CN104270875B - 一种led驱动的控制装置和控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种LED驱动的控制装置，采用带反馈的电流镜作为内置电流漏，采用峰值电流控制模式的boost升压电路结构，用于驱动串联LED，提高了电能向光能转换的转换效率。本发明还提供一种LED驱动的控制方法，电压与电流镜镜像比例结合调节LED电流的调节方式，可以使LED电流的调节范围明显增大。

Description

一种LED驱动的控制装置和控制方法

技术领域

本发明涉及LED控制技术，尤其涉及一种LED驱动的控制装置和控制方法。

背景技术

目前的LED电流调节主要有两种方式：1.用PWM信号开关LED电流的调节方式，LED上的平均电流等于LED导通电流乘以PWM信号的占空比。然而，当PWM(脉冲宽度调制)信号处于音频范围内时，开关LED电流的调节方式会引起音频噪声的问题，限制了其应用。2.用PWM信号或单线数字信号转换成连续调节电压进而连续调节LED电流的调节方式，然而，此调节方式则会因为运放失调电压的存在而使LED电流的调节范围受到限制。又由于现有技术中采用内置电流漏的多通道串联LED驱动器其电流漏上的电压不能特别低，从而会引起较大功耗，使得从电能到光能的转换效率降低，因此，有必要研发一种既能降低功耗，提高电能至光能的转换效率，又能增大LED电流的调节范围的LED驱动的控制方法。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足，提供一种LED驱动的控制装置，采用带反馈的电流镜作为内置电流漏，采用峰值电流控制模式的boost拓扑结构，用于驱动串联LED，提高了电能向光能转换的转换效率。本发明还提供一种LED驱动的控制方法，电压与电流镜镜像比例结合调节LED电流的调节方式，可以使LED电流的调节范围明显增大。

本发明的技术方案是：

一种LED驱动的控制装置，其特征在于，所述控制装置包含内置电流漏，所述内置电流漏包含带反馈的电流镜，所述内置电流漏的数量与串联LED的通道数量相匹配；所述控制装置还包含用于驱动串联LED的升压电路结构，所述升压电路结构的输入端一端连接所述内置电流漏中的调光模块的输入端，另一端连接加载在所述控制装置上的电压的输入端；所述升压电路结构的开关端通过电感与所述升压电路结构的输入端相连接；所述升压电路结构的反馈端与所述内置电流漏的输出端相连接；所述升压电路结构的输出端连接串联LED的阳极，所述串联LED的阴极连接所述内置电流漏的输出端；加载在所述控制装置上的电压，经所述升压电路结构升压后，所述电流漏驱动串联LED发光，电流通过串联LED分别流入串联LED所对应的电流漏中，所述升压电路结构内部含有最小值选择电路，选出电流漏中电压较低的一路作为整个升压电路结构的反馈电压，通过调节反馈点的电压等于基准电压V1，所述升压电路结构的输出电压会自动调节到预先设定的电压，使得LED串能正常发光。

所述内置电流漏包含调光模块和电流镜镜像比例调节电路，还包含第一运算放大器OP1和P沟道MOS管M3、M4、M5、M6和M7，以及N沟道MOS管M0和电阻Rs；所述调光模块一端接入Vref参考电压，所述Vref参考电压来源于所述控制装置内部的基准电压产生电路产生的电压；所述调光模块另一端与第一运算放大器OP1的正输入端连接，所述第一运算放大器OP1的输出端连接N沟道MOS管M0的栅极，N沟道MOS管M0的源极经电阻Rs接地GND，第一运算放大器OP1的负输入端连接N沟道MOS管M0的源极；电流镜镜像比例调节电路分别连接P沟道MOS管M3、M4、M5的栅极，P沟道MOS管M3、M4、M5和M6的漏极皆与M6的栅极相连接，P沟道MOS管M6的栅极与M7的栅极互连，P沟道MOS管M6的漏极连接N沟道MOS管M0的漏极；P沟道MOS管M3、M4、M5、M6、M7的源极均连接电源端VCC；

所述内置电流漏中还包含第二运算放大器OP2、N沟道MOS管M1和M2，所述第二运算放大器OP2的正输入端连接P沟道MOS管M7的漏极，N沟道MOS管M1的漏极与P沟道MOS管M7的漏极互连，第二运算放大器OP2的负输入端分别连接LED串的阴极和N沟道MOS管M2的漏极，第二运算放大器OP2的输出端连接N沟道MOS管M1的栅极，N沟道MOS管M1的栅极和M2的栅极互连，M1和M2的源极接地。

所述控制装置包含两个结构相同的电流漏，每个电流漏连接一组串联LED，所述控制装置驱动双通道串联LED。

所述控制装置包含1个或多个结构相同的电流漏，每个电流漏连接一组串联LED，所述控制装置驱动单通道或多通道串联LED。

所述电流镜镜像比例调节电路控制P沟道MOS管M3、M4、M5开启和关断。

所述升压电路结构采用峰值电流控制模式的boost升压电路结构。

加载在所述控制装置上的电压的输入输出端与接地端之间还分别设置有电容。

加载在所述控制装置上的电压的输入端与升压电路结构开关端之间还设有与所述升压电路结构并联连接的电感，该电感用于储存能量和释放能量，与电容和所述升压电路结构配合，使得升压。

一种LED驱动的控制方法，其特征在于，该方法采用电压与电流镜镜像比例结合调节LED电流的调节方式，使得LED电流的调节范围明显增大，具体步骤如下：

步骤一，采用可驱动串联LED的升压电路结构，采用包含反馈的电流镜作为内置电流漏，所述内置电流漏还包含调光模块；

步骤二，所述升压电路结构的输入端一端连接所述内置电流漏中的调光模块的输入端，另一端连接加载在升压电路结构上的电压的输入端；

步骤三，所述升压电路结构的开关端通过电感与所述升压电路结构的输入端相连接；

步骤四，所述升压电路结构的反馈端与所述内置电流漏的输出端相连接；

步骤五，所述升压电路结构的输出端连接串联LED的阳极，所述串联LED的阴极连接所述内置电流漏的输出端；

步骤六，加载在所述升压电路结构上的电压，经所述升压电路结构升压后，所述电流漏驱动串联LED发光，电流通过串联LED分别流入串联LED所对应的电流漏中，所述升压电路结构内部的最小值选择电路选出电流漏中电压较低的一路作为整个升压电路结构的反馈电压，通过调节反馈点的电压等于基准电压V1，所述升压电路结构的输出电压会自动调节到预先设定的电压，使得LED串能正常发光。

所述内置电流漏的数量与串联LED的通道数量相匹配。

所述内置电流漏包含调光模块和电流镜镜像比例调节电路，还包含第一运算放大器OP1和P沟道MOS管M3、M4、M5、M6和M7，以及N沟道MOS管M0和电阻Rs；所述调光模块一端接入参考电压，另一端与第一运算放大器OP1的正输入端连接，所述第一运算放大器OP1的输出端连接N沟道MOS管M0的栅极，N沟道MOS管M0的源极经电阻Rs接地GND，第一运算放大器OP1的负输入端连接N沟道MOS管M0的源极；电流镜分别连接P沟道MOS管M3、M4、M5的栅极，P沟道MOS管M3、M4、M5和M6的漏极皆与M6的栅极相连接，P沟道MOS管M6的栅极与M7的栅极互连，P沟道MOS管M6的漏极连接N沟道MOS管M0的漏极；P沟道MOS管M3、M4、M5、M6、M7的源极均连接电源端VCC；

所述内置电流漏中还包含第二运算放大器OP2、N沟道MOS管M1和M2，所述第二运算放大器OP2的正输入端连接P沟道MOS管M7的漏极，N沟道MOS管M1的漏极与P沟道MOS管M7的漏极互连，第二运算放大器OP2的负输入端分别连接LED串的阴极和N沟道MOS管M2的漏极，第二运算放大器OP2的输出端连接N沟道MOS管M1的栅极，N沟道MOS管M1的栅极和M2的栅极互连，M1和M2的源极接地。

本发明的技术效果：

相比于图1所示的现有技术，本发明存在如下优点：

1.本发明电流漏端电压VCH＝Vds(N沟道MOS管M2上的电压)，由于VCH不受设置电流的电压VIset1的影响，只由M2的Vds决定，相比于现有技术少了VRs部分，所以VCH电压可以做到更低。由于M2上消耗的功耗P＝VCH×ILED，所以引起的功耗较小，提高了电能至光能的转换效率。

2.现有技术是通过调节基准电压Vref_dim来调节LED电流的，当LED电流较小时，Vref_dim就需调节到比较小，来使VIset0变小。OP1的运放失调电压会对VIset0的精度产生一定的影响。本发明采用同时调节Vref_dim和电流镜镜像比例的方式来调节LED的电流，与现有技术相比，可以通过减小电流镜镜像比例来减小LED电流，当LED电流调节到相同值时，本方案中VIset1比现有技术中的VIset0大很多，因此受OP1的失调电压的影响很小。相应地，本方案中VIset1调节到与现有技术中VIset0相等时，LED电流值可以达到更小，从而可以实现LED电流的调节范围更大。

3.本发明公开的这种采用带反馈的电流镜镜像比例调节电路作为内置电流漏的方法和调节电流的方法也适用于其他需要电流漏的地方，使用方便，高效节能，本发明中只是以用于LED驱动为例进行解释。

附图说明

图1是现有技术内置电流漏的LED驱动器结构示意图。

图2是采用带反馈的电流镜作为内置电流漏的结构示意图。

图3是本发明电压与电流镜像比例结合调节LED电流的结构示意图。图3的曲线包围部分是选用现有技术中的boost升压结构电路，与电容和电感共同配合工作，实现升压作用。boost升压结构电路还负责保障反馈点的电压等于基准电压V1。

具体实施方式

以下结合附图对本发明作进一步说明。

图1是现有技术内置电流漏的LED驱动器结构示意图。如图1所示，现有技术中，电流漏端电压VCH＝VRs+Vds(N沟道MOS管M0)，即电流漏端电压＝电阻Rs上的电压+N沟道MOS管M0上的电压。通常为了减小第一运算放大器OP1的运放失调电压VOS的影响，VIset0不会做的太低，所以电流漏端电压VCH也不可能做到很低。由于N沟道MOS管M0和电阻Rs上消耗的功耗P＝VCH×ILED，所以会引起较大功耗，使电能到LED光能的转换效率降低。图1中Rs为检测电阻，VOS为第一运算放大器OP1的失调电压，VIset0是设置电流的电压。现有技术是通过调节基准电压Vref_dim来调节LED电流的，当LED电流较小时，Vref_dim就需调节到比较小，来使VIset0(设置电流的电压)变小。OP1的失调电压会对VIset0的精度产生一定的影响。本发明中，Vref表示调光模块输入的参考电压；Vref_dim代表调光模块输出的基准电压。采用boost电源拓扑结构，输入电压经过升压后直接驱动LED灯。

图2是本发明带反馈的电流镜作为内置电流漏的结构示意图。本发明采用带反馈的电流镜作为内置电流漏(电流漏连接LED串的阴极，使得LED串内部产生电流)。如图2所示，电流漏端电压VCH＝Vds(M2)，由于VCH不受VIset1的影响，只由N沟道MOS管M2的Vds决定，相比于现有技术少了电阻Rs上的电压VRs部分，所以VCH电压相比图1中的电流漏端电压可以做到更低。由于N沟道MOS管M2上消耗的功耗P＝VCH×ILED，所以引起的功耗较小，提高了电能到LED光能的转换效率。如图2所示，内置电流漏与LED串的阴极连接。本发明的内置电流漏(此处命名CH1)包含调光模块和电流镜像比例调节电路，还包含第一运算放大器OP1和P沟道MOS管M3、M4、M5、M6、M7，以及N沟道MOS管M0和电阻Rs。调光模块一端接入基准电压Vref，另一端与第一运算放大器OP1的正输入端连接，第一运算放大器OP1的输出端连接N沟道MOS管M0的栅极，N沟道MOS管M0的源极经电阻Rs接地GND，第一运算放大器OP1的负输入端接入电阻Rs与N沟道MOS管M0的源极之间的连线。电流镜像比例调节电路分别连接P沟道MOS管M3、M4、M5的栅极，P沟道MOS管M3、M4、M5和M6的漏极皆与M6和M7的栅极相连接，P沟道MOS管M6的漏极连接N沟道MOS管M0的漏极；P沟道MOS管M3、M4、M5、M6、M7的源极连接电源端VCC。

如图2所示，内置电流漏CH1中还包含放大器OP2和N沟道MOS管M1、M2，其中，第二运算放大器OP2的正输入端连接P沟道MOS管M7和N沟道MOS管M1的漏极，第二运算放大器OP2的负输入端分别连接LED串的阴极和N沟道MOS管M2的漏极，第二运算放大器OP2的输出端连接N沟道MOS管M1和M2的栅极，M1和M2的源极接地。其中电流镜镜像比例的调节由图2中电流镜镜像比例调节电路和M3、M4、M5实现。W/L(M3)＝4*W/L(M6),W/L(M4)＝2*W/L(M6),W/L(M5)＝W/L(M6)。W/L(M3)，W/L(M4)，W/L(M5)与W/L(M6)也可以是其他比例关系。此处是以这种关系为例来说明，但并不限于所列举的比例关系。

电流镜镜像比例调节电路控制M3～M5开启和关断。M3～M5的开启和关断与调节后的电流镜镜像比例存在一定的关系，参见表2。

图3是本发明电压与电流镜像比例结合调节LED电流的结构示意图。

本技术采用同时调节调光模块输出的基准电压Vref_dim和电流镜镜像比例的方式来调节LED的电流。与图1相比，可以通过减小电流镜镜像比例来减小LED电流，当LED电流调节到相同值时，本方案中设置电流的电压VIset1比图1中的VIset0大很多，因此受OP1的失调电压的影响很小。相应地，本方案中VIset1调节到与图1中VIset0相等时，LED电流值可以达到更小，从而可以使LED电流的调节范围更大。如图3所示，本发明采用峰值电流控制模式的boost拓扑结构，用于驱动串联LED(本发明只是以双通道为例进行说明，此结构也可以用于驱动单通道或多通道串联LED)。电压从VIN端输入，经boost拓扑结构升压，电流通过两组LED串分别流入每组LED串所对应的电流漏CH1和CH2中，电压输入输出端(即图3中VIN与VOUT)与接地端之间还分别设置有电容，起到稳压作用。boost拓扑结构的输入端分别与电流漏中的调光模块的输入端和输入端电压VIN端相连接，boost拓扑结构的开关端通过电感与所述升压电路结构的输入端相连接；boost拓扑结构的反馈端与所述内置电流漏的输出端相连接；boost拓扑结构的输出端连接LED串的阳极。

LED串的阳极接boost转换器的输出端，LED串的阴极分别接电流漏端CH1和CH2。流过CH1和CH2的电流由内部设计的带负反馈的电流镜产生。通过最小值选择电路选出CH1和CH2中电压较低的一路作为整个boost转换器的反馈电压。boost转换器在图3中起升压作用。通过调节反馈点的电压等于基准电压V1，boost转换器的输出电压会自动调节到想要的电压，而使两串LED均能正常发光。相比于图1所示的现有技术，本发明存在如下两个优点：1.现有技术中，电流漏端电压VCH＝VRs+Vds(M0),通常为了减小OP1的VOS的影响，VIset0不会做的太低，所以VCH电压也不可能做到很低。由于M0和Rs上消耗的功耗P＝VCH×ILED，所以会引起较大功耗，使电能至光能的转换效率降低。本发明如图2所示的实施例，电流漏端电压VCH＝Vds(M2),由于VCH不受VIset1的影响，只由M2的Vds决定，相比于现有技术少了VRs部分，所以VCH电压可以做到更低。由于M2上消耗的功耗P＝VCH×ILED，所以引起的功耗较小，提高了转换效率。2.现有技术是通过调节Vref_dim来调节LED电流的，当LED电流较小时，Vref_dim就需调节到比较小，来使VIset0变小。OP1的失调电压会对VIset0的精度产生一定的影响。本发明采用同时调节Vref_dim和电流镜镜像比例的方式来调节LED的电流。与现有技术相比，可以通过减小电流镜镜像比例来减小LED电流，当LED电流调节到相同值时，本方案中VIset1比现有技术中的VIset0大很多，因此受OP1的失调电压的影响很小。相应地，本方案中VIset1调节到与现有技术中VIset0相等时，LED电流值可以达到更小，从而可以实现LED电流的调节范围更大。

以下举例来具体说明：

LED电流的最大值为ILED_full(ILED_full＝VIset1*Kfull/Rs，Kfull为不调光时电流镜镜像的比例)，LED电流的调节步长为ILED_full/1024。分1024步进行调节。

如果只调Vref_dim，Vref_dim调节的最小值为Vref/1024。Vref一般为带隙基准电压1.2V，即Vref_dim的最小值为Vref/1024＝1.17mV，由于运放OP1的失调电压的存在，Vref_dim调到最小时，对应的VIset＝1.17mV±Vos，其中Vos为运放OP1的失调电压。从公式1中可以看出，Vos要远小于1.17mV才能保证调光到最小一步时LED电流的准确性。这就对运放Vos特性提出了很苛刻的要求，需要耗费比较大的芯片面积才能实现，增加了成本。

如果只调电流镜镜像的比例，分1024步进行调节，由于镜像比例的调节范围过大，会导致电流镜严重不匹配，进而使调节后的LED电流准确性变差。

本方案的实现方法如下所示：B1～B10为内部10位寄存器，用于存储CTRL信号的调光信息。B8～B10既决定电流镜镜像比例，又决定电压Vref_dim调节的位数。具体如表1所示：表1

其中电流镜镜像比例的调节由图2中的电流镜镜像比例调节电路和M3,M4,M5实现。W/L(M3)＝4*W/L(M6),W/L(M4)＝2*W/L(M6),W/L(M5)＝W/L(M6)。电流镜镜像比例调节电路控制M3～M5开启和关断。M3～M5的开启和关断与调节后的电流镜镜像比例的关系见表2

表2

下面以B8～B10＝0为例具体说明按7位2进制调节电压Vref_dim的方法，具体见表3

表3

由上表中的方法可以类推按8位，9位和10位2进制调节电压Vref_dim的方法，此处不再一一列举。

按照本发明的调光方法，将LED电流分1024步进行调节，将LED电流调光到最小一步时，对应的B1～B10为1000000000，如表2所示电流镜镜像比例调节为Kfull/8，调节后的Vref_dim＝Vref/2^7＝1.2V/128＝9.37mV,该值远大于上面只调电压Vref_dim的例子中的Vref_dim的最小值1.17mV，从而对运算放大器Vos特性的要求大大降低，不需要耗费比较大的芯片面积就能实现，降低了成本。电流镜镜像比例的调节范围为Kfull/8～Kfull，相比于分1024步进行调节电流镜镜像比例的方法更容易实现电流镜的匹配，调节后的LED电流准确性更高。

上述内容为本发明具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所做的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的权利要求保护范围之内。

Claims (7)

1.一种LED驱动的控制装置，其特征在于，所述控制装置包含内置电流漏，所述内置电流漏包含带反馈的电流镜，所述内置电流漏的数量与串联LED的通道数量相匹配；所述控制装置还包含用于驱动串联LED的升压电路结构，所述升压电路结构的输入端一端连接所述内置电流漏中的调光模块的输入端，另一端连接加载在所述控制装置上的电压的输入端；所述控制装置上的电压的输入输出端与接地端之间还分别设置有电容，所述控制装置上的电压的输入端与升压电路结构开关端之间还设有与所述升压电路结构并联连接的电感，该电感用于储存能量和释放能量；所述升压电路结构的开关端通过电感与所述升压电路结构的输入端相连接；所述升压电路结构的反馈端与所述内置电流漏的输出端相连接；所述升压电路结构的输出端连接串联LED的阳极，所述串联LED的阴极连接所述内置电流漏的输出端；加载在所述控制装置上的电压，经所述升压电路结构升压后，所述电流漏驱动串联LED发光，电流通过串联LED分别流入串联LED所对应的电流漏中，所述升压电路结构内部含有最小值选择电路，选出电流漏中电压较低的一路作为整个升压电路结构的反馈电压，通过调节反馈点的电压等于基准电压V1，所述升压电路结构的输出电压会自动调节到预先设定的电压，使得LED串能正常发光；

所述内置电流漏包含调光模块和电流镜镜像比例调节电路，还包含第一运算放大器OP1和P沟道MOS管M3、M4、M5、M6和M7，以及N沟道MOS管M0和电阻Rs；所述调光模块一端接入Vref参考电压，所述Vref参考电压来源于所述控制装置内部的基准电压产生电路产生的电压；所述调光模块另一端与第一运算放大器OP1的正输入端连接，所述第一运算放大器OP1的输出端连接N沟道MOS管M0的栅极，N沟道MOS管M0的源极经电阻Rs接地GND，第一运算放大器OP1的负输入端连接N沟道MOS管M0的源极；电流镜镜像比例调节电路分别连接P沟道MOS管M3、M4、M5的栅极，P沟道MOS管M3、M4、M5和M6的漏极皆与M6的栅极相连接，P沟道MOS管M6的栅极与M7的栅极互连，P沟道MOS管M6的漏极连接N沟道MOS管M0的漏极；P沟道MOS管M3、M4、M5、M6、M7的源极均连接电源端VCC；

所述内置电流漏中还包含第二运算放大器OP2、N沟道MOS管M1和M2，所述第二运算放大器OP2的正输入端连接P沟道MOS管M7的漏极，N沟道MOS管M1的漏极与P沟道MOS管M7的漏极互连，第二运算放大器OP2的负输入端分别连接LED串的阴极和N沟道MOS管M2的漏极，第二运算放大器OP2的输出端连接N沟道MOS管M1的栅极，N沟道MOS管M1的栅极和M2的栅极互连，M1和M2的源极接地。

2.根据权利要求1所述的一种LED驱动的控制装置，其特征在于，所述控制装置包含两个结构相同的电流漏，每个电流漏连接一组串联LED，所述控制装置驱动双通道串联LED。

3.根据权利要求1所述的一种LED驱动的控制装置，其特征在于，所述控制装置包含1个或多个结构相同的电流漏，每个电流漏连接一组串联LED，所述控制装置驱动单通道或多通道串联LED。

4.根据权利要求1所述的一种LED驱动的控制装置，其特征在于，所述电流镜镜像比例调节电路控制P沟道MOS管M3、M4、M5开启和关断。

5.根据权利要求1所述的一种LED驱动的控制装置，其特征在于，所述升压电路结构采用峰值电流控制模式的boost升压电路结构。

6.一种LED驱动的控制方法，其特征在于，该方法采用电压与电流镜镜像比例结合调节LED电流的调节方式，使得LED电流的调节范围明显增大，具体步骤如下：

步骤一，采用可驱动串联LED的升压电路结构，采用包含反馈的电流镜作为内置电流漏，所述内置电流漏包含调光模块和电流镜镜像比例调节电路，还包含第一运算放大器OP1和P沟道MOS管M3、M4、M5、M6和M7，以及N沟道MOS管M0和电阻Rs；所述调光模块一端接入参考电压，另一端与第一运算放大器OP1的正输入端连接，所述第一运算放大器OP1的输出端连接N沟道MOS管M0的栅极，N沟道MOS管M0的源极经电阻Rs接地GND，第一运算放大器OP1的负输入端连接N沟道MOS管M0的源极；电流镜镜像比例调节电路分别连接P沟道MOS管M3、M4、M5的栅极，P沟道MOS管M3、M4、M5和M6的漏极皆与M6的栅极相连接，P沟道MOS管M6的栅极与M7的栅极互连，P沟道MOS管M6的漏极连接N沟道MOS管M0的漏极；P沟道MOS管M3、M4、M5、M6、M7的源极均连接电源端VCC；

所述内置电流漏中还包含第二运算放大器OP2、N沟道MOS管M1和M2，所述第二运算放大器OP2的正输入端连接P沟道MOS管M7的漏极，N沟道MOS管M1的漏极与P沟道MOS管M7的漏极互连，第二运算放大器OP2的负输入端分别连接LED串的阴极和N沟道MOS管M2的漏极，第二运算放大器OP2的输出端连接N沟道MOS管M1的栅极，N沟道MOS管M1的栅极和M2的栅极互连，M1和M2的源极接地；

步骤二，所述升压电路结构的输入端一端连接所述内置电流漏中的调光模块的输入端，另一端连接加载在升压电路结构上的电压的输入端；

步骤三，所述升压电路结构的开关端通过电感与所述升压电路结构的输入端相连接；

步骤四，所述升压电路结构的反馈端与所述内置电流漏的输出端相连接；

步骤五，所述升压电路结构的输出端连接串联LED的阳极，所述串联LED的阴极连接所述内置电流漏的输出端；

步骤六，加载在所述升压电路结构上的电压，经所述升压电路结构升压后，所述电流漏驱动串联LED发光，电流通过串联LED分别流入串联LED所对应的电流漏中，所述升压电路结构内部的最小值选择电路选出电流漏中电压较低的一路作为整个升压电路结构的反馈电压，通过调节反馈点的电压等于基准电压V1，所述升压电路结构的输出电压会自动调节到预先设定的电压，使得LED串能正常发光。

7.根据权利要求6所述的一种LED驱动的控制方法，其特征在于，所述内置电流漏的数量与串联LED的通道数量相匹配。