CN104362225B - 一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18，所述有源层15的材料为GaAs(1‑x)Px，其中所述x为材料磷组分，且0.01≤x≤0.08。本发明提供的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构中，采用GaAsP作为量子阱结构的阱层材料，通过调整阱层的组分来调整应变量和发光波长，从而达到低偏振度光输出的要求，且发光波长恰好处于800nm波段；同时，量子阱结构的采用可以提高SLD的输出功率。
Description
技术领域
本发明属于SLD(Super Luminescent Diode，超辐射发光二极管)领域，具体涉及一种能实现发射波长800nm波段，高输出功率和低偏振度工作的SLD外延结构。
背景技术
SLD的性能介于激光器与发光二极管之间，具有短相干长度，低噪声以及宽光谱等优点，是光纤陀螺、波分复用、相干层析成像等的理想光源。实际的SLD光源发射的是部分偏振光，大部分的功率在平行于半导体结的水平偏振中，并且在相同驱动电流下，光源出射光的偏振度会随着外界环境的变化而波动，在光纤陀螺中会导致偏振相位误差。光源出射的光的偏振度越高，其出射光的偏振态对外界环境越敏感，通常采取在光源后面合理设计消偏器以尽量降低其偏振度。为了提高光纤陀螺中光探测器的输出信噪比，必须加大入射到探测器上的光功率，可以通过尽量减少陀螺光路中的各种光损耗，但是这种方法的作用非常有限，另一种途径是使用大功率SLD光源。近年来关于SLD的研究主要集中在～800nm，～1310nm以及～1550nm等波段，其中1310nm以及1550nm波段均有成熟的低偏结构，而800nm波段的低偏SLD研究较少。
发明内容
在SLD的有源区中，光是以电磁波的形式传播的，它分为电场偏振方向垂直于传播方向的TE(Tangential electrical)模和磁场偏振方向垂直于传播方向的TM(Tangentialmagnetic)模。通常情况下，SLD光源按偏振度可分为高偏振度光源和低偏振度光源，在只存在TE模或TM模时，光源的偏振度(DOP)为100％，为线偏振光；当TE模和TM模的光强基本相等时，光源的偏振度接近于零，为低偏振度光源(或偏振度不敏感光源)。因此，本发明的发明人经过研究发现，调节TE模和TM模的增益，就可以获取低偏振度光输出。
一般无应变有源层的SLD，其TE模和TM模的材料增益大致相同，但由于TE模的光限制因子大于TM模，导致TE模的模式增益要大于TM模的模式增益，从而使SLD难以实现低偏光输出。张应变量子阱中，轻空穴带位于价带顶并与重空穴带分离，电子到轻空穴的跃迁(发射TM模式光子)强度大于电子到重空穴带的跃迁(发射TE模式光子)强度，两种模式光子强度差与量子阱阱层材料的应变量密切相关。
为了实现800nm波段SLD的低偏输出，本发明采用如下技术方案：
一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下包层、下渐变层、有源层、上渐变层、P型上包层和P型接触层，所述有源层的材料为GaAs(1-x)Px，其中所述x为材料磷组分，且0.01≤x≤0.08。
本发明提供的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构中，采用GaAsP作为量子阱结构的阱层材料，通过调整阱层的组分来调整应变量和发光波长，从而达到低偏振度光输出的要求，且发光波长恰好处于800nm波段；同时，量子阱结构的采用可以提高SLD的输出功率。
附图说明
图1是本发明提供的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构示意图。
图中，11、N型衬底；12、N型缓冲层；13、N型下包层；14、下渐变层；15、有源层；16、上渐变层；17、P型上包层；18、P型接触层。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。
请参考图1所示，一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18，所述有源层15的材料为GaAs(1-x)Px，其中所述x为材料磷组分，且0.01≤x≤0.08。
本发明提供的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构中，采用GaAsP作为量子阱结构的阱层材料，通过调整阱层的组分来调整应变量和发光波长，从而达到低偏振度光输出的要求，且发光波长恰好处于800nm波段；同时，量子阱结构的采用可以提高SLD的输出功率。
作为具体实施例，所述N型衬底11的材料为GaAs(砷化镓)，采用GaAs作为所述N型衬底的材料，由此可以为外延层提供晶格匹配的基底材料。
作为具体实施例，所述N型缓冲层12的材料为GaAs，厚度为300-500nm，掺杂浓度为1E18cm-3～2E18cm-3，由此可以消除衬底表面缺陷对外延层质量的影响。
作为具体实施例，所述N型下包层13的材料为Al0.5Ga0.5As，厚度为1300-1500nm，掺杂浓度为1E18cm-3，由此可以作为光限制层。
作为具体实施例，所述N型掺杂源为硅烷，由此可以满足N型掺杂要求。
作为具体实施例，所述下渐变层14的材料为A1GaAs，厚度为150-200nm，Al组分的渐变量为50％→20％，由此可以提高载流子限制效果。
作为具体实施例，所述上渐变层16的材料为A1GaAs，厚度为150-200nm，Al组分的渐变量为20％→50％，由此可以提高载流子限制效果。
作为具体实施例，所述P型上包层17的材料为Al0.5Ga0.5As，厚度为1300-1500nm，掺杂浓度为5E17cm-3，由此可以作为光限制层，并且减少载流子对光的吸收。
作为具体实施例，所述P型接触层18的材料为GaAs，厚度为120-150nm，掺杂浓度为2E19cm-3～3E19cm-3，由此可以作为欧姆接触层。
作为具体实施例，所述P型掺杂源为二乙基锌，由此可以满足P型掺杂要求。
当然，所述N型衬底11、N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18的材料并不局限于此，本领域的技术人员在前述实施例的基础上，还可以采用具有类似性能的材料，只要能实现相应的功能即可。
以下将结合具体的制作方式对本发明的结构进行说明：
采用MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)技术生长外延材料，采用AIX2400型MOCVD设备，采用金属有机物来提供镓源和铝源，采用氢化物来提供砷源和磷源，具体使用的金属有机物为三甲基镓(TMGa)和三甲基铝(TMAl)，氢化物为砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)，P型掺杂源为二乙基锌(DEZn)，N型掺杂源为硅烷(SiH4)，载气为经钯管扩散后的氢气，生长温度为700℃，生长室的压力为100mbar。
然后顺序在所述N型GaAs衬底上生长：500nm厚N型GaAs缓冲层，掺杂浓度为1.5E18cm-3；1500nm厚N型Al0.5Ga0.5As下包层，掺杂浓度为1E18cm-3；200nm厚AlGaAs下渐变层，Al的渐变量为50％→20％；10nm厚GaAs0.96P0.04有源层；200nm厚AlGaAs上渐变层，Al的渐变量为20％→50％；1500nm厚P型Al0.5Ga0.5As上包层，掺杂浓度为5E17cm-3；150nm厚P型GaAs接触层，掺杂浓度为2.5E19cm-3。
外延材料生长完成之后，再依次进行如下常规器件后续工艺：SiO2膜制作、电流通道制作、P面蒸发、衬底减薄、N面蒸发、合金、解理、芯片条镀膜、解理、中测和烧焊，由此完成器件制作。制作的脊波导腔长为1090um，有源区条宽为3um。最后，对SLD芯片进行性能测试，其批次测试结果如下表1所示。
表1：
| 参数 | 测试结果 |
| 发射波长(nm) | 830±10 |
| 3dB辐射带宽(nm) | ＞20 |
| 辐射功率(mW) | ≥8 |
| 偏振度(％) | ≤15 |
从表1中可以看出，所述SLD芯片的发射波长和辐射带宽满足光纤陀螺使用要求，发射功率大，特别是相对于无应变和压应变有源层结构，器件偏振度明显降低。
本发明提供的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，采用了GaAsP/AlGaAs张应变量子阱分别限制异质结构，张应变有源层可以实现器件低偏振度输出，量子阱结构可以保证器件较高的输出功率。
以上仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本发明的专利保护范围之内。
Claims (10)
1.一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，其特征在于，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下包层、下渐变层、有源层、上渐变层、P型上包层和P型接触层，所述有源层的材料为GaAs(1-x)Px，其中所述x为材料磷组分，且0.01≤x≤0.08；采用GaAsP作为量子阱结构的阱层材料，通过调整阱层的组分来调整应变量和发光波长，使TE模和TM模的光强相等，从而达到低偏振度光输出的要求，且发光波长恰好处于800nm波段。
2.根据权利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，其特征在于，所述N型衬底的材料为GaAs。
3.根据权利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，其特征在于，所述N型缓冲层的材料为GaAs，厚度为300-500nm，掺杂浓度为1E18cm-3～2E18cm-3。
4.根据权利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，其特征在于，所述N型下包层的材料为Al0.5Ga0.5As，厚度为1300-1500nm，掺杂浓度为1E18cm-3。
5.根据权利要求3或4所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，其特征在于，所述N型掺杂源为硅烷。
6.根据权利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，其特征在于，所述下渐变层的材料为A1GaAs，厚度为150-200nm，Al组分的渐变量为50％→20％。
7.根据权利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，其特征在于，所述上渐变层的材料为A1GaAs，厚度为150-200nm，Al组分的渐变量为20％→50％。
8.根据权利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，其特征在于，所述P型上包层的材料为Al0.5Ga0.5As，厚度为1300-1500nm，掺杂浓度为5E17cm-3。
9.根据权利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，其特征在于，所述P型接触层的材料为GaAs，厚度为120-150nm，掺杂浓度为2E19cm-3～3E19cm-3。
10.根据权利要求8或9所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，其特征在于，所述P型掺杂源为二乙基锌。
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117976791B (zh) * | 2024-03-28 | 2024-06-21 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 | 一种940nm反极性红外LED外延片及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1442935A (zh) * | 2002-01-15 | 2003-09-17 | 夏普公司 | 半导体激光器件以及光盘再现和记录装置 |
| CN1619360A (zh) * | 2003-11-21 | 2005-05-25 | 中国科学院半导体研究所 | 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 |
| CN101197407A (zh) * | 2007-12-28 | 2008-06-11 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 超辐射发光二极管 |
| CN101888056A (zh) * | 2009-05-13 | 2010-11-17 | 中国科学院半导体研究所 | 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构 |
| CN103457158A (zh) * | 2012-05-31 | 2013-12-18 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种TM偏振的GaAsP/GaInP有源区808nm量子阱激光器 |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0933868A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光素子 |
| TW445659B (en) * | 1999-04-27 | 2001-07-11 | Hitachi Cable | LED of AlGaInP system and epitaxial wafer used for same |
-
2014
- 2014-09-25 CN CN201410503050.1A patent/CN104362225B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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