CN104299896A - 一种多步推进扩散工艺 - Google Patents
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种多步推进扩散工艺,属于太阳能电池制造领域。该工艺采用了多步不同的杂质推进方式,通过改善杂质浓度分布解决了掺杂浓度和结深对短路电流密度和开路电压对立问题,提高了太阳能电池效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域,主要用来改善P型156多晶电池片经三氯氧磷扩散后磷杂货浓度分布情况。
背景技术
提高太阳能电池的光电转换效率和降低成本一直是光伏科学研究的主要方向。而要提高光电转换效率,就必须同时获得较高的短路电流密度、开路电压和填充因子。太阳能电池理论计算结果表明,对于常规生产用太阳能电池材料而言,要想获得较高的短路电流密度,则需要得到轻表面参杂浓度和较浅的结深;而要获得较高的开路电压,则需要得到较高的表面参杂浓度。较高的表面浓度能够制备较好的欧姆接触,也能够减小太阳能电池的串联电阻,而提高填充因子。然而,掺杂浓度和结深对短路电流密度和开路电压的影响是对立的,只能取一个折中的掺杂浓度。
发明内容
为了解决掺杂浓度和结深对短路电流密度和开路电压对立的影响问题,本工艺在传统一步推进的扩散工艺基础上,改采用多步不同推进方式改善太阳能电池表面杂质浓度及结深,获得更优的短路电流密度和开路电压,多晶156太阳能电池的效率提高到17.4%。
本发明通过以下技术方案实现:
1.一种多步推进扩散工艺,采用了不同的扩散杂质推进方式获得更优的短路电流密度和开路电压,提高了太阳能电池的效率
本发明具有如下显著优点:
1.高低温扩散杂质推进结合
2.有氧无氧扩散杂质推进结合。
附图说明
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步介绍,但不作为对本发明专利的限定。
图1是多步推进扩散工艺流程
图2是多步推进扩散工艺实例
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的介绍,但是不作为对本发明的限定。
如附图所示,编辑多步推进扩散工艺:放舟→升温→氧化→扩散→高温有氧推进→降温无氧推进→扩散→低温有氧推进→低温无氧推进→降温→取舟。
本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言,在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动,都构成对本发明专利的侵犯,将承担相应的法律责任。
Claims (3)
1.一种多步推进扩散工艺。其特征在于:采用了多步不同的推进方式,通过改善杂质浓度分布解决了掺杂浓度和结深对短路电流密度和开路电压对立问题,提高了太阳能电池效率。
2.如权利要求1所述的该工艺的推进,其特征在于,高低温分步推进。
3.如权利要求2所述的该工艺的推进,其特征在于,有氧无氧分步推进。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310305904.0A CN104299896A (zh) | 2013-07-18 | 2013-07-18 | 一种多步推进扩散工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310305904.0A CN104299896A (zh) | 2013-07-18 | 2013-07-18 | 一种多步推进扩散工艺 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104299896A true CN104299896A (zh) | 2015-01-21 |
Family
ID=52319572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310305904.0A Pending CN104299896A (zh) | 2013-07-18 | 2013-07-18 | 一种多步推进扩散工艺 |
Country Status (1)
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---|---|
CN (1) | CN104299896A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105070654A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-11-18 | 上饶光电高科技有限公司 | 一种提高晶体硅太阳能电池效率的扩散工艺 |
CN109037044A (zh) * | 2018-08-08 | 2018-12-18 | 通威太阳能(安徽)有限公司 | 一种链式扩散工艺 |
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2013
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CN105070654B (zh) * | 2015-07-10 | 2018-02-13 | 上饶光电高科技有限公司 | 一种提高晶体硅太阳能电池效率的扩散工艺 |
CN109037044A (zh) * | 2018-08-08 | 2018-12-18 | 通威太阳能(安徽)有限公司 | 一种链式扩散工艺 |
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C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150121 |