CN103077975B - 一种低成本n型双面太阳电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低成本n型双面太阳电池，所述太阳电池前表面为硼扩散形成的硼发射极，硼发射极上面沉积有钝化层和减反射层，太阳电池背表面的背电极接触位置为局部磷背场，其余为非掺杂区域，非掺杂区域上面沉积有钝化层，前表面制备有金属前电极，背表面制备有金属背电极。本发明还公开了该低成本n型双面太阳电池的制备方法。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明利用激光掺杂含磷薄膜或涂敷的磷源，形成局部n+掺杂区域，同时保持钝化效果，无需二次高温磷扩散和其它掩膜过程，就可同时形成前表面场和背表面场，简化双面n型太阳电池的制备工艺和降低制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及光伏发电领域，具体涉及一种n型双面太阳电池及其制备方法。
背景技术
n型双面太阳电池具有效率高、衰减低、双面发电和外观漂亮的独特优点，在光伏市场上受到越来越多的重视。目前，一些厂家的n型双面太阳电池基本上都是常规结构（见图1），前表面为硼掺杂的硼发射极1，以及在其上面的钝化层2和减反射层3，另一面为磷掺杂背场10和在其上面的钝化层6，双面制备前电极7和背电极8。采用常规技术路线制备n型双面太阳电池，需要多次高温扩散、氧化掩膜、去结刻蚀等复杂工艺，使得制备成本较高，市场难以开拓。为了提高该电池的竞争力，有必要开发一些新工艺，并对该工艺流程进行简化，从而降低成本。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型的n型双面太阳电池，该太阳电池在转换效率提高的同时可降低生产成本。
本发明的另一目的是提供上述n型双面太阳电池的制备方法，利用激光局部掺杂和单次扩散制备n型双面电池，从而简化双面电池的制备工艺，有效降低电池的制备成本。
本发明提供的一种低成本n型双面太阳电池，其特征在于，所述太阳电池前表面为硼扩散形成的硼发射极，硼发射极上面沉积有钝化层和减反射层，太阳电池背表面的背电极接触位置为局部磷背场，其余为非掺杂区域，非掺杂区域上面沉积有钝化层，前表面制备有金属前电极，背表面制备有金属背电极。与常规n型双面太阳电池的背面采用掺杂型全表面场不同，本发明将电池背面的背电极接触位置设计为局部磷掺杂背场，其它仍然为非掺杂区域。如此，不仅给制备工艺带来了很大简化，而且由于背掺杂面积大为减少，背表面的复合速率可得到很大降低，这将使得n型双面太阳电池的转换效率得到进一步提高。
本发明提供的一种n型双面太阳电池的制备方法，工艺步骤如下：
（1）硅片表面制绒；
（2）前表面硼扩散形成硼发射极；
（3）去除背表面的扩散绕射层和硼硅玻璃层；
（4）前表面硼发射极沉积钝化层和减反射层；
（5）背表面沉积掺磷的钝化层，或先沉积钝化层然后喷涂磷源；
（6）背表面激光局部磷掺杂，形成局部n+层；
（7）双面制备金属电极。
所述步骤（1）中，采用碱性溶液腐蚀硅片在硅片表面形成绒面。
所述步骤（2）中，硼扩散方阻为40~200 Ω/sq；扩散方式为BBr3源管式扩散，或离子注入法，或喷涂硼源在线式扩散。
所述步骤（3）中，采用化学腐蚀溶液去除背面的扩散绕射层和硼硅玻璃层。
所述步骤（4）中，前表面硼发射极的钝化层为AlOx薄膜或SiOx薄膜，薄膜厚度为2nm~50nm，采用PECVD、ALD或PVD方式生长；覆盖钝化层的减反射层为SiN薄膜，厚度为30nm~100nm，采用PECVD或PVD方式生长。
所述步骤（5）中，背表面沉积含磷的SiN(p)薄膜，SiN(p)薄膜厚度为30nm~200nm，磷掺杂量为1E19cm-3~5E22cm-3；或沉积含磷的SiOx(p)/SiN叠层膜，SiOx(p)薄膜厚度为10nm~100nm，磷掺杂量为1E19cm-3~5E22cm-3，SiN薄膜厚度为30nm~150nm；或采用沉积SiN薄膜然后喷涂磷源方式，SiN薄膜厚度为30nm~200nm，磷源浓度为0.1% ~70%。
所述步骤（6）中，采用激光进行局部磷掺杂，形状为点阵列或线排布；对于点阵列，点直径为15μm~600μm，点之间的距离为300μm~2500μm；对于线排布，线宽度为15μm~800μm，线间距为500μm~3000μm。
所述步骤（7）中，制备金属电极采用常规的丝网印刷方式或采用电镀方式或采用溅射金属化方式。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明利用激光掺杂含磷薄膜或涂敷的磷源，形成局部n+掺杂区域，同时保持钝化效果，无需二次高温磷扩散和其它掩膜过程，就可同时形成前表面场和背表面场，简化双面n型太阳电池的制备工艺和降低制造成本。同时，由于背掺杂面积大为减少，背表面的复合速率可得到很大降低，这将使得n型双面太阳电池的转换效率得到进一步提高。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。
附图说明
图1为常规n型双面太阳电池结构示意图；
图2为本发明n型双面太阳电池结构示意图（沉积掺磷薄膜后激光掺杂）；
图3为本发明n型双面太阳电池的结构示意图（喷涂磷源后激光掺杂）；
图4为本发明实施例1的工艺路线图；
图5为本发明实施例2的工艺路线图；
图中，1、硼发射极，2、钝化层，3、减反射层，4、局部磷背场，5、掺磷钝化层，6、钝化层，7、前电极，8、背电极，9、磷源，10、磷掺杂背场。
具体实施方式
以下实施例仅用于阐述本发明，而本发明的保护范围并非仅仅局限于以下实施例。所述技术领域的普通技术人员依据以上本发明公开的内容和各参数所取范围，均可实现本发明的目的。
实施例1
如图2所示，本发明提供的一种低成本n型双面太阳电池，前表面为硼扩散形成的硼发射极1，硼发射极上面沉积有钝化层2和减反射层3，太阳电池背表面的背电极接触位置为局部磷背场4，其余为非掺杂区域，非掺杂区域上面沉积有掺磷钝化层5，前表面制备有金属前电极7，背表面制备有金属背电极8。
上述n型双面太阳电池的制备方法，包括以下步骤（如图4所示）：
（1）采用体少子寿命大于50μs、电阻率为0.5~15.0Ωcm的n型硅片，化学腐蚀去除硅片表面损伤层和制绒；
（2）前表面硼扩散形成硼发射极1，扩散方式可以为BBr3源管式扩散，或采用离子注入法，或喷涂硼源在线式扩散，扩散方阻为40~200 ohm/sq；
（3）采用化学腐蚀溶液，去除背面的扩散绕射层和硼硅玻璃层；
（4）前表面硼发射极沉积钝化层2和减反射层3，钝化层2为AlOx薄膜或SiOx薄膜，减反射层3为SiN薄膜，钝化层2的薄膜厚度为2nm~50nm，可采用PECVD、ALD或PVD方式生长；减反射层3为SiN薄膜，厚度为30nm~100nm，可采用PECVD或PVD方式生长；
（5）背表面沉积掺磷SiN(p) 钝化层5或SiOx(p)/SiN双层钝化膜；SiN(p)薄膜厚度为30nm~200nm，磷掺杂量为1E19cm-3~5E22cm-3；SiOx(p)/SiN叠层膜中SiOx(p)薄膜厚度为10nm~100nm，磷掺杂量为1E19cm-3~5E22cm-3，SiN薄膜厚度为30nm~150nm；
（6）背表面采用激光进行局部磷掺杂形成局部磷背场4，形状为点阵列或线排布；对于点阵列，点直径为15μm~600μm，点之间的距离为300μm~2500μm；对于线排布，线宽度为15μm~800μm，线间距为500μm~3000μm；
（7）双面制备前电极7和背电极8，可采用常规的丝网印刷，如前表面印刷Ag/Al浆料，背表面对准印刷Ag浆，并烧结；或采用电镀方式和溅射金属化方式。
实施例2
如图3所示，本发明提供的一种低成本n型双面太阳电池，前表面为硼扩散形成的硼发射极1，硼发射极上面沉积有钝化层2和减反射层3，太阳电池背表面的背电极接触位置为局部磷背场4，其余为非掺杂区域，非掺杂区域上面沉积有钝化层6，钝化层6上面喷涂有磷源9，前表面制备有金属前电极7，背表面制备有金属背电极8。
上述n型双面太阳电池的制备方法，包括以下步骤（如图5所示）：
（1）采用体少子寿命大于50μs、电阻率为0.5~15.0Ωcm的n型硅片，化学腐蚀去除硅片表面损伤层和制绒；
（2）前表面硼扩散形成硼发射极1，扩散方式可以为BBr3源管式扩散，或采用离子注入法，或喷涂硼源在线式扩散，扩散方阻为40~200 ohm/sq；
（3）采用化学腐蚀溶液，去除背面的扩散绕射层和硼硅玻璃层；
（4）前表面硼发射极1沉积钝化层2和减反射层3，钝化层2为AlOx薄膜或SiOx薄膜，减反射层3为SiN薄膜；钝化层2的薄膜厚度为2nm~50nm，可采用PECVD、ALD或PVD方式生长；减反射层3为SiN薄膜，厚度为30nm~100nm，可采用PECVD或PVD方式生长；
（4）背表面先沉积SiN钝化层6然后喷涂磷源，SiN薄膜厚度为30nm~200nm，磷源浓度为0.1% ~70%；
（5）背表面采用激光进行局部磷掺杂形成局部磷背场4，形状为点阵列或线排布；对于点阵列，点直径为15μm~600μm，点之间的距离为300μm~2500μm；对于线排布，线宽度为15μm~800μm，线间距为500μm~3000μm；
（6）双面制备前电极7和背电极8，可采用常规的丝网印刷，如前表面印刷Ag/Al浆料，背面对准印刷Ag浆，并烧结；或采用电镀方式和溅射金属化方式。
Claims (1)
1.一种低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）硅片表面制绒；
（2）前表面硼扩散形成硼发射极；
（3）去除背表面的扩散绕射层和硼硅玻璃层；
（4）前表面硼发射极沉积钝化层和减反射层；
（5）背表面沉积掺磷的钝化层，或先沉积钝化层然后喷涂磷源，具体步骤为：背表面沉积含磷的SiN(p)薄膜，SiN(p)薄膜厚度为30nm~200nm，磷掺杂量为1E19cm-3~5E22cm-3；或沉积含磷的SiOx(p)/SiN叠层膜，SiOx(p)薄膜厚度为10nm~100nm，磷掺杂量为1E19cm-3~5E22cm-3，SiN薄膜厚度为30nm~150nm；或采用沉积SiN薄膜然后喷涂磷源方式，SiN薄膜厚度为30nm~200nm，磷源浓度为0.1% ~70%；
（6）背表面激光局部磷掺杂，形成局部n+层；
（7）双面制备金属电极。
2．根据权利要求1所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，采用碱性溶液腐蚀硅片在硅片表面形成绒面。
3．根据权利要求1所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，硼扩散方阻为40~200 Ω/sq；扩散方式为BBr3源管式扩散，或离子注入法，或喷涂硼源在线式扩散。
4．根据权利要求1所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，采用化学腐蚀溶液去除背面的扩散绕射层和硼硅玻璃层。
5．根据权利要求1所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中，前表面硼发射极的钝化层为AlOx薄膜或SiOx薄膜，薄膜厚度为2nm~50nm，采用PECVD、ALD或PVD方式生长；覆盖钝化层的减反射层为SiN薄膜，厚度为30nm~100nm，采用PECVD或PVD方式生长。
6．根据权利要求1所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（6）中，采用激光进行局部磷掺杂，形状为点阵列或线排布。
7．根据权利要求6所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，对于点阵列，点直径为15μm~600μm，点之间的距离为300μm~2500μm；对于线排布，线宽度为15μm~800μm，线间距为500μm~3000μm。
8．根据权利要求1所述的低成本n型双面太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤（7）中，制备金属电极采用常规的丝网印刷方式或采用电镀方式或采用溅射金属化方式。
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Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103560168A (zh) * | 2013-10-23 | 2014-02-05 | 中电电气（扬州）光伏有限公司 | Perc太阳能电池的制备工艺 |
| CN103762279B (zh) * | 2014-02-10 | 2016-04-20 | 英利集团有限公司 | N型硅太阳能电池的选择性背场的制作方法、n型硅太阳能电池及其制作方法 |
| CN104465811A (zh) * | 2014-11-13 | 2015-03-25 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种局部背表面场n型太阳能电池 |
| CN105405899B (zh) * | 2015-09-28 | 2018-07-06 | 上海大族新能源科技有限公司 | N型双面电池及其制作方法 |
| CN106784049B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-12-10 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池 |
| CN106847982A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-06-13 | 泰州乐叶光伏科技有限公司 | 背面局部掺杂的n型双面电池结构 |
| CN106876490B (zh) * | 2017-02-24 | 2018-09-11 | 天合光能股份有限公司 | 高转化效率抗pid的n型晶体硅双面电池及其制备方法 |
| CN110021673A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-07-16 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种双面太阳能电池及其制备方法 |
| CN110718597A (zh) * | 2019-11-14 | 2020-01-21 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种n型局部高低结背表面场双面太阳电池及其制备工艺 |
| CN115832068A (zh) * | 2023-01-18 | 2023-03-21 | 西安明为光学科技有限公司 | 一种太阳能电池板及其制备方法 |
| CN116864568B (zh) * | 2023-06-30 | 2024-04-09 | 淮安捷泰新能源科技有限公司 | 一种双面SE的TOPcon太阳能电池制备方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101764179A (zh) * | 2009-12-31 | 2010-06-30 | 中山大学 | 一种选择性前表面场n型太阳电池的制作方法 |
| CN101931029A (zh) * | 2009-06-18 | 2010-12-29 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池及制造太阳能电池的方法 |
| CN102487102A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能电池及其制备方法 |
| CN102569498A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-11 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能电池及其制作方法 |
| CN102593244A (zh) * | 2012-02-09 | 2012-07-18 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 |
| CN102683493A (zh) * | 2012-05-27 | 2012-09-19 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法 |
| CN102738304A (zh) * | 2012-06-25 | 2012-10-17 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法 |
| CN102769072A (zh) * | 2012-07-31 | 2012-11-07 | 英利集团有限公司 | N型晶硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN102800757A (zh) * | 2012-08-28 | 2012-11-28 | 英利集团有限公司 | N型太阳能电池及其制造工艺 |
-
2013
- 2013-01-05 CN CN201310001832.0A patent/CN103077975B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101931029A (zh) * | 2009-06-18 | 2010-12-29 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池及制造太阳能电池的方法 |
| CN101764179A (zh) * | 2009-12-31 | 2010-06-30 | 中山大学 | 一种选择性前表面场n型太阳电池的制作方法 |
| CN102487102A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能电池及其制备方法 |
| CN102569498A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-11 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能电池及其制作方法 |
| CN102593244A (zh) * | 2012-02-09 | 2012-07-18 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 |
| CN102683493A (zh) * | 2012-05-27 | 2012-09-19 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | N型晶体硅双面背接触太阳电池的制备方法 |
| CN102738304A (zh) * | 2012-06-25 | 2012-10-17 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法 |
| CN102769072A (zh) * | 2012-07-31 | 2012-11-07 | 英利集团有限公司 | N型晶硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN102800757A (zh) * | 2012-08-28 | 2012-11-28 | 英利集团有限公司 | N型太阳能电池及其制造工艺 |
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