CN104201243A - 一种用于mwt电池孔洞内部浆料填充的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于MWT电池孔洞内部浆料填充的方法，其特征在于：将P型电池片进行酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗、PECVD镀膜工序后，利用激光器将电池片进行距阵形钻孔，然后采用新型网版对MWT电池进行印刷，所述新型网版膜厚度为30～45μm；所述新型网版的浆料透过量为125～135mg；所述MWT电池印刷时的压力为70～90N，印刷速度为40～80mm/s，板间距为0.2～0.5mm。本发明孔洞内部浆料填充均匀、致密，电池效率高。
Description
技术领域
本发明涉及一种MWT电池制作方法，具体涉及一种用于MWT电池孔洞内部浆料填充的方法。
背景技术
太阳电池是一种基于光伏效应直接将光能转化为电能的器件。传统的多晶硅太阳能电池片平均效率在17.8%左右，如何提升电池片的效率是现如今该领域各公司重要的发展方向。MWT电池为一种新型新结构太阳能电池，其特征是通过对电池片穿孔，将电池片正面细栅收集的载流子通过孔洞引到背面的电极上面（传统电池的主栅），而在电池片的正面无需再印主栅，使得电池片的有效活性面积大大增大，进而达到效率提升的目的，该类电池相对传统电池可以有0.3%的电池效率提升。而MWT电池在技术上有一个关键的难点，即如何对电池片的孔洞进行有效的浆料填充。MWT电池的孔洞直径在150μm-300μm之间，如何对这些孔洞进行浆料填充是该型电池成败的关键。传统的太阳能电池电极印刷是通过丝网印刷的方式进行的，即通过网版把浆料印刷到电池片上，常规网版厚度一般在15～20μm，电池片的浆料透过量约为105mg，印刷效果的好坏会直接影响电池片的诸多电性能参数，如Rs、FF、Isc等，而这些参数的好坏就决定了电池片效率的好坏。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种用于MWT电池孔洞内部浆料填充的方法，孔洞内部浆料填充均匀、致密，电池效率高。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是：一种用于MWT电池孔洞内部浆料填充的方法，其特征在于：将P型电池片进行酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗、PECVD镀膜工序后，利用激光器将电池片进行距阵形钻孔，然后采用新型网版对MWT电池进行印刷，所述新型网版膜厚度为30～45μm；所述新型网版的浆料透过量为125～135mg；所述MWT电池印刷时的压力为70～90N，印刷速度为40～80mm/s，板间距为0.2～0.5mm。
作为一种优选，所述距阵形钻孔的间距为39mm。
作为一种优选，所述MWT电池印刷时，浆料印刷湿重控制范围为120～130mg。
本发明的有益效果是:通过增加网版厚度，控制电池印刷参数，使的MWT电池孔洞内部浆料填充可在传统印刷线上操作，无需改进、引进新设备，就可以完成高效MWT电池的印刷，孔洞内部浆料填充均匀、致密，电池效率高，并适合于大规模生产。
附图说明
图1为本发明实施例新型网版的结构示意图。
下面结合附图对本发明做进一步说明。
具体实施方式
实施例1：一种用于MWT电池孔洞内部浆料填充的方法，将P型多晶硅片进行酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗、PECVD镀膜工序后，利用激光器将电池片进行距阵形钻孔，然后采用新型网版（如附图1所示）对MWT电池进行印刷，在新型网版上设有与电池片上距阵形钻孔相配的孔1，孔1的直径为150μm，距阵形钻孔的间距为39mm；新型网版的厚度为40μm，新型网版的浆料透过量为120mg；所述MWT电池印刷时的压力为80N，印刷速度为60mm/s，板间距为0.3mm。所述MWT电池印刷时，浆料印刷湿重控制范围为120mg。
本发明与常规电池片、常规印刷MWT电池片对比的电性能参数如下：
从上表中可以看出，本专利印刷工艺的MWT电池效率相比正常印刷工艺的MWT电池效率有大幅提升，相较于传统印刷电池片亦有0.3%的提升。
实施例2：另一种用于MWT电池孔洞内部浆料填充的方法，在新型网版上孔的直径为250μm，距阵形钻孔的间距为39mm；所述新型网版的厚度为45μm，所述新型网版的浆料透过量为125mg；所述MWT电池印刷时的压力为90N，印刷速度为700mm/s，板间距为0.5mm。所述MWT电池印刷时，浆料印刷湿重控制范围为130mg。其它与实施例1相同，
Claims (3)
1.一种用于MWT电池孔洞内部浆料填充的方法，其特征在于：将P型电池片进行酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗、PECVD镀膜工序后，利用激光器将电池片进行距阵形钻孔（1），然后采用新型网版对MWT电池进行印刷，所述新型网版膜厚度为30～45μm；所述新型网版的浆料透过量为125～135mg；所述MWT电池印刷时的压力为70～90N，印刷速度为40～80mm/s，板间距为0.2～0.5mm。
2.如权利要求1所述的用于MWT电池孔洞内部浆料填充的方法，其特征在于：所述距阵形钻孔（1）的间距为39mm。
3.如权利要求1所述的用于MWT电池孔洞内部浆料填充的方法，其特征在于：所述MWT电池印刷时，浆料印刷湿重控制范围为120～130mg。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107492473A (zh) * | 2017-08-17 | 2017-12-19 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 片式熔断器阻挡层的加工方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010262A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| CN101710596A (zh) * | 2009-11-23 | 2010-05-19 | 宁波太阳能电源有限公司 | 一种硅太阳能电池 |
| KR20100110164A (ko) * | 2009-04-02 | 2010-10-12 | 성균관대학교산학협력단 | 태양전지의 전극 형성용 스크린인쇄판 및 이를 이용하여 전극을 형성하는 방법 |
| CN102386249A (zh) * | 2011-10-31 | 2012-03-21 | 北京中联科伟达技术股份有限公司 | 一种下一代结构高效率晶体硅电池及制作方法 |
| CN102820377A (zh) * | 2012-08-27 | 2012-12-12 | 恒基光伏电力科技股份有限公司 | 太阳能电池片的生产工艺 |
| CN103413858A (zh) * | 2013-06-08 | 2013-11-27 | 中山大学 | 一种mwt晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN103762278A (zh) * | 2014-01-29 | 2014-04-30 | 英利集团有限公司 | 一种mwt太阳能电池及其制作方法 |
-
2014
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010262A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| KR20100110164A (ko) * | 2009-04-02 | 2010-10-12 | 성균관대학교산학협력단 | 태양전지의 전극 형성용 스크린인쇄판 및 이를 이용하여 전극을 형성하는 방법 |
| CN101710596A (zh) * | 2009-11-23 | 2010-05-19 | 宁波太阳能电源有限公司 | 一种硅太阳能电池 |
| CN102386249A (zh) * | 2011-10-31 | 2012-03-21 | 北京中联科伟达技术股份有限公司 | 一种下一代结构高效率晶体硅电池及制作方法 |
| CN102820377A (zh) * | 2012-08-27 | 2012-12-12 | 恒基光伏电力科技股份有限公司 | 太阳能电池片的生产工艺 |
| CN103413858A (zh) * | 2013-06-08 | 2013-11-27 | 中山大学 | 一种mwt晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN103762278A (zh) * | 2014-01-29 | 2014-04-30 | 英利集团有限公司 | 一种mwt太阳能电池及其制作方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107492473A (zh) * | 2017-08-17 | 2017-12-19 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 片式熔断器阻挡层的加工方法 |
| CN107492473B (zh) * | 2017-08-17 | 2019-01-04 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 片式熔断器阻挡层的加工方法 |
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