具体实施方式
如图1所示,为本发明实施方式提供的一光通讯装置100,其包括一平面光波导10、一第一基板20、一发光元件30、一第一控制器40、一处理器50、一收光元件60、一第二控制器70、及一记忆体80。
所述平面光波导10包括一上表面11。所述平面光波导10的内部形成有一导光部12。所述平面光波导10开设一第一导引孔11a和一第二导引孔11b。所述第一导引孔11a与所述第二导引孔11b均同时贯穿所述上表面11与所述导光部12。所述上表面11上形成四个焊垫分别为第一焊垫111、第二焊垫112、第三焊垫113及第四焊垫114。所述第一焊垫111、第二焊垫112、第三焊垫113及第四焊垫114相互间隔设置,其中所述第一焊垫111与第二焊垫112设置在靠近所述第一导引孔11a的一侧,所述第三焊垫113及第四焊垫114设置在靠近所述第二导引孔11b的一侧。所述第一焊垫111与所述第三焊垫113相对设置。
本实施方式中,所述第一基板20采用硅材料制成,其包括一安装面21及一与所述安装面21相背的下表面22。所述下表面22承载于所述平面光波导10的所述上表面11。所述第一基板20一侧开设一第一收容孔23、一第一贯穿孔24及一第二贯穿孔25。所述第一贯穿孔24及所述第二贯穿孔25环绕所述第一收容孔23。所述第一收容孔23与所述第一导引孔11a相对正。所述第一基板20的另一侧开设有一第二收容孔26、一第三贯穿孔27及一第四贯穿孔28。所述第三贯穿孔27与所述第四贯穿孔28环绕所述第二收容孔26。所述第二收容孔26与所述第二导引孔11b相对正。所述第一贯穿孔24、所述第二贯穿孔25、所述第三贯穿孔27及所述第四贯穿孔28均收容有电连接至所述第一基板20内部电路的导电材料29。所述第一贯穿孔24与所述第三贯穿孔27相对设置。
所述安装面21的一侧形成有一第五焊垫211、一第六焊垫212、第七焊垫213与一第八焊垫214。所述安装面21的另一侧形成有一第九焊垫215、一第十焊垫216、第十一焊垫217与一第十二焊垫218。所述第五焊垫211与所述第九焊垫215相对设置。所述第一贯穿孔24内的导电材料29的一端与所述第一焊垫111相电性连接,所述第一贯穿孔24内的导电材料29的另一端与所述第五焊垫211相电性连接。所述第二贯穿孔25内的导电材料29的一端所述第二焊垫112相电性连接,所述第二贯穿孔25内的导电材料29的另一端与所述第七焊垫213相电性连接。所述第三贯穿孔27内的导电材料29的一端与所述第三焊垫113相电性连接,所述第三贯穿孔27内的导电材料29的另一端与所述第九焊垫215相电性连接。所述第四贯穿孔28内的导电材料29的一端与所述第四焊垫114相电性连接,所述第四贯穿孔28内的导电材料29的另一端与所述第十一焊垫217相电性连接。
所述第一基板20的下表面22开设两个第一定位孔22a及两个第二定位孔22b。所述两个第一定位孔22a环绕所述第一收容孔23。所述两个第二定位孔22b环绕所述第二收容孔26。
本实施方式中,所述光通讯装置100还包括一第一导光组件35和一第二导光组件65。所述第一导光组件35包括一第一光波导351和一用于夹持所述第一光波导351的第一夹持件352。所述第一夹持件352对应所述第一基板20的第一定位孔22a位置设置有两个第一定位柱3520。所述第一光波导351收容在所述第一导引孔11a及所述第一收容孔23内。所述两个第一定位柱3520分别通过过盈配合的方式定位于所述两个第一定位孔22a内,以将所述第一光波导351与所述第一基板20相固定。所述第一光波导351收容在所述第一导引孔11a的一端包括一相对所述平面光波导10的上表面11倾斜的第一斜面3510。所述第二导光组件65包括一第二光波导651和一用于夹持所述第二光波导651的第二夹持件652。所述第二夹持件652对应所述第一基板20的第二定位孔22b位置设置有两个第二定位柱6520。所述第二光波导651收容在所述第二导引孔11b及所述第二收容孔26内。所述两个第二定位柱6520分别通过过盈配合的方式定位于所述两个第二定位孔22b内,以将所述第二光波导651与所述第一基板20相固定。所述第二光波导651收容在所述第二导引孔11b的一端包括一相对所述平面光波导10的上表面11倾斜的第二斜面6510。本实施方式中,所述第一夹持件352与所述第二夹持件652均采用塑料制成。
所述发光元件30包括一发光面301,所述发光面301上形成一半球形的第一聚光部302。所述第一聚光部302在所述发光面301通过滴落胶体而形成。在其他实施方式中,所述第一聚光部302也可以通过成型制造而获得,然后粘结至所述发光面301。所述发光元件30为一激光二极管(laser diode, LD)。所述发光元件30通过倒装方式(flip chip)电性连接至所述第五焊垫211与所述第六焊垫212,其中所述发光面301与所述第一光波导351相对正,所述第一聚光部302的中心轴与所述第一斜面3510成45度角。
所述第一控制器40通过倒装方式(flip chip)电性连接至所述第七焊垫213与所述第八焊垫214。
所述处理器50设置在所述发光元件30与所述第一控制器40之间,并电性连接至所述发光元件30及第一控制器40。具体地,所述处理器50通过倒装方式(flip chip)电性连接至所述第六焊垫212与所述第七焊垫213。
所述收光元件60包括一收光面601,所述收光面601上形成一半球形的第二聚光部602。所述第二聚光部602在所述收光面601通过滴落胶体而形成。在其他实施方式中,所述第二聚光部602也可以通过成型制造而获得,然后粘结至所述收光面601。所述收光元件60为一光电二极管(photo diode, PD)。所述收光元件60通过倒装方式(flip chip)电性连接至所述第九焊垫215与所述第十焊垫216,其中所述收光面601与所述第二光波导651相对正,所述第二聚光部602的中心轴与所述第二斜面6510成45度角。
所述第二控制器70设置在所述收光元件60与所述记忆体80之间,并电性连接至所述收光元件60与所述记忆体80。具体地,所述第二控制器70通过倒装方式(flip chip)电性连接至所述第十焊垫216与所述第十一焊垫217,所述记忆体80通过倒装方式(flip chip)电性连接至所述第十一焊垫217与所述第十二焊垫218。
使用时,所述处理器50向第一控制器40发送一激发信号,所述第一控制器40收到激发信号后产生一相应的驱动信号并控制所述发光元件30从所述发光面301发出光。所述发光元件30所发出的光经所述第一聚光部302汇聚后通过所述第一光波导351射向所述第一斜面3510,经所述第一斜面3510反射然后进入至所述平面光波导10的导光部12,由所述平面光波导10导至所述第二斜面6510,并通过所述第二斜面6510反射至所述第二聚光部602,最后由所述第二聚光部602汇聚投射所述收光面601,所述收光元件60将光信号转化成为电信号并送到所述第二控制器70进行例如放大处理,所述记忆体80存储所述第二控制器70处理后的电信号。
在其他实施方式中,也可不设置第一聚光部302及第二聚光部602。
相对于现有技术,由于所述第一基板承载于平面光波导,所述发光元件与收光元件均承载于第一基板,所述第一光波导收容在所述第一导引孔及所述第一收容孔内,所述第二光波导收容在所述第二导引孔及所述第二收容孔内,而非直接设置的所述平面光波导的上表面。因此,本发明的光通讯装置可以大大的减小体积,有利于小型化。
可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。