具体实施方式
如图1所示,为本发明实施方式提供的一光通讯装置100,其包括一平面光波导10、一基板20、一发光元件30、一收光元件40、一第一控制器50、一第二控制器60、一处理器70及一记忆体80。
所述平面光波导10包括一上表面11及一个与所述上表面11相背的下表面12。所述平面光波导10的内部形成有一平板长条状的平行于所述上表面的导光部13。所述导光部13包括一相对于所述上表面11倾斜的第一斜面131及一相对于所述上表面11倾斜的第二斜面132,所述第一斜面131及所述第二斜面132即所述导光部13的两个端面。所述第一斜面131及所述第二斜面132均与所述上表面11成45度角,且延伸所述第一斜面131及所述第二斜面132则所述第一斜面131将与所述第二斜面132成90度相交于所述下表面12的一侧。
所述上表面11上形成有位于一直线上的四个焊垫分别为第一焊垫111、第二焊垫112、第三焊垫113及第四焊垫114。所述第一焊垫111、第二焊垫112、第三焊垫113及第四焊垫114相互间隔设置。所述第二焊垫112及所述第三焊垫113位于所述第一焊垫111与所述第四焊垫114之间,所述第一焊垫111相对于所述第二焊垫112更远离所述第三焊垫113及所述第四焊垫114,所述第四焊垫114相对于所述第三焊垫113更远离所述第一焊垫111及所述第二焊垫112。所述第一焊垫111与第二焊垫112相互靠近且大致在所述第一斜面131的上方,所述第一斜面131在所述上表面11上的投影落于所述第一焊垫111及所述第二焊垫112之间。所述第三焊垫113及第四焊垫114相互靠近且大致在所述第二斜面132的上方,所述第二斜面132在所述上表面11上的投影落于所述第三焊垫113及所述第四焊垫114之间。
本实施方式中,所述基板20采用硅材料制成,其包括一安装面21及一与所述安装面21相背的结合面22。所述平面光波导10设置于所述结合面22上且所述平面光波导10的上表面与所述结合面22相结合。所述基板20大致位于所述第一斜面131上方的位置(即对应第一斜面131的位置)开设有贯穿所述安装面21及所述结合面22的一个第一收容孔211、一个第一贯孔212及一第二贯孔213。所述第一焊垫111及所述第二焊垫112均部分延伸至所述第一收容孔211内。所述第一贯孔212及所述第二贯孔213内均涂覆有导电材料且位于所述第一收容孔211的两侧。所述安装面21在靠近所述第一贯孔212处还设置有两个第五焊垫214。其中一个第五焊垫214及所述第一焊垫111分别覆盖的所述第一贯孔212的两端并通过所述第一贯孔212内的导电材料相电性连接。
所述基板20大致位于所述第二斜面132上方的位置(即对应第二斜面132的位置)开设有贯穿所述安装面21及所述结合面22的一个第二收容孔215、一个第三贯孔216及一第四贯孔217。所述第三焊垫113及所述第四焊垫114均部分延伸至所述第二收容孔215内。所述第三贯孔216及所述第四贯孔217内均涂覆有导电材料且位于所述第二收容孔215的两侧。所述安装面21在靠近所述第一贯孔212处还设置有两个第六焊垫218。其中一个第六焊垫218及所述第四焊垫114分别覆盖的所述第四贯孔217的两端并通过所述第四贯穿孔2内的导电材料相电性连接。所述发光元件30包括一发光面31,所述发光面31的边缘形成有球形栅格阵列(ball grid array, BGA)。所述收光元件40包括一受光面41,所述受光面41上的边缘也形成有球形栅格阵列。所述收光元件40为一光电二极管(photo diode, PD)。
所述第一控制器50为一可透光的芯片,该透光的芯片例如可以像中国专利CN201120176196.1所描述的在晶片层上形成透光柱从而具有透光能力,也可以是现有技术中的具有透光能力的其他封装结构。所述第一控制器50包括一个第一顶面51及一个与所述第一顶面51相背的第一底面52。所述第一顶面51的边缘处形成两个第七焊垫53。所述第一底面52的边缘处形成有球形栅格阵。
所述第二控制器60也为一可透光的芯片,该透光的芯片例如可以像中国专利CN201120176196.1所描述的在晶片层上形成透光柱从而具有透光能力,也可以是现有技术中的具有透光能力的其他封装结构。所述第二控制器60包括一个第二顶面61及一个与所述第二顶面61相背的第二底面62。所述第二顶面61的边缘处形成两个第八焊垫63。所述第二底面62的边缘处形成有球形栅格阵。
请参阅图1至图3,组装时,先将所述第一控制器50收容于所述第一收容孔211内并通过倒装方式(flip chip)电连接至所述第一焊垫111及所述第二焊垫112上,其中所述第一底面52朝向所述上表面11。将所述第二控制器60收容于所述第二收容孔215内并通过倒装方式电连接至所述第三焊垫113及所述第四焊垫114上,其中所述第二底面62朝向所述上表面11。然后将所述发光元件30以倒装方式电连接至所述第七焊垫53上,其中所述发光面31朝向所述第一顶面51,所述发光元件30的中心与所述第一控制器50的中心重合且与所述第一斜面131成45度角相交。将所述收光元件40以倒装方式电连接至所述第八焊垫63上,其中所述受光面41朝向所述第二顶面61,所述收光元件40的中心与所述第二控制器60的中心重合且与所述第二斜面132成45度角相交。最后将所述处理器70通过倒装方式电性连接所述两个第五焊垫214,将所述处理器70通过倒装方式电性连接所述两个第六焊垫218上。如此所述收光元件40通过所述第二控制器60、所述第一焊垫111、所述第一贯孔212、所述第五焊垫214电连接至所述处理器70。所述收光元件40通过所述第二控制器60、所述第四焊垫114、所述第四贯孔217、所述第六焊垫218电连接至所述记忆体80。
使用时,所述处理器70向第一控制器50发送一激发信号,所述第一控制器50收到激发信号后产生一相应的驱动信号并控制所述发光元件30从所述发光面31发出光。所述发光元件30所发出的光穿过可透光的所述第一控制器50后沿垂直所述上表面11的方向射向所述上表面11并进入所述平面光波导10,由所述第一斜面131反射后在所述导光部内沿平行于所述上表面11的方向播至所述第二斜面132,再经过所述第二斜面122反射后沿垂直所述上表面11的方向依次穿过所述上表面11及所述第二控制器60,最后由投射至所述受光面41,所述收光元件40将光信号转化成为电信号并送到所述第二控制器60进行例如放大处理,所述记忆体80存储所述第二控制器60处理后的电信号。
为了进一步增强所述第一控制器50的透光性,本实施方式中,在所述第一顶面51及所述第一底面52均涂覆或镀有一层第一增透膜54,所述第一增膜为二氧化硅。在其他实施方式中,也可仅在第一顶面51或第一底面52上设置第一增透膜54。
为了进一步增强所述第二控制器60的透光性,本实施方式中,在所述第二顶面61及所述第二底面62均涂覆或镀有一层第二增透膜64,所述第一增膜为二氧化硅。在其他实施方式中,也可仅在第二顶面61或第二底面62上设置第二增透膜64。
相对于现有技术,由于所述第一控制器50收容在所述第一收容孔211内,另外,所述第二控制器60收容在所述第二收容孔215内,而非直接设置的所述基板20的安装面21上,因此,本发明的光通讯装置100可以大大的减小体积,有利于小型化。
可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。