CN104242745B - 一种四相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法 - Google Patents

Abstract

一种四相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法，在转子位置区间[0°，θ_r/4]设置第一组转矩阈值，在转子位置区间[θ_r/4，θ_r/2]设置第二组转矩阈值，对相邻的A相和B相供电励磁，A相供电励磁比B相供电励磁超前θ_r/4，A相到B相的整个换相过程分为两个区间，在转子位置区间[0°，θ₁]区间A相使用第二组转矩阈值，B相使用第一组转矩阈值，临界位置θ₁是在换相过程中自动出现的，无需额外进行计算，总转矩控制在[T_e+th2_low，T_e+th2_up]之间；在转子位置区间[θ₁，θ_r/4]区间A相继续使用第二组转矩阈值，B相继续使用第一组转矩阈值，总转矩被控制在[T_e+th1_low，T_e+th1_up]之间，抑制了四相开关磁阻电机转矩脉动，具有良好的工程应用价值。

Description

一种四相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法

技术领域

本发明涉及一种开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法，适用于四相开关磁阻电机驱动系统。

背景技术

开关磁阻电机以其结构简单坚固，制造成本低以及良好的调速性能而广受关注。然而其特殊的双凸极结构以及开关式的励磁方式，使之输出的电磁转矩存在较大脉动，严重制约了其领域的应用，为此研究者们提出了多种方法，在消除转矩脉动的同时还实现了铜损最小化，这些方法在一定速度范围段取得了良好的效果，然而当转速较高时，由于受有限的直流供电电压限制，系统控制跟踪期望电流、期望磁链、期望转矩的能力减弱，转矩脉动难以有效消除。此外，受绕组所能承受的最大电流及半导体器件伏安容量的限制，开关磁阻电机系统存在电流上限，电流的限制使得开关磁阻电机只能输出有限范围的平滑转矩。因此，对于所有输出平滑转矩的控制都存在一定的可操作范围。

发明内容

本发明的目的是克服已有技术中存在的问题，提供一种四相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法。

本发明的四相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法，包括如下步骤：

a.在转子位置区间[0°，θ_r/4]设置第一组转矩阈值(th1_low，th1_zero，th1_up)，在转子位置区间[θ_r/4，θ_r/2]设置第二组转矩阈值(th2_low，th2_zero，th2_up)，这6个转矩阈值满足条件：

th1_up＞th1_zero＞th2_up＞0 (1)

0＞th1_low＞th2_zero＞th2_low (2)

|th1_zero|＝|th2_zero| (3)

|th1_up|＝|th2_low| (4)

|th2_up|＝|th1_low| (5)

其中，转子位置0°为最小相电感位置，转子位置θ_r为齿距角即一个转子周期，半个转子周期是θ_r/2；

b.设置励磁状态S_A为A相供电励磁状态，励磁状态S_A＝1表示A相励磁电压为正，励磁状态S_A＝0表示A相励磁电压为零，励磁状态S_A＝-1表示A相励磁电压为负；设置励磁状态S_B为B相供电励磁状态，励磁状态S_B＝1表示B相励磁电压为正，励磁状态S_B＝0表示B相励磁电压为零，励磁状态S_B＝-1表示B相励磁电压为负，期望的总平滑转矩为T_e；

c.对相邻的A相和B相供电励磁，A相供电励磁比B相供电励磁超前θ_r/4，此时，A相关断，B相开通，通过将A相到B相分为两个区间的换相过程，实现四相开关磁阻电机转矩脉动三电平的抑制。

所述将A相到B相分为两个区间的换相过程如下：

(1)在转子位置区间[0°，θ₁]，A相使用第二组转矩阈值(th2_low，th2_zero，th2_up)，B相使用第一组转矩阈值(th1_low，th1_zero，th1_up)，临界位置θ₁是在换相过程中自动出现的，无需额外进行计算；

(1.1)在转子位置0°位置进入B相导通周期，设定初始励磁状态S_B＝1，B相电流和转矩从0开始增大；励磁状态S_A保持原有状态S_A＝1，A相电流与转矩增加。总转矩增加；

(1.2)当总转矩增加到转矩值T_e+th2_up，励磁状态S_A由1转换为-1，A相转矩减小；B相保持原有状态，B相转矩继续增加。由于此时B相电感变化率及相电流较小，B相转矩增加速率小于A相转矩下降速率，总转矩变化趋势由A相决定，总转矩减小；

(1.3)当总转矩首先减小到转矩值T_e+th1_low，不满足A、B两相状态转移条件，励磁状态S_A和S_B保持原有状态，总转矩继续减小；

(1.4)当总转矩减小到转矩值T_e+th2_zero，触发A相由励磁状态S_A＝-1转变为励磁状态S_A＝0，A相转矩减小，但减小速率比励磁状态S_A＝-1时要小；B相保持原有励磁状态，转矩继续增加。此时在励磁状态S_A＝0和励磁状态S_B＝1的情况下，A相转矩减小速率大于B相转矩增加速率，总转矩减小；

(1.5)当总转矩减小到转矩值T_e+th2_low，满足A相状态转移条件，A相由励磁状态S_A＝0转变为励磁状态S_A＝1，A相转矩增大；B相保持原有状态，转矩继续增加；总转矩增加；

(1.6)当总转矩依次增加到转矩值T_e+th2_zero与T_e+th1_low，但均不满足A、B相的状态转移条件，总转矩继续增加；

(1.7)当总转矩增加到转矩值T_e+th2_up，重复步骤(1.2)～(1.6)，B相状态未被触发而改变，保持励磁状态S_B＝1；A相励磁状态S_A在1、0和-1间切换，将总转矩控制在[T_e+th2_low，T_e+th2_up]之间，从而抑制四相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[0°，θ₁]的脉动；

(1.8)随着转子位置增大，B相电感变化率及电流增大到一定水平，在某一临界位置之后，当励磁状态S_A＝0，励磁状态S_B＝1时，A相转矩减小速率小于B相转矩增加速率，总转矩上升；

(2)在转子位置区间[θ₁，θ_r/4]，A相继续使用第二组转矩阈值(th2_low，th2_zero，th2_up)，B相继续使用第一组转矩阈值(th1_low，th1_zero，th1_up)；

(2.1)在转子位置θ₁位置，总转矩达到转矩值T_e+th2_up，A相状态切换为励磁状态S_A＝-1；B相保持励磁状态S_B＝1。在该位置A相转矩在负供电电压激励下的下降速率大于B相转矩在正供电电压激励下的增加速率，因此总转矩下降。然而该状况在随后发生改变，随着转子位置增加，尽管A、B两相励磁状态均未变，但A相在励磁状态S_A＝-1状态下的转矩下降速率小于B相在励磁状态S_B＝1状态下的转矩增加速率，从而总转矩上升；

(2.2)当总转矩上升到转矩值T_e+th2_up，励磁状态S_A和励磁状态S_B均未被触发改变状态，总转矩继续上升；

(2.3)当总转矩达到转矩值T_e+th1_zero，满足B相状态转移条件，励磁状态S_B转换为0，B相转矩减小；A相保持原有励磁状态S_A＝-1，总转矩减小；

(2.4)当总转矩减小到转矩值T_e+th2_up，励磁状态S_A和励磁状态S_B均未被触发改变状态，总转矩继续减小；

(2.5)当总转矩减小到转矩值T_e+th1_low，满足B相状态转移条件，励磁状态S_B转换为1，B相转矩增加；A相保持原有励磁状态S_A＝-1，总转矩上升；

(2.6)重复步骤(2.2)～(2.5)，励磁状态S_A保持-1，A相转矩和电流持续变小；励磁状态S_B在0和1之间切换，总转矩被控制在[T_e+th1_low，T_e+th1_zero]之间，从而抑制四相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[θ₁，θ_r/4]的脉动；

(2.7)当转子位于临界位置，B相转矩在励磁状态S_B＝0时转矩增加，且增加速率大于A相在励磁状态S_A＝-1时转矩下降速率，此时总转矩上升；

(2.8)当总转矩上升至转矩值T_e+th1_up，B相状态被触发改变，励磁状态S_B从0转为-1，B相转矩减小；A相转矩继续减小，总转矩减小；

(2.9)当总转矩依次减小到转矩值T_e+th1_zero与转矩值T_e+th2_up，励磁状态S_A和励磁状态S_B均未被触发改变状态，总转矩继续减小；

(2.10)当总转矩减小到转矩值T_e+th1_low，励磁状态S_B被触发改变为1，B相转矩增加；A相保持原有状态，A相转矩继续减小，总转矩增加；

(2.11)当总转矩增加到转矩值T_e+th1_zero，励磁状态S_B被触发改变为0，励磁状态S_A保持为-1，此时情况与(2.7)相同，重复步骤(2.7)～(2.11)，励磁状态S_A保持-1，励磁状态S_B在-1，0和1之间切换，总转矩被控制在[T_e+th1_low，T_e+th1_up]之间，从而抑制四相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[θ₁，θ_r/4]的脉动；

(2.12)当转子位于临界位置，B相转矩在励磁状态S_B＝0、励磁状态S_A＝-1时总转矩不再增加，而是降低，从此刻起重复步骤(2.2)～(2.5)，总转矩被控制在[T_e+th1_low，T_e+th1_zero]之间，从而抑制四相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[θ₁，θ_r/4]的脉动。

有益效果：由于采用了上述技术方案，本发明只需通过设置两组转矩阈值和设置相邻的A相和B相励磁状态，分别使A相和B相在供电励磁电压为正、零、负三种励磁状态之间切换，控制总转矩在两组转矩阈值之间，抑制了四相开关磁阻电机转矩脉动，实现了四相开关磁阻电机直接瞬时转矩平滑控制，电机绕组所受激励电压波形与期望电压波形具有相同的特征，实际相电流与期望相电流高度吻合，使开关磁阻电机输出最大范围的平滑转矩。通用性强，适用于各种类型、各种结构的四相开关磁阻电机驱动系统，实用效果好，具有广泛的应用前景。

附图说明

图1是本发明的开关磁阻电机三电平转矩阈值设定示意图；

图2(a)是本发明的B相供电励磁状态的转换示意图；

图2(b)是本发明的A相供电励磁状态的转换示意图；

图3是本发明的开关磁阻电机转矩波形。

具体实施方式

下面结合附图中的实施例对本发明作进一步的描述：

如图1所示，针对一台四相开关磁阻电机，具体步骤如下：

a.在转子位置区间[0°，θ_r/4]设置第一组转矩阈值(th1_low，th1_zero，th1_up)，在转子位置区间[θ_r/4，θ_r/2]设置第二组转矩阈值(th2_low，th2_zero，th2_up)，这6个转矩阈值满足条件：

th1_up＞th1_zero＞th2_up＞0 (1)

0＞th1_low＞th2_zero＞th2_low (2)

|th1_zero|＝|th2_zero| (3)

|th1_up|＝|th2_low| (4)

|th2_up|＝|th1_low| (5)

其中，转子位置0°为最小相电感位置，转子位置θ_r为齿距角即一个转子周期，半个转子周期是θ_r/2；

b.如图2所示，设置励磁状态S_A为A相供电励磁状态，励磁状态S_A＝1表示A相励磁电压为正，励磁状态S_A＝0表示A相励磁电压为零，励磁状态S_A＝-1表示A相励磁电压为负；设置励磁状态S_B为B相供电励磁状态，励磁状态S_B＝1表示B相励磁电压为正，励磁状态S_B＝0表示B相励磁电压为零，励磁状态S_B＝-1表示B相励磁电压为负，期望的总平滑转矩为T_e；

c.对相邻的A相和B相供电励磁，A相供电励磁比B相供电励磁超前θ_r/4，此时，A相关断，B相开通，如图1所示，A相到B相的换相过程分为两个区间：

(1)在转子位置区间[0°，θ₁]，A相使用第二组转矩阈值(th2_low，th2_zero，th2_up)，B相使用第一组转矩阈值(th1_low，th1_zero，th1_up)，临界位置θ₁是在换相过程中自动出现的，无需额外进行计算；

(1.1)在转子位置0°位置进入B相导通周期，设定初始励磁状态S_B＝1，B相电流和转矩从0开始增大；励磁状态S_A保持原有状态S_A＝1，A相电流与转矩增加。总转矩增加；

(1.2)当总转矩增加到转矩值T_e+th2_up，励磁状态S_A由1转换为-1，A相转矩减小；B相保持原有状态，B相转矩继续增加。由于此时B相电感变化率及相电流较小，B相转矩增加速率小于A相转矩下降速率，总转矩变化趋势由A相决定，总转矩减小；

(1.3)当总转矩首先减小到转矩值T_e+th1_low，不满足A、B两相状态转移条件，励磁状态S_A和S_B保持原有状态，总转矩继续减小；

(1.4)当总转矩减小到转矩值T_e+th2_zero，触发A相由励磁状态S_A＝-1转变为励磁状态S_A＝0，A相转矩减小，但减小速率比励磁状态S_A＝-1时要小；B相保持原有励磁状态，转矩继续增加。此时在励磁状态S_A＝0和励磁状态S_B＝1的情况下，A相转矩减小速率大于B相转矩增加速率，总转矩减小；

(1.5)当总转矩减小到转矩值T_e+th2_low，满足A相状态转移条件，A相由励磁状态S_A＝0转变为励磁状态S_A＝1，A相转矩增大；B相保持原有状态，转矩继续增加；总转矩增加；

(1.6)当总转矩依次增加到转矩值T_e+th2_zero与T_e+th1_low，但均不满足A、B相的状态转移条件，总转矩继续增加；

(1.7)当总转矩增加到转矩值T_e+th2_up，重复步骤(1.2)～(1.6)，B相状态未被触发而改变，保持励磁状态S_B＝1；A相励磁状态S_A在1、0和-1间切换，将总转矩控制在[T_e+th2_low，T_e+th2_up]之间，从而抑制四相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[0°，θ₁]的脉动；

(1.8)随着转子位置增大，B相电感变化率及电流增大到一定水平，在某一临界位置之后，当励磁状态S_A＝0，励磁状态S_B＝1时，A相转矩减小速率小于B相转矩增加速率，总转矩上升；

(2)在转子位置区间[θ₁，θ_r/4]，A相继续使用第二组转矩阈值(th2_low，th2_zero，th2_up)，B相继续使用第一组转矩阈值(th1_low，th1_zero，th1_up)；

(2.1)在转子位置θ₁位置，总转矩达到转矩值T_e+th2_up，A相状态切换为励磁状态S_A＝-1；B相保持励磁状态S_B＝1。在该位置A相转矩在负供电电压激励下的下降速率大于B相转矩在正供电电压激励下的增加速率，因此总转矩下降。然而该状况在随后发生改变，随着转子位置增加，尽管A、B两相励磁状态均未变，但A相在励磁状态S_A＝-1状态下的转矩下降速率小于B相在励磁状态S_B＝1状态下的转矩增加速率，从而总转矩上升；

(2.2)当总转矩上升到转矩值T_e+th2_up，励磁状态S_A和励磁状态S_B均未被触发改变状态，总转矩继续上升；

(2.3)当总转矩达到转矩值T_e+th1_zero，满足B相状态转移条件，励磁状态S_B转换为0，B相转矩减小；A相保持原有励磁状态S_A＝-1，总转矩减小；

(2.4)当总转矩减小到转矩值T_e+th2_up，励磁状态S_A和励磁状态S_B均未被触发改变状态，总转矩继续减小；

(2.5)当总转矩减小到转矩值T_e+th1_low，满足B相状态转移条件，励磁状态S_B转换为1，B相转矩增加；A相保持原有励磁状态S_A＝-1。总转矩上升；

(2.6)重复步骤(2.2)～(2.5)，励磁状态S_A保持-1，A相转矩和电流持续变小；励磁状态S_B在0和1之间切换，总转矩被控制在[T_e+th1_low，T_e+th1_zero]之间，从而抑制四相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[θ₁，θ_r/4]的脉动；

(2.7)当转子位于临界位置，B相转矩在励磁状态S_B＝0时转矩增加，且增加速率大于A相在励磁状态S_A＝-1时转矩下降速率，此时总转矩上升；

(2.8)当总转矩上升至转矩值T_e+th1_up，B相状态被触发改变，励磁状态S_B从0转为-1，B相转矩减小；A相转矩继续减小，总转矩减小；

(2.9)当总转矩依次减小到转矩值T_e+th1_zero与转矩值T_e+th2_up，励磁状态S_A和励磁状态S_B均未被触发改变状态，总转矩继续减小；

(2.10)当总转矩减小到转矩值T_e+th1_low，励磁状态S_B被触发改变为1，B相转矩增加；A相保持原有状态，A相转矩继续减小，总转矩增加；

(2.11)当总转矩增加到转矩值T_e+th1_zero，励磁状态S_B被触发改变为0，励磁状态S_A保持为-1，此时情况与(2.7)相同，重复步骤(2.7)～(2.11)，励磁状态S_A保持-1，励磁状态S_B在-1，0和1之间切换，总转矩被控制在[T_e+th1_low，T_e+th1_up]之间，从而抑制四相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[θ₁，θ_r/4]的脉动；

(2.12)当转子位于临界位置，B相转矩在励磁状态S_B＝0、励磁状态S_A＝-1时总转矩不再增加，而是降低，从此刻起重复步骤(2.2)～(2.5)，总转矩被控制在[T_e+th1_low，T_e+th1_zero]之间，从而抑制四相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[θ₁，θ_r/4]的脉动。

对相邻的B相和C相供电励磁，B相供电励磁比C相供电励磁超前θ_r/4时的转矩阈值设定、换相过程、B相和C相励磁状态切换转移方法，与上述情况类似。

对相邻的C相和D相供电励磁，C相供电励磁比D相供电励磁超前θ_r/4时的转矩阈值设定、换相过程、C相和D相励磁状态切换转移方法，与上述情况类似。

对相邻的D相和A相供电励磁，D相供电励磁比A相供电励磁超前θ_r/4时的转矩阈值设定、换相过程、D相和A相励磁状态切换转移方法，与上述情况类似。

所获得的开关磁阻电机转矩波形如图3所示。

Claims (2)

1.一种四相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法，其特征在于，包括如下步骤：

a.在转子位置区间[0°，θ_r/4]设置第一组转矩阈值(th1_low，th1_zero，th1_up)，在转子位置区间[θ_r/4，θ_r/2]设置第二组转矩阈值(th2_low，th2_zero，th2_up)，这6个转矩阈值满足条件：

th1_up＞th1_zero＞th2_up＞0 (1)

0＞th1_low＞th2_zero＞th2_low (2)

|th1_zero|＝|th2_zero| (3)

|th1_up|＝|th2_low| (4)

|th2_up|＝|th1_low| (5)

其中，转子位置0°为最小相电感位置，转子位置θ_r为齿距角即一个转子周期，半个转子周期是θ_r/2；

b.设置励磁状态S_A为A相供电励磁状态，励磁状态S_A＝1表示A相励磁电压为正，励磁状态S_A＝0表示A相励磁电压为零，励磁状态S_A＝-1表示A相励磁电压为负；设置励磁状态S_B为B相供电励磁状态，励磁状态S_B＝1表示B相励磁电压为正，励磁状态S_B＝0表示B相励磁电压为零，励磁状态S_B＝-1表示B相励磁电压为负，期望的总平滑转矩为T_e；

c.对相邻的A相和B相供电励磁，A相供电励磁比B相供电励磁超前θ_r/4，此时，A相关断，B相开通，通过将A相到B相分为两个区间的换相过程，实现四相开关磁阻电机转矩脉动三电平的抑制。

2.根据权利要求1所述的一种四相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法，其特征在于：所述将A相到B相分为两个区间的换相过程如下：

(1)在转子位置区间[0°，θ₁]，A相使用第二组转矩阈值(th2_low，th2_zero，th2_up)，B相使用第一组转矩阈值(th1_low，th1_zero，th1_up)，临界位置θ₁是在换相过程中自动出现的，无需额外进行计算；

(1.1)在转子位置0°位置进入B相导通周期，设定初始励磁状态S_B＝1，B相电流和转矩从0开始增大；励磁状态S_A保持原有状态S_A＝1，A相电流与转矩增加，总转矩增加；

(1.2)当总转矩增加到转矩值T_e+th2_up，励磁状态S_A由1转换为-1，A相转矩减小；B相保持原有状态，B相转矩继续增加，由于此时B相电感变化率及相电流较小，B相转矩增加速率小于A相转矩下降速率，总转矩变化趋势由A相决定，总转矩减小；

(1.3)当总转矩首先减小到转矩值T_e+th1_low，不满足A、B两相状态转移条件，励磁状态S_A和S_B保持原有状态，总转矩继续减小；

(1.4)当总转矩减小到转矩值T_e+th2_zero，触发A相由励磁状态S_A＝-1转变为励磁状态 S_A＝0，A相转矩减小，但减小速率比励磁状态S_A＝-1时要小；B相保持原有励磁状态，转矩继续增加，此时在励磁状态S_A＝0和励磁状态S_B＝1的情况下，A相转矩减小速率大于B相转矩增加速率，总转矩减小；

(1.5)当总转矩减小到转矩值T_e+th2_low，满足A相状态转移条件，A相由励磁状态S_A＝0转变为励磁状态S_A＝1，A相转矩增大；B相保持原有状态，转矩继续增加；总转矩增加；

(1.6)当总转矩依次增加到转矩值T_e+th2_zero与T_e+th1_low，但均不满足A、B相的状态转移条件，总转矩继续增加；

(1.7)当总转矩增加到转矩值T_e+th2_up，重复步骤(1.2)～(1.6)，B相状态未被触发而改变，保持励磁状态S_B＝1；A相励磁状态S_A在1、0和-1间切换，将总转矩控制在[T_e+th2_low，T_e+th2_up]之间，从而抑制四相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[0°，θ₁]的脉动；

(1.8)随着转子位置增大，B相电感变化率及电流增大到一定水平，在某一临界位置之后，当励磁状态S_A＝0，励磁状态S_B＝1时，A相转矩减小速率小于B相转矩增加速率，总转矩上升；

(2)在转子位置区间[θ₁，θ_r/4]，A相继续使用第二组转矩阈值(th2_low，th2_zero，th2_up)，B相继续使用第一组转矩阈值(th1_low，th1_zero，th1_up)；

(2.1)在转子位置θ₁位置，总转矩达到转矩值T_e+th2_up，A相状态切换为励磁状态S_A＝-1；B相保持励磁状态S_B＝1，在该位置A相转矩在负供电电压激励下的下降速率大于B相转矩在正供电电压激励下的增加速率，因此总转矩下降，然而该状况在随后发生改变，随着转子位置增加，尽管A、B两相励磁状态均未变，但A相在励磁状态S_A＝-1状态下的转矩下降速率小于B相在励磁状态S_B＝1状态下的转矩增加速率，从而总转矩上升；

(2.2)当总转矩上升到转矩值T_e+th2_up，励磁状态S_A和励磁状态S_B均未被触发改变状态，总转矩继续上升；

(2.3)当总转矩达到转矩值T_e+th1_zero，满足B相状态转移条件，励磁状态S_B转换为0，B相转矩减小；A相保持原有励磁状态S_A＝-1，总转矩减小；

(2.4)当总转矩减小到转矩值T_e+th2_up，励磁状态S_A和励磁状态S_B均未被触发改变状态，总转矩继续减小；

(2.5)当总转矩减小到转矩值T_e+th1_low，满足B相状态转移条件，励磁状态S_B转换为1，B相转矩增加；A相保持原有励磁状态S_A＝-1，总转矩上升；

(2.6)重复步骤(2.2)～(2.5)，励磁状态S_A保持-1，A相转矩和电流持续变小；励磁状态S_B在0和1之间切换，总转矩被控制在[T_e+th1_low，T_e+th1_zero]之间，从而抑制四相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[θ₁，θ_r/4]的脉动；

(2.7)当转子位于临界位置，B相转矩在励磁状态S_B＝0时转矩增加，且增加速率大于A相在励磁状态S_A＝-1时转矩下降速率，此时总转矩上升；

(2.8)当总转矩上升至转矩值T_e+th1_up，B相状态被触发改变，励磁状态S_B从0转为-1，B相转矩减小；A相转矩继续减小，总转矩减小；

(2.9)当总转矩依次减小到转矩值T_e+th1_zero与转矩值T_e+th2_up，励磁状态S_A和励磁状态S_B均未被触发改变状态，总转矩继续减小；

(2.10)当总转矩减小到转矩值T_e+th1_low，励磁状态S_B被触发改变为1，B相转矩增加；A相保持原有状态，A相转矩继续减小，总转矩增加；

(2.11)当总转矩增加到转矩值T_e+th1_zero，励磁状态S_B被触发改变为0，励磁状态S_A保持为-1，此时情况与(2.7)相同，重复步骤(2.7)～(2.11)，励磁状态S_A保持-1，励磁状态S_B在-1，0和1之间切换，总转矩被控制在[T_e+th1_low，T_e+th1_up]之间，从而抑制四相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[θ₁，θ_r/4]的脉动；

(2.12)当转子位于临界位置，B相转矩在励磁状态S_B＝0、励磁状态S_A＝-1时总转矩不再增加，而是降低，从此刻起重复步骤(2.2)～(2.5)，总转矩被控制在[T_e+th1_low，T_e+th1_zero]之间，从而抑制四相开关磁阻电机转矩在转子位置区间[θ₁，θ_r/4]的脉动。