CN104189909A - 肾上腺素受体拮抗剂在制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物中应用 - Google Patents

Abstract

本发明公开了肾上腺素受体拮抗剂在制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物中应用，利用肾上腺素受体拮抗剂注射缺氧缺血脑损伤小鼠后能够显著缓解钠通道的变化和电流幅度的增加，因此肾上腺素受体拮抗剂能够用于制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物，在脑损伤治疗领域具有潜在的应用前景。

Description

肾上腺素受体拮抗剂在制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物中应用

技术领域

本发明属于生物医药技术领域，特别涉及肾上腺素受体拮抗剂在制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物中应用。

背景技术

围生期缺氧缺血是新生儿脑瘫发生的重要原因，少突胶质前体细胞在缺氧缺血中具有比神经元更高的敏感性和易损性，是由于缺氧缺血引起的脑瘫中重要靶细胞。而少突胶质前体细胞在缺氧缺血时细胞膜电生理变化比形态学和表达受体改变具有敏感性，因此控制细胞膜电生理变化来治疗脑损伤具有更高的敏感性。但是目前未见利用控制细胞膜电生理变化来缓解脑损伤的报道。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供肾上腺素受体拮抗剂在制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物中应用。

为实现上述发明目的，本发明提供如下技术方案：

肾上腺素受体拮抗剂在制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物中的应用。

优选的，所述脑损伤为缺氧缺血性脑损伤。

优选的，所述脑损伤为围生期缺氧缺血性脑损伤。

更优选的，所述肾上腺素受体拮抗剂为哌唑嗪。

本发明的有益效果在于：本发明公开了肾上腺素受体拮抗剂在制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物中的应用，为肾上腺素受体拮抗剂提供了新的医药用途，为临床治疗脑损伤引起钠电流增加奠定了基础。

附图说明

为了使本发明的目的、技术方案和有益效果更加清楚，本发明提供如下附图：

图1为全细胞记录电压门控钠通道电流的电压刺激模式，刺激时长40ms。

图2为空白组组小鼠少突胶质前体细胞电流图。

图3为缺氧缺血组小鼠少突胶质前体细胞电流图。

图4为阴性对照组少突胶质前体细胞电流图。

图5为缺氧缺血后肾上腺素受体拮抗组小鼠少突胶质前体细胞电流图。

图6为空白组小鼠少突胶质前体细胞钠通道的电流电压关系曲线。

图7为缺氧缺血组少突胶质前体细胞钠通道的电流电压关系曲线。

图8为阴性对照组少突胶质前体细胞钠通道的电流电压关系曲线。

图9为缺氧缺血后肾上腺素受体拮抗组少突胶质前体细胞钠通道的电流电压关系曲线。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明的优选实施例进行详细的描述。实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照常规条件或按照制造厂商所建议的条件。

实施例1

围生期缺氧缺血模型的制备：取出生后7天小鼠，乙醚麻醉后，置仰卧位，四肢头部固定，75％酒精消毒，在体视显微镜下，作颈部正中切口，分离、结扎并完全离断左侧颈总动脉，缝合皮肤后待动物复苏。将复苏后小鼠置于1L容积的缺氧仓内，缺氧仓置于恒温水浴箱中，维持环境温度为37℃，然后按1L/min持续通入氧氮混合气(其中氧的体积分数为8％，氮气的体积分数为92％)2h，制成围生期缺氧缺血模型。以制成模型中出现自发左旋或夹尾左旋者纳入后续实验。

分别取围生期缺氧缺血模型和正常小鼠分为4组，分别为空白组、阴性对照组，缺氧缺血组和缺氧缺血后肾上腺素受体拮抗组。其中空白组是将正常小鼠不经过任何处理；阴性对照组取正常小鼠，然后皮内注射盐酸去甲肾上腺素(注射剂量为0.01mg/kg，注射前用无菌生理盐水稀释)，以激活α1受体；缺氧缺血组用围生期缺氧缺血模型不经过任何处理；缺氧缺血后肾上腺素受体拮抗组为围生期缺氧缺血模型鉴定纳入后，立即皮内注射肾上腺素α1受体拮抗剂盐酸哌唑嗪(注射剂量为0.1mg/kg，注射前用无菌生理盐水稀释)。注射后2小时将实验鼠用于制备脑片，具体方法如下：将动物断头后，迅速取脑置于含95％氧气和5％二氧化碳的4℃冰冷人工脑脊液内冷却1min，然后用清洁、锋利的解剖刀和弯镊清除软脑膜等组织后修块，接着用振动切片机将脑切成400μm厚的活体脑切片，切片在32℃条件下恒温水浴，然后再用95％氧气和5％二氧化碳饱和的人工脑脊液孵育脑片；将灌流槽置于正置水浸物镜红外相差显微镜的载物台上，将脑片固定于灌流槽内，在实验中持续灌流人工脑脊液，流速约2mL/min。选取直径在20μm左右、反光均匀、轮廓清晰、活性好的细胞膜片钳。

膜片钳过程是用膜片钳放大器采集电流或电压信号，经Digidata1440AD/DA转换器接口进入计算机，通过膜片钳系统软件pClamp10的Clampex程序采样录入，采样频率10KHz，低频滤波频率5KHz。程序设置输出电压刺激模式给膜片钳放大器，通过前置放大器、记录电极刺激细胞或钳制细胞膜电位。然后对于电压门控钠通道的分析记录，应用电压钳模式，钳制电位-70mV，给予刺激电压-50～100mV，阶跃10mV，时程40ms的电压阶跃刺激，结果如图1～5所示。图1为少突胶质前体细胞(OPCs)的全细胞记录结果；图2～5分别为空白组、缺氧缺血组、阴性对照组和缺氧缺血后肾上腺素受体拮抗组小鼠少突胶质前体细胞电流图。结果显示，空白组小鼠少突胶质前体细胞电流图表现为大的外向钾电流和小的内向钠电流；正常小鼠注射去甲肾上腺素后激活肾上腺素α1受体，少突胶质前体细胞内向的钠电流显著增加；缺氧缺血性脑损伤后，少突胶质前体细胞的内向钠电流显著增加；而小鼠缺氧缺血性脑损伤后，给予肾上腺素α1受体拮抗剂，与缺氧缺血组相比，少突胶质前体细胞内向的钠电流幅度显著降低。图6～9分别为空白组、缺氧缺血组、阴性对照组和缺氧缺血后肾上腺素受体拮抗组小鼠少突胶质前体细胞钠通道的电流电压关系曲线。结果显示，空白组小鼠少突胶质前体细胞的Na+在细胞膜去极化至-40mV开始诱导出现，在膜电位去极化到+20mV达到内向电流幅度最大值平均钠电流，范围-250～-278pA，平均值-263.24±12.09pA。缺氧缺血组小鼠少突胶质前体细胞钠通道的电流电压关系曲线也明显左移，膜电位去极化到-10mV可达到最大钠电流，电流幅度也显著增加，范围-454～-635pA，平均电流幅度-591.29±40.37pA，超过正常组的两倍。这表明少突胶质前体细胞的内向钠电流增加在正常基础水平的两倍，可以作为脑缺氧缺血后对OPC损伤的标志。阴性对照组用去甲肾上腺素激活α1受体后，钠通道的电流电压关系曲线明显左移，膜电位去极化到-10mV即可到达最大钠电流，范围-454～-635pA，平均电流幅度-536.66±80.07pA，也达到正常组的两倍，这说明缺氧缺血损伤，对于OPCs钠电流的影响，可能是通过内源性应激引起的肾上腺素释放激活α1受体所介导。而缺氧缺血后肾上腺素受体拮抗组小鼠，显著缓解钠通道的变化和电流幅度的增加，最大钠电流幅度范围-200～-298pA，平均数-244.34±38.19pA。细胞最大钠电流与对照组相比，幅度略小，但统计学无显著差异，说明肾上腺素受体拮抗剂可以缓解缺氧缺血脑损伤带来的钠电流增加。

最后说明的是，以上优选实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管通过上述优选实施例已经对本发明进行了详细的描述，但本领域技术人员应当理解，可以在形式上和细节上对其作出各种各样的改变，而不偏离本发明权利要求书所限定的范围。

Claims (4)

1.肾上腺素受体拮抗剂在制备缓解脑损伤引起钠电流增加的药物中的应用。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述脑损伤为缺氧缺血性脑损伤。

3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于：所述脑损伤为围生期缺氧缺血性脑损伤。

4.根据权利要求1-3任一项所述的应用，其特征在于：所述肾上腺素受体拮抗剂为盐酸哌唑嗪。