CN104392690B - 应用于具有公共阳极的amoled像素单元电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种应用于具有公共阳极的AMOLED像素单元电路，包括调整管MN1、驱动管MP1、开关管MN2和存储电容C1。所述开关管MN2的漏极与输入电压源Vdata正向端相连，开关管MN2的源极与所述存储电容C1的一端、驱动管MP1的栅极相连，开关管MN2的栅极与行选控制信号SEL相连；所述驱动管MP1的漏极、输入电压源Vdata负向端与地GND相连，驱动管MP1的源极与所述调整管MN1的源极相连，调整管MN1的栅极、存储电容C1的另一端与电源VDD相连，调整管MN1的漏极连接OLED的阴极。本发明电路使OLED最大亮度不变，暗态时使最小电流变小，增加了OLED发光的对比度。
Description
技术领域
本发明属于微电子及显示技术领域，具体涉及一种应用于AMOLED驱动芯片的像素电路。
背景技术
有源有机发光二极管（AMOLED）作为新一代显示技术，具有主动发光、视角宽、驱动电压低、发光效率高、响应速度快、功耗低、工作温度适应范围广、体积轻薄并且能够实现柔性显示等特点，具有很广阔的前景。可用在移动终端显示器，涉及科研、娱乐、通信、军事、医疗等各个行业和领域，其潜力非常巨大。除了研究高稳定性能的OLED器件，研究其驱动技术也很重要。
按照其驱动方式不同，OLED可分为无源驱动（PMOLED）和有源驱动(AMOLED)两种方式，其中无源驱动（PMOLED）虽成本低、工艺简单，但是存在交叉串扰、不适合高分辨率等问题。有源驱动(AMOLED)方式能够发光是通过像素电路中的驱动管产生驱动电流，驱动电流来驱动OLED发光，所需的驱动电流较小，功耗更低，寿命更长。随着产业化进程加快，像素电路的具体结构影响着显示的质量，所以对像素电路的研究有非常重要的意义。但是，当前像素单元电路在对AMOLED发光的对比度调节上仍有不足，较难实现高对比度的调节，而且在获得高亮度的同时，难以同时兼顾高对比度的性能要求。
发明内容
本发明的目的是为AMOLED驱动电路提供一种新型像素电路结构，其能够改善采用公共阳极制作的AMOLED发光的对比度，以达到更好的显示效果。
本发明目的采用以下技术方案是：一种应用于具有公共阳极的AMOLED像素单元电路，它包括调整管MN1、开关管MN2、驱动管MP1和存储电容C1，所述调整管MN1、开关管MN2为N型MOS管，所述驱动管MP1为P型MOS管；开关管MN2的漏极与输入电压源Vdata正向端相连，开关管MN2的源极与所述存储电容C1的一端、驱动管MP1的栅极相连，开关管MN2的栅极与行选控制信号SEL相连；所述驱动管MP1的漏极、输入电压源Vdata负向端与地GND相连，驱动管MP1的源极与所述调整管MN1的源极相连，调整管MN1的栅极、存储电容C1的另一端与电源VDD相连，调整管MN1的漏极连接OLED的阴极。
随着输入电压源Vdata的电压信号增大时，调整管MN1工作区域将会从线性区进入到亚阈值区域，其导通电阻逐渐增加，使OLED阴极电压也逐渐增加，最小亮度变小；随着输入电压源Vdata的电压信号减小，调整管MN1导通电阻变小到可以忽略，输入电压源Vdata的电压信号最小时，使OLED阴极电压减小，最大亮度不变，增加了OLED发光的对比度。
本发明的具有如下的有益效果：
（1）本发明利用调整管根据输入数据来控制OLED的阴极电压，从而实现了高对比度调节。
（2）本发明在采取调节AMOLED公共阳极Vcom的电压获得高亮度的同时，也会获得高的对比度，可以同时兼顾高对比度和高亮度的性能要求。
附图说明
图1是本发明的电路原理图。
图2是本发明像素电路时序图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明像素电路图，由虚线框2内的具体像素电路、外接输入电压源Vdata（像素输入数据电压）、外接OLED构成。N型MOS管MN2的漏极与输入电压源Vdata正向端相连，N型MOS管MN2的源极与电容C1的一端、P型MOS管MP1的栅极相连。N型MOS管MN2的栅极与行选控制信号SEL相连。P型MOS管MP1的漏极、电压源Vdata负向端与地GND相连。P型MOS管MP1的源极与N型MOS管MN1的源极相连。N型MOS管MN1的栅极、电容C1的另一端与电源VDD相连， N型MOS管MN1的漏极与OLED阴极相连，OLED阳极与公共阳极Vcom相连。
下面结合图2，对图1所示电路的工作过程进行详细描述：
T1阶段代表驱动电路充电阶段，T1阶段时，SEL为高电平，开关管MN2导通，输入电压源Vdata的驱动信号数据电压写入存储电容C1中，使驱动管MP1导通，因调整管MN1栅极接电源VDD，所以调整管MN1也导通。调整管MN1、驱动管MP1导通使驱动电流流过OLED，驱动OLED发光。在输入电压源Vdata驱动信号变小时，A点电压变小，B点电压随之变小，这时调整管MN1进入线性区，调整管MN1导通电阻很小，使B、C点电压压差非常小，OLED最大亮度不变。在输入电压源Vdata的驱动信号变大时，B点电压升高，使调整管MN1进入亚阈值区，调整管MN1导通电阻很大，使OLED阴极C点电压会远高于高于B点电压，OLED两端的压差变小，OLED最小亮度变小。该电路使OLED最大亮度不变，暗态时使最小电流变小，增加了OLED发光的对比度。T2阶段代表保持阶段，T2阶段时，SEL为低电平，开关管MN2截止，存储电容C1上电压维持不变，流过OLED电流不变，发光亮度不变。
同时，在输入电压源Vdata变化范围相同的条件下，调节OLED公共阳极Vcom的电压，使其变得更高，可以得到高的输出电流，从而达到高的亮度。尽管Vcom端电压增加，会得到更大的输出电流，由于调整管MN1的存在，其最小电流仍然会被限制的比较低，因此本发明在获得高亮度的同时，也会获得高的对比度。
本发明不局限于上述实施方式，凡是在具有公共阳极的AMOLED驱动电路中，利用MOS在不同工作区域的电阻特性来控制OLED的阴极电压，实现了高对比度调节的结构，均应落在本发明保护范围之内。本发明未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
Claims (3)
1.一种应用于具有公共阳极的AMOLED像素单元电路，其特征在于：它包括调整管MN1、开关管MN2、驱动管MP1和存储电容C1，所述调整管MN1、开关管MN2为N型MOS管，所述驱动管MP1为P型MOS管；开关管MN2的漏极与输入电压源Vdata正向端相连，开关管MN2的源极与所述存储电容C1的一端、驱动管MP1的栅极相连，开关管MN2的栅极与行选控制信号SEL相连；所述驱动管MP1的漏极、输入电压源Vdata负向端与地GND相连，驱动管MP1的源极与所述调整管MN1的源极相连，调整管MN1的栅极、存储电容C1的另一端与电源VDD相连，调整管MN1的漏极与OLED阴极相连，OLED阳极与公共阳极Vcom相连。
2.根据权利要求1所述的应用于具有公共阳极的AMOLED像素单元电路，其特征在于：当所述输入电压源Vdata的电压信号增大时，调整管MN1导通电阻将会增大，使OLED阴极电压增大，最小亮度变小；随着输入电压源Vdata的电压信号减小，调整管MN1导通电阻变小到可以忽略，输入电压源Vdata电压最小时，使OLED阴极电压减小，最大亮度不变，增加了OLED发光的对比度。
3.根据权利要求1所述的应用于具有公共阳极的AMOLED像素单元电路，其特征在于：所述行选控制信号SEL为方波信号。
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