使用本发明的一个较佳实施例的晶圆净化装置之前和之后晶圆表面的缺陷颗粒数目曲线示意图
具体实施方式
为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
本发明提供了一种晶圆净化装置，其包括：用于装载晶圆的内腔，连接于内腔外侧的外腔；在竖直方向上以一定的间隔分布于内腔的内侧壁上的多层晶圆卡块，用于支撑多个晶圆在竖直方向上以一定的间隔排布；在竖直方向上排布于内腔的一侧的侧壁上且穿过内腔的侧壁到外腔的排气通道，其使内腔与外腔连通；连接于外腔的机械泵，用于使所述内腔中刻蚀残留气体平行流动并流经排气通道、沿外腔而排出。
以下将结合附图3-5和具体实施例对本发明的晶圆净化装置、金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀机台及刻蚀方法作进一步详细说明。其中，图3为本发明的一个较佳实施例的晶圆净化装置示意图；图4为本发明的一个较佳实施例的金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀机台的示意图；图5为本发明的一个较佳实施例的金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀方法的流程示意图。需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。
请参阅图3，本实施例中，晶圆净化装置包括：内腔1和连接于内腔1外侧的外腔2；外腔2与内腔1具有共用的侧壁；其中，
在内腔1的侧壁上具有启闭门，用于打开或关闭内腔；
多层晶圆卡块3，在竖直方向上以一定的间隔分布于内腔1的内侧壁上，其用于支撑多个晶圆在竖直方向上以一定的间隔排布；多层晶圆卡块3可以起到支撑晶圆的作用，由于多层晶圆卡块3之间具有一定的距离，因此，置于其上的晶圆也具有一定的距离，这就使刻蚀后的晶圆的刻蚀残留气体到未刻蚀的晶圆的距离增大，进而其在未刻蚀晶圆表面的浓度也降低，避免对未刻蚀晶圆表面造成污染。这里，多层晶圆卡块3的间隔距离可以根据实际工艺情况来设定，例如，刻蚀工艺中，所采用的功率、剂量较大，则设定间隔距离较大。
本实施例中，排气通道为排气孔4，排气孔4穿透内腔1和外腔2所共用的侧壁，使内腔1和外腔2连通。
机械泵5，通过一管道连接于外腔2底部，用于使内腔1中刻蚀残留气体沿水平方向平行流动并流经排气孔4、从外腔2底部排出。这样，刻蚀残留气体在未经刻蚀的晶圆表面的停留时间极短且浓度低，从而避免了刻蚀残留气体在未经刻蚀的晶圆表面浓度过高而与之反应生成缺陷残留的现象发生。
本实施例还提供了一种金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀机台，包括：用于对晶圆进行大马士革刻蚀工艺的多个工艺腔401，连接于多个工艺腔401之间的传送腔402，传送装置，其通过传送腔402将晶圆在多个工艺腔401之间进行搬运，用于存储晶圆的存储腔403，其连接于传送腔402的一端；以及位于存储腔403的一端的晶圆净化装置404。如图4所示，晶圆净化装置404位于传送腔403的左端。箭头表示晶圆传送方向，从工艺腔401出来的经刻蚀的晶圆首先进入晶圆净化装置404将其刻蚀残留气体排除，然后再进入晶圆存储盒中等待下一个刻蚀过程。
请参阅图5，本实施例还提供了一种金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀方法，采用上述刻蚀机台；其包括：
步骤S1：在每个工艺腔中对晶圆进行大马士革刻蚀工艺中相应的刻蚀过程；
大马士革工艺步骤包括：
步骤01：在表面具有硬掩膜层的衬底上涂覆光刻胶并光刻，以光刻后的光刻胶为掩膜刻蚀出凹槽结构的过程；
步骤03：在完成步骤02中的刻蚀过程的衬底上涂覆光刻胶并光刻，以光刻后的光刻胶为掩膜刻蚀出通孔结构的过程；
步骤05：去除光刻胶的过程；
步骤06；继续向下刻蚀，使通孔结构达到目标结构，并在通孔结构上部刻蚀出沟槽结构的过程。
上述大马士革工艺的各个步骤在上述刻蚀机台中的各个相应的工艺腔中完成；本实施例中，在各个工艺腔中完成的晶圆不是直接放入存储盒中然后再进入下一个工艺腔进行相应的刻蚀工艺；而是先进入本发明中的晶圆净化装置排除刻蚀残留气体，然后再将晶圆置于存储盒中等待进入下一个工艺腔进行相应的刻蚀工艺。
步骤S2：通过传送装置将在工艺腔完成相应刻蚀过程的晶圆取出，并传送至晶圆净化装置；
步骤S3：传送装置将晶圆传送至晶圆净化装置的内腔内部；
步骤S4：在机械泵的驱动下，内腔中的刻蚀残留气体平行流动，并穿过排气通道、沿外腔而排出；
这里，由于本实施例中的排气通道为排气孔，内外腔共用一侧壁，刻蚀残留气体沿水平方向平行流动，如图3中所示；这样，刻蚀残留气体流经排气孔则可以排出内腔，避免对未刻蚀晶圆造成污染；机械泵可以是风机、真空泵等，只要能将气体进行定向流动的驱动装置都可以理解为机械泵的等同。
步骤S5：经一定的时间后，传送装置将晶圆取出，并传送至进行下一个刻蚀过程的工艺腔中；
这里，所经历的一定时间可以根据实际工艺情况来定，例如，刻蚀工艺中所采用的刻蚀功率、剂量和时间等较大，导致刻蚀残留气体浓度较大，则需要将晶圆置于晶圆净化装置中的时间较长，以排除刻蚀残留气体。
这里，传送装置经晶圆取出，可以先放置于存储腔的存储盒中，待下一个工艺腔作业完毕，再将其传送进去。
步骤S6：依此循环，直至完成大马士革刻蚀工艺。
通过色谱吸收法检测到安装前后存储盒内氟离子浓度曲线，请参阅图6，图6为使用本发明的一个较佳实施例的晶圆净化装置之前和之后存储盒内的氟离子浓度曲线示意图，位于图6底部的曲线为使用本发明的晶圆净化装置之后的存储盒内氟离子浓度曲线，位于图6上部的曲线为使用本发明的晶圆净化装置之前的存储盒内氟离子浓度曲线。可以看到，通过使用晶圆净化装置，晶圆表面的刻蚀残留气体浓度大为降低。
安装使用晶圆净化装置之后，在刻蚀之后，在晶圆净化装置只能怪放置1小时，2小时，3小时，4小时，和5小时后检测晶圆表面均没有发现存在交叉污染产生的缺陷；图7为使用本发明的一个较佳实施例的晶圆净化装置之前和之后晶圆表面的缺陷颗粒数目曲线示意图，位于图7底部的曲线为使用本发明的晶圆净化装置之后的晶圆表面的缺陷颗粒数目曲线，位于图7上部的曲线为使用本发明的晶圆净化装置之前的晶圆表面的缺陷颗粒数目曲线。同样可以看到，通过使用警员净化装置，晶圆表面的缺陷颗粒度大大减少，从而改善了金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀晶圆间交叉污染的问题。
综上所述，本发明的晶圆净化装置和金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀机台及刻蚀方法，晶圆净化装置内设置用于装载晶圆的内腔和用于气体流通的外腔，通过机械泵的吸引力使内腔中的刻蚀后的晶圆上的刻蚀残留气体向排气通道平行流动，并经过排气通道沿外腔排出，从而可以避免刻蚀残留气体在内腔中向上流动，减小未刻蚀晶圆表面的刻蚀残留气体浓度，避免与未刻蚀晶圆表面反应形成污染物；并且通过在内腔侧壁设置具有一定间隔距离的晶圆卡块，使得存放于其上的晶圆也能够以一定间距隔开，进一步减小了刻蚀残留气体在晶圆表面的浓度，避免刻蚀后的晶圆对未刻蚀的晶圆表面造成交叉污染和缺陷，提高了铜互连的可靠性。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。

Claims (8)

1.一种晶圆净化装置，其特征在于，其包括：
内腔，用于装载晶圆；
多层晶圆卡块，在竖直方向上以一定的间隔分布于所述内腔的内侧壁上，其用于支撑多个晶圆在竖直方向上以一定的间隔排布；
外腔，连接于所述内腔外侧；
排气通道，在竖直方向上排布于所述内腔的一侧的侧壁上，且穿过所述内腔的侧壁到所述外腔，使所述内腔与所述外腔连通；
机械泵，连接于所述外腔，用于使所述内腔中刻蚀残留气体平行流动并流经所述排气通道、沿所述外腔而排出。
2.根据权利要求1所述的晶圆净化装置，其特征在于，所述外腔与所述内腔具有共用的侧壁，所述排气通道为排气孔；所述排气孔穿透所述共用的侧壁。
3.根据权利要求1所述的晶圆净化装置，其特征在于，所述机械泵通过一管道连接于所述外腔的底部。
4.根据权利要求1所述的晶圆净化装置，其特征在于，所述内腔中的刻蚀残留气体沿水平方向平行流动。
5.一种金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀机台，包括：用于对晶圆进行大马士革刻蚀工艺的多个工艺腔，连接于多个所述工艺腔之间的传送腔，传送装置，其通过所述传送腔将所述晶圆在多个所述工艺腔之间进行搬运，以及用于存储晶圆的存储腔，其连接于所述传送腔的一端；其特征在于，还包括权利要求1所述的晶圆净化装置，所述晶圆净化装置位于所述存储腔的一端。
6.一种采用权利要求5所述的刻蚀机台进行金属硬质掩膜大马士革一体化刻蚀的方法，其特征在于，包括：
在每个所述工艺腔中对所述晶圆进行大马士革刻蚀工艺中相应的刻蚀过程；
通过所述传送装置将在所述工艺腔完成相应刻蚀过程的所述晶圆取出，并传送至所述存储腔；
所述传送装置将所述晶圆传送至所述晶圆净化装置的所述内腔内部；
在所述机械泵的驱动下，所述内腔中的刻蚀残留气体平行流动，并穿过所述排气通道、沿所述外腔而排出；
经一定的时间后，所述传送装置将所述晶圆取出，并传送至进行下一个刻蚀过程的所述工艺腔中；
依此循环，直至完成所述大马士革刻蚀工艺。
7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述大马士革刻蚀工艺的各个刻蚀过程依次包括：
步骤01：在表面具有硬掩膜层的衬底上涂覆光刻胶并光刻，以所述光刻后的光刻胶为掩膜刻蚀出凹槽结构的过程；
步骤03：在完成所述步骤02中的刻蚀过程的衬底上涂覆光刻胶并光刻，以所述光刻后的光刻胶为掩膜刻蚀出通孔结构的过程；
步骤05：去除光刻胶的过程；
步骤06；继续向下刻蚀，使所述通孔结构达到目标结构，并在通孔结构上部刻蚀出沟槽结构的过程。
8.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀残留气体沿水平方向平行流动。
CN201410654598.6A 2014-11-17 2014-11-17 晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法 Active CN104409393B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410654598.6A CN104409393B (zh) 2014-11-17 2014-11-17 晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410654598.6A CN104409393B (zh) 2014-11-17 2014-11-17 晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104409393A true CN104409393A (zh) 2015-03-11
CN104409393B CN104409393B (zh) 2017-12-08

Family

ID=52647009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410654598.6A Active CN104409393B (zh) 2014-11-17 2014-11-17 晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104409393B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105321794A (zh) * 2015-10-19 2016-02-10 上海华力微电子有限公司 大马士革一体化刻蚀机腔体和衬底部件
CN109473378A (zh) * 2018-09-30 2019-03-15 德淮半导体有限公司 一种晶圆刻蚀设备及晶圆刻蚀方法
CN112086384A (zh) * 2020-09-28 2020-12-15 广州粤芯半导体技术有限公司 干法刻蚀机台及半导体器件的制造方法
CN113871282A (zh) * 2021-09-26 2021-12-31 长鑫存储技术有限公司 气体清除设备、方法、装置、控制系统及存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060175011A1 (en) * 2002-07-05 2006-08-10 Hiroshi Shinriki Method of cleaning substrate-processing device and substrate-processing device
CN101671817A (zh) * 2008-09-09 2010-03-17 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法
CN103215570A (zh) * 2006-05-05 2013-07-24 应用材料公司 用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置
US20140318456A1 (en) * 2013-04-25 2014-10-30 Ncd Co., Ltd. Horizontal-type atomic layer deposition apparatus for large-area substrates

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060175011A1 (en) * 2002-07-05 2006-08-10 Hiroshi Shinriki Method of cleaning substrate-processing device and substrate-processing device
CN103215570A (zh) * 2006-05-05 2013-07-24 应用材料公司 用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置
CN101671817A (zh) * 2008-09-09 2010-03-17 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法
US20140318456A1 (en) * 2013-04-25 2014-10-30 Ncd Co., Ltd. Horizontal-type atomic layer deposition apparatus for large-area substrates

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105321794A (zh) * 2015-10-19 2016-02-10 上海华力微电子有限公司 大马士革一体化刻蚀机腔体和衬底部件
CN109473378A (zh) * 2018-09-30 2019-03-15 德淮半导体有限公司 一种晶圆刻蚀设备及晶圆刻蚀方法
CN112086384A (zh) * 2020-09-28 2020-12-15 广州粤芯半导体技术有限公司 干法刻蚀机台及半导体器件的制造方法
CN113871282A (zh) * 2021-09-26 2021-12-31 长鑫存储技术有限公司 气体清除设备、方法、装置、控制系统及存储介质
WO2023045094A1 (zh) * 2021-09-26 2023-03-30 长鑫存储技术有限公司 气体清除设备、方法、装置、控制系统及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN104409393B (zh) 2017-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104409393A (zh) 晶圆净化装置、刻蚀机台及大马士革刻蚀方法
TWI494985B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
CN104658886B (zh) 晶圆清洗的机制
US8957006B2 (en) Cleaning solution comprising an ether acetate for preventing pattern collapse
JP2009543344A (ja) 液体メニスカスによるポストエッチウエハ表面洗浄
CN105609408A (zh) 半导体器件的形成方法
CN104241161A (zh) 一种检测晶圆栅氧化物缺失缺陷的方法
TW202329240A (zh) 濕蝕刻設備及濕蝕刻方法
CN100477144C (zh) 低介电常数材料的测量方法
TWI755624B (zh) 晶圓清潔方法以及清潔腔室
CN101123210B (zh) 金属互连层的制造方法
KR101419632B1 (ko) 기판의 세정 방법 및 반도체 제조 장치
CN111540670B (zh) 晶圆的湿法清洗方法及半导体器件的制造方法
CN110299282A (zh) 基底清洁方法、基底清洁设备以及制造半导体器件的方法
CN102110645A (zh) 化学机械研磨后的清洗方法
CN103165437B (zh) 一种栅氧刻蚀方法和多栅极制作方法
CN104817055A (zh) 半导体结构的形成方法
CN104900579B (zh) 半导体器件的形成方法
JP5508701B2 (ja) 半導体処理装置及び処理方法
CN107808822A (zh) 接触孔的刻蚀方法
CN102437037A (zh) 一种有效减少水痕缺陷的方法
CN102122640B (zh) 形成快闪存储器的方法
CN103035479B (zh) 一种半导体结构形成方法
US10692715B2 (en) Method for cleaning substrate and substrate processing apparatus
KR20140091327A (ko) 웨이퍼 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant