CN104186544A - 一种抗菌防霉抗生物材料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种抗菌防霉抗生物材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一,纳米NiO/SiO2核壳结构材料的制备,步骤二,二氧化硅薄膜的制备和步骤三,沉积,制得抗菌防霉抗生物材料,该材料具有杀灭细菌,防止霉变的功能,并且抗菌性持久,并且可以用于抗菌领域的各种用途,例如食品包装,保鲜袋。药品包装等。
Description
技术领域
本发明专利涉及一种抗菌防霉抗生物材料的制备方法。
背景技术
随着人们生活水平的提高,薄膜材料的使用范围越来越广泛,目前,社会的多使用的薄膜材料为聚乙烯,聚丙烯,聚氯乙烯,聚酯等材质制得,上述材质的仅仅是一些简单的材质,随着社会的进步,上述材质的薄膜仅仅能够满足一定的需求,无法满足一些特殊的要求,例如食物包装,蔬菜保鲜,满足果蔬转季储存,长途运输,出口等使用要求,同时具有一定功能的薄膜材料也越来越多,例如具有抗菌、防霉、抗生物的特种薄膜材料也越来越受到人们的喜爱。
市面上有需要传统的抗菌薄膜,例如直接将抗菌成分涂在薄膜表面的抗菌薄膜,这种在基材薄膜表面涂覆抗菌剂溶液后,与中层的材料粘结制得,虽然工艺简单,但是也存在在很多的问题,例如抗菌剂粉末超微细化,并使用有机溶剂溶解,这样会对人体和环境造成伤害,并且抗菌剂干燥后会使得表面成分不均匀,限制抗菌效果的发挥,并且味道大,挥发快,难以持久杀菌,从而影响抗菌效果的持久发挥。
发明内容
本发明专利的目的在于提供一种抗菌防霉抗生物材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤一,纳米NiO/SiO2核壳结构材料的制备:
将纳米NiO粉体加入至表面改性剂中,在室温下磁力搅拌30min,制得表面修饰后的纳米NiO粉体,所述纳米NiO粉体与表面改性剂的质量比为1∶10-1∶15;
室温下,把正硅酸乙酯、乙醇和纯净水混合,加入表面修饰后的纳米NiO粉体,在室温下磁力搅拌5-7h,将磁力搅拌后形成的固体材料在50℃下真空干燥12h。取出冷却至室温,然后用纯净水洗至中性,再将样品在40℃下真空干燥30-120min,除去其中的水分制得纳米NiO/SiO2核壳结构材料,所述正硅酸乙酯、乙醇、纯净水水和表面修饰后的纳米NiO粉体的质量比为10∶1∶4∶1;所述纳米NiO/SiO2核壳结构材料的尺寸为20-100nm。
步骤二,二氧化硅薄膜的制备:
(1)溶胶制备,将步骤一所制得的纳米NiO/SiO2核壳结构材料放在四氢呋喃溶剂中,超声2-5h,得到处理好后的混合液体,所述的纳米NiO/SiO2核壳结构材料与四氢呋喃溶剂的质量比为1∶500-1∶1000;将正硅酸乙酯、混合液体、水、HF酸(氢氟酸)以1-2∶5-7∶1-4∶0.02摩尔比混合,在室温下用磁力搅拌器搅拌8-10小时,制得均匀的溶胶。
(2)旋涂制膜,当溶胶粘度系数达到10cp左右时,在1cm×1cm的清洗过的硅片上旋转涂敷制膜,溶胶旋涂转速为3000rpm,旋涂时间为30s。
(3)后期热处理,在Ar气氛中退火2-5h,退火温度为400-480℃,制得二氧化硅薄膜,其中纳米NiO/SiO2核壳结构材料的含量约为0.0001%-0.001%。
步骤三,沉积:
(4)沉积TiO2膜,首先将真空室抽至1×10-4pa,溅射气压为0.025 mbar,射频溅射功率为50 W,玻璃基板用丙酮、乙醇和二次去离子水超声波清洗15min,之后沉积TiO2,TiO2沉积的厚度约为15nm,所述TiO2的沉积条件为室温,射频输出功率(W)为100,真空度(mbar)为0.025,Ar流速(sccm)为8。
(5)沉积Ag膜,于室温下在Ar流量为8 sccm下玻璃上沉积30s的Ag膜;
(6)沉积TiO2膜,将前面沉积了Ag膜的基体上再次沉积TiO2,所沉积的厚度为50-100nm,制得抗菌防霉抗生物材料。
步骤一中所述的表面改性剂选自:十二烷基磺酸钠、月桂酸钠或硬脂酸。表面改性剂浓度为0.002-0.01mol/L。
所述步骤二中(3)后期热处理,在Ar气氛中退火3h,退火温度为450℃。
所述步骤三沉积(4),沉积TiO2膜,中采用JGP450型磁控溅射镀膜机,该镀膜机配备有2个射频溅射靶,Ag膜的溅射使用99.99%纯度的Ag金属靶,TiO2膜的溅射使用99.9%纯度TiO2烧结多晶靶材,频率为13.56 MHz,溅射气体为Ar。
步骤三,沉积:(4)沉积TiO2膜的厚度约为15nm。
步骤三,沉积:(5)沉积Ag膜的厚度为45nm。
步骤三,沉积:(6)沉积TiO2膜的厚度约为60nm
步骤三,沉积:(6)沉积TiO2膜,TiO2的沉积条件为于室温下,射频输出功率(W)为150,真空度(mbar)为0.025,Ar流速(sccm)为7,氧气流速(sccm)为1,制得抗菌防霉抗生物材料。
有益效果:
品不仅在TiO2层中形成了Ag的纳米颗粒,而且简便的使得Ag纳米颗粒更加均匀的分布在TiO2基质中,同时具有更加稳定的抗菌效果,Ag膜由于磁控溅射腔体溅射气氛中等离子体发生解离产生了活性氧,在活性氧的作用下原先的连续Ag膜会在TiO2基质中形成Ag纳米结构,而底层的TiO2膜进一步的保护等离子体活性氧的进一步刻蚀作用;本发明的材料具有杀灭细菌,防止霉变的功能,并且抗菌性持久,并且可以用于抗菌领域的各种用途,例如食品包装,保鲜袋。药品包装等;加入纳米NiO/SiO2核壳结构材料后使得该材料的硬度和弹性模量有了大量的提高,硬度可达到6.82Gpa,弹性模量可达到47.26Gpa。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。
一种抗菌防霉抗生物材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤一,纳米NiO/SiO2核壳结构材料的制备:
将纳米NiO粉体加入至表面改性剂中,在室温下磁力搅拌30min,制得表面修饰后的纳米NiO粉体,所述纳米NiO粉体与表面改性剂的质量比为1∶10-1∶15;
室温下,把正硅酸乙酯、乙醇和纯净水混合,加入表面修饰后的纳米NiO粉体,在室温下磁力搅拌5-7h,将磁力搅拌后形成的固体材料在50℃下真空干燥12h。取出冷却至室温,然后用纯净水洗至中性,再将样品在40℃下真空干燥30-120min,除去其中的水分制得纳米NiO/SiO2核壳结构材料,所述正硅酸乙酯、乙醇、纯净水水和表面修饰后的纳米NiO粉体的质量比为10∶1∶4∶1;所述纳米NiO/SiO2核壳结构材料的尺寸为20-100nm。
步骤二,二氧化硅薄膜的制备:
(1)溶胶制备,将步骤一所制得的纳米NiO/SiO2核壳结构材料放在四氢呋喃溶剂中,超声2-5h,得到处理好后的混合液体,所述的纳米NiO/SiO2核壳结构材料与四氢呋喃溶剂的质量比为1∶500-1∶1000;将正硅酸乙酯、混合液体、水、HF酸(氢氟酸)以1-2∶5-7∶1-4∶0.02摩尔比混合,在室温下用磁力搅拌器搅拌8-10小时,制得均匀的溶胶。
(2)旋涂制膜,当溶胶粘度系数达到10cp左右时,在1cm×1cm的清洗过的硅片上旋转涂敷制膜,溶胶旋涂转速为3000rpm,旋涂时间为30s。
(3)后期热处理,在Ar气氛中退火2-5h,退火温度为400-480℃,制得二氧化硅薄膜,其中纳米NiO/SiO2核壳结构材料的含量约为0.0001%-0.001%。
步骤三,沉积:
(4)沉积TiO2膜,首先将真空室抽至1×10-4pa,溅射气压为0.025 mbar,射频溅射功率为50 W,玻璃基板用丙酮、乙醇和二次去离子水超声波清洗15min,之后沉积TiO2,TiO2沉积的厚度约为15nm,所述TiO2的沉积条件为室温,射频输出功率(W)为100,真空度(mbar)为0.025,Ar流速(sccm)为8。
(5)沉积Ag膜,于室温下在Ar流量为8 sccm下玻璃上沉积30s的Ag膜;
(6)沉积TiO2膜,将前面沉积了Ag膜的基体上再次沉积TiO2,所沉积的厚度为50-100nm,制得抗菌防霉抗生物材料。
步骤一中所述的表面改性剂选自:十二烷基磺酸钠、月桂酸钠或硬脂酸。表面改性剂浓度为0.002-0.01mol/L。
所述步骤二中(3)后期热处理,在Ar气氛中退火3h,退火温度为450℃。
所述步骤三沉积(4),沉积TiO2膜,中采用JGP450型磁控溅射镀膜机,该镀膜机配备有2个射频溅射靶,Ag膜的溅射使用99.99%纯度的Ag金属靶,TiO2膜的溅射使用99.9%纯度TiO2烧结多晶靶材,频率为13.56 MHz,溅射气体为Ar。
步骤三,沉积:(4)沉积TiO2膜的厚度约为15nm。
步骤三,沉积:(5)沉积Ag膜的厚度为45nm。
步骤三,沉积:(6)沉积TiO2膜的厚度约为60nm
步骤三,沉积:(6)沉积TiO2膜,TiO2的沉积条件为于室温下,射频输出功率(W)为150,真空度(mbar)为0.025,Ar流速(sccm)为7,氧气流速(sccm)为1,制得抗菌防霉抗生物材料。
所述抗菌防霉抗生物材料的介电常数为2.24,硬度为6.21-6.82Gpa,弹性模量为42.47-47.26Gpa。
应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解,在阅读了本发明讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
Claims (8)
1.一种抗菌防霉抗生物材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤一,纳米NiO/SiO2核壳结构材料的制备:
将纳米NiO粉体加入至表面改性剂中,在室温下磁力搅拌30min,制得表面修饰后的纳米NiO粉体,所述纳米NiO粉体与表面改性剂的质量比为1∶10-1∶15;
室温下,把正硅酸乙酯、乙醇和纯净水混合,加入表面修饰后的纳米NiO粉体,在室温下磁力搅拌5-7h,将磁力搅拌后形成的固体材料在50℃下真空干燥12h。取出冷却至室温,然后用纯净水洗至中性,再将样品在40℃下真空干燥30-120min,除去其中的水分制得纳米NiO/SiO2核壳结构材料,所述正硅酸乙酯、乙醇、纯净水水和表面修饰后的纳米NiO粉体的质量比为10∶1∶4∶1;所述纳米NiO/SiO2核壳结构材料的尺寸为20-100nm。
步骤二,二氧化硅薄膜的制备:
(1)溶胶制备,将步骤一所制得的纳米NiO/SiO2核壳结构材料放在四氢呋喃溶剂中,超声2-5h,得到处理好后的混合液体,所述的纳米NiO/SiO2核壳结构材料与四氢呋喃溶剂的质量比为1∶500-1∶1000;将正硅酸乙酯、混合液体、水、HF酸(氢氟酸)以1-2∶5-7∶1-4∶0.02摩尔比混合,在室温下用磁力搅拌器搅拌8-10小时,制得均匀的溶胶。
(2)旋涂制膜,当溶胶粘度系数达到10cp左右时,在1cm×1cm的清洗过的硅片上旋转涂敷制膜,溶胶旋涂转速为3000rpm,旋涂时间为30s。
(3)后期热处理,在Ar气氛中退火2-5h,退火温度为400-480℃,制得二氧化硅薄膜,其中纳米NiO/SiO2核壳结构材料的含量约为0.0001%-0.001%。
步骤三,沉积:
(4)沉积TiO2膜,首先将真空室抽至1×10-4pa,溅射气压为0.025 mbar,射频溅射功率为50 W,玻璃基板用丙酮、乙醇和二次去离子水超声波清洗15min,之后沉积TiO2,TiO2沉积的厚度约为15nm,所述TiO2的沉积条件为室温,射频输出功率(W)为100,真空度(mbar)为0.025,Ar流速(sccm)为8。
(5)沉积Ag膜,于室温下在Ar流量为8 sccm下玻璃上沉积30s的Ag膜;
(6)沉积TiO2膜,将前面沉积了Ag膜的基体上再次沉积TiO2,所沉积的厚 度为50-100nm,制得抗菌防霉抗生物材料。
2.如权利要求1所述的一种抗菌防霉抗生物材料的制备方法,其特征在于步骤一中所述的表面改性剂选自:十二烷基磺酸钠、月桂酸钠或硬脂酸。表面改性剂浓度为0.002-0.01mol/L。
3.如权利要求1所述的一种抗菌防霉抗生物材料的制备方法,其特征在于所述步骤二中(3)后期热处理,在Ar气氛中退火3h,退火温度为450℃。
4.如权利要求1所述的一种抗菌防霉抗生物材料的制备方法,其特征在于所述步骤三沉积(4),沉积TiO2膜,中采用JGP450型磁控溅射镀膜机,该镀膜机配备有2个射频溅射靶,Ag膜的溅射使用99.99%纯度的Ag金属靶,TiO2膜的溅射使用99.9%纯度TiO2烧结多晶靶材,频率为13.56 MHz,溅射气体为Ar。
5.如权利要求1所述的一种抗菌防霉抗生物材料的制备方法,其特征在于步骤三,沉积:(4)沉积TiO2膜的厚度约为15nm。
6.如权利要求1所述的一种抗菌防霉抗生物材料的制备方法,其特征在于步骤三,沉积:(5)沉积Ag膜的厚度为45nm。
7.如权利要求1所述的一种抗菌防霉抗生物材料的制备方法,其特征在于步骤三,沉积:(6)沉积TiO2膜的厚度约为60nm。
8.如权利要求1所述的一种抗菌防霉抗生物材料的制备方法,其特征在于步骤三,沉积:(6)沉积TiO2膜,TiO2的沉积条件为于室温下,射频输出功率(W)为150,真空度(mbar)为0.025,Ar流速(sccm)为7,氧气流速(sccm)为1,制得抗菌防霉抗生物材料。
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WO2018120703A1 (zh) * | 2016-12-29 | 2018-07-05 | 常德金德新材料科技股份有限公司 | 防霉保鲜涂料及其制备方法和应用 |
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