CN104253077A - 一种用于扩散炉管的晶座 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于扩散炉管的晶座，包含互相平行设置的顶座、底座；垂直设置在顶座与底座之间的多个支撑体，各所述支撑体平行间隔设置在顶座和底座的边缘；垂直间隔设置在支撑体上的多个基座。所述基座为片状，其材料为石英。本发明易于控制基座的质量，能有效控制生产的晶圆产品的扩散层厚度，并控制扩散生产过程中晶圆产品的表面颗粒数量，提高产品质量和合格率。

Description

一种用于扩散炉管的晶座
技术领域
本发明涉及半导体扩散设备，尤其涉及一种用于扩散炉管的晶座。
背景技术
在半导体扩散生产中，通常使用晶座支撑放置着晶圆的晶舟，并将晶座放置于扩散炉管中进行扩散加工，目前常用的晶座中通常包含多个基座31和多个石英薄片32，如图1所示，基座31和石英薄片32是两个各自独立的部件，石英薄片32放置在基座31上，各石英薄片32可随时拆卸和安装。一个晶座使用多个石英薄片以控制晶圆产品的厚度。现有技术的晶座存在以下缺陷：首先，在扩散生产中，每次使用之后都需要用酸清洗基座31和石英薄片32，由于石英薄片32是放置在基座31上，清洗时必须分开清洗，因此石英薄片常常被过多的清洗而变薄，并在生产过程中受热破碎。并且由于使用石英薄片时是随机取用的，使用在一个晶座中的多片石英薄片可能其中有的只被酸洗过一次，有的被洗过多次，因此石英薄片的质量很难控制，很难在生产前判断其质量状况是否良好。其次，酸洗后的石英表面粗糙不平，由于石英薄片32放置在基座31上，石英薄片32与基座31之间存在摩擦，在扩散过程中粗糙的石英表面有可能产生脱落的石英微粒，导致晶圆产品表面颗粒增加，从而导致产品质量下降或产品合格率低。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于扩散炉管的基座，其能有效克服现有技术的中的缺陷，易于控制基座的质量，能有效控制生产的晶圆产品的扩散层厚度，并控制扩散生产过程中晶圆产品的表面颗粒数量，提高产品质量和合格率。 
本发明采用如下技术方案实现：
一种用于扩散炉管的晶座，其中包含互相平行设置的顶座、底座；垂直设置在顶座与底座之间的多个支撑体，各所述支撑体平行间隔设置在顶座和底座的边缘；垂直间隔设置在支撑体上的多个基座。
上述的用于扩散炉管的晶座，其中所述基座为片状。
上述的用于扩散炉管的晶座，其中所述基座材料为石英。
本发明具有以下积极效果：
由于本发明晶座的基座为片状，其为一个单一的部件，当放置在晶座中的晶圆产品在扩散炉管中进行扩散加工后，晶座中的各基座同时进行酸洗，基座质量很容易进行控制，能有效控制生产的晶圆产品的扩散层厚度。
由于本发明晶座的基座为片状，其上表面和下表面均为一个单一的平面，酸洗后的表面比较平整，不受外力的摩擦，在扩散过程中脱落石英微粒而导致晶圆表面颗粒增加的几率很低，因此提高了晶圆产品质量，提高了产品合格率。
本发明晶座的基座结构简单，成本低廉，并且操作方便，便于使用。
附图说明
图1为现有技术晶座的基座和石英薄片结构示意图； 
图2为本发明的结构示意图；
图3为本发明的顶视图；
图4为本发明的基座顶视图；
图5为本发明的基座侧视图。
具体实施方式
以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本发明做进一步阐述。
如图2和图3所示，本发明一种用于扩散炉管的晶座，包含互相平行设置的顶座1、底座2；垂直设置在顶座1与底座2之间的多个支撑体3，各支撑体3平行间隔设置在顶座1和底座2的边缘；垂直间隔设置在支撑体3上的多个基座4。
如图4和图5所示，基座4为片状，其材料为石英。本实施例中，基座4为圆形。
本实施例中，在顶座1和底座2之间平行间隔设置16个基座4，在晶座上部靠近顶座1的一侧设置14个基座4，在晶座下部靠近底座2的一侧设置2个基座4。
晶圆进行扩散生产前，将盛放了晶圆的晶舟放置在本发明晶座的各基座4上，在扩散炉管中进行扩散加工后，晶座中的各基座4同时进行酸洗，基座质量很容易进行控制，能有效控制生产的晶圆产品的扩散层厚度。
由于本发明晶座的基座为片状，其上表面和下表面均为一个单一的平面，酸洗后的表面比较平整，不受外力的摩擦，在扩散过程中脱落石英微粒而导致晶圆表面颗粒增加的几率很低，因此提高了晶圆产品质量，提高了产品合格率。本发明的基座兼具现有技术的晶座中的基座和石英薄片两个部件的功能。本发明晶座的基座结构简单，成本低廉，并且操作方便，便于使用。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (3)

1.一种用于扩散炉管的晶座，其特征在于，包含互相平行设置的顶座（1）、底座（2）；垂直设置在顶座（1）与底座（2）之间的多个支撑体（3），各所述支撑体（3）平行间隔设置在顶座（1）和底座（2）的边缘；垂直间隔设置在支撑体（3）上的多个基座（4）。
2.如权利要求1所述的用于扩散炉管的晶座，其特征在于，所述基座（4）为片状。
3.如权利要求1所述的用于扩散炉管的晶座，其特征在于，所述基座（4）材料为石英。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220254668A1 (en) * 2021-02-08 2022-08-11 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1505118A (zh) * 2002-11-26 2004-06-16 ̫���뵼�幫˾ 半导体制造系统
CN1608313A (zh) * 2001-12-27 2005-04-20 东京毅力科创株式会社 热处理用舟式容器和立式热处理装置
US20070221254A1 (en) * 2006-03-24 2007-09-27 Akira Izumi Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN101764049A (zh) * 2008-12-24 2010-06-30 株式会社日立国际电气 基板处理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1608313A (zh) * 2001-12-27 2005-04-20 东京毅力科创株式会社 热处理用舟式容器和立式热处理装置
CN1505118A (zh) * 2002-11-26 2004-06-16 ̫���뵼�幫˾ 半导体制造系统
US20070221254A1 (en) * 2006-03-24 2007-09-27 Akira Izumi Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN101764049A (zh) * 2008-12-24 2010-06-30 株式会社日立国际电气 基板处理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220254668A1 (en) * 2021-02-08 2022-08-11 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat
US11869786B2 (en) * 2021-02-08 2024-01-09 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat

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