CN104347686A - 一种高电流上升率的晶闸管芯片 - Google Patents
一种高电流上升率的晶闸管芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104347686A CN104347686A CN201310325198.6A CN201310325198A CN104347686A CN 104347686 A CN104347686 A CN 104347686A CN 201310325198 A CN201310325198 A CN 201310325198A CN 104347686 A CN104347686 A CN 104347686A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- region
- gate pole
- thyristor chip
- cathode emission
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 1
- 238000010073 coating (rubber) Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1012—Base regions of thyristors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42308—Gate electrodes for thyristors
Abstract
本发明公开了一种高电流上升率的晶闸管芯片,包括N型硅单晶片构成的长基区N,在长基区N的两侧设置有短基区P1、P2,在短基区P2上设置有阴极发射区、短路点和门极区;所述短基区P1上设置有背面金属层,阴极发射区和门极区上设置有正面金属层;所述的门极区设置在阴极发射区的中心位置,在门极区和阴极发射区间设置有隔离环;所述门极区包括用于焊接引线的焊接区以及与该焊接区相连的长条型延长区。本发明能增加门极触发阴极发射区的导通面积,在不增加门极触发功率的条件下达到提高晶闸管的电流上升率di/dt值,同时能够防止门极区周边的阴极区烧毁。可广泛应用于晶闸管芯片领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶闸管芯片,尤其涉及一种高电流上升率的晶闸管芯片。
背景技术
目前,电力电子产品作为自动化、节材、节能、机电一体化、智能化的基础,正朝着应用技术高频化、产品性能绿色化、硬件结构模块化的方向发展。现有的晶闸管芯片一般包括硅片部分,设置在硅片上方和下方的两个金属层,硅片的上方还设置有隔离区,在硅片上方金属层上的门极区和阴极区,门极区和阴极区之间通过隔离区隔离。现有的单向晶闸管芯片产品经常在工作中被烧毁,导致电路被损坏而不能正常工作,已经不能满足高端市场的需求。因为现有的晶闸管大都存在着门极触发阴极发射区的导通面积小,芯片dI/dt耐量值不高,过电流承受能力差的问题。而且在高的dI/dt环境下,会使得电流集中在门极附近很小的区域内,使该区域的电流密度过大引起局部剧烈发热,该种发热引起器件温度上升和停止工作后的温度下降多次循环所造成的热应力会引起硅材料的晶格损伤,导致器件的门极区周边的阴极区容易被烧毁。
发明内容
本发明的目的是提供一种高电流上升率的晶闸管芯片,能增加门极触发阴极发射区的导通面积,在不增加门极触发功率的条件下达到提高晶闸管的电流上升率di/dt值,同时能够防止门极区周边的阴极区烧毁。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种高电流上升率的晶闸管芯片,包括N型硅单晶片构成的长基区N,在长基区N的两侧设置有短基区P1、P2,在短基区P2上设置有阴极发射区、短路点和门极区;所述短基区P1上设置有背面金属层,阴极发射区和门极区上设置有正面金属层;所述的门极区设置在阴极发射区的中心位置,在门极区和阴极发射区间设置有隔离环;所述靠近门极区的第一排短路点与隔离环的最小距离为0.5~2mm,第一排短路点间的距离为0.5~3mm。所述门极区包括用于焊接引线的焊接区以及与该焊接区相连的长条型延长区。
优选的,所述门极区为蝌蚪型结构;蝌蚪型头部为焊接区,身尾部为延长区。
进一步的,在短基区P1、P2上还焊接有用于保护芯片和方便焊接的保护电极,保护电极上设置有比隔离环大的通孔。
优选的,所述隔离环为二氧化硅保护的隔离环。
进一步的,所述背面金属层和正面金属层为自里向外依次设置由钛、镍、银层结合而成的金属层。
本发明的有益效果:蝌蚪形门极区设置在晶闸管芯片的中心位置,所述蝌蚪形门极区头部用于焊接引线的焊接区、身尾为门极的延长区,在晶闸管芯片大小,形状相同的情况下,本门极结构与传统结构相比能够在不增加触发功率的情况下有效提升晶闸管电流上升率2倍左右;同时解决芯片初始导通阶段发热量集中在门极窄小的周边,芯片容易烧毁的问题。通过对阴极对应长条形门极的第一圈短路点个数的优化设计,在提高电流上升率的同时,使得芯片的触发电流保持与传统的芯片结构的触发电流不变,从而保证了外部线路的触发功率可以不需改变,避免配套产品的变更。门极区设置成蝌蚪形能有效增加门极触发面积,阴极区和阳极区上分别设置保护电极能够更好的保护芯片,且方便焊接。
下面结合附图和实施例,对本发明作进一步详细说明。
附图说明
图1为本发明的主视图。
图2为图1的A-A剖视图。
图3为本发明中保护电极的主视图。
具体实施方式
实施例,如图1至3所示,一种高电流上升率的晶闸管芯片,包括N型硅单晶片构成的长基区N,在长基区N的两侧设置有短基区P1、P2,在短基区P2上设置有阴极发射区1、短路点8和门极区2;所述短基区P1上设置有背面金属层3,阴极发射区1和门极区2上设置有正面金属层4;所述的门极区2设置在阴极发射区1的中心位置,在门极区2和阴极发射区1间设置有隔离环5;所述门极区2包括用于焊接引线的焊接区21以及与该焊接区相连的长条型延长区22。
所述门极区2为蝌蚪型结构;蝌蚪型头部为焊接区21,身尾部为延长区22。
所述靠近门极区2的第一排短路点8与隔离环5的最小距离为0.5~2mm,第一排短路点间的距离为0.5~3mm。
在短基区P1、P2上还焊接有用于保护芯片和方便焊接的保护电极6,保护电极6上设置有比隔离环5大的通孔7。
所述隔离环5为二氧化硅保护的隔离环。
所述背面金属层3和正面金属层4为自里向外依次设置由钛、镍、银层结合而成的金属层。
所述高电流上升率的晶闸管芯片的制造方法,以耐压1200V产品为例,包括步骤如下:
1、硅单晶片要求:片厚440um,电阻率65-70.
2、硅片清洗。
3、激光打标芯片造型。
4、硼铝涂层扩散:扩散温度1255℃,时间30h,结深要求:70-90um。
5、氧化:温度1050℃,时间7小时,干湿干交替氧化。二氧化硅厚度大于10000埃。
6、光刻N+阴极区窗口:匀胶、前烘、光刻、显影、定影、坚膜、腐蚀、去胶。用本发明的专用N+阴极区窗口光刻版。
7、N+阴极区扩散:
a、预扩磷:温度1050℃,时间60分钟。
b、主扩磷:温度1180℃,时间120分钟。结深要求:15-20um,方块电阻1.5-1.8.
8、光刻电压槽窗口:匀胶、前烘、光刻、显影、定影、坚膜、腐蚀二氧化硅、混合酸腐蚀电压槽。
9、电压槽表面钝化:
a.玻璃粉的配制:配制玻璃粉溶剂:乙基纤维素:丁基卡比醇(2.5-3.5:100ml),玻璃粉浆料配制:玻璃粉溶剂:GP370玻璃粉(1:2-3),搅拌直至完全均匀后使用。
b.刮涂和烧结,烧结温度800℃,时间:5分钟。
10、光刻开窗蒸金属:包括以下工序,匀胶、前烘、光刻、显影、定影、坚膜、湿法腐蚀二氧化硅、去胶。
11、双面蒸发金属:蒸发钛、镍、银。厚度要求:钛2000埃,镍5000埃,银10000埃左右。
12、金属分离:匀胶、前烘、光刻、显影、定影、坚膜、湿法腐蚀金属、去胶。
13、合金:520℃,30分钟氢、氮保护合金。
14、芯片检测及划片:对芯片的VDRM/VRRM/IDRM/IRRM/VGT/IGT/IH
等参数进行全检,划片采用激光划片机进行划切。划切速度:50mm/s.
15、芯片电极焊接:焊接温度:350℃.
16、台面二次保护:用406硅橡胶涂敷。
17、芯片终测:芯片参数进行全检。
18、芯片包装:用专用包装盒包装,入库。
Claims (5)
1.一种高电流上升率的晶闸管芯片,包括N型硅单晶片构成的长基区N,在长基区N的两侧设置有短基区P1、P2,在短基区P2上设置有阴极发射区(1)、短路点(8)和门极区(2);所述短基区P1上设置有背面金属层(3),阴极发射区(1)和门极区(2)上设置有正面金属层(4);其特征在于:所述的门极区(2)设置在阴极发射区(1)的中心位置,在门极区(2)和阴极发射区(1)间设置有隔离环(5);所述靠近门极区(2)的第一排短路点(8)与隔离环(5)的最小距离为0.5~2mm,第一排短路点间的距离为0.5~3mm。所述门极区(2)包括用于焊接引线的焊接区(21)以及与该焊接区相连的长条型延长区(22)。
2.根据权利要求1所述的高电流上升率的晶闸管芯片,其特征在于:所述门极区(2)为蝌蚪型结构;蝌蚪型头部为焊接区(21),尾部为延长区(22)。
3.根据权利要求1或2所述的高电流上升率的晶闸管芯片,其特征在于:在短基区P1、P2上还焊接有用于保护芯片和方便焊接的保护电极(6),保护电极(6)上设置有比隔离环(5)大的通孔(7)。
4.根据权利要求1所述的高电流上升率的晶闸管芯片,其特征在于:所述隔离环(5)为二氧化硅保护的隔离环。
5.根据权利要求1所述的高电流上升率的晶闸管芯片,其特征在于:所述背面金属层(3)和正面金属层(4)为自里向外依次设置由钛、镍、银层结合而成的金属层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310325198.6A CN104347686A (zh) | 2013-07-30 | 2013-07-30 | 一种高电流上升率的晶闸管芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310325198.6A CN104347686A (zh) | 2013-07-30 | 2013-07-30 | 一种高电流上升率的晶闸管芯片 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104347686A true CN104347686A (zh) | 2015-02-11 |
Family
ID=52502903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310325198.6A Pending CN104347686A (zh) | 2013-07-30 | 2013-07-30 | 一种高电流上升率的晶闸管芯片 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104347686A (zh) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN87208366U (zh) * | 1987-05-26 | 1988-08-03 | 清华大学 | 一种高频晶闸管 |
US20050082565A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-04-21 | Stmicroelectronics S.A. | Isolated HF-control SCR switch |
CN2757335Y (zh) * | 2004-11-30 | 2006-02-08 | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 | 晶闸管、专用于制造晶闸管的芯片 |
CN1767206A (zh) * | 2005-11-25 | 2006-05-03 | 清华大学 | 高频晶闸管 |
CN1783511A (zh) * | 2004-11-30 | 2006-06-07 | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 | 晶闸管、专用于制造晶闸管的芯片及其制造方法 |
CN101685831A (zh) * | 2009-07-23 | 2010-03-31 | 杭州汉安半导体有限公司 | 一种快速晶闸管 |
CN101897021A (zh) * | 2007-12-11 | 2010-11-24 | Abb研究有限公司 | 具有门极连接的半导体开关器件 |
CN201910424U (zh) * | 2010-11-29 | 2011-07-27 | 润奥电子(扬州)制造有限公司 | 逆变晶闸管芯片 |
CN202736911U (zh) * | 2012-06-26 | 2013-02-13 | 吉林华微电子股份有限公司 | 触发电流对称的双向晶闸管 |
CN102947939A (zh) * | 2010-06-21 | 2013-02-27 | Abb技术有限公司 | 具有局部发射极短路点的改进模式的相位控制晶闸管 |
CN203415581U (zh) * | 2013-07-30 | 2014-01-29 | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 | 一种高电流上升率的晶闸管芯片 |
-
2013
- 2013-07-30 CN CN201310325198.6A patent/CN104347686A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN87208366U (zh) * | 1987-05-26 | 1988-08-03 | 清华大学 | 一种高频晶闸管 |
US20050082565A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-04-21 | Stmicroelectronics S.A. | Isolated HF-control SCR switch |
CN2757335Y (zh) * | 2004-11-30 | 2006-02-08 | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 | 晶闸管、专用于制造晶闸管的芯片 |
CN1783511A (zh) * | 2004-11-30 | 2006-06-07 | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 | 晶闸管、专用于制造晶闸管的芯片及其制造方法 |
CN1767206A (zh) * | 2005-11-25 | 2006-05-03 | 清华大学 | 高频晶闸管 |
CN101897021A (zh) * | 2007-12-11 | 2010-11-24 | Abb研究有限公司 | 具有门极连接的半导体开关器件 |
CN101685831A (zh) * | 2009-07-23 | 2010-03-31 | 杭州汉安半导体有限公司 | 一种快速晶闸管 |
CN102947939A (zh) * | 2010-06-21 | 2013-02-27 | Abb技术有限公司 | 具有局部发射极短路点的改进模式的相位控制晶闸管 |
CN201910424U (zh) * | 2010-11-29 | 2011-07-27 | 润奥电子(扬州)制造有限公司 | 逆变晶闸管芯片 |
CN202736911U (zh) * | 2012-06-26 | 2013-02-13 | 吉林华微电子股份有限公司 | 触发电流对称的双向晶闸管 |
CN203415581U (zh) * | 2013-07-30 | 2014-01-29 | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 | 一种高电流上升率的晶闸管芯片 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7078213B2 (ja) | 太陽電池および太陽光発電モジュール | |
EP2609627B1 (en) | Back contacted photovoltaic cell with an improved shunt resistance. | |
BR112016022522A2 (pt) | Metalização à base de folha de células solares | |
JPWO2006120735A1 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
JP5220197B2 (ja) | 太陽電池セルおよびその製造方法 | |
JP6410951B2 (ja) | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 | |
CN110098254A (zh) | 利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片和制造方法 | |
CN203150557U (zh) | 一种汽车模组中反向gpp高压二极管芯片 | |
US20150056743A1 (en) | Manufacturing method of solar cell | |
CN116544298A (zh) | 太阳能电池以及制造太阳能电池的方法 | |
CN203415581U (zh) | 一种高电流上升率的晶闸管芯片 | |
CN102157607B (zh) | 一种具有旁路二极管的晶体硅太阳电池组件的制备方法 | |
CN103325885A (zh) | 一种p型背钝化太阳能电池及其制作方法 | |
CN104347686A (zh) | 一种高电流上升率的晶闸管芯片 | |
JP2010080578A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
KR20180090510A (ko) | 태양 전지 | |
CN105917473B (zh) | 用于通过电绝缘的绝缘沟槽在薄层太阳能模块中制造子太阳能模块的方法以及用于制造具有这种类型的绝缘沟槽的薄层太阳能模块的方法 | |
CN104485282B (zh) | 一种放电管芯片的制造方法 | |
CN215527741U (zh) | 免切割正负电极串焊的太阳能电池和电池组件 | |
CN209216991U (zh) | 一种基于钝化接触的浮动结背面钝化晶硅电池 | |
CN209675291U (zh) | 利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片 | |
CN103612010A (zh) | 太阳能电池激光开孔波形 | |
JP2010192858A (ja) | 太陽電池セルおよびその製造方法 | |
CN203659874U (zh) | 一种切割槽形成的可控硅穿通结构 | |
JP2013105850A (ja) | 太陽電池セルの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150211 |