CN104238400A - 共模电压多路复用器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及共模电压多路复用器。描述一种电路以及一种使用所述电路来将多个输入通道连接到接收装置的系统。所述电路包括多个DMOS开关，每个开关响应于相应的控制信号而将所述输入通道中的相应一个连接到所述接收装置。所述控制信号参考接地信号。每个输入通道包括未参考所述接地信号的共模电压。所述电路还包括开关驱动器，所述开关驱动器产生所述控制信号使得所述输入通道一次被激活一个。

Description

共模电压多路复用器

相关申请案的交叉引用

本申请案要求于2013年4月18日申请的第61/813,252号美国临时专利申请案及其它专利申请案的35U.S.C§119(e)下的权益，所述申请案全文以引用的方式并入本文中。

背景技术

电气系统通常包括位于不同位置的组件。每个组件均可相对于参考电压（诸如电路接地、建筑接地或接地）进行操作。如果组件之间的参考电压不同，那么这些组件可能无法进行适当交互。在测量系统中，传感器可在不同位置进行测量，例如，热电偶可以在工厂不同地方进行温度测量。每个传感器均可将其数据输出到相应的通道，而且所有通道都可多路复用至位于工厂其它地方的测量装置，使得在任何特定时间只有一个选择的通道被输出至该测量装置。由于电容耦合、电感耦合或电磁耦合，因此除了对应于传感器数据的电压之外，每个通道还可包括共模电压（CMV）。在热电偶的情况下，输入可为约10μV，而其它传感器可以提供介于+10V与-10V之间的电压输入，所述电压输入高于CMV。比较之下，相对于输入信号而言，CMV可相当大。通道之间的CMV可有所不同，而且所述CMV也可不同于测量装置所用的接地信号的电压。为了确保测量装置的适当操作，接地信号通常被调整为所选通道的CMV。测量装置的电源电压可以参考接地信号而产生。因此，当接地信号接近CMV时，电源电压也接近CMV，即，处于在对测量装置的输入包括相同CMV时适合驱动测量装置的电压电平。

一种用于将通道连接到测量装置的方法是将PhotoMOS用作每个通道的开关。PhotoMOS内的光电二极管产生栅-源电压（Vgs），以便接通PhotoMOS，从而将传感器的输出端连接到测量装置的输入端。Vgs是相对于PhotoMOS连接到的通道的CMV而产生的。部分地鉴于光电二极管和相关硬件（例如，用于激活光电二极管的发光二极管）的大小，PhotoMOS是相对较大的装置。还需要使用相应的控制线以一对一的方式对PhotoMOS进行控制（接通或断开）。因此，当存在许多通道或存在空间约束时，PhotoMOS可能不适合用于实施多路复用器。因此，需要用于改进具有不同CMV的多路复用通道的方式。

发明内容

本发明的示例实施方案涉及一种用于连接具有不同CMV的通道的多路复用器，具体而言，涉及一种在CMV较高时使用的模拟多路复用器。

本发明的示例实施方案涉及使用多路复用器将来自多个通道的信号连接到接收装置的系统，其中接收装置连接到通道。

在一个实施方案中，对开关及其控制装置进行设计，使得开关在出现CMV时保持断开，直到开关被命令接通为止。在开关接通时，其将相应的通道连接到接收装置，接收装置可为测量装置。在电路将接地信号调整为相应通道的CMV时，开关保持断开。接地信号可由测量装置使用。因此，将接地信号调整为接近CMV允许测量装置适当操作。接地信号也可以用作开关的控制信号的参考。因此，在使用MOS装置实施开关时，将接地信号调整为接近CMV也允许开关接通，而不会产生危险的高电压，例如，高栅-源电压。

附图说明

图1示出根据本发明的系统的示例实施方案。

图2示出根据本发明的多路复用开关结构的单通道的示例实施方案。

图3示出根据本发明的开关驱动器的示例实施方案。

图4示出根据本发明的多路复用开关结构的单通道的另一示例实施方案。

图5示出根据本发明的系统的另一示例实施方案。

图6示出根据本发明的开关驱动器的另一示例实施方案。

具体实施方式

本发明涉及一种用于连接具有不同CMV的通道的多路复用器（MUX）。MUX可包括：一组开关，其用来将通道连接到接收装置；开关驱动器，其用来控制开关；用来将接地信号移动至CMV的电路；用来检测接地信号何时已移动至CMV的电路。本发明还涉及使用MUX将来自多个通道的信号连接到接收装置的系统，其中接收装置连接到通道。

图1示出根据本发明的系统100的示例实施方案。系统100包括多个测量通道12、14。为简洁起见，仅示出两个通道。基于来自微控制器（MCU）80的使能信号“EN”，通道12、14通过MUX20连接到测量装置30。

每个通道12、14均包括用于传输来自相应传感器的传感器数据的两条线。通道12的传感器数据被标记为“TC输入1”，而通道14的传感器数据被标记为“TC输入2”。CMV由每个通道与接地之间的DC电压源象征性地表示。DC电压源的值可以不同，且因此每个输入（即，TC输入1和TC输入2）处的CMV可以不同。然而，应理解，CMV实际上可表现得像以特定频率改变的AC源。

每个通道均包括两条线，使得传感器数据可差分地传输，其中一条线用作正引线，而另一条线作为负引线，但这两条引线均不连接到接地信号“GND”（测量装置30连接到接地信号）。由于测量装置30可抑制CMV，CMV的值等于正引线和负引线上的电压之和的一半，因此差模可实现更准确的测量。测量装置30的输入端（即，放大器32的输入端）处的CMV可通过以下方式测量：例如使用导线或低阻电阻器等DC元件使正引线和负引线短路，使得差分电压为零，且任何残余电压将对应于CMV。共模抑制为本领域已知，且因此本文将不再描述。

尽管结合差分测量系统来描述示例实施方案，但应了解，也可使用非差分（例如，单端）测量系统来实施所述示例实施方案。例如，在非参考单端（NRSE）系统中，第二条引线提供由所有通道共享的电压参考。类似于差分系统，所述第二条引线并不连接到GND。原则上，所述示例实施方案也适用于NRSE系统。

测量系统可包括放大器32，放大器32可为运算放大器，并且对经由所选通道接收的信号进行放大，以产生模数转换器（ADC）34的输入。

ADC34将来自放大器32的模拟电压转换成表示测量值（例如，温度值）的数字值，并且经由接口65将数字值输出到MCU80。接口65可为串行接口。

光耦合器或变压器70可位于接口与MCU80之间，并用作将从ADC34接收的信号转换成适合用于MCU的电平（例如，介于0V与5V之间的信号）的隔离屏障。该屏障保护MCU80以及与MCU80交互的用户免受高压。

MCU80产生EN信号以控制MUX20对开关22的选择。EN信号可以是在MUX20处进行解码以确定哪个开关连接到放大器32的N位信号。每个开关22均可具有相应的激活信号EN1、EN2、EN3、EN4，所述激活信号基于EN信号的解码进行输出。在一个实施方案中，EN信号使用串行接口65进行输出，而无需连接到开关的额外控制线。作为对共享串行接口65的替代，可提供单独的隔离屏障，以用于控制开关22。MCU80可经由串行接口65来将额外的控制信号（未示出）提供给测量装置30（例如，控制信号），以指示ADC34何时开始转换。MCU80也可处理转换的结果，例如，通过在ADC输出指示电动机的温度过高时，发送控制信号以关掉发动机。

当选择下一个开关22时，MUX20断开当前选择的开关22，并且将接地信号GND调整（浮动）为新选择的通道的CMV。结合图2和图4来描述通过MUX将GND调整为CMV，其中使用不同的电路来执行所述调整。响应于确定GND的电压值与新选择的通道的CMV大约处于相同水平，MUX20激活（接通）新选择的通道的开关22，以将所选通道连接到放大器32。这样确保新选择的通道的开关22能够接通，并且保护下一个开关免受不必要的高压。如下文结合一个替代实施方案解释，可以实施MUX，使得在当存在替代方式能确保施加到开关的电压处于适当水平时激活开关22之前不需要将GND调整为CMV。根据开关的设计，甚至可能无需保护开关免受与通道12、14相关联的高压。然而，应了解，本文描述的示例实施方案提供的保护可以便于设计开关22。除了开关22之外，MUX20还可包括用于每条通道线和每个开关22的对应开关24。MUX20接通一个开关24，以便将所选通道连接到GND，同时使未选择的通道保持浮动。如图1和所有附图所示，交叉的信号线并不一定意味着线连接在一起。例如，如上所述，每个开关24均具有其自己对应的通道线和对应的开关22。

测量装置30由正电源电压“VDD”和负电源电压“VSS”供电。VDD和VSS可由浮动电压供应装置40基于电源电压信号（例如，24V AC信号）而产生。供应装置40可将电源电压信号传递通过变压器，以将电源电压信号转换成适于驱动测量装置30的电压电平。此外，供应装置40可对转换的电压信号进行整流，并且执行电压调节以产生VDD和VSS作为大体不变的DC信号。VDD和VSS是参考接地信号“GND”而产生的。由于MUX20将GND调整为所选通道的CMV，因此，VDD和VSS浮动至用于所选通道的CMV的水平，这进而允许测量装置34准确地测量所述所选通道。如果VDD和VSS并未浮动至CMV的水平，那么当在放大器32饱和时（例如，当VDD超过24V电源电压时）将出现测量误差。也会对放大器32或其它测量装置组件造成损坏。

共模检测器50可由一对匹配的电阻器构成，所述电阻器将GND拉至所选通道的两条线之间的一半，即，拉至所选通道的CMV。这样确保输入信号围绕CMV偏置，这随后被放大器32抑制。响应于激活下一开关22，即新选择的通道的开关22，共模检测器50拉动GND。当下一开关22被激活时，MUX20可能不再需要将GND调整为CMV，因为共模检测器50起到此功能。这是因为一旦开关22接通之后，共模检测器50的电阻器连接到CMV路径并且跟踪CMV，所以MUX不再需要调整GND。

图2示出根据本发明的多路复用开关结构的单通道200的示例实施方案。根据本发明，图2所示的装置可封装到集成电路中，并与集成电路的额外复制电路结合以构成MUX。替代地，整个MUX可形成为通道200的多个实例的单个集成电路。如图所示，通道200包括被标记为“sa”的输入端和被标记为“da”的输出端。输入端sa连接到相应通道12、14，且输出端da连接到测量装置30的输入端。通道200可包括：电路204，其将GND移成相应通道的CMV；开关210（对应于图1中的开关22）；开关驱动器212；和电路206，其检测GND何时约等于CMV。电路204为实施图1中的开关24的一种方式。

通过将高压DMOS装置用作开关元件，可实施开关210。在本文描述的示例实施方案中，基本开关元件是串联的两个NDMOS装置mn18和mn19，使得NDMOS装置的寄生二极管（使用传统的二极管符号表示）采用背对背式，从而阻止sa与da之间的泄露电流。替代地，开关210可使用串联的PDMOS或使用与串联的PDMOS并联的串联的NDMOS来实施，如第13/592,692号美国专利申请案所述。由于DMOS装置通常限制在5.5Vgs，因此，齐纳二极管d13可置于NDMOS装置的共用源极与NDMOS装置的共用栅极之间，以保护NDMOS装置的栅极氧化物。

开关210可被配置成默认断开。本征NMOS（图3的开关驱动器中的mn16）可在被标记为“midna”与“ngatea”的线之间连接，以维持0Vgs，直到开关被开关驱动器212（经由midna和ngatea）命令接通。ngatea是NDMOS晶体管mn18和mn19的共用栅极。为了断开开关，在midna与ngatea之间维持0Vgs或负Vgs。为了接通开关，在midna与ngatea之间维持大于Vtn（mn18和mn19的阈值电压）的正Vgs。对于NDMOS晶体管而言，Vtn通常小于1V。DMOS装置上的5.5Vgs限制意味着，midna与ngatea之间允许最大5.5V的Vgs，即，ngatea可比midna高最多5.5V。

电路204包括与二极管d17串联的NDMOS晶体管mn26。二极管d17的阴极连接到mn26的漏极。这两个装置组合起来将GND移成正CMV。mn26由标记为“ndrwa”的信号控制。类似地，电路204包括与二极管d15串联的PDMOS晶体管mp21，以将GND移成负CMV。二极管d15的阳极连接到mp21的漏极。mn26和mp21的源极均连接到GND。二极管d15是阻塞二极管，在通道未被选择而GND的电压低于其它通道的CMV的情况下，所述二极管阻止电流流动。类似地，在通道未被选择而GND的电压高于其它通道的CMV的情况下，二极管d17阻止电流流动。

电路204以下述方式操作。开关被命令接通之后，mn26和mp21均接通，例如，将GND+5V用作ndrwa，且将GND–5V用作pdrwa。如果输入端sa比GND具有更大正值，那么电流将从sa流入GND，以将移动GND移成sa处的CMV。如果sa比GND具有更大负值，那么电流将从GND流向sa，以将GND移成CMV。ndrwa和prdwa均可由解码器（未示出）产生，所述解码器对图1中的MCU80输出的EN信号进行解码。

电路206为可使用两个比较器i5和i6来实施的检测电路，但检测电路也可在没有比较器的情况下实施。接地信号GND连接到i5的非反相输入端，并且连接到i6的反相输入端。i5和i6的另一输入端连接到sa。因此，一个比较器确定所述输入端是否低于GND，而另一比较器确定所述输入端是否高于GND。可设定i5和i6的触发阈值，以解释以下事实：GND可从不被调整成正好等于CMV。例如，电路205中的二极管d15和d17可促使GND从不小于远离CMV的一个二极管压降。

图3示出开关驱动器212的示例实施方案，所述开关驱动器可包括以下组件：

mp10和mp13是从正电源电压VDD得到电流的PMOS电流源，例如，5V源。mp10和mp13由偏置电流pbias控制。

d0和d16是齐纳二极管，将其相应的阳极固定在比相应阴极低约5V，以保护与这些齐纳二极管相关联的晶体管装置的栅极氧化物。因此，这些齐纳二极管类似于开关210中的齐纳二极管d13。

mp15是基于以下信号的组合来启用或停用开关驱动器212的PDMOS：swon_pgate、sa_mp_gnd和sa_mn_gnd。sa_mp_gnd和sa_mn_gnd在图2中示出。swon_pgate和互补信号swon_ngate是基于图1中的使能信号EN来控制开关210的接通/断开行为的信号。如果mp15_g等于VDD，那么mp15断开。如果mp15_g大于Vtp（mp15的阈值电压）而Vtp小于VDD，那么mp15接通。mp15也保护mp10免受高压。

d9、d10以及d14均为用于在开关驱动器212内产生特定压降的二极管。

mp14为PDMOS，其用于将ngatea自举至等于midna+Vtp+两个二极管压降的电压，从而产生Vgs以接通开关。mp14也保护mp13免受高压。

mn13和mn14为将电流渗入VSS中的NMOS电流源，例如，5V源。mn13和mn14由偏置电流nbias控制。

mn20为NDMOS，其用来将ngaten自举至等于midna–Vtn–一个二极管压降的差的电压。这将在开关被命令接通时断开mn16。mn20也保护mp13免受高压。

mn16是本征NMOS，且因此在其接收0Vgs时会保持接通状态。在开关被命令断开时，mn16用来使midna等于ngatea。在开关被命令接通时，约-1v的负Vgs用来断开mn16，从而允许midna与ngatea之间的正Vgs。

r1为电阻器，其在开关被命令断开时确保mn16上为0Vgs。在开关被命令接通时，该电阻器可由驱动器电路过驱动。

mn17是用来基于以下信号的组合来启用或停用开关驱动器的NDMOS：swon_ngate、sa_mp_gnd和sa_mn_gnd。如果mn17的栅极电压等于VSS，那么mn17断开。如果mn17的栅极电压大于Vtn而Vtn高于VSS，那么mn17接通。mn17也保护mn14免受高压。

与门i11和i8表示组合逻辑，所述组合逻辑用来将sa_mp_gnd和sa_mn_gnd与驱动器控制信号相结合，以确保开关不会接通，直到GND大约等于选定通道的CMV为止。

图3所示的开关驱动器212使用与第8,222,948号美国专利描述的开关驱动器相同的自举原则来操作。mn14、mn17、d14、mn20以及mp13分别执行与第8,222,948号美国专利的图6中的I1、N1、R1以及N3相同的功能。然而，显而易见，开关电路并不相同。例如，mn13、mp14、d9、d10、mp15以及mp10与图6相反（即，用于驱动Ndmos开关，而非Pdmos开关）。此外，已经添加本征NMOS mn16、d16和r1，以取代N2和INV。这种取代造成开关断开的默认状态，使得即使电源不存在，开关也将保持断开—许多应用中的理想性质，因为这提高了系统的故障容许度，例如，如果电源突然中断而开关自动断开，从而保护放大器32、ADC34以及可能会连接到开关的其它装置。

开关通道200可操作如下。本征NMOS mn16默认为接通，以维持开关210上的0Vgs，使得开关210默认为断开。在开关被命令接通时，产生ndrwa和pdrwa以接通电路204，从而将浮动供应GND移成所选通道的CMV。

电路206检测GND何时大约等于CMV，此时，浮动供应信号VSS和VDD也约为CMV。响应于检测到这一情况，电路206发送信号，以激活开关驱动器212。

响应于来自电路206的信号，开关驱动器212使用控制信号midna和ngatea来接通开关212，这两个信号均是使用浮动电源电压VSS和VDD产生的。如前所述，VDD和VSS是参考GND产生的。因此，控制信号midna和ngatea也参考GND。一旦开关接通，ndrwa和pdrwa会断开电路204，共模检测器50接管使GND趋向CMV的任务，并且允许系统稳定下来，例如，当GND的电压电平已稳定时，在MCU80命令测量装置30对所选通道进行测量之前。

图4示出根据本发明的多路复用开关结构的单通道300的示例实施方案。不同于图2中的通道200，通道300并不包括用于将GND移至CMV的电路204，以及检测器电路206，且因此更易于实施，但可能不如通道200准确。代替电路204，通过使用寄生路径将正供应VDD拉向CMV而将GND移至CMV。通道300可操作如下。在开关断开时，由于mn18和mn19上的寄生二极管，midna将大约等于sa和da的最大负值。因此，当输入端sa处于的电压比正供应VDD和输出端da具有更大正值时，midna将大约等于da。在如本文所述实施方案的多路复用配置中，da将已在浮动供应范围内，所述浮动供应范围可能已经由先前选择的通道设定。即使所有通道均关闭，如果GND所处的电压低于sa，那么midna也将大约等于da，进而大约等于GND。这由共模检测器50的晶体管实现。因此，开关210可立即接通，而不会处于不必要的高压危险中。通道300包括类似于图2的开关驱动器212的开关驱动器312。由于通道300不包括电路204和206，因此开关驱动器312激活开关210时，无需考虑接地信号所处的电压是否大约等于通道的CMV。

当开关断开且输入端sa低于最低电源电压（例如，VSS）和da时，midna将大约等于sa，其低于最小电源电压。当开关驱动器在这种情况下被激活时，ngatea与midna之间的齐纳二极管d13将由于高度负电压而出现故障，使得电流从ngatea流到sa，且因此从正供应VDD通过开关驱动器、齐纳二极管d13和寄生二极管而流到sa，如图4中的箭头33所示。这将正供应VDD拉向CMV，以允许开关被安全接通。拉动VDD导致GND与VDD一起移动。例如，如果VDD与GND之间的电位差为+10V，那么如果VDD被拉向CMV，则VDD与GND之间将维持+10V。VSS也是如此。一旦开关接通，共模检测器50可通过将GND调整为CMV来起作用。

图5示出根据本发明的系统400的示例实施方案。系统400类似于图1的系统100，但在一些方面有所区别。系统400不包括共模检测器50。此外，每个通道仅包括一个开关24，这与图1形成对比，在图1中，每个通道的每个线均包括一个开关24。此外，每个开关24可连接到GND或参考电压VREF。VREF可用来在特定电压处对每个输入通道进行偏置。在VSS等于GND的系统中，这比较有用。例如，如果VDD=5V且VSS=GND=0V，那么系统可以偏置至2.5V，以将输入通道12/14的电压集中在系统的电源电压范围内。图1所示的其它GND将保持不变。因此，以上述方式用VREF取代GND并未改变以下事实：开关22的控制信号参考GND。通过用对应的信号“GND or VREF”来取代GND（在晶体管mn26和mp21的底部以及i5和i6的输入端处示出），图2中可反映出任选使用VREF。

系统400如何操作的实例如下。为了从TC输入1变到TC输入2，用于输入1的开关22和用于输入1的开关24均断开。接下来，用于输入2的开关24接通，以将GND移向通道14的CMV。响应于检测到GND大约等于CMV，MUX20接通用于输入2的开关22。用于输入2的开关24保持接通，以便连续跟踪CMV，类似于图1中的共模检测器50。

图6示出根据本发明的开关驱动器412的示例实施方案。驱动器412类似于图3的驱动器212，但相对于晶体管mp15和mn17的控制逻辑而言有所不同。信号sa_mp_gnd和sa_mn_gnd输入到或门i12，其输出构成与非门i13的输入。与非门i13的第二输入是信号swon_pgate。i13的输出是mp15的门输入。或门i12的输出还形成与门i9的输入。与门i9的第二输入是信号swon_ngate。i9的输出是mn17的门输入。

本文中描述的实施方案可以各种组合的方式相互结合。因此，说明书和附图应视为说明性而非限制性的。

Claims (22)

1.一种用于将多个输入通道连接到接收装置的电路，所述电路包括：

多个DMOS开关，每个开关响应于相应的控制信号而将所述输入通道中的相应一个连接到所述接收装置，其中所述控制信号参考接地信号，且其中每个输入通道包括未参考所述接地信号的共模电压；以及

开关驱动器，其产生所述控制信号使得所述输入通道一次被激活一个。

2.根据权利要求1所述的电路，其中参考所述接地信号的浮动电源电压是所述接收装置的电源信号。

3.根据权利要求1所述的电路，其中在激活对应于所选输入通道的开关之前，所述开关驱动器等待，直到所述接地信号处于大约等于所述所选输入通道的所述共模电压的电压为止。

4.根据权利要求3所述的电路，其进一步包括：

检测电路，其将所述相应输入通道的输入与所述接地信号进行比较，并且基于所述比较来确定所述接地信号是否处于大约等于所述所选输入通道的所述共模电压的电压。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述检测电路包括：确定所述接地信号是否高于所述共模电压的比较器，以及确定所述接地信号是否低于所述共模电压的比较器。

6.根据权利要求3所述的电路，其进一步包括：

将所述接地信号调整为所述所选输入通道的所述共模电压的电路。

7.根据权利要求6所述的电路，其中调整所述接地信号的所述电路包括：

PDMOS晶体管，其在所述共模电压相对于所述接地信号为负时调整所述接地信号；以及

NDMOS晶体管，其在所述共模电压相对于所述接地信号为正时调整所述接地信号。

8.根据权利要求1所述的电路，其中所述开关驱动器激活所述开关，而无需考虑所述接地信号是否处于大约等于相应输入通道的所述共模电压的电压，所述相应输入通道对应于被激活的所述开关。

9.根据权利要求8所述的电路，其中每个开关包括寄生路径，在激活所述开关时，所述开关驱动器通过所述寄生路径将正电源电压拉向所述共模电压，所述正电源电压是相对于所述接地信号得到的，并被所述开关驱动器用作电源信号。

10.根据权利要求1所述的电路，其进一步包括：

控制器，其输出编码信号，所述编码信号选择所述开关中的哪一个由所述开关驱动器激活；以及

解码逻辑，其对所述编码信号进行解码，以命令所述开关驱动器产生激活所选开关的所述控制信号。

11.根据权利要求1所述的电路，其中所述开关驱动器产生所述控制信号，使得所述DMOS开关一次被激活一个。

12.一种系统，其包括：

参考接地信号的接收装置；

多个输入通道，其中每个输入通道包括未参考所述接地信号的共模电压；以及

电路，其将所述输入通道连接到所述接收装置，所述电路包括：

多个DMOS开关，每个开关响应于相应的控制信号而将所述输入通道中的相应一个连接到所述接收装置，其中所述控制信号参考所述接地信号；以及

开关驱动器，其产生所述控制信号，使得所述输入通道一次被激活一个。

13.根据权利要求12所述的系统，其中参考所述接地信号的浮动电源电压是所述接收装置的电源信号。

14.根据权利要求12所述的系统，其中在激活对应于所选输入通道的开关之前，所述开关驱动器等待，直到所述接地信号处于大约等于所述所选输入通道的所述共模电压的电压为止。

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述电路进一步包括：

检测电路，其将所述相应输入通道的输入与所述接地信号进行比较，并且基于所述比较来确定所述接地信号是否处于大约等于所述选定输入通道的所述共模电压的电压。

16.根据权利要求15所述的系统，其中所述检测电路包括：确定所述接地信号是否高于所述共模电压的比较器，以及确定所述接地信号是否低于所述共模电压的比较器。

17.根据权利要求14所述的系统，其中所述电路进一步包括：

将所述接地信号调整为所述所选输入通道的所述共模电压的电路。

18.根据权利要求17所述的系统，其中调整所述接地信号的所述电路包括：

PDMOS晶体管，其在所述共模电压相对于所述接地信号为负时调整所述接地信号；以及

NDMOS晶体管，其在所述共模电压相对于所述接地信号为正时调整所述接地信号。

19.根据权利要求12所述的系统，其中所述开关驱动器激活所述开关，而无需考虑所述接地信号是否处于大约等于相应输入通道的所述共模电压的电压，所述相应输入通道对应于被激活的所述开关。

20.根据权利要求19所述的系统，其中每个开关包括寄生路径，在激活所述开关时，所述开关驱动器通过所述寄生路径将正电源电压拉向所述共模电压，所述正电源电压是相对于所述接地信号得到的，并被所述开关驱动器用作电源信号。

21.根据权利要求12所述的系统，其中所述电路进一步包括：

控制器，其输出编码信号，所述编码信号选择所述开关中的哪一个由所述开关驱动器激活；以及

解码逻辑，其对所述编码信号进行解码，以命令所述开关驱动器产生激活所选开关的所述控制信号。

22.根据权利要求12所述的系统，其中所述开关驱动器产生所述控制信号，使得所述DMOS开关一次被激活一个。