CN104218174A - 柔性基板，其制备方式及其应用 - Google Patents

柔性基板，其制备方式及其应用 Download PDF

Info

Publication number
CN104218174A
CN104218174A CN201310210071.XA CN201310210071A CN104218174A CN 104218174 A CN104218174 A CN 104218174A CN 201310210071 A CN201310210071 A CN 201310210071A CN 104218174 A CN104218174 A CN 104218174A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metallic aluminum
polymer film
layer
film substrate
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310210071.XA
Other languages
English (en)
Inventor
周明杰
冯小明
张振华
王平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN201310210071.XA priority Critical patent/CN104218174A/zh
Publication of CN104218174A publication Critical patent/CN104218174A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

一种柔性基板，包括聚合物薄膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面设置第一金属铝层，所述聚合物薄膜的另一面交替设置第二金属铝层与聚酰亚胺薄膜层，且所述聚合物薄膜基板两端为金属铝层结构，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种。上述柔性基底具有低水氧渗透率。本发明还提供柔性基板的制备方法及其应用。

Description

柔性基板,其制备方式及其应用
技术领域
本发明涉及一种柔性基板、其制备方法，使用该基板的有机电致发光器件及其制作方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）通常使用超薄玻璃，聚合物薄膜、金属薄片等作为柔性衬底，比玻璃衬底的具有更轻薄、更耐冲击的优点，并且柔性器件的制备可以采用卷对卷方式生产，从而大幅地降低制造成本。
聚合物薄膜作为一种常用的柔性基板，其来源广泛，价格低廉，挠曲性能好，被广泛应用到各种柔性器件的制备过程中。但是聚合物薄膜也存在一些缺点，如热稳定性能差，其对水氧的渗透率较高。
发明内容
基于此，有必要提供具有低水氧渗透率的柔性基板、其制备方法，使用该基板的有机电致发光器件及其制作方法。
一种柔性基板，包括聚合物薄膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面设置第一金属铝层，所述聚合物薄膜的另一面交替设置第二金属铝层与聚酰亚胺薄膜层，且所述聚合物薄膜基板两端为金属铝层结构，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种。
在其中一个实施例中，所述聚合物薄膜基板的厚度为0.1mm～1mm。
在其中一个实施例中，所述第一金属铝层厚度为50nm～100nm。
在其中一个实施例中，所述第二金属铝层厚度为15nm～40nm，所述聚酰亚胺薄膜层厚度为70nm～150nm。
在其中一个实施例中，所述交替设置第二金属铝层与聚酰亚胺薄膜层中，第二金属铝层的层数大于等于3，所述聚酰亚胺薄膜层的层数大于等于2。
一种柔性基板的制备方法，包括以下步骤：
提供聚合物薄膜基板，将聚合物薄膜基板放入真空镀膜系统中，在真空度为10-3Pa～10-5Pa的条件下，在所述聚合物薄膜基板的一面蒸发制备第一金属铝层；
接着在所述聚合物薄膜基板的另一面交替蒸镀制备第二金属铝层及聚酰亚胺薄膜层，且所述聚合物薄膜基板两端为金属铝层结构；
蒸镀金属铝层在真空度为1×10-3～1×10-5Pa的真空镀膜系统中进行，蒸发速度为0.2nm/s～2nm/s。
蒸镀聚酰亚胺薄膜层在真空度为1×10-3～1×10-5Pa的真空镀膜系统中进行，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s。
在其中一个实施例中，所述聚酰亚胺薄膜由以下步骤制备：
在真空度为1×10-3-1×10-5Pa的真空镀膜系统中，将均苯四甲酸二酐和4,4‘-二氨基二苯醚两种单体材料分别置于真空镀室的两个坩埚中，均苯四甲酸二酐和4,4‘-二氨基二苯醚的蒸发速度之比为1:(0.8～1.2)，得到预聚体；
将得到的预聚体移入真空加热装置中，在150℃～250℃条件下脱水处理5小时～10小时，得到聚酰亚胺薄膜。
一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件包括依次层叠的基板，阳极，空穴传输层，电子传输层，电子注入层，阴极及封装层，所述基板为聚合物薄膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面设置第一金属铝层，所述聚合物薄膜的另一面交替设置第二金属铝层与聚酰亚胺薄膜层，且所述聚合物薄膜基板两端为金属铝层结构，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种。
在其中一个实施例中，所述聚合物薄膜基板的厚度为0.1mm～1mm，所述第一金属铝层厚度为50nm～100nm，所述第二金属铝层厚度为15nm～40nm，所述聚酰亚胺薄膜层厚度为50nm～100nm。
在其中一个实施例中，所述交替设置第二金属铝层与聚酰亚胺薄膜层中，第二金属铝层的层数大于等于3，所述聚酰亚胺薄膜层的层数大于等于2。
上述柔性基板，在聚合物薄膜基板一面制备第一金属铝层，该第一金属铝层能够起到初步阻挡氧和水渗透的作用，在聚合物薄膜基板另一表面交替层叠第二金属铝层及聚酰亚胺薄膜层，采用多层设置的金属铝层和聚酰亚胺薄膜层，并结合衬底另一表面的金属薄膜层，能够最大限度的阻挡水氧渗透，可使水渗透下降到10-3～10-2g/m2/day量级，并且最外层设置的金属铝层能够起到导电的作用，可以作为有机电致发光器件的导电层，并且该制备方法工艺简单，材料来源广泛。
附图说明
图1为一实施方式的柔性基板的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对柔性基板及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的柔性基板100包括聚合物薄膜基板102，在聚合物薄膜基板102一面设置第一金属铝层101，在聚合物薄膜基板102相对第一金属铝层101的相对另一面交替层叠设置第二金属铝层103和聚酰亚胺薄膜层104，本实施例中如图1所示，聚合物薄膜基板两端分别为第一金属铝层101和第二金属铝层103，第二金属铝层的层数大于等于3，所述聚酰亚胺薄膜层的层数大于等于2。本实施例中第二金属铝层103的层数为3层，聚酰亚胺薄膜层104的层数为2层，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种。
聚合物薄膜基板102的厚度为0.1mm～1mm，所述第一金属铝101厚度为50nm～100nm，第二金属铝层103厚度为15nm～40nm，聚酰亚胺薄膜层104厚度为70nm～150nm。
上述柔性基板100，在聚合物薄膜基板102一面制备第一金属铝层101，该第一金属铝层101能够起到初步阻挡氧和水渗透的作用，在聚合物薄膜基板另一表面交替层叠第二金属铝层103及聚酰亚胺薄膜层104，采用多层设置的金属铝层和聚酰亚胺薄膜层并结合衬底另一表面的金属薄膜层101，能够最大限度的阻挡水氧渗透，可使水渗透下降到10-3～10-2g/m2/day量级，并且最外层设置的金属铝层能够起到导电的作用。
柔性基板的制备方法，包括以下步骤：
S10，提供聚合物薄膜基板，将聚合物薄膜基板放入真空镀膜系统中，在真空度为10-3Pa～10-5Pa的条件下，在所述聚合物薄膜基板的一面蒸发制备第一金属铝层；
S20，接着在所述聚合物薄膜基板的另一面交替蒸镀制备第二金属铝层及聚酰亚胺薄膜层，且所述聚合物薄膜基板两端为金属铝层结构；
蒸镀金属铝层在真空度为1×10-3～1×10-5Pa的真空镀膜系统中进行，蒸发速度为0.2nm/s～2nm/s。
蒸镀聚酰亚胺薄膜层在真空度为1×10-3～1×10-5Pa的真空镀膜系统中进行，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s。
聚酰亚胺薄膜由以下步骤制备：
S201，在真空度为1×10-3-1×10-5Pa的真空镀膜系统中，将均苯四甲酸二酐和4,4‘-二氨基二苯醚两种单体材料分别置于真空镀室的两个坩埚中，，均苯四甲酸二酐和4,4‘-二氨基二苯醚的蒸发速度之比为1:（0.8～1.2），得到预聚体；
S202，将得到的预聚体移入真空加热装置中，在150℃～250℃条件下脱水处理5小时～10小时，得到聚酰亚胺薄膜。
请参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件200，在柔性基板100的第二金属铝层103表面依次层叠阳极201，空穴传输层202，电子传输层203，电子注入层204，阴极205及封装层206，柔性基板100为聚合物薄膜基102，在所述聚合物薄膜基板102一面设置第一金属铝层101，所述聚合物薄膜的另一面交替设置第二金属铝层103与聚酰亚胺薄膜层104，且所述聚合物薄膜基板102两端为金属铝层结构，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种。
聚合物薄膜基板102的厚度为0.1mm～1mm。
所述第一金属铝101厚度为50nm～100nm。
第二金属铝层103厚度为15nm～40nm。
聚酰亚胺薄膜层104厚度为70nm～150nm。
阳极201的材料为金属银（Ag），厚度为70nm～200nm，空穴传输层的材料为N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)，厚度为20nm～60nm，电子传输层材料为8-羟基喹啉铝（Alq3），厚度为20nm～60nm nm，并且该电子传输层同时作为发光层，电子注入层材料为氟化锂（LiF），厚度为0.5nm～2nm，阴极材料为银（Ag），厚度为20nm～30nm，封装层材料为Si3N4，厚度为200nm～600nm。
其中，柔性基板100结构如上所述如图1所示。
以下结合具体实施例对本发明提供的柔性基板、其制备方法，使用该基板的有机电致发光器件及其制作方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：测试与制备设备为高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度，美国MOCON(膜康)Model700透湿仪测试水渗透率。
实施例1
柔性基板的制作步骤包括以下：
步骤1：提供聚合物薄膜基板PET薄膜，厚度为1mm，并清洗干净；
步骤2：在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在聚合物薄膜基板PET薄膜一表面上，蒸发制备第一金属铝层，厚度在50nm，蒸发速度为0.5nm/s；
步骤3：在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在步骤2的基础上在聚合物薄膜基板PET薄膜另一表面上，蒸发制备第二金属铝层，接着第二金属铝层表面蒸发制备聚酰亚胺薄膜层，依次交替重复制备第二金属铝层和聚酰亚胺薄膜层，聚酰亚胺层层数为3层，第二金属铝层的层数为4层，并且最后一层第二金属铝层的厚度为40nm，其余第二金属铝层的厚度为15nm，蒸发速度为0.2nm/s，聚酰亚胺薄膜层单层的厚度为100nm；得到该柔性基板。
步骤4：该柔性基板为基础，在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在该柔性基板的第二金属铝层表面上，蒸发另一层金属薄膜Ag作为阳极，厚度为70nm，蒸发速度为0.5nm/s，作为阳极，然后在阳极上蒸发厚度50nm的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)作为空穴传输层，蒸发速度为0.5nm/s，在空穴传输层上蒸发厚度30nm的8-羟基喹啉铝（Alq3）作为发光层兼电子传输层，蒸发速度为0.5nm/s，在电子传输层上蒸发1nm的氟化锂（LiF）作为电子注入层，蒸发速度为0.1nm/s，在电子传输层上蒸发厚度为30nm的金属银膜（Ag）作为透明阴极，蒸发速度为0.5nm/s。在上述器件的阴极表面，溅射制备厚度300nm的Si3N4作为薄膜封装层。
聚酰亚胺薄膜是采用真空沉积技术制备，其包括以下几个步骤：
步骤一、在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，将均苯四甲酸二酐（PMDA）和4,4‘-二氨基二苯醚（ODA）两种单体材料分别置于真空镀室的两个坩埚中，控制蒸发坩埚的温度，PMDA与ODA的蒸发速度之比为1:1，即PMDA的蒸发速度为0.1nm/s，ODA的蒸发速度为0.1nm/s；
步骤二、将步骤一制备的薄膜移出真空镀膜室，转移至真空加热装置中，加热到250℃，进行反应脱水处理10小时，使聚酰胺酸脱水形成聚酰亚胺薄膜。
以下实施例中制备聚酰亚胺薄膜的步骤相同不在累述。
对比例1与实施例1不同之处仅在于该有机电致发光器件的基板用PET薄膜为基板其他各层阳极，空穴传输层，电子传输层，电子注入层，阴极及封装层的材料及其厚度都与实施例1中相同，对比例的有机电致发光器件的结构为：PET/Ag(70nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Ag(30nm)/Si3N4(300nm)。
经测试结果：将实施例1制备的柔性基板做水渗透率的测试，其渗透率为1.2×10-2g/m2/day，而对比例1中的柔性基板，其水渗透率为5.8g/m2/day，显然在聚合物薄膜表面经过本发明的改进后，水渗透率大幅降低了。
当起始亮度为1000cd/m2时，亮度衰减到起始的70%时，实施例1的有机电致发光器件使用寿命达到3000小时左右，而对比例则只有1000小时。
实施例2
这种柔性导电电极的制备按照以下方法：
步骤1：提供聚合物薄膜基板PI薄膜，厚度为0.1mm，并清洗干净；
步骤2：在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，在聚合物薄膜基板PI的一表面上，蒸发制备第一金属铝层，厚度为100nm，，蒸发速度为0.2nm/s；
步骤3：在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，在步骤2的基础上在聚合物薄膜基板PI薄膜另一表面上，蒸镀制备第二金属铝层，接着在第二金属铝层表面蒸镀制备聚酰亚胺薄膜层，依次交替重复制备第二金属铝层和聚酰亚胺薄膜层，聚酰亚胺层层数为2层，第二金属铝层的层数为3层，并且最后一层第二金属铝层的厚度为30nm，其余第二金属铝层的厚度为40nm，聚酰亚胺薄膜层单层厚度为150nm，在蒸发成膜过程中，PMDA的蒸发速度为1nm/s，ODA的蒸发速度为0.8nm/s；PMDA与ODA的蒸发速度之比为1:0.8，得到该柔性基板。
步骤4：该柔性基板为基础，在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在该柔性基板的第二金属铝层表面上，蒸发另一层金属薄膜Ag层作为阳极，厚度为100nm，蒸发速度为0.5nm/s，然后在阳极上蒸发厚度20nm的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)作为空穴传输层，蒸发速度为0.5nm/s，在空穴传输层上蒸发厚度20nm的8-羟基喹啉铝（Alq3）作为发光层兼电子传输层，蒸发速度为0.5nm/s，在电子传输层上蒸发0.5nm的氟化锂（LiF）作为电子注入层，蒸发速度为0.1nm/s，在电子传输层上蒸发厚度为20nm的金属银膜（Ag）作为透明阴极，蒸发速度为0.5nm/s。在上述器件的阴极表面，溅射制备厚度600nm的Si3N4作为薄膜封装层。
对比例2与实施例2不同之处仅在于该有机电致发光器件的基板用PI薄膜为基板其他各层阳极，空穴传输层，电子传输层，电子注入层，阴极及封装层的材料及其厚度都与实施例1中相同，对比例的有机电致发光器件的结构为：PI/Ag(100nm)/NPB(20nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Ag(20nm)/Si3N4(300nm)
经测试结果：
将实施例2制备的柔性基板做水渗透率的测试，其渗透率为5.0×10-3g/m2/day，而对比例2中的柔性基板，其水渗透率为11.2g/m2/day，显然在聚合物薄膜表面经过本发明的改进后，水渗透率大幅降低了。
当起始亮度为1000cd/m2时，亮度衰减到起始的70%时，实施例2有机电致发光器件的使用寿命达到3200小时左右，而对比例则只有1100小时左右。
实施例3
这种柔性导电电极的制备按照以下方法：
步骤1：提供聚合物薄膜基板PES薄膜，厚度为0.2mm，并清洗干净；
步骤2：在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在聚合物薄膜基板PES的一表面上，蒸发制备第一金属铝层，厚度为80nm，，蒸发速度为2nm/s；
步骤3：在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在步骤2的基础上在聚合物薄膜基板PES薄膜另一表面上，蒸镀制备第二金属铝层，接着在第二金属铝层表面蒸镀制备聚酰亚胺薄膜层，依次交替重复制备第二金属铝层和聚酰亚胺薄膜层，聚酰亚胺层层数为4层，第二金属铝层的层数为5层，并且最后一层第二金属铝层的厚度为40nm，其余第二金属铝层的厚度为20nm，聚酰亚胺薄膜层厚度为70nm，在蒸发成膜过程中，PMDA的蒸发速度为0.8nm/s，ODA的蒸发速度为1nm/s；PMDA与ODA的蒸发速度之比为1:1.2；得到该柔性基板。
步骤4：该柔性基板为基础，在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在该柔性基板的第二金属铝层表面上，蒸发另一层金属薄膜Ag层作为阳极，厚度为200nm，蒸发速度为0.5nm/s，，然后在阳极上蒸发厚度60nm的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)作为空穴传输层，蒸发速度为0.5nm/s，在空穴传输层上蒸发厚度60nm的8-羟基喹啉铝（Alq3）作为发光层兼电子传输层，蒸发速度为0.5nm/s，在电子传输层上蒸发2nm的氟化锂（LiF）作为电子注入层，蒸发速度为0.1nm/s，在电子传输层上蒸发厚度为30nm的金属银膜（Ag）作为透明阴极，蒸发速度为0.5nm/s。在上述器件的阴极表面，溅射制备厚度200nm的Si3N4作为薄膜封装层。
对比例3与实施例3不同之处仅在于该有机电致发光器件的基板用PES薄膜为基板其他各层阳极，空穴传输层，电子传输层，电子注入层，阴极及封装层的材料及其厚度都与实施例1中相同，对比例的有机电致发光器件的结构为：PES/Ag(200nm)/NPB(60nm)/Alq3(60nm)/LiF(2nm)/Ag(30nm)/Si3N4(300nm)
经测试结果
将实施例3制备的柔性基板做水渗透率的测试，其渗透率为3.3×10-3g/m2/day，而对比例3中的柔性基板，其水渗透率为14.2g/m2/day，显然在聚合物薄膜表面经过本发明的改进后，水渗透率大幅降低了。
当起始亮度为1000cd/m2时，亮度衰减到起始的70%时，实施例3有机电致发光器件的使用寿命达到3400小时左右，而对比例则只有1000小时左右。
实施例4
这种柔性导电电极的制备按照以下方法：
步骤1：提供聚合物薄膜基板PEN薄膜，厚度为0.2mm，并清洗干净；
步骤2：在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在聚合物薄膜基板PEN的一表面上，蒸发制备第一金属铝层，厚度为60nm，蒸发速度为1nm/s；
步骤3：在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在步骤2的基础上在聚合物薄膜基板PEN薄膜另一表面上，蒸镀制备第二金属铝层，接着在第二金属铝层表面蒸镀制备聚酰亚胺薄膜层，依次交替重复制备第二金属铝层和聚酰亚胺薄膜层，聚酰亚胺层层数为3层，第二金属铝层的层数为4层，并且最后一层第二金属铝层的厚度为40nm，其余第二金属铝层的厚度为15nm，聚酰亚胺薄膜层厚度为70nm，在蒸发成膜过程中，PMDA的蒸发速度为0.5nm/s，ODA的蒸发速度为0.5nm/s；得到该柔性基板。
步骤4：该柔性基板为基础，在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在该柔性基板的第二金属铝层表面上，蒸发另一层金属薄膜Ag层作为阳极，厚度为70nm，蒸发速度为0.5nm/s，然后在阳极上蒸发厚度50nm的N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)作为空穴传输层，蒸发速度为0.5nm/s，在空穴传输层上蒸发厚度30nm的8-羟基喹啉铝（Alq3）作为发光层兼电子传输层，蒸发速度为0.5nm/s，在电子传输层上蒸发1nm的氟化锂（LiF）作为电子注入层，蒸发速度为0.1nm/s，在电子传输层上蒸发厚度为25nm的金属银膜（Ag）作为透明阴极，蒸发速度为0.5nm/s。在上述器件的阴极表面，溅射制备厚度300nm的Si3N4作为薄膜封装层。
对比例4与实施例4不同之处仅在于该有机电致发光器件的基板用PEN薄膜为基板其他各层阳极，空穴传输层，电子传输层，电子注入层，阴极及封装层的材料及其厚度都与实施例4中相同，对比例的有机电致发光器件的结构为：PEN/Ag(70nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Ag(25nm)/Si3N4(300nm)
经测试结果：
将实施例4制备的柔性基板做水渗透率的测试，其渗透率为1.1×10-3g/m2/day，而对比例4中的柔性基板，其水渗透率为7.3g/m2/day，显然在聚合物薄膜表面经过本发明的改进后，水渗透率大幅降低了。
当起始亮度为1000cd/m2时，亮度衰减到起始的70%时，实施例4有机电致发光器件的使用寿命达到3500小时左右，而对比例则只有1200小时左右。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种柔性基板，其特征在于，包括聚合物薄膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面设置第一金属铝层，所述聚合物薄膜的另一面交替设置第二金属铝层与聚酰亚胺薄膜层，且所述聚合物薄膜基板两端为金属铝层结构，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种。
2.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，所述聚合物薄膜基板的厚度为0.1mm～1mm。
3.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，所述第一金属铝层厚度为50nm～100nm。
4.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，所述第二金属铝层厚度为15nm～40nm，所述聚酰亚胺薄膜层厚度为70nm～150nm。
5.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，所述交替设置第二金属铝层与聚酰亚胺薄膜层中，第二金属铝层的层数大于等于3，所述聚酰亚胺薄膜层的层数大于等于2。
6.一种柔性基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供聚合物薄膜基板，将聚合物薄膜基板放入真空镀膜系统中，在真空度为10-3Pa～10-5Pa的条件下，在所述聚合物薄膜基板的一面蒸发制备第一金属铝层；
接着在所述聚合物薄膜基板的另一面交替蒸镀制备第二金属铝层及聚酰亚胺薄膜层，且所述聚合物薄膜基板两端为金属铝层结构；
蒸镀金属铝层在真空度为1×10-3～1×10-5Pa的真空镀膜系统中进行，蒸发速度为0.2nm/s～2nm/s。蒸镀聚酰亚胺薄膜层在真空度为1×10-3～1×10-5Pa的真空镀膜系统中进行，蒸发速度为0.1nm/s～1nm/s。
7.根据权利要求6所述的柔性基板的制备方法，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜由以下步骤制备：
在真空度为1×10-3～1×10-5Pa的真空镀膜系统中，将均苯四甲酸二酐和4,4‘-二氨基二苯醚两种单体材料分别置于真空镀室的两个坩埚中，均苯四甲酸二酐和4,4‘-二氨基二苯醚的蒸发速度之比为1:(0.8～1.2)，得到预聚体；
将得到的预聚体移入真空加热装置中，在150℃～250℃条件下脱水处理5小时～10小时，得到聚酰亚胺薄膜。
8.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件包括依次层叠的基板，阳极，空穴传输层，电子传输层，电子注入层，阴极及封装层，其特征在于，所述基板为聚合物薄膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面设置第一金属铝层，所述聚合物薄膜的另一面交替设置第二金属铝层与聚酰亚胺薄膜层，且所述聚合物薄膜基板两端为金属铝层结构，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述聚合物薄膜基板的厚度为0.1mm～1mm，所述第一金属铝层厚度为50nm～100nm，所述第二金属铝层厚度为15nm～40nm，所述聚酰亚胺薄膜层厚度为50nm～100nm。
10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述交替设置第二金属铝层与聚酰亚胺薄膜层中，第二金属铝层的层数大于等于3，所述聚酰亚胺薄膜层的层数大于等于2。
CN201310210071.XA 2013-05-30 2013-05-30 柔性基板，其制备方式及其应用 Pending CN104218174A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310210071.XA CN104218174A (zh) 2013-05-30 2013-05-30 柔性基板，其制备方式及其应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310210071.XA CN104218174A (zh) 2013-05-30 2013-05-30 柔性基板，其制备方式及其应用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104218174A true CN104218174A (zh) 2014-12-17

Family

ID=52099473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310210071.XA Pending CN104218174A (zh) 2013-05-30 2013-05-30 柔性基板，其制备方式及其应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104218174A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105140393A (zh) * 2015-07-06 2015-12-09 Tcl集团股份有限公司 一种复合膜结构聚合物柔性基板及其制作方法
CN106756797A (zh) * 2016-11-25 2017-05-31 上海卫星装备研究所 一种无色透明聚酰亚胺薄膜镀铝热控涂层及其制备方法
CN109994649A (zh) * 2019-04-09 2019-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法以及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003109748A (ja) * 2001-09-27 2003-04-11 Sanyo Shinku Kogyo Kk 電子デバイス、又は有機ｅｌ素子用プラスチック基板の製造方法、及び該方法により構成された電子デバイス、又は有機ｅｌ素子用プラスチック基板、又は有機ｅｌ素子
CN1543514A (zh) * 2001-08-20 2004-11-03 ��˹��ŵ�� 气体和蒸气低渗透性的涂层
JP2005123012A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネセンス表示パネルとその製造方法
CN1656626A (zh) * 2002-03-29 2005-08-17 通用电气公司 具有定向发光的机械柔韧的有机场致发光器件
CN101026228A (zh) * 2006-02-20 2007-08-29 株式会社日立显示器 有机el显示装置
CN102223760A (zh) * 2011-06-03 2011-10-19 深圳丹邦投资集团有限公司 一种柔性基板、柔性amoled以及柔性pmoled

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1543514A (zh) * 2001-08-20 2004-11-03 ��˹��ŵ�� 气体和蒸气低渗透性的涂层
JP2003109748A (ja) * 2001-09-27 2003-04-11 Sanyo Shinku Kogyo Kk 電子デバイス、又は有機ｅｌ素子用プラスチック基板の製造方法、及び該方法により構成された電子デバイス、又は有機ｅｌ素子用プラスチック基板、又は有機ｅｌ素子
CN1656626A (zh) * 2002-03-29 2005-08-17 通用电气公司 具有定向发光的机械柔韧的有机场致发光器件
JP2005123012A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネセンス表示パネルとその製造方法
CN101026228A (zh) * 2006-02-20 2007-08-29 株式会社日立显示器 有机el显示装置
CN102223760A (zh) * 2011-06-03 2011-10-19 深圳丹邦投资集团有限公司 一种柔性基板、柔性amoled以及柔性pmoled

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105140393A (zh) * 2015-07-06 2015-12-09 Tcl集团股份有限公司 一种复合膜结构聚合物柔性基板及其制作方法
CN106756797A (zh) * 2016-11-25 2017-05-31 上海卫星装备研究所 一种无色透明聚酰亚胺薄膜镀铝热控涂层及其制备方法
CN109994649A (zh) * 2019-04-09 2019-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法以及显示装置
CN109994649B (zh) * 2019-04-09 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法以及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102097595B (zh) 有机发光设备及制造有机发光设备的方法
Burrows et al. Gas permeation and lifetime tests on polymer-based barrier coatings
WO2013168553A1 (ja) 半導体装置用基板、半導体装置、調光型照明装置、自己発光表示装置、太陽電池および反射型液晶表示装置
US20150028310A1 (en) Organic light-emitting diode (oled) substrate and display device
KR20080101488A (ko) 표시소자용 연성기판 및 이를 이용한 디스플레이 소자
KR101819094B1 (ko) 투명 플렉시블 필름 및 이의 제조방법
KR101255234B1 (ko) 전도성 박막 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN101714612A (zh) 有机太阳能电池元件
KR20110048251A (ko) 그라펜 및 유기공액분자의 적층 구조체 및 그의 제조방법
CN104124383A (zh) 柔性有机电致发光器件及其制备方法
CN104218174A (zh) 柔性基板，其制备方式及其应用
Yoon et al. Bright flexible organic light-emitting devices on copy paper substrates
CN104979478A (zh) 柔性有机电致发光装置及其制备方法
CN104124347A (zh) 柔性有机电致发光器件及其制备方法
KR101125075B1 (ko) 이형방지 조성물, 상기 이형방지 조성물을 포함하는 그래핀 적층체 및 그 제조방법
CN104979490A (zh) 柔性有机电致发光器件及其制备方法
Park et al. Contact printing of the emitting layer for high performance multilayered phosphorescent organic light-emitting diodes
CN104218181A (zh) 封装基板，其制备方式及其应用
CN104103768A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法
CN104167502A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104979489A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
Cheng et al. Surface modification of graphene using HBC-6ImBr in solution-processed OLEDs
CN104103764A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法
CN104078592A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
Lim et al. Stretchable interfaces with conformal contact

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20141217