发明内容
本发明正是基于以上一个或多个问题,提供一种LED驱动芯片及其过温保护点调节单元,用以解决现有技术中LED驱动芯片的温度过高,导致LED驱动芯片烧坏,以及LED照明设备持续工作时间短,导致用户使用不便的问题。
本发明提供一种过温保护点调节单元,用于设置温度补偿启动的过温保护点,其中,包括:运放模块、电流镜模块、可变电阻单元以及电流放大模块,所述运放模块用于提供带载电压,保证在多个负载或者单个负载较大时提供稳定的电压,所述电流镜模块对所述运放模块输出的电流提供一个镜像电流,所述电流放大模块用于将所述镜像电流按预设倍数进行放大,所述可变电阻单元用于设置过温保护点大小,其中,所述运放模块包括:运放输入子模块、运放输出子模块、运放调节电阻,在所述运放输入子模块中,偏置电压单元的第一偏置电压提供端与第二十六场效应管的栅极、第二十七场效应管的栅极连接,第二十六场效应管的源极与电源连接,第二十六场效应管的漏极与第三十九场效应管的漏极连接,第三十九场效应管的栅极与所述偏置电压单元的第二偏置电压提供端连接,第三十九场效应管的源极与第四十三场效应管的漏极连接,第四十三场效应管的栅极连接第三十九场效应管的漏极,第四十三场效应管的源极与第四十一场效应管的源极、第四十二场效应管的源极连接,第二十七场效应管的源极连接电源,第二十七场效应管的漏极连接第三十四场效应管的源极和第三十五场效应管的源极,第三十四场效应管的栅极与一带隙基准电源单元的输出端连接,第三十四场效应管的漏极连接第四十一场效应管的漏极和第三十六场效应管的源极,第三十六场效应管的栅极与第二偏置电压提供端相连,第四十一场效应管的栅极连接到第三十九场效应管的漏极,第三十五场效应管的漏极连接第三十七场效应管的源极和第四十二场效应管的漏极;其中,所述过温保护点调节单元还包括:防静电模块,用于防止静电对电路元件带来损害,所述防静电模块包括一电阻,与调节电阻串联,调节电阻用于使带隙基准电源单元的电压与电源单元的电压相等。
较佳地,所述过温保护点调节单元还包括:零点补偿电容模块,所述零点补偿电容模块用于相位补偿,防止电路自激。
较佳地,,所述运放模块、电流镜模块、零点补偿电容模块、防静电模块均由场效应管构成。
本发明还提供一种LED驱动芯片,其中,所述LED驱动芯片包括过温保护点调节单元和过温保护单元,所述过温保护单元依据所述过温保护点调节单元设定的过温保护点对所述LED驱动芯片进行过温保护,其中,所述过温保护点调节单元为如前任一项所述的过温保护点调节单元。
较佳地,所述过温保护单元包括:基准电流输入单元、电阻调节单元、比较单元、负温度系数电压产生单元以及线性电流输出调节单元,所述基准电流输入单元与所述电阻调节单元产生一个大小可调节的基准电压;所述负温度系数电压产生单元随所述LED驱动芯片的温度升高产生一个大小降低的负温度系数电压;所述比较单元用于比较所述负温度系数电压与所述基准电压的大小以控制所述负温度系数电压的输出;所述线性电流输出调节单元依据所述负温度系数电压产生单元的电压变化,调节所输出的线性电流大小来控制所述LED驱动芯片的工作电流。
较佳地,所述过温保护单元还包括:开关控制单元,所述开关控制单元用于依据所述比较单元比较所述负温度系数电压与所述基准电压后的比较信号,开启或关闭所述LED驱动芯片;缓冲电容单元,所述缓冲电容单元一端连接到所述比较单元的输入端,另一端连接到所述比较单元的输出端。
较佳地,所述比较单元包括:第十四场效应管、第十五场效应管和第十七场效应管以及第十八场效应管,其中,所述第十四场效应管的栅极输入所述基准电压,所述第十四场效应管的源极连接到电源,所述第十四场效应管的漏极连接到所述第十七场效应管的栅极与漏极,以及所述第十八场效应管的栅极,所述第十五场效应管的栅极输入所述负温度系数电压,所述第十五场效应管的源极连接到所述电源,所述第十五场效应管的漏极连接到所述第十八场效应管的漏极,所述第十七场效应管的源极与所述第十八场效应管的源极接地。
较佳地,所述开关控制单元包括:第十六场效应管、第二十一场效应管、第二十二场效应管、第二十三场效应管、第二十四场效应管和第二十五场效应管,其中,所述第十六场效应管的栅极受到所述比较单元的输出信号控制,所述第十六场效应管的源极与所述第二十一场效应管的源极和漏极相连,所述第十六场效应管的漏极分别连接所述第二十一场效应管的栅极、所述第二十二场效应管的栅极以及所述第二十三场效应管的栅极;所述第二十二场效应管的源极连接所述电源,所述第二十二场效应管的漏极分别连接所述第二十三场效应管的栅极的漏极、所述第二十四场效应管的栅极和所述第二十五场效应管的栅极;所述第二十三场效应管的源极分别连接所述第二十五场效应管的源极和所述第二十一场效应管的漏极;所述第二十四场效应管的漏极和所述第二十五场效应管的漏极连接,并输出开关控制信号。
较佳地,包括:多个并联且参考电压不同的负反馈运放单元,所述负反馈运放单元作为所述LED驱动芯片的输出单元,在某一工作时刻,仅一个所述负反馈运放单元输出运放电流,其中,每一负反馈运放单元均包括:负反馈运放模块和防过冲模块,所述负反馈运放模块依据一过温保护点电压信号,在所述防过冲模块的保护下,输出一恒定的电流。
本发明的LED驱动芯片及其过温保护点调节单元具有有效防止LED驱动芯片因工作温度过高,导致LED驱动芯片烧坏,同时尽量使LED照明设备持续工作时间延长,方便用户使用的有益效果。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。需要说明的是,如果不冲突,本发明实施例以及实施例中的各个特征可以相互结合,均在本发明的保护范围之内。
请参见图1和图2,图1是本发明较佳实施例的过温保护点调节单元的结构示意图,图2是图1所示的过温保护点调节单元的电路结构示意图。如图1和图2所示,过温保护点调节单元24,用于设置温度补偿启动的过温保护点,包括运放模块241、电流镜模块242、电流放大模块243、可变电阻单元245,运放模块241提供带载电压,保证在多个负载或者负载较大时提供稳定的电压,电流镜模块242对运放模块241输出的电流提供一个镜像电流,这个镜像电流可以依据需要按比例设置。电流放大模块243将镜像电流按预设倍数进行放大,可变电阻单元245用于设置过温保护点,如电阻变大,过温保护点越高,也就说LED驱动芯片工作在更高的温度范围内。通过设置过温保护点,可以依据LED光源的实际情况,控制过温保护单元适时开启过温保护。若检测LED驱动芯片温度升高过快时,可以适当调节可变电阻单元245的阻值,将过温保护点设置较低一些,及时开启过温保护,此时LED驱动芯片输出的电流变小,但仍能保证LED光源工作,这样,不仅有效防止LED驱动芯片因工作温度过高,导致LED驱动芯片烧坏的问题出现,而且延长了LED照明设备的持续工作时间,方便了用户使用。较佳地,所述可变电阻单元设于所述LED驱动芯片之外。这样不仅易于实现对过温保护点的调节,同时可以依据需要对可变电阻单元进行更换,操作简单易行。
进一步地,过温保护点调节单元24还包括零点补偿电容模块246,该零点补偿电容模块246用于反馈回路中,相位域度不够时,进行相位补偿,防止电路自激。
进一步地,过温保护点调节单元24还包括防静电模块244,用于防止静电对电路元件产生损害。
请参见图2,该过温保护点调节单元24的电路结构具体如下:
运放模块241包括运放输入子模块、运放输出子模块、运放调节电阻。具体地,在运放输入子模块中,偏置电压单元211的第一偏置电压提供端VPB1与第二十六场效应管M26的栅极、第二十七场效应管M27的栅极连接,第二十六场效应管M26的源极与电源VCC连接,第二十六场效应管M26的漏极与第三十九场效应管M39的漏极连接,第三十九场效应管M39的栅极与偏置电压单元211的第二偏置电压提供端VPB2连接,第三十九场效应管M39的源极与第四十三场效应管M43的漏极连接,第四十三场效应管M43的栅极连接第三十九场效应管M39的漏极,第四十三场效应管M43的源极与第四十一场效应管M41的源极、第四十二场效应管M42的源极连接。第二十七场效应管M27的源极连接电源VCC,第二十七场效应管M27的漏极连接第三十四场效应管M34的源极和第三十五场效应管M35的源极。第三十四场效应管M34的栅极与带隙基准电源单元213的输出端Vbg连接,第三十四场效应管M34的漏极连接第四十一场效应管M41的漏极和第三十六场效应管M36的源极,第三十六场效应管M36的栅极与第二偏置电压提供端VPB2相连,第四十一场效应管M41的栅极连接到第三十九场效应管M39的漏极。第三十五场效应管M35的漏极连接第三十七场效应管M37的源极和第四十二场效应管的漏极。在运放输出子模块中,电源VCC输入第二十八场效应管M28的源极和第二十九场效应管M29的源极,而第二十八场效应管M28的栅极和第二十九场效应管M29的栅极连接到运放输入子模块的第三十六场效应管M36的漏极,第二十八场效应管M28的漏极与第三十二场效应管M32的源极相连接,第二十九场效应管M29的漏极与第三十三场效应管M33的源极相连接。第三十二场效应管M32的漏极连接到运放输入子模块的第三十六场效应管M36的漏极,第三十三场效应管M33的漏极连接到运放输入子模块的第三十七场效应管M37的漏极。第三十七场效应管M37的源极与第四十二场效应管M42的漏极相连。
零点电容补偿模块246包括第四十场效应管M40,其栅极连接到运放模块241的第三十七场效应管M37的漏极和第三十八场效应管M38的栅极,第四十场效应管M40的源极和漏极相连后接地。
电流镜模块242包括:第三十场效应管M30和第三十一场效应管M31。其中,第三十场效应管M30的源极和第三十一场效应管M31的源极与电源VCC相连,第三十场效应管M30的栅极、漏极和第三十一场效应管M31的栅极与电流放大模块243的第三十八场效应管M38的漏极相连,第三十一场效应管M31的漏极输出过温保护电流IOUT-RTH。
电流放大模块243包括:第三十八场效应管M38,第三十八场效应管M38的漏极连接电流镜模块242的输出端,栅极连接运放模块241的第三十七场效应管M37的漏极,源极连接可变电阻单元245。
可变电阻单元245包括:至少一个可变电阻RTH,通过改变可变电阻RTH的阻值,调节过温保护点,从而保护LED驱动芯片工作在适当的温度范围内。进一步地,还包括串联电阻R8和电阻R9。
防静电模块244包括电阻R7。
与电阻R7串联的调节电阻R6用于使带隙基准电源单元213的电压与电源单元212的电压相等,即Vbg=VCC。
请参见图3与图4,图3是过温保护单元的结构示意图;图4是过温保护单元的电路结构示意图。如图3和图4所示,本发明的较佳实施例的LED驱动芯片的过温保护单元(或者过温调节电路),用于调节LED驱动芯片工作时的温度。该过温保护单元包括:基准电流输入单元11、电阻调节单元12、比较单元18、负温度系数电压产生单元17以及线性电流输出调节单元16,所述基准电流输入单元11与所述电阻调节单元12产生一个大小可调节的基准电压,其中,电阻调节单元12依据温度变化,调节电阻值大小,或者依据实际需要对电阻进行调节,这样可改变基准电压的大小。所述负温度系数电压产生单元17随所述LED驱动芯片的温度升高产生一个大小降低的负温度系数电压。其中,负温度系数电压是指电压的变化与LED驱动芯片温度变化是负相关的,随着温度的升高,负温度系数电压产生单元17产生的电压值减小。所述比较单元18用于比较所述负温度系数电压与所述基准电压的大小以控制所述负温度系数电压的输出。所述线性电流输出调节单元16依据所述负温度系数电压产生单元17的电压变化,调节所输出的线性电流大小来控制所述LED驱动芯片的工作电流。
本发明通过上述的结构设计,不仅可以调节基准电压大小来灵活改变过温保护点,利用简单的比较单元来实现电压输出控制,既简化了电路结构,降低了成本,又防止LED驱动芯片因温度过高导致LED驱动芯片烧毁,从而延长了LED光源装置的使用寿命。
进一步地,所述过温保护单元还包括:开关控制单元15,所述开关控制单元15用于依据所述比较单元18比较所述负温度系数电压与所述基准电压后的比较信号,开启或关闭所述LED驱动芯片。具体来说,比较单元18用于比较所述负温度系数电压与所述基准电压的大小,当比较出所述负温度系数电压比所述基准电压大时,则负温度系数电压产生单元17继续输出电压至所述线性电流输出调节单元16,然后经线性电流输出调节单元16为LED驱动芯片提供工作电流,此时开关控制单元15处于开启状态;当比较出所述负温度系数电压等于或小于所述基准电压时,说明LED驱动芯片的温度过高,已经超过了预设的温度,开关控制单元16关闭LED驱动芯片。
在一个变形的实施例中,LED光源装置使用较长时间后,光效变差,为保证发光亮度,通常会通过增加电流来提高亮度,然此时,LED驱动芯片产生的热量升高会较快,这就需要适当通过电阻调节单元来调节基准电压,将基准电压提高,以便开关控制单元16提前一个时间关闭LED驱动芯片,防止LED驱动芯片被烧坏,延长LED光源装置的使用寿命。
进一步地,所述过温保护单元还包括:缓冲电容单元14,所述缓冲电容单元14一端连接到所述比较单元18的输入端,所述缓冲电容单元14的另一端连接到所述比较单元18的输出端。该缓冲电容单元18用于使输出到线性电流输出调节单元16的电流稳定,滤除掉杂波,减缓LED驱动芯片的关闭,避免对LED光源装置造成影响。
进一步地,所述过温保护单元包括:偏置电流产生单元13,用于为所述过温保护单元提供偏置电流,为整个过温保护单元提供工作电源。
请参见图4,本发明较佳实施例的过温保护单元的具体结构如下:
从IOTP2端(过温保护单元输入端)开始,自IOTP2端提供一个恒定的偏置电流给串联的电阻R1、R2、R3、R4,电阻R1的一端接地,其中电阻R1与温度点调节电阻IOUT RTH并联,通过改变该温度点调节电阻IOUT RTH的阻值,来改变IOTP2端与电阻R4之间输出的电压,这个电压作为过温保护单元的基准电压。其中,电阻R1、R2、R3和R4以及该温度点调节电阻IOUT RTH组成本发明的电阻调节单元12。基准电压的一路输出到一延迟单元,所述延迟单元包括若干个串联的场效应管,具体地,在本发明的较佳实施例中,为串联的第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3、第四场效应管M4,实际中,可以依据需要来设置场效应管的数量。该延迟单元用于在温度突然升高时,推迟开关控制单元15执行关闭操作的时间。该延迟单元连接到电容单元,该电容单元包括并联的若干个场效应管,具体地,在本发明的较佳实施例中,为并联的第五场效应管M5、第六场效应管M6、第七场效应管M7、第八场效应管M8和第九场效应管M9,经第九场效应管M9后接地。该电容单元可滤除杂波,使所述过温保护单元的电流稳定。在本发明较佳实施例中,缓冲电容单元14包括延迟单元和电容单元。
基准电压的另一路输出到比较单元18的一个输入端,而比较单元8的另一端连接负温度系数电压产生单元17,这里比较单元18主要包括第十四场效应管M14和第十五场效应管M15,基准电压经第十四场效应管M14源极后流入第十七场效应管M17的漏极和栅极和第十八场效应管M18的栅极,而第十七场效应管M17的源极接地,以及负温度系数电压产生单元17的电压信号连接到第十五场效应管M15的栅极。而第十五场效应管M15的源极连接到第十一场效应管M11的漏极,漏极与第十八场效应管M18的漏极相连。第十七场效应管M17的源极和第十八场效应管M18的源极接地。第十五场效应管M15的漏极与第十八场效应管M18的漏极之间分出一支路分别连接到第十九场效应管M19的栅极和第九场效应管M9的栅极以及第二十场效应管M20的栅极。第二十场效应管M20的漏极连接OTR端,源极接地,这里的OTR端用作输出线性电流,以调节LED驱动电路的电流大小。第十九场效应管M19的漏极连接到第十二场效应管M12的漏极,源极接地。第十二场效应管M12的栅极连接到偏置电压VPB1,源极分别连接第十场效应管M10的漏极和源极以及电源VCC,第十场效应管M10的栅极连接到偏置电压VPB1。第十三场效应管M13的源极连接电源VCC,栅极连接偏置电压VPB1,漏极连接第十六场效应管M16的漏极。第十六场效应管M16的栅极连接第十二场效应管M12的漏极,漏极连接到第二十一场效应管M21源极。第二十一场效应管M21的栅极连接到第十三场效应管M13的漏极,漏极连接到第二十三场效应管M23的源极。第二十三场效应管M23的栅极连接到第十三场效应管M13的漏极,漏极连接到第二十四场效应管M24的栅极和第二十五场效应管M25的栅极。第二十二场效应管M22的源极连接到电源VCC,栅极连接到第十三场效应管M13的漏极,漏极连接到第二十四场效应管M24的栅极和第二十五场效应管M25的栅极。第二十四场效应管M24的源极连接到电源VCC,漏极连接到第二十五场效应管M25的漏极,第二十五场效应管M25的源极与第二十三场效应管M23的源极一道连接至第二十一场效应管M21的漏极。第二十四场效应管M24的漏极与第二十五场效应管M25的漏极连接到OTP-H端(即过温保护单元的高电平输出端)。当OTP-H端输出高电平时,则关闭LED驱动电路,以防止LED驱动芯片因继续工作过热而烧毁。
上述过温保护单元中,所述比较单元包括:第十四场效应管M14、第十五场效应管M15和第十七场效应管M17以及第十八场效应管M18,其中,所述第十四场效应管M14的栅极输入所述基准电压,所述第十四场效应管M14的源极连接到电源,所述第十四场效应管M14的漏极连接到所述第十七场效应管M17的栅极与漏极,以及所述第十八场效应管M18的栅极,所述第十五场效应管M15的栅极输入所述负温度系数电压,源极连接到所述电源,漏极连接到所述第十八场效应管M18的漏极。所述第十七场效应管M17的源极与所述第十八场效应管M18的源极接地。
所述开关控制单元包括:第十六场效应管M16、第二十一场效应管M21、第二十二场效应管M22、第二十三场效应管M23、第二十四场效应管M24和第二十五场效应管M25,其中,所述第十六场效应管M16的栅极受到所述比较单元的输出信号控制,所述第十六场效应管M16的源极与所述第二十一场效应管M21的源极和漏极相连,所述第十六场效应管M16的漏极分别连接所述第二十一场效应管M21的栅极、所述第二十二场效应管M22的栅极以及所述第二十三场效应管M23的栅极;所述第二十二场效应管M22的源极连接所述电源,所述第二十二场效应管M22的漏极分别连接所述第二十三场效应管M23的栅极的漏极、所述第二十四场效应管M24的栅极和所述第二十五场效应管M25的栅极;所述第二十三场效应管M23的源极分别连接所述第二十五场效应管M25的源极和所述第二十一场效应管M21的漏极;所述第二十四场效应管M24的漏极和所述第二十五场效应管M25的漏极连接,并输出开关控制信号。
所述缓冲电容单元包括:延迟单元和电容单元,所述延迟单元用于在LED驱动芯片温度突然升高时,推迟所述开关控制单元执行关闭操作的时间;所述电容单元用于滤除杂波,使所述过温保护单元的电流稳定。
所述线性电流输出调节单元包括第二十场效应管M20,所述第二十场效应管M20的源极接地,栅极连接到所述比较单元的输出端,漏极输出线性电流。
本发明通过简单的多个场效应管之间的连接即可实现LED驱动芯片的过温调节,结构简单,成本低廉。
请参见图5,图5是本发明过温调节电路中温度保护点与RTH电阻之间的关系图。如图5所示,在过温调节电阻RTH的阻值上升时,过温保护点的温度也在升高,二者是正相关的关系。这样,在LED驱动电路中进行过温调节时,只需对过温调节电阻RTH进行调节就能实现过温保护点的改变,调节简单方便,而且成本低廉。
请参见图6,图6是本发明过温调节电路中LED驱动芯片温度T与基准电压V之间的关系图。如图6所示,设定过温调节电路的基准电压工作在电压V1,当LED驱动芯片工作时的温度升至T1时,负温度系数电压产生单元产生的电压(K1、K2、K3所在的倾斜线)与基准电压V1在K1处相等,之后LED驱动电路停止工作;改变基准电压,将基准电压从V1降为V2(其中,V1大于V2)时,当LED驱动芯片的温度上升至比温度T1更高的温度T2处时,此时,负温度系数电压产生单元产生的电压(K1、K2、K3所在的倾斜线)与基准电压V2在K2处相等,之后LED驱动电路停止工作;改变基准电压,将基准电压从V2降为V3(其中,V2大于V3)时,当LED驱动芯片的温度上升至比温度T2更高的温度T3处时,此时,负温度系数电压产生单元产生的电压(K1、K2、K3所在的倾斜线)与基准电压V3在K3处相等,之后LED驱动电路停止工作。通过图6可清楚地得出,通过调节基准电压的大小,可以使LED驱动芯片工作在指定的温度范围内,从而很好地实现对LED驱动芯片的过温调节,有效防止LED驱动芯片因过热而损毁,延长了LED光源装置的使用寿命。
以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。