CN104163396A - 通过可透材料注入惰性气体封装微电子装置的方法 - Google Patents

通过可透材料注入惰性气体封装微电子装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104163396A
CN104163396A CN201410206716.7A CN201410206716A CN104163396A CN 104163396 A CN104163396 A CN 104163396A CN 201410206716 A CN201410206716 A CN 201410206716A CN 104163396 A CN104163396 A CN 104163396A
Authority
CN
China
Prior art keywords
matrix
chamber
inert gas
material part
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410206716.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104163396B (zh
Inventor
史蒂芬·尼古拉斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of CN104163396A publication Critical patent/CN104163396A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104163396B publication Critical patent/CN104163396B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00277—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS
    • B81C1/00285—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00277—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS
    • B81C1/00293—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS maintaining a controlled atmosphere with processes not provided for in B81C1/00285
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00777—Preserve existing structures from alteration, e.g. temporary protection during manufacturing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C21/00—Navigation; Navigational instruments not provided for in groups G01C1/00 - G01C19/00
    • G01C21/10—Navigation; Navigational instruments not provided for in groups G01C1/00 - G01C19/00 by using measurements of speed or acceleration
    • G01C21/12—Navigation; Navigational instruments not provided for in groups G01C1/00 - G01C19/00 by using measurements of speed or acceleration executed aboard the object being navigated; Dead reckoning
    • G01C21/16—Navigation; Navigational instruments not provided for in groups G01C1/00 - G01C19/00 by using measurements of speed or acceleration executed aboard the object being navigated; Dead reckoning by integrating acceleration or speed, i.e. inertial navigation
    • G01C21/166—Mechanical, construction or arrangement details of inertial navigation systems
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C25/00—Manufacturing, calibrating, cleaning, or repairing instruments or devices referred to in the other groups of this subclass
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/54—Providing fillings in containers, e.g. gas fillings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0242—Gyroscopes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0118—Bonding a wafer on the substrate, i.e. where the cap consists of another wafer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0145—Hermetically sealing an opening in the lid
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0862—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system
    • G01P2015/088—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system for providing wafer-level encapsulation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0862—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system
    • G01P2015/0882—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system for providing damping of vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

本申请涉及通过可透材料注入惰性气体封装微电子装置的方法。用于封装微电子装置(102.1，102.2)的方法，所述方法包括以下步骤：将所述微电子装置制作到第一基体(104)上；在包括不可透环境大气和惰性气体的第二材料的第二基体(108)中制作一个不可透环境大气且可透惰性气体的第一材料部分(118.1，118.2)；将所述第二基体固定到所述第一基体，以便形成内部封装有所述微电子装置的至少一个腔(120.1，120.2)，使得所述第一材料部分形成所述腔的壁的至少一部分；通过所述第一材料部分将所述惰性气体注入到所述腔中；相对于环境大气和所述惰性气体气密性地密封所述腔。

Description

通过可透材料注入惰性气体封装微电子装置的方法
技术领域
本发明涉及微电子领域并且更具体地涉及微电子装置的包装或封装，所述微电子装置例如微机械电子系统(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)、纳米机电系统(Nano-Electro-Mechanical Systems，NEMS)、微光机电系统(Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems，MOEMS)或纳米光机电系统(Nano-Opto-Electro-Mechanical Systems，NOEMS)微系统，所述包装或封装由将该装置封装或封闭在气体环境受控的气密性密封的腔中组成。根据本发明的封装方法有利地被用于实现在以不同的压力封闭惰性气体的不同的腔中对数个微电子装置进行集体封装。
背景技术
微电子装置的封装首先为微电子装置提供了相对于外部要素的保护(湿度、微粒污染、反应要素(例如，氧气或其它非惰性气体)，并且其次控制了该装置被封装的腔中的气体环境(压力、封装气体的组分等)。该腔中的封装压力依据设想的应用而可变化并且通常在1巴和10-3毫巴之间。
因此，这种装置的包装的领域中的经常性的限制是在装置被封装的腔中的压力之下完成非常精确的控制。例如，对于陀螺仪型MEMS装置，所述装置通常不得不在高度真空环境(例如，在大约10-1和10-3毫巴之间的压力下)下被封装，否则这种装置将不会正确地运行。射频(Radio Frequency，RF)开关型MEMS装置不得不在接近大气压力的压力下而处于“中性”气体环境下被封装，例如以避免开关接触区域的氧化。在这种情况下，所述开关不得不在氮、氩或氦型气体环境下被封装。
这种装置通常以基体的比例包装，以便集体地封装相同基体上制作的数个微电子装置，以便减少这些装置的建造成本。具体地，这种包装可以通过将帽状基体气密性地密封到包含所述装置的第一基体上而完成。存在不同的用于获得所述帽状基体与所述第一基体的气密的密封组件的密封技术，例如分子键合(或直接键合)、金属键合、阳极键合和玻璃熔块键合。在分子键合或阳极键合的情况下，两个基体被直接相互键合，而在金属键合或玻璃熔块键合的情况下，两个基体之间存在密封接头以制成紧密结合的封装结构。
考虑到的用于控制封装腔中的压力的主要参数是：
-基体之间的密封接头的气密性(如果存在一个的话)；
-气体穿过由基体和/或密封接头的腔形成的壁的可透性；
-所述腔中存在的不同材料的排气。
如果所述腔中要求真空(例如，处于小于大约1毫巴的压力下)，吸气材料通常不得不被布置在所述腔的内部。这种吸气材料可包括例如由物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)沉积的一个或多个薄金属层(通常为锆或钛)。
存在各自包括三轴加速度计、三轴陀螺仪和三轴磁力计的特定组件，因此形成具有9个探测轴的惯性传感器。具有这种组件的三轴微电子装置(加速度计、陀螺仪和磁力计)通常相互独立地制成并且然后在所述组件的最后包装期间被组装(在这种情况下为非集体的封装方法)。
设想了将组件的不同的微电子装置集成到相同基体上，以便减少这种组件的制造成本。然而，这种集成导致了问题。
加速度计通常在相当高的(大于大约1毫巴)剩余压力(封装腔内部的压力)下操作以充分受阻，而陀螺仪通常要求可能最低的剩余压力(例如，大约10-1和10-4毫巴之间)以便以最佳方式操作。包装非常困难并且因此在相同基体上气密性地密封具有截然不同的剩余压力的腔也是非常困难的。
第一方案可以以非常低的压力(例如，大约10-3和10-5毫巴之间)密封加速度计和陀螺仪腔并且将吸气材料放置在陀螺仪腔中而不是加速度计腔中。吸气材料将能够通过在键合期间吸附由所述腔中存在的不同材料释放的气体来保持所述陀螺仪腔中的非常低的剩余压力(大约不到10-1毫巴)。
这种第一方案起作用但是所述第一方案不能实现两个腔之间的高的压差：通常，所述加速度计腔中的剩余压力将由于键合期间的加速度计腔中含有的不同材料的排气而在数毫巴和数十毫巴之间。在一些情况下，对于加速度计而言，多于大约100毫巴或近似等于1巴(强衰减)的剩余压力是必要的。在这种情况下，上述方案不能起作用。
第二方案可由将大气压下(例如，处于大约1巴的压力下)的两个腔键合并且将吸气材料放置到陀螺仪腔中组成。
然而，由于抽气能力受限并且吸气材料的尺寸受限(吸气材料的最大尺寸由腔的尺寸限制)，在这种情况下，所述陀螺仪腔中不可能下降到大约1毫巴的剩余压力以下，因为吸气剂将在达到这种压力之前饱和。
无论选择哪种方案(低压下或大气压下的键合)，两个装置中的一个装置没有通过相应于针对最佳作用所必要的剩余压力范围的剩余压力来封装。
文件US8350346B1公开了一种具有不同的容积腔的组件，陀螺仪和加速度计被封装在所述腔的内部。内部封装有加速度计的腔的容积小于内部封装有陀螺仪的腔的容积。因此，所述加速度计腔中包装后的压力高于所述陀螺仪腔中的压力。
然而，这种结构不能够在不同腔中获得从1巴到10-3毫巴变化的压差。
发明内容
本发明的一个目标在于公开一种用于封装微电子装置以精确控制气体环境(例如，压力和气体组分)的方法，所述微电子装置被封装在所述气体环境中，当所述方法被用于数个微电子装置的集体封装时，所述方法还可以被用于在不同的腔(至少一种惰性气体的剩余压力不同)中对装置进行封装。
为此，本说明书公开了一种用于封装至少一个微电子装置的方法，所述方法包括至少以下步骤：
-将所述微电子装置制作到第一基体上；
-在第二基体中制作至少一个第一材料部分，所述至少一个第一材料部分不可透环境大气并且可透至少一种惰性气体，所述第二基质不可透环境大气并且不可透所述惰性气体，所述第一材料部分从所述第二基体的第一表面延伸到所述第二基体的与所述第一表面相对的另一表面；
-将所述第二基体固定到所述第一基体，以便形成内部封装有所述微电子装置的至少一个腔，使得所述第一材料部分形成所述腔的壁的至少一部分；
-通过所述第一材料部分将所述惰性气体注入到所述腔中；
-相对于环境大气和所述惰性气体气密性地密封所述腔。
以下使用的术语“惰性气体”指的是一种或数种对应于化学元素周期表中的组18中的化学元素的惰性气体或稀有气体或化学惰性气体(即，氮和/或氖和/或氩和/或氪和/或氙和/或氡)。此外，术语“微电子装置”指的是微电子领域中的具有微米或纳米尺寸的任何类型的装置和例如微机械电子系统(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)、纳米机电系统(Nano-Electro-Mechanical Systems，NEMS)、微光机电系统(Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems，MOEMS)或纳米光机电系统(Nano-Opto-Electro-Mechanical Systems，NOEMS)类型的装置。
环境大气可以是空气或包围封装所述微电子装置的结构的受控气体环境(例如，气体混合物)。环境大气的气体(多种气体)不同于该惰性气体。
该方法利用了第一材料的仅可透过一种或数种惰性气体并且不可透环境大气或相对于环境大气无细孔的性质。
因为在形成帽状基体的第二基体被固定到所述第一基体之后惰性气体被注入到所述腔中，所以穿过所述第一材料部分注入的惰性气体的量可以具体通过该第一材料部分在所述第二基体的平面中的尺寸的选择而被精确控制。具体地，该方法能够得到从大约10-4毫巴到大约1巴变化的所述腔中的惰性气体的剩余压力或甚至高于1巴的压力。
根据本发明的方法还具有以下优点：所述方法可以与微电子领域中的标准制造技术(MEMS制造、键合等)一起使用。
所述第二基体可对应于单层材料或所述第二基体可包括数层材料。
制造所述第一材料部分可包括以下步骤：
-经由所述第二基体的第一表面在所述第二基体的厚度的一部分中制造至少一个开口或孔；
-在所述开口中制作所述第一材料部分；
-从所述第二基体的与所述第一表面相对的第二表面去除所述第二基体的一部分，以便使所述第一材料部分露出或显露并且形成所述第二基体的所述另一表面。
所述第一材料可包括玻璃或半导体氧化物。
所述第一材料可包括玻璃并且在所述开口中制作所述第一材料部分可包括以下步骤：
-将第三玻璃基体固定成与所述第二基体的第一表面接触并且面对所述开口；
-将所述第三基体的至少一部分的玻璃再熔化到所述开口中，以便在所述开口中形成所述第一材料部分。
所述方法可包括在所述玻璃再熔化步骤之后去除所述第三基体的位于所述开口外部的玻璃的步骤。
所述第二基体可包括半导体，并且制造所述开口可包括在所述第二基体的厚度的所述部分中进行蚀刻，使得所述第二基体的半导体的剩余部分保留在所述开口中，在所述开口中制作所述第一材料部分可包括氧化所述半导体的所述剩余部分。
所述第二基体可包括半导体，并且制作所述第一材料部分可包括以下步骤：
-经由所述第二基体的第一表面在所述第二基体的厚度的一部分中制造孔隙或气孔；
-氧化所述第二基体的多孔部分，以便形成所述第一材料部分；
-从与所述第二基体的与所述第一表面相对的第二表面去除所述第二基体的一部分，以便使所述第一材料部分露出并且形成所述第二基体的所述另一表面。
所述方法还可包括在所述氧化步骤之后并且当所实施的氧化使半导体氧化物形成于所述开口的外部时去除位于所述开口外部的半导体氧化物的步骤。
相对于环境大气和所述惰性气体气密性地密封所述腔可包括在所述第二基体的第一表面处至少与所述第一材料部分接触地沉积至少一种不可透所述惰性气体的第二材料。
所执行的步骤可包括在所述第一基体和所述第二基体之间形成的至少两个不同的腔中封装至少两个微电子装置，使得至少一个所述第一材料部分形成所述腔中的一个腔的壁的至少一部分。因此，可集体地整合并封装(能够在不同的剩余压力下操作)不同类型的微电子装置(例如，加速度计和陀螺仪)。
所执行的步骤可包括制造至少两个第一材料部分，所述至少两个第一材料部分各自形成所述两个腔中的一个腔的壁的至少一部分。
所述至少两个第一材料部分可在所述第二基体的第一表面处和/或所述第二基体的所述另一表面处具有不同的尺寸。因此，所述第一材料部分的这些尺寸可以根据旨在被注入到所述腔的每一个中的惰性气体的量而选择。
所述微电子装置中的至少一个微电子装置可被封装在所述腔中的一个腔中，没有所述腔中的所述一个腔的壁可透所述透惰性气体。
所执行的步骤可包括在所述第一基体和第二基体之间形成的第三腔中封装至少一个第三微电子装置，并且使得没有所述第三腔的壁可透所述透惰性气体。
所述方法还包括在将所述第二基体固定到所述第一基体的步骤之前在一个或数个腔中制造至少一个吸气材料部分。所述吸气材料可以吸附剩余反应气体(例如，氧气或氢气)。然后，仅不反应的惰性气体在包含所述吸气材料的腔中存在。根据目标应用，这个腔或这些腔可包括或可不包括所述第一材料部分，然后所述吸气材料位于该第一材料部分的外部。
封装在没有壁可透所述惰性气体的腔中的所述微电子装置可以是陀螺仪，并且所述微电子装置中的至少另一微电子装置可以是加速度计。
所述惰性气体可包括氦和/或氩和/或氖，并且/或者通过所述第一材料部分将惰性气体注入到所述腔中的步骤可通过在介于大约1巴和6巴之间的压力下使所述第二基体的至少第一表面暴露于所述惰性气体来执行。
所述方法有利地利用包括氖和/或氦和/或氩的惰性气体，特别是由于这些气体的小的分子尺寸便于这种气体或这些气体通过所述第一材料部分而透过。
附图说明
在阅读仅用于指导而非限制性的示例性实施例的说明之后并且参考附图，将更好地理解本发明，在附图中：
图1-4示出了根据本发明的特定实施例的封装方法的步骤；
图5A-5D和图6A-6B示出了根据不同实施例制造帽状基体的步骤。
下文描述的不同附图的相同部分、相似部分或等价部分具有相同的附图标记以便于不同附图之间的对照。
附图中示出的不同部分不一定都按照相同的比例，以使附图更易读。
不同的可能性(变形和实施例)应当被理解为相互不排斥并且可以相互结合。
具体实施方式
首先参考图1-4，图1-4示出了用于将微电子装置封装在包括至少一种惰性气体的气态环境中的方法的步骤。在参考这些附图所公开的特定实施例中，所执行的方法与制造惯性控制单元类型的部件或芯片100相对应，在该制造过程期间，实现了对制作在同一第一基体上并且设计成以不同的气压包封在不同的腔中的数个微电子装置进行集体封装。
如图1所示，3个微电子装置102.1-102.3在第一基体104或晶片上制成(所述第一基体104或晶片的厚度大于大约100微米)，所述第一基体104或晶片例如包括单片半导体基体(例如，硅)。在这个特定实施例中，第一装置102.1例如为加速度计，其将强烈受阻并因此旨在以高剩余压力进行封装。第二装置102.2例如为另一加速度计，其将轻微受阻并因此旨在以比封装所述第一装置102.1的压力低的剩余压力进行封装。第三装置102.3例如为陀螺仪。在这种情况下，所述第一基体104的材料不可透环境大气，例如不可透空气，并且不可透用于对一个或数个装置102.1-102.3进行封装的惰性气体。
现在，我们将参考图2A-2F描述将被固定到所述第一基体104上(并且因此将微电子装置102.1-102.3封装)的帽状基体106的制造过程。
为此，使用了第二基体108或晶片(图2A)。该第二基体108包括不可透环境大气且不可透惰性气体的材料。例如，所述第二基体108包括例如硅的半导体。
然后，例如经过所述第二基体108的厚度的一部分进行蚀刻来制作开口110，所述开口110例如具有在大约10微米和500微米之间的深度。这些开口形成了不可透环境大气但可透惰性气体的材料部分(称为第一材料的部分)将被制作于其内部的部位。在本文公开的实施例中，因为仅所述装置102.1和102.2将被封装在包括该惰性气体的环境中，所以在所述第二基体108中仅制作有2个开口110.1和110.2。
此外，这些开口110.1和110.2被制造为使得当所述帽状基体106被固定到所述第一基体104上时，将在这些开口中制作出的第一材料的部分形成了用于将两个装置102.1和102.2封装于其中的腔中的每个腔的壁的至少一部分(在这种情况下为上壁)。
所述开口110经由所述第二基体108的第一表面112制成。所述第二基体108包括第二表面114，所述第二表面114与所述第一表面112相对并且在所述两个基体104和108的固定期间被布置为面对所述第一基体104。每个所述开口110在平行于所述第一表面112的(X，Y)平面中的尺寸近似与所需要的将在这些开口中制作出的第一材料的部分的尺寸相对应，这些尺寸根据随后将通过这些第一材料部分注入到所述腔中的惰性气体的量进行选择。((X，Y)平面中的)这些尺寸例如在数微米和数毫米之间(例如，大约在2微米和10毫米之间)。
下一步骤是制作所述开口110中的第一材料部分。
这通过将第三玻璃基体116固定为与所述第二基体108的第一表面112接触来完成。例如，这种固定通过所述第三基体116和所述第二基体108之间的阳极键合而完成。所述第三基体116的玻璃例如为熔化二氧化硅型玻璃或其派生物中的一个(例如，例如采用派热克斯玻璃或硼酸硅盐浮法玻璃型的硼酸硅盐玻璃，所述玻璃相对于环境大气是无细孔的。
如图2D所示，例如在大约550℃和860℃之间的温度下执行退火，以导致所述第三基体116的玻璃的局部再熔化并且因此形成第一材料的部分118，所述第一材料的部分118在这种情况下为玻璃并且对应于在所述开口110中不可透环境大气且可透惰性气体的材料(在本文公开的示例中，部分118.1和118.2分别在所述开口110.1和110.2中形成)。
然后，例如通过磨削，继之以化学-机械平面化并且在所述第二基体108的第一表面112处停止，所述第三基体116位于所述开口110的外部的玻璃被去除(图2E)。
所述帽状基体106通过经由所述第二基体108的第二表面114并且在所述第二基体108的厚度的一部分上蚀刻出腔120而完成，所述微电子装置102.1-102.3将被封装在所述腔120的内部(图2F)。
这种蚀刻直到所述第二基体108的另一表面122就完成(这个另一表面122位于所述第二基体108的两个主要表面112和114之间)，所述部分118在所述另一表面122处露出或可接近。因此，所述部分118从所述第一表面112并且从所述第二基体108的该另一表面122可接近。吸气材料124被布置在腔120.3中，在所述腔120.3处没有制作所述部分118，因为在该腔120.3中将需要很低的剩余压力。在本文公开的示例中，所述腔120.1、120.2和120.3的尺寸是相同的，但是还可以制作尺寸相互不同的腔。
如图3所示，通过所述帽状基体106和所述第一基体104之间形成的密封接头126，获得的帽状基体106被固定(例如通过金属键合、阳极键合或玻璃熔块键合)到所述第一基体104上。这种键合在高度真空(例如，在大约10-3毫巴和10-5毫巴之间的压力下或甚至小于10-5毫巴的压力下)下完成，以排出所述帽状基体106和所述第一基体104之间存在的所有气体并且因此减少所述腔中的剩余反应气体的量。当所述第一基体104和所述第二基体108包括相同的材料(例如半导体)时，这种固定可以通过在所述第一基体104和所述第二基体108之间使用低温分子键合(例如在小于或等于大约400℃的温度下执行)而获得。在这种情况下，所述两个基体104和108之间不存在密封接头。
然后，获得的组件被布置在室中，受压的惰性气体位于所述室的内部，并且所述惰性气体将被注入到所述腔120.1和120.2中。在这种情况下，该惰性气体是氩气和/或氦气，并且使用的压力在大约1巴和6巴之间。由于所述部分118.1(在(X，Y)平面中)的尺寸与所述部分118.2的尺寸相比较大，通过所述部分118.1注入到所述第一腔120.1中的惰性气体的量大于通过所述部分118.2注入到所述第二腔120.2中的惰性气体的量。惰性气体没有被注入到所述第三腔120.3中，因为没有制作可透惰性气体的材料部分来形成该第三腔120.3的壁的一部分。
通常，注入到腔120中的惰性气体的量取决于由所述部分118(其形成了腔120的壁的至少一部分)形成的开口的尺寸，换句话说为该部分118在基体的形成有所述部分118的主平面平行的平面中的尺寸，并且还取决于所述部分118的材料的厚度(对应于垂直于位于所述平行于所述基体的主平面的平面中的尺寸的尺寸的厚度)、所述腔120的容积、所述部分118所暴露于的惰性气体的压力以及持续时间(在所述持续时间期间，所述部分118暴露到受压的惰性气体)。因此，根据氦气的压力(P)、形成注入的室中的温度(T)、所述部分118(惰性气体穿过所述部分118注入)的面积(S)、所述部分118的厚度(e)、注入步骤的持续时间(t)以及所述腔120的容积(V)，得到了所述腔120中的剩余压力ΔP，ΔP等于：
ΔP＝K.S.t.P/(e.V)
其中，K为取决于所述温度T和所述部分118的材料的性质的系数。例如，针对参数P＝1巴，T＝20℃，t＝1200秒，S＝10平方毫米，e＝0.5毫米，V＝0.3立方毫米并且注入的氦气等于10-1毫巴，得到由使用在阳极键合中的玻璃(具有商标为“Pyrex”或“Borofloat”的玻璃)组成的部分118的ΔP。通过T＝100℃，等于仅5秒的持续时间t，可以获得等于10-1毫巴的压力ΔP(其它参数的值与先前的相同)。
然后，不同的腔120通过形成在所述帽状基体106的上表面上不可透环境大气和惰性气体的材料的层128来气密性地密封，所述层128例如为对应于可包括钛和/或铝和/或铜和/或锆的金属层或半导体层，所述层128具有在大约0.5和10微米之间或在0.5微米和2微米之间的厚度(图4)。所述层128可通过PVD沉积来沉积。
所述封装方法可通过所述吸气材料124的热激活而完成。于是，所述吸气材料124抽出所述腔120.3中存在的任何非中性的剩余气体(例如，氧气、氮气、氢气、水、一氧化碳或二氧化碳)。另一方面，例如惰性气体的中性气体不由所述吸气材料抽出，因为所述中性气体由于惰性气体不反应的事实而不与所述吸气材料124反应。
所述吸气材料124的这种热激活还能够在所述帽状基体106与所述第一基体104的组装期间实现。
于是完成了包括所述被封装的3个微电子装置102.1、102.2和102.3的组件100。
在本文描述的示例中，因为所述帽状基体106和所述第一基体104之间的键合在高度真空下完成并且还因为惰性气体没有被注入到所述腔120.3中并且因为所述吸气材料124一旦被热激活还吸收/吸附非中性气体，因此所述陀螺仪102.3被封装在处于很低的剩余压力(例如小于大约10-1毫巴并且例如在10-3毫巴和10-4毫巴之间)的第三腔120.3中。加速度计102.2被封装在惰性气体的剩余压力例如在10毫巴和100毫巴之间的第二腔120.2中。最后，加速度计102.1被封装在惰性气体的剩余压力高于所述第二腔120.2中的剩余压力的第一腔120.1中，考虑到所述部分118.1的尺寸较大于所述部分118.2的尺寸，使得较大量(例如，在大约100毫巴和1巴之间)的气体被注入到该腔120.1中。
在上文公开的示例中，仅有3个在所述第一基体104上制成的微电子装置102被封装。然而，不同数量的(具体地较大数量的)微电子装置可以在所述第一基体上制成。于是，形成不同的组件或芯片的不同的集体封装的装置可以通过切割制成的组件而相互分离。组件可包括一个或数个腔，一个或数个微电子装置封装在所述一个或数个腔的内部。
现在，我们将参考图5A-5D公开所述帽状基体106的第一变形实施例。
如前所述，使用了第二基体108。
然后，经过所述第二基体108的部分的厚度制作所述开口110。然而，和之前的通过简单的蚀刻制作所述开口110的示例性实施例不同，在这种情况下的开口110(图5A中的110.1和110.2)被制造为使得所述第二基体108中的材料的剩余部分130在所述开口110中存在。在本文公开的示例中，所使用的蚀刻采用深层反应离子蚀刻(Deep Reactive Ion Etching，DRIE)类型并且在这些开口110中形成了半导体柱130。材料的剩余部分130被制造为使得所述剩余部分130可以随后被转换以形成所述第一材料的部分118。
如图5B所示，氧化步骤(例如，热氧化)然后在例如大约1000℃和1200℃之间的温度下被应用。该氧化步骤转换所述开口110中存在的剩余部分130，从而在所述开口110中形成所述第一材料的部分118(图5B中的118.1和118.2)，所述部分118不可透环境大气但是可透注入到腔中的惰性气体。该氧化步骤还在所述第二基体108的第一表面112上形成半导体氧化物。所述氧化物的厚度可在大约1微米和10微米之间。
然后，例如通过化学-机械平面化并且在所述第二基体108的第一表面112处停止，去除位于所述开口110的外部的半导体氧化物(参见图5C)。
然后，按照与所述帽状基体106的之前的示例性实施例相同的方式完成了所述帽状基体106，换句话说，所述方式即通过经由所述第二基体108的第二表面114蚀刻出所述腔120，直到到达所述第二基体108的另一表面122(参见图5D)为止，并且有可能地在需要气体吸附的腔中沉积吸气材料。
参考图6A和6B公开所述帽状基体106的第二变形实施例。
如前所述，使用了第二基体108。下一步骤是在所述第一材料部分118的位置处制造多孔半导体部分132(参考图6A中的132.1和132.2)。例如，这些多孔半导体部分132的厚度可在大约10微米和200微米之间。这些多孔半导体部分132可以例如通过在电流下进行HF蚀刻(例如，阳极氧化)来制成。
如之前参考图5B所述的，然后，执行例如热氧化的氧化步骤，以便将多孔部分132转换成氧化物部分118(图6B)。然后，通过之前参考图5C和5D公开的步骤来完成所述帽状基体106。
在上文公开的示例中，通过对第二基体108进行蚀刻来制作所述腔120。作为变形，所述腔120在所述第一基体104中形成，所述微电子装置102位于这些腔的上方。在这种情况下，在所述第二基体108中制造所述腔120的步骤被从第二表面114薄化(例如通过磨削或化学-机械平面化)整个第二基体108直到到达另一表面122并由此使第二基体108中制作的部分118露出的步骤代替。
在另一变形中，所述腔120的侧壁可以由不同于所述第一基体104和所述第二基体108的材料的部分形成。在这种情况下，还完成了从所述第二表面114薄化所述第二基体108的步骤。
根据一个变形实施例，所述第一材料部分118可以是半导体氮化物，例如，一氮化硅(SiN)或氮化硅(Si3N4)。
根据另一变形，布置在一个或数个腔中的吸气材料可以布置在该腔或这些腔中的任何壁处，但是不可被布置在由所述部分118形成的壁上。

Claims (16)

1.一种用于封装至少一个微电子装置(102.1，102.2)的方法，包括至少以下步骤：
将所述微电子装置(102.1，102.2)制作到第一基体(104)上；
在第二基体(108)中制作至少一个第一材料部分(118.1，118.2)，所述至少一个第一材料部分(118.1,118.2)不可透环境大气并且可透至少一种惰性气体，所述第二基质(108)不可透环境大气并且不可透所述惰性气体，所述第一材料部分(118.1，118.2)从所述第二基体(108)的第一表面(112)延伸到所述第二基体(108)的与所述第一表面(112)相对的另一表面(122)；
将所述第二基体(108)固定到所述第一基体(104)，以形成内部用以封装所述微电子装置(102.1，102.2)的至少一个腔(120.1，120.2)，所述第一材料部分(118.1，118.2)形成所述腔(120.1，120.2)的壁的至少一部分；
通过所述第一材料部分(118.1，118.2)将所述惰性气体注入到所述腔(120.1，120.2)中；
相对于环境大气和所述惰性气体气密性地密封所述腔(120.1，120.2)；
环境大气的气体或环境大气的多种气体不同于所述惰性气体。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，制造所述第一材料部分(118.1，118.2)包括以下步骤：
经由所述第二基体(108)的第一表面(112)在所述第二基体(108)的厚度的一部分中制造至少一个开口(110.1，110.2)；
在所述开口(110.1，110.2)中制作所述第一材料部分(118.1，118.2)；
从所述第二基体(108)的与所述第一表面(112)相对的第二表面(114)去除所述第二基体(108)的一部分，以便使所述第一材料部分(118.1，118.2)露出并且形成所述第二基体(108)的所述另一表面(122)。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一材料包括玻璃或半导体氧化物。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一材料包括玻璃并且在所述开口(110.1，110.2)中制作所述第一材料部分(118.1，118.2)包括以下步骤：
将第三玻璃基体(116)固定成与所述第二基体(108)的第一表面(112)接触并且面对所述开口(110.1，110.2)；
将所述第三基体(116)的至少一部分的玻璃再熔化到所述开口(110.1，110.2)中，以便在所述开口(110.1，110.2)中形成所述第一材料部分(118.1，118.2)。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括在所述玻璃再熔化步骤之后去除所述第三基体(116)的位于所述开口(110.1，110.2)外部的玻璃的步骤。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二基体(108)包括半导体，并且其中，制造所述开口(110.1，110.2)包括在所述第二基体(108)的厚度的所述部分中进行蚀刻，使得所述第二基体(108)的半导体的剩余部分(130)保留在所述开口(110.1，110.2)中，在所述开口(110.1，110.2)中制作所述第一材料部分(118.1，118.2)包括氧化所述半导体的所述剩余部分(130)。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二基体(108)包括半导体，并且制作所述第一材料部分(118.1，118.2)包括以下步骤：
-经由所述第二基体(108)的第一表面(112)在所述第二基体(108)的厚度的一部分中制造孔隙；
-氧化所述第二基体(108)的多孔部分(132.1，132.2)，以便形成所述第一材料部分(118.1，118.2)；
-从所述第二基体(108)的与所述第一表面(112)相对的第二表面(114)去除所述第二基体(108)的一部分，以便使所述第一材料部分(118.1，118.2)露出并且形成所述第二基体(108)的所述另一表面(122)。
8.根据权利要求6或7中任一项所述的方法，还包括在所述氧化步骤之后并且当所实施的氧化使半导体氧化物形成于所述开口(110.1，110.2)的外部时去除位于所述开口(110.1，110.2)外部的半导体氧化物的步骤。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，相对于环境大气和所述惰性气体气密性地密封所述腔(120.1，120.2)包括在所述第二基体(108)的第一表面(112)处至少与所述第一材料部分(118.1，118.2)接触地沉积至少一种不可透所述惰性气体的第二材料(128)。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所执行的步骤包括在所述第一基体(104)和所述第二基体(108)之间形成的至少两个不同的腔(120.1，120.2，120.3)中封装至少两个微电子装置(102.1，102.2，102.3)，使得至少一个所述第一材料部分(118.1，118.2)形成所述腔(120.1，120.2)中的一个腔的壁的至少一部分。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所执行的步骤制作至少两个所述第一材料部分(118.1，118.2)，所制造出的所述至少两个第一材料部分(118.1，118.2)各自形成所述两个腔(120.1，120.2)中的一个腔的壁的至少一部分。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述至少两个第一材料部分(118.1，118.2)在所述第二基体(108)的第一表面(112)处和/或所述第二基体(108)的所述另一表面(122)处具有不同的尺寸。
13.根据权利要求10-12中任一项所述的方法，其中，所述微电子装置中的至少一个微电子装置(102.3)被封装在所述腔中的一个腔(120.3)中，使得所述腔中的所述一个腔(120.3)的壁都不可透所述惰性气体。
14.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，还包括在将所述第二基体(108)固定到所述第一基体(104)的步骤之前在一个或数个腔(120.3)中制造至少一个吸气材料部分(124)。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，封装在没有壁可透所述惰性气体的腔(120.3)中的所述微电子装置(102.3)是陀螺仪，并且所述微电子装置中的至少另一微电子装置(102.1)是加速度计。
16.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，所述惰性气体包括氦和/或氩和/或氖，并且/或者通过所述第一材料部分(118.1，118.2)将惰性气体注入到所述腔(120.1，120.2)中的步骤通过在介于大约1巴和6巴之间的压力下使所述第二基体(108)的至少第一表面(112)暴露于所述惰性气体来执行。
CN201410206716.7A 2013-05-15 2014-05-15 通过可透材料注入惰性气体封装微电子装置的方法 Expired - Fee Related CN104163396B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1354349A FR3005648B1 (fr) 2013-05-15 2013-05-15 Procede d'encapsulation d'un dispositif microelectronique comprenant une injection de gaz noble a travers un materiau permeable a ce gaz noble
FR1354349 2013-05-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104163396A true CN104163396A (zh) 2014-11-26
CN104163396B CN104163396B (zh) 2017-08-22

Family

ID=49274748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410206716.7A Expired - Fee Related CN104163396B (zh) 2013-05-15 2014-05-15 通过可透材料注入惰性气体封装微电子装置的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9023675B2 (zh)
EP (1) EP2803634B1 (zh)
CN (1) CN104163396B (zh)
FR (1) FR3005648B1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2994332B1 (fr) * 2012-07-31 2015-05-15 Commissariat Energie Atomique Procede d'encapsulation d'un dispositif microelectronique
FR3008543B1 (fr) 2013-07-15 2015-07-17 Soitec Silicon On Insulator Procede de localisation de dispositifs
US9352956B2 (en) 2014-01-16 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS devices and methods for forming same
FR3028508B1 (fr) 2014-11-13 2016-12-30 Commissariat Energie Atomique Structure d'encapsulation comportant une cavite couplee a canal d'injection de gaz forme par un materiau permeable
US10384930B2 (en) 2017-04-26 2019-08-20 Invensense, Inc. Systems and methods for providing getters in microelectromechanical systems
DE102017125140B4 (de) * 2017-10-26 2021-06-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil
DE102019102836B4 (de) * 2019-02-05 2023-02-02 Infineon Technologies Ag Verfahren mit panel-bonding-handlungen und elektronische vorrichtungen mit hohlräumen

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2841380A1 (fr) * 2002-06-25 2003-12-26 Commissariat Energie Atomique Procede d'encapsulation d'un objet sous atmosphere controlee
US20070259470A1 (en) * 2005-01-12 2007-11-08 Quenzer Hans J Method of Creating a Predefined Internal Pressure Within a Cavity of a Semiconductor Device
EP2362182A2 (en) * 2010-02-26 2011-08-31 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Manufacturing method of combined sensor
US8350346B1 (en) * 2012-07-03 2013-01-08 Invensense, Inc. Integrated MEMS devices with controlled pressure environments by means of enclosed volumes
CN103569949A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 法国原子能及替代能源委员会 封装至少一个微电子装置的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI119728B (fi) 2005-11-23 2009-02-27 Vti Technologies Oy Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti
FI119729B (fi) 2005-11-23 2009-02-27 Vti Technologies Oy Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2841380A1 (fr) * 2002-06-25 2003-12-26 Commissariat Energie Atomique Procede d'encapsulation d'un objet sous atmosphere controlee
US20070259470A1 (en) * 2005-01-12 2007-11-08 Quenzer Hans J Method of Creating a Predefined Internal Pressure Within a Cavity of a Semiconductor Device
EP2362182A2 (en) * 2010-02-26 2011-08-31 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Manufacturing method of combined sensor
US8350346B1 (en) * 2012-07-03 2013-01-08 Invensense, Inc. Integrated MEMS devices with controlled pressure environments by means of enclosed volumes
CN103569949A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 法国原子能及替代能源委员会 封装至少一个微电子装置的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140342487A1 (en) 2014-11-20
FR3005648B1 (fr) 2016-02-12
US9023675B2 (en) 2015-05-05
CN104163396B (zh) 2017-08-22
EP2803634B1 (fr) 2015-12-09
EP2803634A1 (fr) 2014-11-19
FR3005648A1 (fr) 2014-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104163396A (zh) 通过可透材料注入惰性气体封装微电子装置的方法
US10850973B2 (en) Methods for CMOS-MEMS integrated devices with multiple sealed cavities maintained at various pressures
US8546928B2 (en) Micromechanical housing comprising at least two cavities having different internal pressure and/or different gas compositions and method for the production thereof
CN103569949B (zh) 封装至少一个微电子装置的方法
US10221065B2 (en) CMOS-MEMS integrated device including multiple cavities at different controlled pressures and methods of manufacture
CA2663918C (en) Micromechanical component and method for fabricating a micromechanical component
US9554471B2 (en) Structure with several cavities provided with access channels of different heights
US9701533B2 (en) Package structure including a cavity coupled to an injection gas channel composed of a permeable material
US8999762B2 (en) Process for encapsulating a micro-device by attaching a cap and depositing getter through the cap
TW201335059A (zh) 微機電系統結構、裝置及其製造方法
US20060228869A1 (en) MEMS packaging structure and methods
CN102209683B (zh) 具有侧壁泄露保护的mems器件封装
TW201322366A (zh) 感測器製程
JP2013056413A (ja) 制御された雰囲気下で気密封止された空胴を有する構造を作製する方法
US7875482B2 (en) Substrate with multiple encapsulated pressures
US9455353B2 (en) Substrate with multiple encapsulated devices
CN112265956B (zh) 一种不同真空度封装的mems圆片级真空封装方法
US10029911B2 (en) Micromechanical component including a diffusion stop channel
US8378433B2 (en) Semiconductor device with a controlled cavity and method of formation
US9018043B2 (en) Method of encapsulating a micro-device by anodic bonding
EP4375232A1 (en) Method for bonding a microelectromechanical device
EP2736071B1 (en) Wafer level package with getter
Mahajerin et al. Large area semi-permeable encapsulation membranes using carbon nanotube composites

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170822

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee