CN104347806A - 有机发光装置、有机发光显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

有机发光装置，包含：第一电极、在所述第一电极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的有机发光层、在所述有机发光层上的第一电子传输层、在所述有机发光层上的第二电子传输层、在所述第二电子传输层上的电子注入层及在所述电子注入层上的第二电极，其中，所述第一电子传输层包含用于改善热稳定性的第一材料、用于改善发光效率的第二材料及用于降低驱动电压的第三材料，并且所述第二电子传输层与所述第一电子传输层层压，并且所述第二电极面向所述第一电极。本发明还提供了有机发光显示器及其制造方法。

Description

有机发光装置、有机发光显示器及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年7月25日向韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请第10-2013-0088191号的优先权和权益，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开的示例性实施方式主要涉及有机发光装置、有机发光显示器及制造所述有机发光显示器的方法。例如，本发明的实施方式的方面涉及具有改善的发光效率和热稳定性的有机发光装置、包含所述有机发光装置的有机发光显示器及制造所述有机发光显示器的方法。
背景技术
有机发光装置为用于通过在施加预定(或设定)的电压的两个相对的电极之间插入的有机发光层来发光的装置。例如，当在两个相对的电极之间施加预定(或设定)的电压时，从所述两个相对的电极注入的电子和空穴通过在有机发光层中彼此结合而形成激子。有机发光层通过将激子由激发态向较低能态转变而发出具有特定波长的光。
这样的有机发光装置被用于(或包含于)有机发光显示器中，以提供自发光性能。有机发光显示器已经被确定(或关注)为下一代的显示器，因为所述有机发光显示器不需要背光单元，并具有薄的厚度、轻重量、低能耗、先进的颜色再现和快的响应时间。
有机发光装置应具有合适(或适当)的电子和空穴的传输性能，以在有机发光层中结合(或易于结合)从两个相对的电极注入的电子和空穴，从而增加激子的形成。因此，有机发光装置可包含一些有机层，以改善电子和空穴的传输性能，并且所述有机层可被布置在有机发光层的上表面和下表面。
例如，有机发光装置可包含电子传输层。所述电子传输层包含各种材料。几种材料能够提供合适(或适当)的电子传输性能。然而，当用这样的材料形成电子传输层时，会降低有机发光装置的热稳定性、发光效率和寿命。
发明内容
根据本发明的示例性实施方式的一些方面提供了具有高发光效率、长寿命和先进的热稳定性的有机发光装置。
根据本发明的示例性实施方式的一些方面提供了具有高显示分辨率和长寿命的有机发光显示器。
根据本发明的示例性实施方式的一些方面提供了制造具有高显示分辨率和长寿命的有机发光显示器的方法。
根据本发明的一些示例性实施方式，有机发光装置包含第一电极、在所述第一电极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的有机发光层、在所述有机发光层上的第一电子传输层、在所述有机发光层上的第二电子传输层、在所述第二电子传输层上的电子注入层及在所述电子注入层上的第二电极，其中，所述第一电子传输层包含用于改善所述有机发光装置的热稳定性的第一材料、用于改善所述有机发光装置的发光效率的第二材料和用于降低所述有机发光装置的驱动电压的第三材料，并且所述第二电子传输层与所述第一电子传输层层压，并且所述第二电极面向所述第一电极。
在示例性实施方式中，所述第一材料可包含蒽衍生物。
在示例性实施方式中，所述第二材料可包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种。
在示例性实施方式中，所述第三材料可包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种。
在示例性实施方式中，基于所述第一电子传输层的总重，所述第一电子传输层可包含约20wt％至约80wt％范围内的所述第一材料。
在示例性实施方式中，所述第一电子传输层可具有约至约的厚度。
在示例性实施方式中，所述第二电子传输层可包含用于改善所述有机发光装置的发光效率的第四材料。
在示例性实施方式中，所述第四材料可包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种。
在示例性实施方式中，所述第二电子传输层可进一步包含用于降低所述有机发光装置的驱动电压的第五材料。
在示例性实施方式中，所述第五材料可包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种。
在示例性实施方式中，所述第四材料可与所述第二材料基本相同，所述第五材料可与所述第三材料基本相同。
根据一些示例性实施方式，有机发光显示器包含第一基板，所述第一基板上的开关器件，电连接至所述开关器件的有机发光装置及在所述有机发光装置上的第二基板，其中，所述有机发光装置包含第一电极，在所述第一电极上的空穴注入层，在所述空穴注入层上的空穴传输层，在所述空穴传输层上的有机发光层，在所述有机发光层上的第一电子传输层，在所述有机发光层上的第二电子传输层，在所述第二电子传输层上的电子注入层及在所述电子注入层上的第二电极，其中，所述第一电子传输层包含用于改善所述有机发光装置的热稳定性的第一材料、用于改善所述有机发光装置的发光效率的第二材料和用于降低所述有机发光装置的驱动电压的第三材料，所述第二电子传输层与所述第一电子传输层层压，并且，所述第二电极面对所述第一电极。
在示例性实施方式中，所述第一材料可包含蒽衍生物，所述第二材料可包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种，并且所述第三材料可包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种。
在示例性实施方式中，所述第二电子传输层可包含用于改善所述有机发光装置的发光效率的第四材料和用于降低所述有机发光装置的驱动电压的第五材料。
在示例性实施方式中，所述第四材料可包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种，并且所述第五材料可包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种。
根据一些示例性实施方式，制造有机发光显示器的方法包含在其上形成有开关器件的第一基板上提供第一电极，在所述第一电极上提供空穴注入层，在所述空穴注入层上提供空穴传输层，在所述空穴传输层上提供有机发光层，在所述有机发光层上提供第一电子传输层，在所述有机发光层上提供与所述第一电子传输层层压的第二电子传输层，在所述第二电子传输层上提供电子注入层，在所述电子注入层上提供面对所述第一电极的第二电极，并且用第二基板封装所述开关器件和所述有机发光层，其中，所述第一电子传输层包含用于改善所述有机发光装置的热稳定性的第一材料、用于改善所述有机发光装置的发光效率的第二材料及用于降低所述有机发光装置的驱动电压的第三材料。
在示例性实施方式中，可通过共沉积所述第一材料、所述第二材料和所述第三材料而形成所述第一电子传输层，其中，所述第一材料可包含蒽衍生物，所述第二材料可包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种，并且所述第三材料可包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种。
在示例性实施方式中，可通过提供包含所述第一材料、所述第二材料和所述第三材料的第一混合物，并在所述有机发光层上沉积包含所述第一混合物的第一混合物层而提供所述第一电子传输层，其中，所述第一材料可包含蒽衍生物，所述第二材料可包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种，并且所述第三材料可包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种，
在示例性实施方式中，可通过共沉积第四材料和第五材料而形成所述第二电子传输层，其中，所述第四材料可包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种，并且所述第五材料可包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种。
在示例性实施方式中，可通过提供包含第四材料和第五材料的第二混合物，并在所述第一电子传输层上沉积包含所述第二混合物的第二混合物层而提供所述第二电子传输层，其中，所述第四材料可包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种，并且所述第五材料可包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种。
根据本发明的示例性实施方式的有机发光装置不仅具有高发光效率和长寿命，还具有先进的热稳定性。同样，根据本发明的实施方式的有机发光显示器可显示高分辨率图像而无论运行温度如何变化。此外，根据本发明示例性实施方式的制造有机发光显示器的方法，可制造具有高发光效率、长寿命和先进的热稳定性的有机发光显示器。
附图说明
结合附图，从以下详细说明中，可更清晰地理解本公开的非限制性示例性实施方式，附图和以下详细说明用于解释本公开的原理：
图1为说明根据本发明的示例性实施方式的有机发光装置的截面图。
图2为说明包含用于改善热稳定性的单层电子传输层的有机发光装置在25℃、35℃和45℃下发光效率随灰度级变化的图。
图3为说明包含用于改善发光效率和寿命的单层电子传输层的有机发光装置的发光效率变化的图。
图4为说明根据本发明的示例性实施方式包含具有的厚度的第一电子传输层的有机发光装置在25℃、35℃和45℃下发光效率随灰度级变化的图。
图5为说明根据本发明的示例性实施方式包含具有的厚度的第一电子传输层的有机发光装置在25℃、35℃和45℃下发光效率随灰度级变化的图。
图6为说明根据本发明的示例性实施方式包含具有的厚度的第一电子传输层的有机发光装置在25℃、35℃和45℃下发光效率随灰度级变化的图。
图7为说明根据本发明的示例性实施方式包含用于改善热稳定性的单层电子传输层的有机发光装置、包含用于改善发光效率和寿命的单层电子传输层的有机发光装置和包含第一电子传输层及第二电子传输层的有机发光装置的寿命特性的图。
图8为说明根据本发明的示例性实施方式的有机发光显示器的截面视图。
图9A至9F为说明制造图8的有机发光显示器的方法的实施方式的截面图。
图10为说明形成图8的有机发光显示器的第一电子传输层的方法的实施方式的透视图。
具体实施方式
下文将参照附图更全面地描述本公开的各种示例性实施方式，其中通过说明的方式仅显示和描述了一些示例性实施方式。然而，本公开可以多种不同的形式实施，而不应被解释为限于这里说明的示例性实施方式。相反，提供这些示例性实施方式以使得本公开全面和完整，并将完全表达本发明的范围给本领域的普通技术人员。附图中，为了清晰，可放大层和区域的大小及相对大小。全文中相似的标识表示相似的元件。当例如“至少一种”的表述位于一列元件前时，其修饰整列元件，而不修饰列表的单个元件。此外，当“可”用于描述本发明的实施方式时，是指“本发明的一个或多个实施方式”。
应理解虽然可使用术语第一、第二、第三等说明各种元件，但是这样的元件不必限于术语第一、第二、第三等。使用这些术语用于区分一种元件与另一种元件。因而，以下论述的第一元件可被称为第二元件，而不背离本发明的教导。如文中使用，术语“和/或”包含一个或多个相关列出项目的任意和全部组合。
应理解，当称一个元件被“连接至”或“耦合到”另一个元件时，它可直接连接或耦合到其它元件上，或者可间接连接或耦合到其它元件，其中存在插入其间的一个或多个中间元件。相反，当称一个元件被“直接连接至”或“直接耦合到”另一个元件时，则不存在中间元件。同样，在本申请的上下文中，当第一元件被称为在第二元件“上面”时，它可直接在第二元件的上面，或者通过在它们之间插入一个或多个中间元件间接地在第二元件的上面。用于描述元件之间的关系的其它词语应以相似的方式解释(例如“之间”与“直接在之间”，“相邻”与“直接相邻”等)。
文中使用的全部术语仅用于描述具体的示例性实施方式的目的，而不旨在限制本发明的范围。如文中使用，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”也旨在包含复数形式，除非上下文另外清楚地表明。将进一步理解，当术语“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”用在说明书中时，指定了所述特征、整件、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整件、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或加入。
除非另外定义，文中使用的全部术语(包含技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的意思。应进一步理解，除非文中明确定义，例如常用的词典中所定义的那些术语应被解释为具有与它们在现有技术的上下文中的意思一致的意思，不应以理想化或过于正式地解释。
在对加入每个附图中本发明的每个元件的附图标记的理解中，应仔细地理解相同的元件具有相同的附图标记，虽然它们在其它图中标记。此外，在本发明的描述中，如果涉及本发明的已知元件或功能的详细说明与相同的概念混淆，则可省略。例如，当在本公开中包含其它地方说明的特征的说明可能重复时，可省略这样的说明。
图1为说明根据本发明的示例性实施方式的有机发光装置的截面图。
参照图1，有机发光装置100包含第一电极110、在第一电极110上(例如直接或间接在上面)的空穴注入层120、在空穴注入层120上(例如直接或间接在上面)的空穴传输层130、在空穴传输层130上(例如直接或间接在上面)的有机发光层140、在有机发光层140上(例如直接或间接在上面)的第一电子传输层150、在有机发光层140上(例如直接或间接在上面)的第二电子传输层160，其中，第二电子传输层160与第一电子传输层150层压，在第二电子传输层160上(例如直接或间接在上面)的电子注入层170和在电子注入层170上(例如直接或间接在上面)的第二电极180，第二电极180面对(facing)(或相对(opposing))第一电极110。然后，将更详细地描述根据示例性实施方式的有机发光装置的每个元件。
第一电极110和第二电极180彼此面对(或相对)，并且有传导性(例如导电性)。在一个示例性实施方式中，第一电极110可以是为有机发光层140提供空穴的阳极，并且第二电极180可以是为有机发光层140提供电子的阴极。在另一个示例性实施方式中，第一电极110可为阴极，并且第二电极180可为阳极。
根据有机发光装置100的发光方向，第一电极110和第二电极180中的每个可为反射电极、透光电极(例如透射或透明电极)或半透反射式的电极(例如透射和反射电极)。例如，当有机发光装置100为顶发光装置时，第一电极110可为反射电极，并且第二电极180可为透光电极或半透反射式的电极。另一反面，当有机发光装置100为底发光装置时，第一电极110可为透射电极或半透反射式的电极，并且第二电极180可为反射电极。文中，“反射”特征(例如反射电极)具有在约70％至约100％范围内的入射光的反射率。“半透反射”特征(例如半透反射式的电极或半透明电极)具有在约30％至约70％范围内的入射光的反射率。“透射”特征(例如透光电极)具有等于或小于约30％的入射光的反射率。
在示例性实施方式中，当第一电极110为反射电极时，第一电极110可包含具有高反射率的金属、合金或它们的组合中的至少一种。例如，第一电极110可包含铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、金(Au)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钯(Pd)、它们的合金或它们的组合，但是第一电极不限于此。例如，合金可为银-铜-金(Ag-Cu-Au：“ACA”)合金或银-钯-铜(Ag-Pd-Cu：“APC”)合金，但是合金不限于此。在示例性实施方式中，第一电极110可具有包含金属和/或合金的单层结构或多层结构。
在示例性实施方式中，当第二电极180为半透反射式的电极时，第二电极180可包含薄金属层。在这样的实施方式中，第二电极180可同时呈现反射性和透射性。当第二电极180相当厚，例如厚于预定(或设定)的厚度时，可降低有机发光装置100的亮度。因此，第二电极180应适当地薄(或足够薄)。例如，第二电极180可具有基本等于或小于约20nm的厚度。例如，第二电极180可包含铝、银、铂、金、铬、钨、钼、钛、钯、它们的合金或它们的组合中的至少一种，但是第二电极不限于此。
在示例性实施方式中，第二电极180可包含透明传导材料。例如，第二电极180可包含氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化镓铟、锌氧化物(ZnOx)、镓氧化物(GaOx)、锡氧化物(SnOx)、铟氧化物(InOx)或它们的组合中的至少一种，但是第二电极不限于此。
在示例性实施方式中，第二电极180可具有包含具有不同折射率的多层透射层或多层反射层的多层结构。
在示例性实施方式中，空穴注入层120在第一电极110和第二电极180之间(例如直接接触两者或间接在两者之间)。例如，空穴注入层120可在(例如直接或间接在上面)第一电极110上。在该实施方式中，第一电极110为阳极。例如，空穴注入层120可包含选自4,4',4″-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(“m-MTDATA”)、1,3,5-三[4-(3-甲基苯基氨基)苯基]苯(“m-MTDAPB”)、例如酞菁铜(“CuPc”)的酞菁化合物、星芒型胺(例如4,4',4″-三(N-咔唑基)三苯胺或“TCTA”)和N,N′-二(4-(N,N′-二苯基氨基)苯基)-N,N′-二苯基联苯胺(“DNTPD”)的至少一种。然而，空穴注入层120的材料不限于上面列出的材料。在该实施方式中，空穴注入层120通过从阳极提取空穴而更容易地为有机发光层140提供空穴。
在示例性实施方式中，空穴传输层130可在空穴注入层120上面(例如直接或间接在上面)。例如，空穴传输层130可包含选自n-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑、1,3,5-三咔唑基苯、4,4′-双咔唑基联苯、间双咔唑基苯、4,4′-双咔唑基-2,2′-二甲基联苯、4,4′,4″-三(N-咔唑基)三苯胺、1,3,5-三(2-咔唑基苯基)苯、1,3,5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯、双(4-咔唑基苯基)硅烷、N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-(1,1’-联苯基)-4,4’-二胺(“NPB”)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基联苯胺(“α-NPD”)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-联苯]-4,4’二胺(“TPD”)、聚(9,9-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)二苯基胺)(“TFB”)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-(4-丁基苯基-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺))(“PFB”)和它们的组合的至少一种，但是空穴传输层不限于此。在该实施方式中，空穴传输层130大幅改善了由空穴注入层120提供的空穴的传输性能。
在示例性实施方式中，有机发光层140可在空穴传输层130上(例如直接或间接在上面)。有机发光层140可包含发光主体和发光掺杂剂。
根据发光的方式，有机发光装置100可为荧光有机发光装置和/或磷光有机发光装置。当分别由第一电极110和第二电极180提供的电子和空穴形成的激子从激发态转变为基态时，激子可通过磷光或荧光在激发态和基态之间转变。磷光为当激子从三线激发态转变为基态时由一些能量释放发光的现象，并且荧光为当激子从单线激发态转变为基态时由一些能量释放发光的现象。如文中使用，表述“发光”是涵盖“荧光”和“磷光”的概念。因而，如文中使用，“有机发光层”、“有机发光装置”、“发光主体”、“发光掺杂剂”中的每个都应理解为涵盖“发荧光”和/或“发磷光”的元件。
在示例性实施方式中，例如，有机发光层140的发光主体可包含三(8-羟基喹啉)铝(“Alq3”)、9,10-二(萘-2-基)蒽(“ADN”)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(“TBADN”)、4,4'-双(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯(“p-DMDPNBi”)、三(9,9-二芳基芴)(“TDAF”)、2-(9,9'-螺二芴-2-基)-9,9'-螺二芴(“BSDF”)、2,7-双(9,9'-螺二芴-2-基)-9,9'-螺二芴(“TSDF”)、双(9,9-二芳基芴)(“BDAF”)、4,4'-双(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二-(叔丁基)苯(“p-TDPVBi”)作为荧光主体。发光主体还可包含1,3-双(咔唑-9-基)三苯胺(“TcTa”)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(“CBP”)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(“CDBP”)、4,4'-双(咔唑-9-基)-9,9-二甲基-芴(“DMFL-CBP”)、4,4'-双(咔唑-9-基)-9,9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(“FL-4CBP”)、4,4'-双(咔唑-9-基)-9,9-二-甲苯基-芴(“DPFL-CBP”)、9,9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-2CBP)或它们的组合作为磷光主体。然而，发光主体不限于上面列出的材料。
发光掺杂剂通过由有机发光层140中的发光主体提供的跃迁能而发出具有特定波长的光。例如，作为发红光的掺杂剂，发光掺杂剂可包含八乙基卟吩(“PtOEP”)、三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱(Ⅲ)(“Ir(piq)3”)、乙酰丙酮(“Btp2Ir(acac)”)、4-(二氰亚甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久咯呢定-9-烯基)-4-吡喃(“DCJTB”)或它们的组合，但是发光掺杂剂不限于此。作为发绿光的掺杂剂，发光掺杂剂可包含，例如三[2-苯基吡啶-C2,N]铱(Ⅲ)(“Ir(ppy)3”)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮化)铱(III)(“Ir(ppy)2(acac)”)、三[2-(对甲苯基)吡啶]铱(Ⅲ)(“Ir(mppy)3”)或它们的组合，但是发光掺杂剂不限于此。作为发蓝光掺杂剂，发光掺杂剂还可包含，例如双[4,6-二氟苯基-吡啶-N,C2](“F2Irpic”)、双(4',6'-二氟苯吡啶)(3-(三氟((Ir(dfppy)2(fptz)))))、三芴或它们的组合，但是发光掺杂剂不限于此。
在一个示例性实施方式中，第一电子传输层150可在有机发光层140上(例如直接或间接在上面)，并且第二电子传输层160可在第一电子传输层150上(例如直接或间接在上面)。在另一个示例性实施方式中，第二电子传输层160可在有机发光层140上(例如直接或间接在上面)，并且第一电子传输层150可在第二电子传输层160上(例如直接或间接在上面)。在再一个示例性实施方式中，可省略第二电子传输层160，并且可只有第一电子传输层150在有机发光层140上(例如直接或间接在上面)。换句话说，可形成第一电子传输层150和第二电子传输层160使它们彼此层压。文中，术语“层压”是指提供堆叠结构，以使两层和更多层不同的层紧密接触。
第一电子传输层150可改善有机发光装置100的热稳定性，并且第二电子传输层160可改善有机发光装置100的电子注入性能、发光效率和寿命。
通常，电子传输层包含(或由其组成)用于传输从电子注入层170接收的电子的具有合适(或适当)的能级的电子传输材料。例如，电子传输层可包含(或由其组成)选自三(8-羟基喹啉)铝(“Alq3”)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基-苯基)-1,2,4-三唑(“TAZ”)和铝(III)双(2-甲基-8-羟基喹啉)4-苯基苯酚(“Balq”)的一种电子传输材料，或者，电子传输层包含(或由其组成)电子传输材料和例如羟基喹啉酚锂(“LiQ”)的金属复合物的组合，但是电子传输层不限于此。这样的电子传输层具有包含一种或两种电子传输材料的单层结构。因此，这样的电子传输层具有的高级性能有限。
换句话说，一些电子传输层具有降低有机发光装置的驱动电压和改善发光效率的性能，但这些电子传输层中的一些具有低热稳定性的缺点。其它的电子传输层具有先进的热稳定性，但是这些电子传输层中的一些具有低发光效率和短寿命的缺点。
然而，根据本发明的示例性实施方式的有机发光装置100具有包含两个不同的电子传输层的两层结构以补偿彼此的缺点。例如，有机发光装置100的实施方式包含作为层压结构的第一电子传输层150和第二电子传输层160，包含第一电子传输层150以改善热稳定性，包含第二电子传输层160以改善发光效率和寿命。下文，将更详细地描述第一电子传输层150和第二电子传输层160。
第一电子传输层150可改善有机发光装置100的热稳定性。如文中使用，表述有机发光装置100的“热稳定性”是指发光效率随有机发光装置的操作温度的变化。
例如，如文中使用，表述“热稳定性高”意思是有机发光装置100在25℃的操作温度下的发光效率和在45℃的操作温度下的发光效率之差的最大值等于或小于在全部灰度级下的发光效率的最大值和最小值之差的3％。
此外，如文中使用，表述“热稳定性低”意思是在25℃的操作温度下的发光效率和在45℃的操作温度下的发光效率之差的最大值等于或大于在全部灰度级下的发光效率的最大值和最小值之差的3％。
例如，当某些有机发光装置在全部灰度级下的发光效率的最大值和最小值之差为4cd/A，并且在100灰度级及25℃的操作温度下的发光效率为3.8cd/A，并且在100灰度级及45℃的操作温度下的发光效率为3.4cd/A，并且100灰度级下的发光效率的差为最大(或最高)值时，有机发光装置的发光效率随操作温度的变化为(3.8-3.4)/4＝0.1＝10％。因此，该有机发光装置的热稳定性低。
另一方面，当某些有机发光装置在全部灰度级下的发光效率的最大值和最小值之差为4cd/A，并且在100灰度级及25℃的操作温度下的发光效率为3.9cd/A，并且在100灰度级及45℃的操作温度下的发光效率为3.8cd/A，并且100灰度级下的发光效率的差为最大(或最高)值时，有机发光装置随操作温度的发光效率的变化为(3.9-3.8)/4＝0.025＝2.5％。因此，该有机发光显示器的热稳定性高。下文，将参照图2和图3更详细地说明热稳定性的概念。
图2为说明包含用于改善热稳定性的单层电子传输层的有机发光装置在25℃、35℃和45℃下的发光效率随灰度级变化的图。图3为说明包含用于改善发光效率和寿命的单层电子传输层的有机发光装置在25℃、35℃和45℃下的发光效率随灰度级的变化的图。
参照图2，包含被称为ETL A的单电子传输层以改善有机发光装置的热稳定性的有机发光装置的发光效率随操作温度的变化是小的。
然而，图2的有机发光装置的发光效率的平均值小于图3的有机发光装置的平均值，其中图3的有机发光装置包含被称为ETL B的单电子传输层以改善有机发光装置的发光效率和寿命。
另一方面，参见图3，包含单电子传输层ETL B以改善发光效率和寿命的有机发光装置呈现对操作温度更敏感，并随操作温度变化的发光效率。
然而，图3的有机发光装置的发光效率的平均值高于图2的有机发光装置的发光效率的平均值，其中图2的有机发光装置包含被称为ETL A的单电子传输层以改善热稳定性。换句话说，图2的有机发光装置具有低的发光效率，并且图3的有机发光装置具有低的热稳定性。
然而，根据本发明的示例性实施方式的有机发光装置同时具有高发光效率和先进的(或高的)热稳定性。再次参照图1，有机发光装置100的第一电子传输层150可包含具有彼此不同的性能的第一材料、第二材料和第三材料，以改善，例如热稳定性。
例如，第一材料可改善有机发光装置100的热稳定性，并且第二材料可改善有机发光装置100的发光效率，并且第三材料可降低有机发光装置100的驱动电压。
在示例性实施方式中，第一材料可包含蒽衍生物。例如，蒽衍生物可包含选自化合物1和以下化学式1a至1c表示的化合物中的至少一种化合物，但是第一材料不限于此。
化合物1
化学式1a
化学式1b
化学式1c
以上化学式1a和1b中，R1至R6可各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、取代或未取代的C1至C30酰基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C6至C30芳基或取代或未取代的C2至C30杂芳基。可选择地，相邻的R1至R6中的两个或更多个可结合以形成饱和或不饱和的环系统。
以上化学式1a和1b中，L1可为单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基、取代或未取代的C6至C30亚芳基或取代或未取代的C6至C30杂亚芳基。
以上化学式1a和1b中，Q1至Q9可各自独立地为氢原子、取代或未取代的C6至C30芳基或取代或未取代的C2至C30杂芳基，并且“a”可为在1至10的范围内的整数。
以上化学式1c中，Ar1和Ar2中的一个可独立地为氢原子、苯基、联苯基、三联苯基、二甲基芴基、三亚苯基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基，并且Ar1和Ar2中的另一个可为氢原子。
以上化学式1c中，Ar3和Ar4中的一个可独立地为氢原子、苯基、联苯基、三联苯基、二甲基芴基、三亚苯基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基，并且Ar3和Ar4中的另一个可为氢原子。
例如，蒽衍生物可为选自9,10-二(萘-2-基)蒽(“ADN”)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(“TBADN”)和以下化学式表示的化合物101至化合物104中的至少一种。然而，第一材料不限于此。第一材料可为用于改善有机发光装置100的热稳定性的任何合适的材料。
第二材料可通过改善电子的传输性能(所述电子传输性能)而改善有机发光装置100的发光效率和寿命。例如，第二材料可包含选自由化学式2a表示的吡嗪衍生物和化学式2b表示的三嗪衍生物中的至少一种。
以上化学式2a中，R1可为烷基或芳基。
以上化学式2a中，R2可为氢原子、烷基或芳基，并且R3可为氢原子或烷基，并且R2和R3可选择地结合以形成脂族环。
以上化学式2a中，M为金属中心。M可为9族元素或10族元素，并且Ar可为亚芳基。
以上化学式2a中，R4至R6可彼此相同或独立地为氢原子(H)、氘原子(D)、氟原子(F)、氯原子(Cl)、溴原子(Br)、碘原子(I)、碳水化合物基团(例如CHO类化合物)、N(R7)2、N(Ar5)2、B(OR7)2、B(R7)2、B(N(R7)2)2、OSO2R7、链状C1至C40烷基、链状C2至C40烯基、链状C1至C40烷氧基或链状C1至C40含硫的烷氧基(上述基团中的每个可被一个或多个自由基R7取代，或结合到一个或多个自由基R7上，并且一个或多个不相邻的CH2基团可被R7C＝CR7、C≡C、Si(R7)2、Ge(R7)2、Sn(R7)2、C＝O、C＝Se、C＝NR7、P(＝O)(R7)、SO、SO2、NR7、O、S或CONR7取代，并且一个或多个氢原子可被CN或NO2取代)。R4至R6可为包含C5至C60芳香环原子的芳香环或芳杂环系统(芳香环原子中的每个可被一个或多个自由基R7取代，或结合到一个或多个自由基R7上)，R4至R6可为包含C5至C60芳香环原子的芳氧基、杂芳氧基或螺二芴基团(每个芳香环原子可被一个或多个自由基R7取代，或结合到一个或多个自由基R7上)，或者R4至R6可与上述任一种结合。
两个或更多个相邻的R4至R6可选择地结合，以形成包含单个芳香环或脂族环或多个芳香环或脂族环的环系统。
以上Ar5可为包含C5至C30芳香环原子的芳香环或芳杂环系统(每个芳香环原子可被一个或多个自由基R7取代，或结合到一个或多个自由基R7上)。
以上Ar5可同样地或独立地通过氮(N)、磷(P)或硼(B)结合到氮(N)，例如，通过选自单键、B(R7)、C(R7)2、Si(R7)2、C＝O、C＝NR7、C＝C(R7)2、O、S、S＝O、SO2、N(R7)、P(R7)和P(＝O)R7的桥联基团。
以上R7可同样地或独立地为C1至C20的芳香烃自由基、C1至C20的脂族烃自由基、C1至C20的杂芳族烃自由基或C1至C20的芳香和杂芳族烃自由基(R7中的每个氢原子都可被氟原子取代)。
两个或更多个相邻的R7可选择地结合以形成环系统，所述环系统包含单个芳香环或脂族环或多个芳香环或脂族环。
例如，第二材料的实施方式中，化学式2a或化学式2b表示的吡嗪衍生物可为以下化学式表示的化合物201或化合物202。然而，第二材料不限于此。第二材料可为用于改善有机发光装置100的发光效率和寿命的任何合适的材料。
第三材料可降低有机发光装置100的驱动电压。例如，第三材料可包含碱金属和碱金属复合物中的至少一种。例如，第三材料可包含以下显示的羟基喹啉酚锂(“LiQ”)或化合物301(“LtBTZ”)。然而，第三材料不限于此。
第三材料可用低驱动电压传输(或易于传输)从电子注入层170接收的电子，并可阻挡从空穴传输层130流出的空穴(或降低空穴从空穴传输层130的流出)。
在一些实施方式中，第一电子传输层150具有混合要素，所述混合要素包含第一材料以改善热稳定性，第二材料以改善发光效率，和第三材料以降低有机发光装置100的驱动电压。在该实施方式中，有机发光装置100的热稳定性改善，同时未降低(或者没有不期望地降低)其发光效率及寿命。
在示例性实施方式中，不限制第一材料、第二材料和第三材料的含量。然而，可通过控制第一材料、第二材料和第三材料的含量(或量)的比而调节(或控制)热稳定性、发光效率和寿命。例如，为了保持高热稳定性，基于第一电子传输层的总重，第一电子传输层150可包含约20wt％至约80wt％范围内的第一材料。为了改善电子的传输性能，并降低驱动电压，第一电子传输层150可包含，例如约15wt％至约70wt％范围内的第三材料。例如，第一电子传输层150可包含约40:10:50的第一材料:第二材料:第三材料的重量比的第一材料、第二材料和第三材料。
示例性实施方式中，第一电子传输层150可根据它的厚度而改善有机发光装置100的热稳定性。然而，过厚的第一电子传输层150可增加有机发光装置100的驱动电压。例如，第一电子传输层150可具有约至约的合适的(或适当的)厚度，以避免有机发光装置的驱动电压的不期望的(或不合适的)增加。
第二电子传输层160可改善有机发光装置100的发光效率和寿命。在一个示例性实施方式中，第二电子传输层160可包含第四材料以改善发光效率和寿命。在另一个示例性实施方式中，第二电子传输层160可进一步包含第五材料以降低驱动电压。
第四材料可包含选自吡嗪衍生物和三嗪衍生物中的至少一种。第四材料的吡嗪衍生物和三嗪衍生物与上述关于包含在第一电子传输层150中的第二材料的吡嗪衍生物和三嗪衍生物基本相同。
在一个示例性实施方式中，第二电子传输层160的第四材料和第一电子传输层150的第二材料可包含基本相同的化合物。在该实施方式中，制造第一电子传输层150和第二电子传输层160的方法可以是简单的(或直接的)。
在另一个示例性实施方式中，第二电子传输层160的第四材料和第一电子传输层150的第二材料中的每种可包含不同的材料。然而，用于改善有机发光装置100的发光效率和寿命的第二电子传输层的第四材料的功能与第一电子传输层的第二材料的功能基本相同。
第二电子传输层160的第五材料可包含选自碱金属和碱金属复合物中的至少一种。在一个示例性实施方式中，包含碱金属或碱金属复合物的第五材料与第一电子传输层150的第三材料基本相同。在该实施方式中，可易于形成第一电子传输层150和第二电子传输层160。在另一个示例性实施方式中，第五材料和第三材料中的每种可包含不同的碱金属或不同的碱金属复合物。基于第二电子传输层的总重，第二电子传输层160可包含约30wt％至约70wt％范围内的第五材料。例如，基于第二电子传输层的总重，第二电子传输层160可包含约45wt％至约55wt％的范围内的第五材料。
第二电子传输层160可具有约至约的厚度，以在保持发光效率和寿命的同时降低驱动电压。例如，第二电子传输层160可具有约至约的厚度。
电子注入层170可在第二电子传输层160上(例如直接或间接在上面)。当第二电极180是阴极时，电子注入层170具有易于从第二电极180注入电子的功能。在一些实施方式中可省略电子注入层170。
电子注入层170可包含，例如氟化锂(LiF)、氯化钠(NaCl)、氟化钡(BaF)、氟化铯(CsF)、氧化锂(Li2O)、氧化铝(Al2O3)、氧化钡(BaO)、富勒烯(C60)或它们的组合，但是电子注入层不限于此。电子注入层170可具有约至约的厚度。在该实施方式中，电子注入层可提供充分的(或合适的)电子注入性能，而不会增加(或非期望地增加)驱动电压。
图4至图6为说明根据本发明的示例性实施方式的包含第一电子传输层150和第二电子传输层160的有机发光装置100的发光效率和热稳定性的图。
例如，图4为说明在根据本发明的示例性实施方式的包含具有厚度的第一电子传输层的有机发光装置在25℃、35℃和45℃下的发光效率随灰度级变化的图。图5为说明根据本发明的示例性实施方式包含具有的厚度的第一电子传输层的有机发光装置在25℃、35℃和45℃下的发光效率随灰度级的变化的图。图6为说明根据本发明的示例性实施方式包含具有的厚度的第一电子传输层的有机发光装置在25℃、35℃和45℃下的发光效率随灰度级的变化的图。
参照图4至图6，通过测量包含第一电子传输层(ETL1)的有机发光装置获得图中显示的每个结果，所述第一电子传输层包含40:10:50的第一材料:第二材料:第三材料的重量比的第一材料、第二材料和第三材料(或由40:10:50的第一材料:第二材料:第三材料的重量比的第一材料、第二材料和第三材料组成)。
参照图4至图6，可见有机发光装置的第一电子传输层ETL1越厚，发光效率随驱动温度的变化降低得越小。换句话说，第一电子传输层ETL1越厚，有机发光装置的热稳定性改善越大。
例如，如图4至图6中显示，虽然驱动温度已经变化，但是根据本发明的示例性实施方式的有机发光装置在全部的灰度级的发光效率保持恒定。然而，在图3的有机发光装置的情况下，其中包含单层电子传输层ETL B以改善发光效率和寿命，通过提高驱动温度而降低了发光效率。
此外，与包含单层电子传输层ETL A以改善热稳定性的图2的有机发光装置相比，总体改善了根据本发明的示例性实施方式的有机发光装置的发光效率，因为根据示例性实施方式的第一电子传输层包含第二材料以改善发光效率，并且第二电子传输层包含第四材料以改善发光效率。
图7为说明根据本发明的示例性实施方式包含用于改善热稳定性的单层电子传输层的有机发光装置、包含用于改善发光效率和寿命的单层电子传输层的有机发光装置和包含第一电子传输层及第二电子传输层的有机发光装置的寿命特性的图。
文中，“长寿命”或“增加的寿命”意思是基于初始有机发光装置的100％的亮度，将有机发光装置的亮度降低至小于95％的时间为100小时或更长。
参照图7，可见根据本发明的示例性实施方式的有机发光装置的寿命比包含单层电子传输层ETL A以改善热稳定性的有机发光装置的寿命增加得更多(例如更长)。还可见根据本发明的示例性实施方式的有机发光装置的寿命比包含单层电子传输层ETL B以改善发光效率和寿命的有机发光装置增加得更多(例如更长)。
例如，根据本发明的示例性实施方式的有机发光装置的第二电子传输层大幅改善了有机发光装置的寿命。例如，当有机发光装置包含比第二电子传输层ETL2的厚度相对更薄的第一电子传输层ETL1时，进一步改善了有机发光装置的寿命。如图7中说明，包含具有的厚度的第一电子传输层ETL1的有机发光装置的寿命比包含具有的厚度的第一电子传输层ETL1的有机发光装置的寿命增加得更多(例如更长)。
结果，根据示例性实施方式，第一电子传输层150可改善有机发光装置100的热稳定性，并且第二电子传输层160可改善其发光效率和寿命。
在一些实施方式中，有机发光装置包含含有三种不同的材料的第一电子传输层150，以改善其热稳定性。在一些实施方式中，有机发光装置包含含有两种不同的材料的第二电子传输层160，以改善其发光效率和寿命。
图8为描述根据本发明的示例性实施方式的有机发光显示器的截面视图。
参照图8，有机发光显示器包含第一基板300、在第一基板300上的开关器件400(例如直接或间接在上面)、电连接至开关器件400的有机发光装置100和封装有机发光装置100(或使有机发光装置100与外部环境隔离)的第二基板500。有机发光装置100可具有改善的发光效率、寿命和热稳定性。
第一基板300支撑开关器件400和有机发光装置100。第一基板300可为包含玻璃或聚硅(例如多晶硅)的无机基板。在示例性实施方式中，第一基板300可为塑料基板，包含例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚酰亚胺，但是第一基板不限于此。在示例性实施方式中，第一基板300可为柔性显示器基板，包含例如具有柔性的金属或其它聚合物的传导材料。
开关器件400在第一基板300上(例如直接或间接在上面)，并且开关器件400驱动有机发光装置100。例如，开关器件400可为薄膜晶体管(TFT)。
开关器件400可包含缓冲层410，半导体层，栅绝缘层430、栅极440、绝缘中间层450、源极462和漏极464。
缓冲层410可改善第一基板300的平坦性(或表面均匀性)，并且缓冲层410可释放在形成开关器件400的过程中产生的应力(或压力)，并且缓冲层410可阻碍杂质从第一基板300扩散(或降低杂质从第一基板300的扩散)。缓冲层410可包含例如氧化物类材料、氮化物类材料或氮氧化物类材料。缓冲层410可包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、硅碳氧化物(SiOxCy)、硅碳氮化物(SiCxNy)等。在一些实施方式中，缓冲层410可包含例如金属氧化物类材料或金属氮化物类材料等，但缓冲层不限于此。
半导体层在缓冲层410上(例如直接或间接在上面)。半导体层包含第一杂质区域422、第二杂质区域424和沟道区426。第一杂质区域422和第二杂质区域424中的每个可为开关器件400的源极或漏极。
半导体层可包含聚硅(例如多晶硅)、具有杂质的聚硅、非晶硅、具有杂质的非晶硅、氧化物类半导体、具有杂质的氧化物类半导体或它们的组合，但是半导体层不限于此。
栅绝缘层430为使栅极440与半导体层电隔离的层。栅绝缘层430可包含氧化物或有机绝缘材料。例如，栅绝缘层430可包含硅氧化物、铝氧化物(AlOx)、钛氧化物(TiOx)、苯并-环-丁烯(BCB)类树脂、压克力类树脂，但是栅绝缘层不限于此。
栅极440在栅绝缘层430上(例如直接或间接在上面)，并且与半导体层重叠。例如，栅极440可包含金属、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明传导材料，但是栅极不限于此。栅极440可具有包含金属、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明传导材料的单层结构或多层结构。
绝缘中间层450在第一基板300上(例如间接在上面)，以覆盖栅极440和栅绝缘层430。例如，绝缘中间层450可包含氧化物类材料、氮化物类材料、氮氧化物类材料、有机绝缘材料或它们的组合，但是绝缘中间层不限于此。
绝缘中间层450包含用于暴露第一杂质区域422和第二杂质区域424的孔。源极462通过其中一个孔电连接至第一杂质区域422，并且漏极464通过另一个孔电连接至第二杂质区域424，并且源极462和漏极464在绝缘中间层450上(例如直接或间接在上面)。例如，源极462和漏极464可各自独立地包含金属、金属氮化物、导电金属氧化物、透明传导材料或它们的组合，但是源极和漏极不限于此。源极462和漏极464可具有包含金属、金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明传导材料的单层结构或多层结构。
有机发光装置电连接至开关器件400，并在第一基板300上(例如直接或间接在上面)。在示例性实施方式中，绝缘层210可在有机发光装置100和开关器件400之间(例如直接接触两者或间接在两者之间)，从而使有机发光装置100与开关器件400隔离。绝缘层210可具有用于暴露开关器件400的漏极464的一部分的孔(例如，用于使漏极464穿过的孔)，并且有机发光装置100可通过孔电连接至开关器件400。在另一个示例性实施方式中，有机发光装置100可电连接至开关器件400，不需要绝缘层210。在该实施方式中，有机发光装置100可在与开关器件400相同的层上(例如直接或间接在上面)。
绝缘层210使开关器件400的上表面平坦化(或改善表面的均匀性)，并且绝缘层210可通过电绝缘开关器件400而保护开关器件400。
例如，绝缘层210可包含例如苯并-环-丁烯-类树脂、烯烃类树脂、聚酰亚胺类树脂、压克力类树脂、聚乙烯类树脂、硅氧烷类树脂或它们的组合，但是绝缘层不限于此。
在示例性实施方式中，绝缘层210可具有通过平坦化工艺形成的基本平坦的表面。例如，可通过化学机械抛光(“CMP”)和/或回蚀刻平坦化绝缘层210。
在另一个示例性实施方式中，绝缘层210可包含具有自平坦化性能的材料。
有机发光装置100包含电连接至开关器件400的第一电极110、在第一电极110上的空穴注入层120(例如直接或间接在上面)、空穴传输层130、有机发光层140、第一电子传输层150、第二电子传输层160、电子注入层170和第二电极180。
第一电极110电连接至开关器件400。例如，当开关器件400包含N-沟道晶体管时，第一电极110可为阴极。或者，当开关器件400包含P-沟道晶体管时，第一电极110可为阳极。
根据有机发光装置100的发光方向，第一电极110和第二电极180可为反射电极、透光电极或半透反射式的电极。上面已经参照图1描述了上述详细说明。因此，这里将省略它的重复的说明。
在一个示例性实施方式中，有机发光装置100可包含在第一电极110上的像素限定层220(例如直接或间接在上面)。像素限定层220包含暴露第一电极110的一部分的开口，且有机发光层140位于(或放置于)所述开口中以形成像素。因此，开放区被定义为显示区DA，并且包围显示区DA的外围区被定义为周边区PA。在另一个示例性实施方式中，可省略像素限定层220。
例如，像素限定层220可包含例如可商购聚合物(例如聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)和/或聚苯乙烯(“PS”))、具有苯酚基的聚合物衍生物、压克力类聚合物、酰亚胺类聚合物、压克力-醚类聚合物、氨类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物，但是像素限定层不限于此。
空穴注入层120、空穴传输层130、第一电子传输层150、第二电子传输层160和电子注入层170可位于(或放置于)像素限定层220的开口区。
可根据第一电极110的电极性改变上面列出的有机层的堆叠顺序。例如，当第一电极110为阳极时，空穴注入层120、空穴传输层130、有机发光层140、第一电子传输层150、第二电子传输层160、电子注入层170和第二电极180被顺序堆叠在第一电极110上。
或者，当第一电极110为阴极时，电子注入层170、第二电子传输层160、第一电子传输层150、有机发光层140、空穴传输层130、空穴注入层120和第二电极180被顺序堆叠在第一电极110上。
空穴注入层120、空穴传输层130、有机发光层140、第一电子传输层150、第二电子传输层160和电子注入层170与图1的有机发光装置的相应层基本相同。因此，这里不再提供它的重复的说明。
第二基板500在有机发光装置100上(例如直接或间接在上面)，以封装有机发光装置(或者使有机发光装置100与外部环境隔离)。第二基板500可具有化学稳定性(例如可化学稳定)，以保护有机发光装置100免受外部水分和气体的侵害，并且第二基板500可为了传播有机发光装置100发出的光而具有先进的透明度(例如高透光率)。例如，第二基板500可包含玻璃、透明金属膜、有机绝缘层、无机绝缘层，但是第二基板不限于此。
根据示例性实施方式，有机发光显示器包含具有改善的热稳定性、改善的发光效率和长寿命的有机发光装置100。因此，改善了有机发光显示器的稳定性和耐久性，并且提供了对驱动温度较不敏感且能够长时间显示高质量图像的有机发光显示器。
图9A至图9F为描述制造图8的有机发光显示器的方法的实施方式的截面图。
参照图9A至9F，如图9A中说明，开关器件400可形成在第一基板300上。例如，可配置开关器件400以包含薄膜晶体管，并且可通过制造开关器件的任何合适的方法形成开关器件400。
例如，可通过例如化学气相沉积(“CVD”)方法、等离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)方法、高密度等离子体化学气相沉积(“HDP CVD”)方法、旋涂方法、热氧化法或印刷方法在第一基板300上形成缓冲层410，但形成缓冲层的方法不限于此。
例如可通过化学气相沉积方法、等离子体增强化学气相沉积方法、旋涂方法或印刷方法在缓冲层410上形成半导体层，但形成半导体层的方法不限于此。
在使半导体层图案化后，栅绝缘层430可形成在缓冲层410上，以覆盖半导体层。例如，可通过溅射方法、化学气相沉积方法、原子层沉积(“ALD”)方法、高密度等离子体化学气相沉积方法、旋涂方法或印刷方法形成栅绝缘层430，但形成栅绝缘层的方法不限于此。
在沉积第一传导层后，可通过使第一传导层图案化而形成栅极440。栅极440可形成在栅绝缘层430上，以重叠(或与其重叠)半导体层。例如可通过溅射方法、化学气相沉积方法、原子层沉积方法、旋涂方法、真空沉积方法、脉冲激光沉积(“PLD”)方法或印刷方法而形成栅极440，但形成栅极的方法不限于此。
可通过使用栅极430作为掩膜，在半导体层上(或其中)掺杂杂质，而形成第一杂质区域422和第二杂质区域424。
例如，可通过灌注的方法进行掺杂。由杂质的组分确定开关器件400的类型。例如，可通过掺杂例如硼、镓或铟的3族原子形成P型开关器件400，但是杂质不限于此。或者，可通过掺杂例如锑、砷或磷的5族原子形成N型开关器件400，但是杂质不限于此。
绝缘中间层450可覆盖栅极440，并且可形成在栅绝缘层430上。可通过例如溅射方法、化学气相沉积方法、等离子体增强化学气相沉积方法、原子层沉积方法、旋涂方法、真空沉积方法、脉冲激光沉积方法或印刷方法而形成绝缘中间层450，但形成绝缘中间层的方法不限于此。
可形成暴露第一杂质区域422和第二杂质区域424的孔。例如，可通过光刻形成孔。在沉积填充所述孔的第二传导层后，可通过使第二传导层图案化而形成源极462和栅极464。可通过例如溅射方法、化学气相沉积方法、等离子体增强化学气相沉积方法、原子层沉积方法、旋涂方法、真空沉积方法、脉冲激光沉积方法或印刷方法形成第二传导层，但形成第二传导层的方法不限于此。
此外，栅极线可在形成栅极440的同时(或基本相同的时间，例如共同或同时)形成在栅绝缘层430的一部分上。数据线可在形成源极462或漏极464的同时(或基本相同的时间，例如共同或同时)形成绝缘中间层450的一部分上。形成栅极线和数据线的方法与形成栅极440、源极462和漏极464的方法基本相同。
如图9B中说明，在示例性实施方式中，可形成绝缘层210以覆盖开关器件400。例如，可通过涂覆方法、印刷方法或真空沉积方法形成绝缘层210，但形成绝缘层的方法不限于此。在一个示例性实施方式中，可通过例如化学机械抛光或回蚀刻而使绝缘层210平坦化，但是使绝缘层平坦化的方法不限于此。
在另一个示例性实施方式中，可用具有自平坦化性能的材料形成绝缘层210。结果，绝缘层210可具有平坦的表面。
在示例性实施方式中，可通过部分蚀刻绝缘层210而形成暴露漏极464的一部分的孔。例如，可通过光刻方法形成孔，但形成孔的方法不限于此。在形成孔后，沉积第三传导层以填充孔，并可通过使第三传导层图案化而形成第一电极110。
可使用具有高反射率的金属或它的合金形成第一电极110，以成为反射电极。或者，可用具有高透光率的透明传导材料形成第一电极110，以成为透光电极。
可通过例如溅射方法、印刷方法、喷雾方法、化学气相沉积方法、原子层沉积方法、真空沉积方法或脉冲激光沉积方法形成第三传导层，但形成第三传导层的方法不限于此。可通过例如光刻方法形成第一电极110，但形成第一电极的方法不限于此。
如图9C中说明，在示例性实施方式中，可形成像素限定层220以覆盖第一电极110。可通过例如旋涂方法、印刷方法或真空沉积方法形成像素限定层220，但形成像素限定层的方法不限于此。
可用例如可商购聚合物(例如聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚苯乙烯)、具有苯酚基的聚合物衍生物、压克力类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、氨类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物形成像素限定层，但是像素限定层不限于此。
可通过蚀刻方法形成暴露第一电极110的一部分的开口。例如，可通过光刻形成开口，但形成开口的方法不限于此。
如图9D中说明，空穴注入层120可形成在第一电极110上。例如，可在被像素限定层220的开口暴露的第一电极110的一部分上形成空穴注入层120。
例如，可通过例如沉积方法、掩膜溅射法、光致抗蚀剂方法、印刷方法、喷墨方法、旋涂方法、铸造或朗格缪尔-布洛杰特方法(LB方法)形成空穴注入层120，但形成空穴注入层的方法不限于此。这里，沉积方法可包含溅射方法、化学气相沉积方法、脉冲激光沉积方法、真空沉积方法、原子层沉积方法，但是沉积方法不限于此。
例如，可通过将暴露开放区域的精细金属掩膜(“FMM”)粘附至像素限定层220，并用空穴注入材料通过真空沉积来沉积空穴注入层，而形成空穴注入层120，但形成空穴注入层的方法不限于此。
可通过在约10-8至约10-3torr范围内的真空度，约100℃至约500℃范围内的沉积温度和约/sec至约/sec范围内的沉积速度选择合适(或适当的)条件而进行真空沉积。空穴注入材料与被包含在图1中的有机发光装置100的空穴注入层120中的空穴注入材料基本相同。
空穴传输层130和有机发光层140可顺序形成在空穴注入层上。可通过与形成空穴注入层120基本相同的方法形成空穴传输层130和有机发光层140。可用与上述图1的有机发光装置100的空穴传输层130和有机发光层140的各材料相对应的组分材料形成每种空穴传输层130和有机发光层140。
第一电子传输层150和第二电子传输层160可形成在有机发光层140上。
在一个示例性实施方式中，可通过在有机发光层140上形成第一电子传输层150和在第一电子传输层150上而使第二电子传输层160而形成第一电子传输层150和第二电子传输层160形成为层压的层。
在另一个示例性实施方式中，可通过在有机发光层140上形成第二电子传输层160和在第二电子传输层160上形成第二电子传输层150而使第一电子传输层150和第二电子传输层160形成为层压的层。
可用第一材料、第二材料和第三材料形成第一电子传输层150。第一材料、第二材料和第三材料可与上述关于图1的有机发光装置的第一电子传输层150的用于改善热稳定性的第一材料、用于改善发光效率的第二材料和用于降低驱动电压的第三材料基本相同。
可通过例如沉积方法、掩膜溅射方法、光致抗蚀剂方法、印刷方法、喷墨方法、旋涂方法、铸造方法或朗格缪尔-布洛杰特方法形成第一电子传输层150，但形成第一电子传输层150的方法不限于此。文中，沉积方法可包含例如溅射方法、化学气相沉积方法、脉冲激光沉积方法、真空沉积方法或原子层沉积方法，但是沉积方法不限于此。
图10为说明形成图8的有机发光显示器的第一电子传输层的方法的实例的透视图。
参照图10，在示例性实施方式中，可通过共沉积第一材料、第二材料和第三材料而形成第一电子传输层150。例如，可通过包含，首先制备用于喷射第一材料的第一沉积源DS1、用于喷射第二材料的第二沉积源DS2和用于喷射第三材料的第三沉积源DS3，其次布置所述第一沉积源DS1、所述第二沉积源DS2和所述第三沉积源DS3以重叠沉积第一材料的第一沉积区域DepA1、沉积第二材料的第二沉积区域DepA2和沉积第三材料的第三沉积区域DepA3，第三(或最后)在使所述第一沉积源DS1、所述第二沉积源DS2和所述第三沉积源DS3各自的目标从有机发光层140的第一终端T1移动到第二终端T2的同时沉积第一材料、第二材料和第三材料，的方法进行共沉积。
在该实例中，可通过控制所述第一沉积源DS1、所述第二沉积源DS2和所述第三沉积源DS3的发射量(即由其发射的量)而控制第一材料、第二材料和第三材料的沉积量和沉积比。可通过控制所述第一沉积源DS1、所述第二沉积源DS2和所述第三沉积源DS3各自的移动速度，或通过控制在第一终端T1和第二终端T2之间移动的循环(例如经过或环行)的数目而控制第一电子传输层150的厚度。
术语“第一终端T1”和“第二终端T2”是指限定其中沉积第一电子传输层150的区域的边界(例如坝DM之间的区域)。例如，当向(或沿)Z方向进行沉积时，第一终端T1可为沉积的起点，并且第二终端T2可为沉积的终点，如图10中说明。
在示例性实施方式中，可通过以合适(或适当的)的重量比形成包含第一材料、第二材料和第三材料的第一混合物，并且沉积第一混合物作为第一混合物层而形成第一电子传输层150。
在该实施方式中，可通过控制第一混合物的混合比而控制第一材料、第二材料和第三材料的沉积比。可通过例如溅射方法、化学气相沉积方法、脉冲激光沉积方法、真空沉积方法或原子层沉积方法而进行沉积，但是沉积方法不限于此。或者，可通过例如掩膜溅射法、光致抗蚀剂方法、印刷方法、喷墨方法、旋涂方法、铸造方法或朗格缪尔-布洛杰特方法形成第一混合物层，但形成第一混合物层的方法不限于此。
如图9D和图10中说明，可用第四材料和第五材料形成第二电子传输层160。第四材料和第五材料与图1的有机发光装置100中相对应的用于改善发光效率的第四材料和用于降低驱动电压的第五材料基本相同。
可通过与形成第一电子传输层150相同(或基本相同)的方法形成第二电子传输层160。在示例性实施方式中，第四材料可与第一电子传输层150的第二材料基本相同，并且第五材料可与第一电子传输层150的第三材料基本相同。在该实施方式中，如图10中说明，可通过使用用于形成第一电子传输层150并发射第二材料的第二沉积源DS2、使用用于形成第一电子传输层150并发射第三材料的第三沉积源DS3而形成第二电子传输层160。换句话说，在形成第一电子传输层150后，可通过移动支撑第一沉积源DS1、第二沉积源DS2和第三沉积源DS3的基底，并通过分别操作第二沉积源DS2和第三沉积源DS3以沉积第四材料和第五材料从而沉积第二电子传输层160，来形成第二电子传输层160。
在示例性实施方式中，可连续进行形成步骤。例如，可通过移动支撑第一沉积源DS1、第二沉积源DS2和第三沉积源DS3的基底以使它们各自的目标从第一终端T1移动到第二终端T2，而沉积第一电子传输层150。可通过移回基底以使第二沉积源DS2和第三沉积源DS3各自的目标从第二终端T2移动到第一终端T1而沉积第二电子传输层160。在该实施方式中，在从第一终端T1移动基底到第二终端T2的同时，第一沉积源DS1可发射第一材料。
因此，在该实施方式中，可仅通过沉积源的一次往复移动而形成第一电子传输层150和第二电子传输层160。
在示例性实施方式中，第二电子传输层160可包含与第一电子传输层150的第二材料不同的第四材料及与第一电子传输层150的第三材料不同的第五材料。在该实施方式中，可通过与用于形成第一电子传输层150的沉积方法基本相同的沉积方法形成第二电子传输层160，并且可使用发射第四材料的第四沉积源和发射第五材料的第五沉积源形成第二电子传输层160。
在示例性实施方式中，可通过形成包含合适(或适当)重量比的第四材料和第五材料的第二混合物，并沉积第二混合物作为第二混合物层而形成第二电子传输层160。可通过例如溅射方法、化学气相沉积方法、脉冲激光沉积方法、真空沉积方法或原子层沉积方法而进行沉积，但形成第二混合物层的方法不限于此。或者，可通过例如掩膜溅射方法、光刻方法、印刷方法、喷墨方法、旋涂方法、铸造方法或朗格缪尔-布洛杰特方法形成第二混合物层，但形成第二混合物层的方法不限于此。
电子注入层170可形成在第二电子传输层160上。可通过例如沉积方法、掩膜溅射方法、光刻方法、印刷方法或喷墨方法形成电子注入层170，但形成电子注入层的方法不限于此。电子注入层170可包含(或由其形成)例如氟化锂、氯化钠、氟化钡、氟化铯、氧化锂、氧化铝、氧化钡、富勒烯或它们的混合物，但是电子注入层不限于此。
如图9E中说明，在沉积第四传导层以覆盖电子注入层170和像素限定层220后，可通过使第四传导层图案化而形成第二电极180。可通过与形成第一电极110的方法基本相同的方法形成第二电极180。可用具有高反射率的金属或它的合金形成第二电极180，以成为反射电极。或者，可用具有高透光率的透明传导材料形成第二电极180，以成为透光电极。
如图9F中说明，可通过提供(或沉积)第二基板500以覆盖或封装有机发光装置100而制造有机发光显示器。可通过在第二基板500的下表面上应用密封材料、粘合第一基板300与第二基板500，并使用激光或紫外线硬化密封材料而进行封装。
在一个示例性实施方式中，可提供(或放置)以预定(或设定)空间与有机发光装置100隔离的第二基板500。在另一个示例性实施方式中，可提供(或放置)第二基板500以直接接触有机发光装置100。在该实施方式中，可进一步改善有机发光显示器的能见度。
因此，根据示例性实施方式的方面的制造有机发光显示器的方法可提供不仅具有改善的热稳定性，还具有改善的发光效率和寿命的有机发光显示器。
本发明的实施方式可应用于包含电子传输层的任何合适的有机发光装置中，所述电子传输层包含三种材料(或由三种材料组成)，所述三种材料中的每种具有不同的性能。换句话说，本发明的实施方式还可应用于顶发光装置、底发光装置和双侧发光装置(例如双发光装置)。有机发光装置可包含磷光有机发光装置和荧光有机发光装置。本发明的实施方式还可应用于例如发红光、绿光、蓝光和/或白光的任何合适的有机发光装置，但是有机发光装置不限于此。包含所述有机发光装置的有机发光显示器可用作例如电视接收机、台式机、笔记本电脑、个人数字助理(PDA)、移动电话、便携媒体播放器(例如MP3播放器)、平板个人电脑(PC)、GPS导航器的监视器，但是有机发光显示器不限于此。有机发光装置还可应用于发光设备的灯。
上述为公开的主体的示例性实施方式的说明，而不应解释为它的限制。虽然已经说明了一些示例性实施方式，但是本领域普通技术人员容易理解在示例性实施方式中虚度修改是可能的，没有实质地背离本发明的实施方式的新的教导和益处。因此，全部这样的修改旨在包含在权利要求书中限定的本发明的范围内。因此，应理解上述是各种示例性实施方式的说明，并且本发明不应解释为限于这里公开的具体的示例性实施方式，公开的示例性实施方式的修改及其它示例性实施方式旨在包含在所附权利要求书及其等效形式的范围内。

Claims (17)

1.一种有机发光装置，包含：
第一电极；
在所述第一电极上的空穴注入层；
在所述空穴注入层上的空穴传输层；
在所述空穴传输层上的有机发光层；
在所述有机发光层上的第一电子传输层，其中，所述第一电子传输层包含用于改善所述有机发光装置的热稳定性的第一材料、用于改善所述有机发光装置的发光效率的第二材料和用于降低所述有机发光装置的驱动电压的第三材料；
在所述有机发光层上的第二电子传输层，其中，所述第二电子传输层与所述第一电子传输层层压；
在所述第二电子传输层上的电子注入层；和
在所述电子注入层上的第二电极，其中，所述第二电极面对所述第一电极。
2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一材料包含蒽衍生物。
3.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第二材料包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种。
4.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第三材料包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种。
5.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，基于所述第一电子传输层的总重，所述第一电子传输层包含20wt％至80wt％范围内的所述第一材料。
6.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一电子传输层具有至的厚度。
7.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第二电子传输层包含用于改善所述有机发光装置的发光效率的第四材料。
8.如权利要求7所述的有机发光装置，其中，所述第四材料包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种。
9.如权利要求7所述的有机发光装置，其中，所述第二电子传输层进一步包含用于降低所述有机发光装置的驱动电压的第五材料。
10.如权利要求9所述的有机发光装置，其中，所述第五材料包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种。
11.如权利要求10所述的有机发光装置，其中，所述第四材料与所述第二材料相同，并且所述第五材料与所述第三材料相同。
12.一种有机发光显示器，包含：
第一基板；
在所述第一基板上的开关器件；
电连接至所述开关器件的如权利要求1至11中任一项所述的有机发光装置；和
在所述有机发光装置上的第二基板。
13.一种制造如权利要求12所述的有机发光显示器的方法，所述方法包含：
在其上形成有开关器件的第一基板上提供第一电极；
在所述第一电极上提供空穴注入层；
在所述空穴注入层上提供空穴传输层；
在所述空穴传输层上提供有机发光层；
在所述有机发光层上提供第一电子传输层，其中，所述第一电子传输层包含用于改善热稳定性的第一材料、用于改善发光效率的第二材料和用于降低驱动电压的第三材料；
在所述有机发光层上提供第二电子传输层，其中，所述第二电子传输层与所述第一电子传输层层压；
在所述第二电子传输层上提供电子注入层；
在所述电子注入层上提供第二电极，其中，所述第二电极面对所述第一电极；并且
用第二基板封装所述开关器件和所述有机发光层。
14.如权利要求13所述的方法，其中，通过共沉积所述第一材料、所述第二材料和所述第三材料而形成所述第一电子传输层，并且
其中，所述第一材料包含蒽衍生物，所述第二材料包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种，并且所述第三材料包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种。
15.如权利要求13所述的方法，其中，所述提供所述第一电子传输层包含：
提供包含所述第一材料、所述第二材料和所述第三材料的第一混合物，其中，所述第一材料包含蒽衍生物，所述第二材料包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种，并且所述第三材料包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种；并且
在所述有机发光层上沉积包含所述第一混合物的第一混合物层。
16.如权利要求13所述的方法，其中，通过共沉积第四材料和第五材料而形成所述第二电子传输层，并且
其中，所述第四材料包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种，并且所述第五材料包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种。
17.如权利要求13所述的方法，其中，所述提供所述第二电子传输层包含：
提供包含第四材料和第五材料的第二混合物，其中，所述第四材料包含选自由吡嗪衍生物和三嗪衍生物组成的组中的至少一种，并且所述第五材料包含选自由碱金属和碱金属复合物组成的组中的至少一种；并且
在所述第一电子传输层上沉积包含所述第二混合物的第二混合物层。
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