CN104289981A - 逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法 - Google Patents

逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104289981A
CN104289981A CN201410527639.5A CN201410527639A CN104289981A CN 104289981 A CN104289981 A CN 104289981A CN 201410527639 A CN201410527639 A CN 201410527639A CN 104289981 A CN104289981 A CN 104289981A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing
quartz plate
polishing disk
rotating speed
progressively
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410527639.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104289981B (zh
Inventor
花宁
李怀阳
孔敏
王友军
林姣
隋镁深
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CNBM QUZHOU JINGELAN QUARTZ Co Ltd
Original Assignee
CNBM QUZHOU JINGELAN QUARTZ Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CNBM QUZHOU JINGELAN QUARTZ Co Ltd filed Critical CNBM QUZHOU JINGELAN QUARTZ Co Ltd
Priority to CN201410527639.5A priority Critical patent/CN104289981B/zh
Publication of CN104289981A publication Critical patent/CN104289981A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104289981B publication Critical patent/CN104289981B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法,采用逐步加压法,首先通过在轻压下、慢速抛光一段时间以降低试片之间厚度差,之后逐步增加抛光盘上盘压力、提高抛光盘转速以提高抛光速度。能防止了因厚度偏差引起的崩边和破碎,加工效率高、成品率高。

Description

逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法
技术领域
本发明涉及一种抛光石英玻璃技术,尤其涉及一种逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法。
背景技术
石英玻璃是光学、光电子、半导体、光纤和光伏等高新技术领域以及国家重大工程必不可少的关键材料,是现代科技发展的重要基础材料。石英玻璃广泛应用于紫外、可见光区域的光学元件(透镜、棱镜、反射镜及光学平板);半导体(集成电路基板、光掩模基板);激光(分束器、医学、紫外激光)等诸多高新技术领域。随着上述行业的飞速发展,石英玻璃的需求量逐年增加,提高石英玻璃精密加工的生产效率和成品率的需求越来越迫切。
石英玻璃属于典型的脆硬材料,光学冷加工难度大,加工效率低,现有技术中的双面抛光方法分为两种:第一,采取减压方式抛光,提高成品率;第二,采取加压的方式抛光,提高抛光效率。
上述现有技术至少存在以下缺点:
采用减压方式抛光,由于压力较小,抛光速度慢,加工效率低;采用加压的方式抛光,由于不同石英片之间存在厚度偏差,抛光过程中很容易造成石英片的崩边、破碎。
发明内容
本发明的目的是提供一种加工效率高、成品率高的逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
本发明的逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法,包括步骤:
采用逐步加压法,首先通过在轻压下、慢速抛光一段时间以降低试片之间厚度差,之后逐步增加抛光盘上盘压力、提高抛光盘转速以提高抛光速度。
由上述本发明提供的技术方案可以看出,本发明实施例提供的逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法,由于首先采用减压、慢速抛光使石英片之间的厚度偏差减小,防止了因厚度偏差引起的崩边和破碎,随着石英片之间厚度偏差减少,逐步增加压力,提高转速,使抛光速度加快,提高了加工效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的状态示意图;
图2为本发明实施例中PLC控制面板的布置示意图。
图中:
1、抛光盘上盘,2、抛光盘下盘,3、石英玻璃晶圆,4、游星轮,5、加压压力表,6、加压调节旋钮,7、减压压力表,8、减压调节旋钮,9、可编程逻辑控制器(PLC),10、抛光盘下盘速度表,11、抛光盘上盘速度表,12、速度调节旋钮。
具体实施方式
下面将对本发明实施例作进一步地详细描述。
本发明的逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法,其较佳的具体实施方式是:
包括步骤:
采用逐步加压法,首先通过在轻压下、慢速抛光一段时间以降低试片之间厚度差,之后逐步增加抛光盘上盘压力、提高抛光盘转速以提高抛光速度。
包括步骤:
首先,测量待抛光石英片厚度h,挑选出厚度差△h小于0.10mm石英片,将石英片在抛光盘上盘减压下,抛光盘转速1-20rpm抛光,时间为1-500圈,直至75%的石英片的厚度差△h小于0.03mm;
然后,采用抛光盘上盘自重方式,抛光盘转速提高10-25rpm,抛光时间1-500圈,直至75%的石英片的厚度差△h小于0.01mm;
最后,采用抛光盘上盘加压的方式,抛光盘转速提高至15-35rpm,抛光至合适尺寸。抛光速度为0.01-0.10mm/h。
所述抛光盘上盘压力自0bar至3bar逐步加压。
本发明的逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法,结合产品规格尺寸、压力、转速和抛光时间形成了一套加工效率高,成品率高的抛光工艺。
具体实施例:
如图1、图2所示,在符合安全抛光条件的基础上采用逐步加压法通过在轻压下、慢速抛光一段时间以降低试片之间厚度差,之后逐步增加上盘压力、提高抛光盘转速以提高抛光速度。
计算安全抛光条件,影响抛光成品率的因素包括:石英片尺寸和形状,总面积S、石英片厚度h、厚度差△h。
利用计算得到的安全抛光条件,设置抛光参数,采用相应的抛光流程。
首先,测量待抛光石英片厚度h,挑选出厚度差△h小于0.10mm石英片,将石英片在减压(0-3bar)下,抛光盘转速1-20rpm抛光,时间为1-500圈,直至75%的石英片的厚度差△h小于0.03mm;然后采用自重方式,抛光盘转速提高10-25rpm,抛光时间1-500圈,直至75%的石英片的厚度差△h小于0.01mm;最后采用加压(0-3bar)的方式,抛光盘转速提高至15-35rpm,抛光至合适尺寸。抛光速度为0.01-0.10mm/h。
本技术的优点:
首先采用减压、慢速抛光使石英片之间的厚度偏差减小,防止了因厚度偏差引起的崩边和破碎。
随着石英片之间厚度偏差减少,逐步增加压力,提高转速,使抛光速度加快,提高了加工效率。
以抛光Φ100×1mm石英玻璃晶圆片为例:
传统的加工流程及缺陷:
1.针对某一新型规格(数量)的石英片抛光时经常使用超高的压力(速度),从而导致试片破损。
2.传统加工流程往往使用单一压力进行抛光,在抛光初期可能导致单一试片因承受应力过大而损坏,在抛光后期则可能因没有充分加压而使抛光效率低。
本发明加工流程:
首先,测量待抛光石英片的厚度,以最薄的石英片的厚度为基准,将石英片按厚度差分为三类:△h<0.03mm、0.03<△h<0.10mm、△h>0.10mm,其中△h>0.10mm石英片重新研磨。然后,确定单次抛光的石英片的数量,其中单次抛光最多数量为20片,总面积 S = 20 &times; &pi; D 2 4 = 20 &times; &pi; ( 100 mm ) 2 4 &ap; 157000 mm 2 . 最后,计算安全抛光条件,采用相应的工艺流程。
总面积S=157000mm2,厚度差△h<0.03mm石英片的安全抛光条件为:自重、抛光盘转速20rpm,即初始抛光时采用自重方式、抛光盘转速20rpm条件下,待抛光的石英片不会崩边或者破碎。
相应的工艺流程如下:
1、当石英片总面积S=157000mm2,厚度差△h<0.03mm,直接采用自重方式,抛光盘转速10-25rpm,抛光时间1-500圈,直至75%的石英片的厚度差△h小于0.01mm;最后采用加压(0-3bar)的方式,抛光盘转速提高至15-35rpm,抛光至合适尺寸。
2、当石英片总面积S=157000mm2,0.03<△h<0.10mm,将石英片在减压(0-3bar)下,抛光盘转速1-20rpm抛光,时间为1-500圈,直至75%的石英片的厚度差△h小于0.03mm;然后采用自重方式,抛光盘转速提高10-25rpm,抛光时间1-500圈,直至75%的石英片的厚度差△h小于0.01mm;最后采用加压(0-3bar)的方式,抛光盘转速提高至15-35rpm,抛光至合适尺寸。
3、当石英片总面积S<157000mm2,厚度差△h<0.03mm,采取保守的安全抛光条件。采用自重方式,抛光盘转速提高10-20rpm,抛光时间1-500圈,直至75%的石英片的厚度差△h小于0.01mm;最后采用加压(0-2bar)的方式,抛光盘转速提高至15-30rpm,抛光至合适尺寸。
4、当石英片总面积S<157000mm2,0.03<△h<0.10mm,将石英片在减压(0-3bar)下,抛光盘转速1-15rpm抛光,时间为1-500圈,直至75%的石英片的厚度差△h小于0.03mm;然后采用自重方式,抛光盘转速提高10-20rpm,抛光时间1-500圈,直至75%的石英片的厚度差△h小于0.01mm;最后采用加压(0-2bar)的方式,抛光盘转速提高至15-30rpm,抛光至合适尺寸
利用本工艺方法抛光,不但可以提高成品率,而且加快了抛光速度,提高了生产效率。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (3)

1.一种逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法,其特征在于,包括步骤:
采用逐步加压法,首先通过在轻压下、慢速抛光一段时间以降低试片之间厚度差,之后逐步增加抛光盘上盘压力、提高抛光盘转速以提高抛光速度。
2.根据权利要求1所述的逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法,其特征在于,包括步骤:
首先,测量待抛光石英片厚度h,挑选出厚度差△h小于0.10mm石英片,将石英片在抛光盘上盘减压下,抛光盘转速1-20rpm抛光,时间为1-500圈,直至75%的石英片的厚度差△h小于0.03mm;
然后,采用抛光盘上盘自重方式,抛光盘转速提高10-25rpm,抛光时间1-500圈,直至75%的石英片的厚度差△h小于0.01mm;
最后,采用抛光盘上盘加压的方式,抛光盘转速提高至15-35rpm,抛光至合适尺寸。抛光速度为0.01-0.10mm/h。
3.根据权利要求2所述的逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法,其特征在于,所述抛光盘上盘压力自0bar至3bar逐步加压。
CN201410527639.5A 2014-10-09 2014-10-09 逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法 Active CN104289981B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410527639.5A CN104289981B (zh) 2014-10-09 2014-10-09 逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410527639.5A CN104289981B (zh) 2014-10-09 2014-10-09 逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104289981A true CN104289981A (zh) 2015-01-21
CN104289981B CN104289981B (zh) 2019-01-25

Family

ID=52310052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410527639.5A Active CN104289981B (zh) 2014-10-09 2014-10-09 逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104289981B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105710740A (zh) * 2016-04-21 2016-06-29 中国建筑材料科学研究总院 玻璃输入窗元件的抛光方法及卡具
CN106584214A (zh) * 2016-11-09 2017-04-26 石长海 一种大尺寸晶片单面抛光的方法
CN108115474A (zh) * 2017-12-20 2018-06-05 中建材衢州金格兰石英有限公司 一种石英玻璃的外圆磨床及其外磨方法
WO2021093544A1 (zh) * 2019-11-12 2021-05-20 Oppo广东移动通信有限公司 蓝玻璃及制备方法、摄像模组和电子设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1460043A (zh) * 2000-08-16 2003-12-03 Memc电子材料有限公司 用新型精抛光方法加工半导体晶片的方法及其设备
CN1740106A (zh) * 2004-08-27 2006-03-01 上海申菲激光光学系统有限公司 高精度超薄基片的制备方法
JP2011210286A (ja) * 2010-02-26 2011-10-20 Asahi Glass Co Ltd 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
CN102528645A (zh) * 2012-02-15 2012-07-04 蔡桂芳 大尺寸超薄石英玻璃片双面抛光加工方法
CN102554781A (zh) * 2010-12-29 2012-07-11 中国电子科技集团公司第四十五研究所 化学机械抛光头抛光压力控制方法及其装置
CN103240666A (zh) * 2013-05-15 2013-08-14 中锗科技有限公司 一种太阳能电池锗衬底片的研磨方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1460043A (zh) * 2000-08-16 2003-12-03 Memc电子材料有限公司 用新型精抛光方法加工半导体晶片的方法及其设备
CN1740106A (zh) * 2004-08-27 2006-03-01 上海申菲激光光学系统有限公司 高精度超薄基片的制备方法
JP2011210286A (ja) * 2010-02-26 2011-10-20 Asahi Glass Co Ltd 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
CN102554781A (zh) * 2010-12-29 2012-07-11 中国电子科技集团公司第四十五研究所 化学机械抛光头抛光压力控制方法及其装置
CN102528645A (zh) * 2012-02-15 2012-07-04 蔡桂芳 大尺寸超薄石英玻璃片双面抛光加工方法
CN103240666A (zh) * 2013-05-15 2013-08-14 中锗科技有限公司 一种太阳能电池锗衬底片的研磨方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张洋等: "微通道板双面抛光过程材料去除特性研究", 《红外技术》, vol. 36, no. 4, 20 April 2014 (2014-04-20) *
张璟等: "MS-6BC型精密双面抛光机的研制", 《新技术新工艺》 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105710740A (zh) * 2016-04-21 2016-06-29 中国建筑材料科学研究总院 玻璃输入窗元件的抛光方法及卡具
CN105710740B (zh) * 2016-04-21 2018-04-24 中国建筑材料科学研究总院 玻璃输入窗元件的抛光方法及卡具
CN106584214A (zh) * 2016-11-09 2017-04-26 石长海 一种大尺寸晶片单面抛光的方法
CN108115474A (zh) * 2017-12-20 2018-06-05 中建材衢州金格兰石英有限公司 一种石英玻璃的外圆磨床及其外磨方法
WO2021093544A1 (zh) * 2019-11-12 2021-05-20 Oppo广东移动通信有限公司 蓝玻璃及制备方法、摄像模组和电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN104289981B (zh) 2019-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104289981A (zh) 逐步加压安全抛光石英玻璃晶圆的方法
CN104440497A (zh) 一种用于手机面板弧面的抛光装置及抛光方法
CN103659520B (zh) 离轴薄壁非球面光学零件的超精密加工装置及其加工方法
CN103847032B (zh) 一种大直径超薄石英晶片的生产工艺
CN101144879A (zh) 光学元件加工方法
CN106584214A (zh) 一种大尺寸晶片单面抛光的方法
CN108081036A (zh) 一种高精度超薄超平整度光学镜片表面制备工艺
CN104015123A (zh) 一种蓝宝石面板的双面抛光工艺
CN103702798A (zh) 研磨头、研磨装置及工件的研磨方法
CN107335867A (zh) 对齿轮的齿部或工件的齿轮状轮廓进行硬精机加工的方法
JP2007123687A (ja) 半導体ウェーハ裏面の研削方法及び半導体ウェーハ研削装置
CN102172859B (zh) 基于固结磨料的超薄平面玻璃的加工方法
CN203696673U (zh) 离轴薄壁非球面光学零件的超精密加工装置
CN103978418B (zh) 一种针对带保护层的硫系玻璃光纤的抛光方法
CN112250313A (zh) 强化层压玻璃制品边缘的方法及由此形成的层压玻璃制品
CN101966675B (zh) 一种用于高精度超薄边厚透镜的生产方法
CN104347357B (zh) 减薄替代抛光及后序清洗的衬底加工方法
CN106141851B (zh) 一种圆形柱面镜的加工方法
CN104090469B (zh) 一种用于非对称结构长条玻璃镜精密加工的粘接定位方法
CN105108608B (zh) 硬脆材料超光滑表面自适应加工方法
CN102778767B (zh) 一种液晶面板修复方法
CN203973361U (zh) 一种用散粒制作总型粒子的加工装置
CN102950316A (zh) 一种叶型稳定性好的大型汽轮机次末级叶片加工方法
CN105127880B (zh) 一种主动控制工件材料去除机理转变的超精密抛光方法
WO2006075609A1 (ja) 溝付きガラス基板およびマイクロ化学チップならびにこれらの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant