CN104079189A - 一种高压电容器充电电源 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高压电容器充电电源。包括低压整流电路、桥式逆变电路、谐振电路、升压变压器和高压整流电路；低压整流电路用于将交流电进行AC/DC转换，输出直流电压，桥式逆变电路和谐振电路用于将直流电压进行谐振变换，输出双极性电压脉冲，升压变压器和高压整流电路用于将双极性电压脉冲变换成单极性电压脉冲，对高压电容器充电；桥式逆变电路由RSD开关单元构成，RSD开关单元包括由一个或多个RSD器件串联和/或并联组成的RSD堆体、反向截止二极管、反向保护二极管、第一可饱和磁开关和RSD预充电路。本发明能有效提高高压电容器的充电功率，缩短充电时间，且体积小，成本低。
Description
技术领域
本发明属于储能元件充电技术领域，更具体地，涉及一种基于RSD器件的高压电容器高频恒流充电电源。
背景技术
高压脉冲放电设备在环保、电力、制造、军事、高能物理及高能激光等领域有着广泛的应用。例如，环保工业中，用于静电除尘、污水处理和废物处理；电力系统中，用于高压电气设备的极限过流容量测试设备中；工业制造中，用于电磁感应加工等。上述应用领域的高压脉冲放电设备的能量存储元件大多采用高压电容器，而高压电容器的充电电源是高压脉冲放电设备的重要组件之一。
常见的电容充电电源的充电方式包括RC工频(恒压)充电、工频L-C谐振恒流充电及谐振充电等三类，其中谐振充电方式又可分为串联谐振、并联谐振、串并联谐振及其它类型。RC工频(恒压)充电高压方式输出的充电电压恒定，充电前期的电流很大，需要串联限流电阻，导致充电效率很低，充电后期，电源输出电压与电容器电压的差值较小，限流电阻将充电电流限制在较小的范围，充电时间很长。工频L-C谐振恒流充电方式利用L-C谐振回路产生谐振，产生一个恒定的储能电容充电电流，高压电容器的上升电压近似线性，充电回路没有限流电阻，充电效率较高。但工频充电方式的充电频率较低，因此主要缺点是体积庞大、设备笨重、自动化程度低。
谐振充电方式的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件采用零电流关断方式，可以实现高频恒流充电，能够明显降低器件的关断损耗，减少器件温升，提高器件工作频率和电路工作效率，分布电容和变压器漏感等有害杂散参数作为谐振电路的一部分被利用起来，有利于减小变压器体积和重量，从而满足充电电源的高工作频率、高功率、高效率、小型化等要求，是中小容量高压电容器的理想充电电源之一。但是，在给大容量高压电容器充电时，IGBT器件结构导致IGBT器件的电流容量远小于同价格的晶闸管，高压电容器的充电电流较小。要满足充电功率大、充电时间短等要求，必须采用昂贵的进口大容量IGBT器件，设备成本很高。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种高压电容器充电电源，用RSD器件替换IGBT器件作为低压谐振电路的开关器件，能有效提高高压电容器的充电功率，缩短充电时间，且体积小，成本低。
为实现上述目的，本发明提供了一种高压电容器充电电源，其特征在于，包括低压整流电路、桥式逆变电路、谐振电路、升压变压器和高压整流电路；所述低压整流电路用于将交流电进行AC/DC转换，输出直流电压；所述桥式逆变电路和所述谐振电路用于将直流电压进行谐振变换，输出双极性电压脉冲，所述升压变压器和所述高压整流电路用于将双极性电压脉冲变换成单极性电压脉冲，对高压电容器充电；所述桥式逆变电路由RSD开关单元构成，所述RSD开关单元包括由一个或多个RSD器件串联和/或并联组成的RSD堆体、反向截止二极管、反向保护二极管、第一可饱和磁开关和RSD预充电路；RSD堆体与RSD预充电路并联后与第一可饱和磁开关串联，形成的子电路与反向保护二极管并联后再与反向截止二极管串联；反向保护二极管的阴极与第一可饱和磁开关连接，反向保护二极管的阳极与RSD堆体的阴极和反向截止二极管的阳极连接；所述RSD预充电路用于提供预充电流使RSD堆体导通。
优选地，所述RSD预充电路包括预充开关、第二可饱和磁开关和预充电容；第二可饱和磁开关和预充开关串联后与预充电容并联，第二可饱和磁开关连接RSD堆体的阳极和预充电容的一端，预充开关的阳极连接第二可饱和磁开关，预充开关的阴极连接RSD堆体的阴极和预充电容的另一端。
优选地，所述RSD开关单元中，第一可饱和磁开关和反向保护二极管的公共端作为RSD开关单元的输入端，反向截止二极管的阴极作为RSD开关单元的输出端；所述桥式逆变电路为全桥逆变电路，包括四个所述RSD开关单元，分别为第一、第二、第三和第四RSD开关单元，其中，第一和第三RSD开关单元处于同一桥臂，第二和第四RSD开关单元处于同一桥臂；第一RSD开关单元的输出端连接第三RSD开关单元的输入端，第一RSD开关单元的输入端和第三RSD开关单元的输出端分别连接所述低压整流电路的输出正极和输出负极；第二RSD开关单元的输出端连接第四RSD开关单元的输入端，第二RSD开关单元的输入端和第四RSD开关单元的输出端分别连接所述低压整流电路的输出正极和输出负极。
优选地，所述RSD开关单元中，第一可饱和磁开关和反向保护二极管的公共端作为RSD开关单元的输入端，反向截止二极管的阴极作为RSD开关单元的输出端；所述桥式逆变电路为半桥逆变电路，包括两个所述RSD开关单元，分别为第一和第三RSD开关单元；第一RSD开关单元的输出端连接第三RSD开关单元的输入端，第一RSD开关单元的输入端和第三RSD开关单元的输出端分别连接所述低压整流电路的输出正极和输出负极。
优选地，所述充电电源还包括电流检测电路、触发电路和控制器；所述电流检测电路设置在所述桥式逆变电路到所述升压变压器原边的谐振回路上，连接所述控制器，所述触发电路连接所述桥式逆变电路；所述控制器用于输出启动信号至所述触发电路，所述触发电路用于在启动信号的作用下输出触发信号至所述桥式逆变电路，使所述桥式逆变电路中对应的RSD开关单元导通；所述电流检测电路用于测量所述桥式逆变电路中的谐振电流，所述控制器用于根据所述电流检测电路的测量结果判断所述全桥逆变电路是否发生故障，是则取消所述触发电路的触发信号，使所述全桥逆变电路停止工作。
优选地，所述充电电源还包括高压检测电路，所述高压检测电路设置在所述高压整流电路的输出端，连接所述控制器，所述高压检测电路用于测量高压电容器的充电电压，所述控制器用于根据所述高压检测电路的测量结果判断高压电容器的充电电压是否到达预设值，是则停止输出启动信号，充电结束。
优选地，所述桥式逆变电路为一个或多个。
优选地，所述低压整流电路、所述桥式逆变电路和所述谐振电路组成一个充电单元，所述充电单元为一个或多个。
优选地，所述低压整流电路、所述桥式逆变电路、所述谐振电路和所述升压变压器组成一个充电单元，所述充电单元为一个或多个。
优选地，所述低压整流电路、所述桥式逆变电路、所述谐振电路、所述升压变压器和所述高压整流电路组成一个充电单元，所述充电单元为一个或多个。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，采用谐振充电方式，用RSD器件替换IGBT器件作为低压谐振电路的开关器件，由于RSD器件能实现全面积同步均匀导通和高功率微秒换流(输出的电流脉冲脉宽最小可达1μs、峰值可达几千安)，多个RSD器件串并联组成RSD堆体使用时，能利用同一个预充电路实现同步开通，RSD器件可以大幅度的增加谐振电路单次谐振输出的功率，并减小单次谐振输出的电流脉宽，从而明显减小升压变压器的体积。与晶闸管、IGBT器件等三端器件相比，简化了电路结构，提高了器件利用率，且RSD器件的吸收保护电路比IGBT简单，维护方便，使用寿命长，此外，RSD器件的成本与晶闸管相近，远低于相同功率容量的IGBT器件，因此，本发明的高压电容器充电电源可同时满足低成本、高功率、快速充电、体积小等要求。
附图说明
图1是RSD器件的结构及典型电路；
图2是本发明一个实施例的高压充电电源的结构示意图；
图3是RSD开关单元的结构示意图；
图4是本发明另一个实施例的高压充电电源的结构示意图。
在所有附图中，相同的附图标记用来表示相同的元件或结构，其中：1-低压整流电路，2-全桥逆变电路，4-谐振电路，5-升压变压器，6-高压整流电路，7-高压检测电路，8-高压电容器，9-半桥逆变电路，11-电流检测电路，21-RSD预充电路。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
20世纪80年代，前苏联国家院士I.V.Grekhov等人提出了一种借助可控等离子层开通的开关工作新原理，在此基础上发明了反向开关晶体管(Reversely Switched Dynistor,RSD)器件。RSD器件是一种由数万个晶闸管与晶体管元胞相间并联排列的器件，没有普通晶闸管的控制极，采用可控等离子体层触发方式，反向注入触发电流，在整个芯片面积上实现了同步均匀导通，可以实现高di/dt微秒开通，同时在微秒时间内通过很大的电流。
RSD器件的结构及典型电路如图1所示。C0和C1分别为主放电电容和反向预充电容，L为可饱和磁开关，Zload为负载，KC为预充开关。在RSD器件预充过程中，必须将预充回路和主回路进行隔离，这一要求常借助于带饱和铁心的电抗器即可饱和磁开关来实现。预充过程一般持续1～2μs，即要求可饱和磁开关的饱和时间为1～2μs。RSD器件是一种由数万个非对称晶闸管单元与晶体管单元相间排列的多元胞结构半导体开关器件，单元的尺寸小于器件长n基区厚度。各单元共有的集电结阻断外加正向电压，还有共有的n+p发射结，这个结由阴极高掺杂的n+层(>1020cm-3)与次高掺杂(约1018cm-3)的p层构成。预充时，RSD器件可等效为准二极管，其通流面积占整个RSD器件的芯片面积的很小一部分，因此主回路应设计为接近临界阻尼的过阻尼RLC电路，在得到最大脉冲电流峰值的同时，避免反向电流过大损坏RSD器件；或在主回路中串联二极管，阻断反向脉冲电流，保护RSD器件；或放电电容反并联续流二极管，RSD器件正向导通后，不承受反向电流。正向换流时，RSD器件近似为PIN二极管。
本发明采用谐振充电方式，用RSD器件替换IGBT器件作为低压谐振电路的开关器件。如图2所示，本发明一个实施例的高压电容器充电电源包括低压整流电路1、全桥逆变电路2、谐振电路4、升压变压器5、高压整流电路6、高压检测电路7、电流检测电路11、触发电路和控制器。
交流电经低压整流电路1实现AC/DC转换，输出直流电压，经全桥逆变电路2和谐振电路4进行谐振变换，输出双极性电压脉冲，再由升压变压器5和高压整流电路6变换输出单极性电压脉冲，对高压电容器8充电。
低压整流电路1可以是三相全桥整流电路或单相整流电路，本例中，采用三相全桥整流电路方案，低压整流电路1包括电容器和六只开关管，这六只开关管两两串联后再分别与电容器并联，三相交流电源的三相接线端分别接入这三组两两串联的开关管之间。这六只开关管可以是二极管、晶闸管、IGBT器件或其它功率器件。
全桥逆变电路2包括第一、第二、第三和第四RSD开关单元，其中，第一和第三RSD开关单元处于同一桥臂，第二和第四RSD开关单元处于同一桥臂，两桥臂两端连接低压整流电路1的输出端。谐振电路4的谐振方式可以是串联谐振、并联谐振、串并联谐振或其它类型，本例中，采用串联谐振方式，谐振电路4由谐振电感和谐振电容串联而成，第一和第三RSD开关单元的公共端依次连接谐振电感、谐振电容和升压变压器5的原边的第一端，第二和第四RSD开关单元的公共端连接升压变压器5的原边的第二端。高压整流电路6是由四个高压整流二极管堆体组成的全桥整流电路，升压变压器5的副边连接高压整流电路6的输入端，高压整流电路6的输出端连接高压电容器8。
RSD开关单元的结构如图3所示，它包括由一个或多个RSD器件串联和/或并联组成的RSD堆体、反向截止二极管D1、反向保护二极管D2、第一可饱和磁开关L1及RSD预充电路21。RSD堆体与RSD预充电路21并联后与第一可饱和磁开关L1串联，形成的子电路与反向保护二极管D2并联后再与反向截止二极管D1串联。反向保护二极管D2的阴极与第一可饱和磁开关L1连接，反向保护二极管D2的阳极与RSD堆体的阴极和反向截止二极管D1的阳极连接。第一可饱和磁开关L1和反向保护二极管D2的公共端作为RSD开关单元的输入端，反向截止二极管D1的阴极作为RSD开关单元的输出端。
第一RSD开关单元的输出端连接第三RSD开关单元的输入端，第一RSD开关单元的输入端和第三RSD开关单元的输出端分别连接低压整流电路1的输出正极和输出负极；第二RSD开关单元的输出端连接第四RSD开关单元的输入端，第二RSD开关单元的输入端和第四RSD开关单元的输出端分别连接低压整流电路1的输出正极和输出负极。
RSD器件的预充方式主要有直接式、谐振式及变压器升压预充等三种方式。直接式预充的缺点是电路需要额外设置预充电容的充电电路，预充回路开关在初始阶段需要阻断主电容和预充电容充电电压之和的高压。谐振预充方式的预充电容与主电容共用一个供电装置，它们被充至相同的工作电压，预充回路开关的承受电压为电路工作电压，与直接预充方式相比，降低了预充回路开关耐压要求。变压器升压预充方式主要用于高压脉冲电路。本发明根据实际应用需要，可采用这三种预充方式的一种或多种方式的组合。本实例中选择了谐振式预充方式。
RSD预充电路21包括预充开关K1、第二可饱和磁开关L11和预充电容CC。第二可饱和磁开关L11和预充开关K1串联后与预充电容CC并联，第二可饱和磁开关L11连接RSD堆体的阳极和预充电容CC的一端，预充开关K1的阳极连接第二可饱和磁开关L11，预充开关K1的阴极连接RSD堆体的阴极和预充电容CC的另一端。根据实际应用的需要，预充开关K1可采用晶闸管、IGBT器件或其他功率开关。
高压整流电路6的输出端连接高压检测电路7，第二和第四RSD开关单元的公共端到升压变压器5的原边的第二端的回路上设有电流检测电路11，高压检测电路7和电流检测电路11的输出端连接控制器，控制器连接触发电路，触发电路连接全桥逆变电路2。
高压检测电路7的主要方案是分压器与数字采集系统为主要组件的测量系统、分压器与数字存储示波器为主要组件的测量系统、微积分环节与数字存储示波器为主要组件的测量系统及光电测量系统等。为便于与控制器通信，本实例采用分压器与数字采集系统为主要组件的测量系统。分压器可分为电阻分压器、电容分压器和阻容串联分压器。电阻分压器结构简单，测量精度较高，长期稳定性较好。但为追求高响应性能，它的阻值不能太高，一般不能大于10kΩ。电容分压器消耗的能量很少，发热量非常小，对测量波前和半峰值时间较长的脉冲波，比电阻分压器较为有利。由于存在回路杂散振荡问题，对测量陡波脉冲而言，其额定电压也不能太高。为了阻尼电容分压器回路的振荡，发展了阻容串联分压器，其性能与补偿度和阻尼度有关。本实例采用阻容串联分压器测量高电压。
电流检测电路11的实现方法主要分为两大类。第一类为直接法，即根据被测电流在已知电阻上的电压降来确定被测电流的大小，如电阻分流器，它的特点是结构简单，准确可靠，但是只适宜测量104A以下的电流；另一类是间接法，它是以被测电流所建立的磁场为工作基础，其特点是将电流的测量问题转变为磁场的测量问题，通过其他手段测量其磁通密度、磁通或磁势等方法来间接完成大电流的测量任务。本实例采用Rogowski线圈为电流检测电路11的核心测量元件。
控制器的控制芯片据实际应用需要，可采用单片机、DSP、ARM、FPGA或其他类型的控制芯片。本实例采用C51单片机芯片作为控制器的核心元件。
上述电路的工作原理如下：
控制器输出全桥逆变电路2的启动信号至触发电路，触发电路输出两路触发信号，分别触发全桥逆变电路2的第一和第四RSD开关单元使其导通，而第二和第三RSD开关单元截止，第二和第三RSD开关单元的预充电容CC被充电至低压整流电路1的输出直流电压。第四RSD开关单元的导通过程与第一RSD开关单元完全相同，下面以第一RSD开关单元为例说明RSD开关单元的导通过程。触发电路输出触发信号使第一RSD开关单元的预充开关K1导通，预充电容CC通过预充开关K1放电，预充电流流过RSD堆体，RSD堆体导通，第一可饱和磁开关L1饱和后，第一RSD开关单元正向导通。低压整流电路1通过第一和第四RSD开关单元以及谐振电感给谐振电容充电，形成谐振电流。谐振电流通过升压变压器5和高压整流电路6，形成高压电容器8的充电电流。
谐振电容充电结束时，由于谐振电感的影响，谐振电容的电压高于低压整流电路1的输出电压，此时反向截止二极管D1承受反向电压截止并切断谐振电流，使第一和第四RSD开关单元关断，反向截止二极管D1的反向关断电流绝大部分通过反向保护二极管D2，避免了反向关断电流过大导致RSD器件的反向过流损坏。待第一和第四RSD开关单元完全关断后，触发电路取消第一和第四RSD开关单元的触发信号，并输出两路触发信号给第二和第三RSD开关单元使其导通，给高压电容器8充电。第一和第四RSD开关单元的预充电容CC被充电至低压整流电路1的输出直流电压。第一和第四RSD开关单元与第二和第三RSD开关单元交替导通和截止，从而实现高压电容器8的充电。
电流检测电路11测量全桥逆变电路2的谐振电流幅值，并将其转化为电压信号，该电压信号通过光耦输出至控制器。全桥逆变电路2发生过流或短路故障时，电流检测电路11的电流采样信号通过光耦输出至控制器中相应的保护电路，取消触发电路的触发信号，使全桥逆变电路2停止工作，从而起到保护全桥逆变电路2的作用。
高压检测电路7测量高压电容器8的充电电压，输出一个低电压，通过光纤或其他通信线缆输出至控制器，当测量电压与控制器预先设置的高压电容器8所需的充电电压相同时，控制器停止输出启动信号，充电结束。
全桥逆变电路2的开关频率的调整原理和方法是：定宽调频，全桥逆变电路2的工作频率小于谐振电路的固有频率的1/2，并采用较小的谐振电流脉冲宽度。
本发明另一个实施例的高压充电电源如图4所示，低压整流电路1包括第一电容器、第二电容器和六只开关管，这六只开关管两两串联后再分别与串联后的第一电容器和第二电容器并联。半桥逆变电路9包括第一和第三RSD开关单元，第一和第三RSD开关单元串联后连接低压整流电路1的输出端。第一和第二电容器的公共端依次连接谐振电感、谐振电容和升压变压器5的原边的第一端，第一和第三RSD开关单元的公共端连接升压变压器5的原边的第二端。
在本发明的另一个实施例中，全桥逆变电路或半桥逆变电路为多个，多个全桥逆变电路或多个半桥逆变电路和谐振电路对低压整流电路输出的直流电压进行谐振变换，输出双极性电压脉冲，经升压变压器升压后，由高压整流电路输出单极性电压脉冲，对高压电容器充电。
在本发明的另一个实施例中，低压整流电路，全桥逆变电路或半桥逆变电路，以及谐振电路组成一个充电单元，上述充电单元为多个，多个充电单元通过升压变压器和高压整流电路向高压电容器充电。
在本发明的另一个实施例中，低压整流电路，全桥逆变电路或半桥逆变电路，谐振电路，以及升压变压器组成一个充电单元，上述充电单元为多个，多个充电单元通过高压整流电路向高压电容器充电。
在本发明的另一个实施例中，低压整流电路，全桥逆变电路或半桥逆变电路，谐振电路，升压变压器，以及高压整流电路组成一个充电单元，上述充电单元为多个，多个充电单元给高压电容器充电。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种高压电容器充电电源，其特征在于，包括低压整流电路、桥式逆变电路、谐振电路、升压变压器和高压整流电路；
所述低压整流电路用于将交流电进行AC/DC转换，输出直流电压；所述桥式逆变电路和所述谐振电路用于将直流电压进行谐振变换，输出双极性电压脉冲，所述升压变压器和所述高压整流电路用于将双极性电压脉冲变换成单极性电压脉冲，对高压电容器充电；
所述桥式逆变电路由RSD开关单元构成，所述RSD开关单元包括由一个或多个RSD器件串联和/或并联组成的RSD堆体、反向截止二极管、反向保护二极管、第一可饱和磁开关和RSD预充电路；RSD堆体与RSD预充电路并联后与第一可饱和磁开关串联，形成的子电路与反向保护二极管并联后再与反向截止二极管串联；反向保护二极管的阴极与第一可饱和磁开关连接，反向保护二极管的阳极与RSD堆体的阴极和反向截止二极管的阳极连接；所述RSD预充电路用于提供预充电流使RSD堆体导通。
2.如权利要求1所述的高压电容器充电电源，其特征在于，所述RSD预充电路包括预充开关、第二可饱和磁开关和预充电容；第二可饱和磁开关和预充开关串联后与预充电容并联，第二可饱和磁开关连接RSD堆体的阳极和预充电容的一端，预充开关的阳极连接第二可饱和磁开关，预充开关的阴极连接RSD堆体的阴极和预充电容的另一端。
3.如权利要求1或2所述的高压电容器充电电源，其特征在于，所述RSD开关单元中，第一可饱和磁开关和反向保护二极管的公共端作为RSD开关单元的输入端，反向截止二极管的阴极作为RSD开关单元的输出端；所述桥式逆变电路为全桥逆变电路，包括四个所述RSD开关单元，分别为第一、第二、第三和第四RSD开关单元，其中，第一和第三RSD开关单元处于同一桥臂，第二和第四RSD开关单元处于同一桥臂；第一RSD开关单元的输出端连接第三RSD开关单元的输入端，第一RSD开关单元的输入端和第三RSD开关单元的输出端分别连接所述低压整流电路的输出正极和输出负极；第二RSD开关单元的输出端连接第四RSD开关单元的输入端，第二RSD开关单元的输入端和第四RSD开关单元的输出端分别连接所述低压整流电路的输出正极和输出负极。
4.如权利要求1或2所述的高压电容器充电电源，其特征在于，所述RSD开关单元中，第一可饱和磁开关和反向保护二极管的公共端作为RSD开关单元的输入端，反向截止二极管的阴极作为RSD开关单元的输出端；所述桥式逆变电路为半桥逆变电路，包括两个所述RSD开关单元，分别为第一和第三RSD开关单元；第一RSD开关单元的输出端连接第三RSD开关单元的输入端，第一RSD开关单元的输入端和第三RSD开关单元的输出端分别连接所述低压整流电路的输出正极和输出负极。
5.如权利要求1至4中任一项所述的高压电容器充电电源，其特征在于，所述充电电源还包括电流检测电路、触发电路和控制器；
所述电流检测电路设置在所述桥式逆变电路到所述升压变压器原边的谐振回路上，连接所述控制器，所述触发电路连接所述桥式逆变电路；
所述控制器用于输出启动信号至所述触发电路，所述触发电路用于在启动信号的作用下输出触发信号至所述桥式逆变电路，使所述桥式逆变电路中对应的RSD开关单元导通；所述电流检测电路用于测量所述桥式逆变电路中的谐振电流，所述控制器用于根据所述电流检测电路的测量结果判断所述全桥逆变电路是否发生故障，是则取消所述触发电路的触发信号，使所述全桥逆变电路停止工作。
6.如权利要求5所述的高压电容器充电电源，其特征在于，所述充电电源还包括高压检测电路，所述高压检测电路设置在所述高压整流电路的输出端，连接所述控制器，所述高压检测电路用于测量高压电容器的充电电压，所述控制器用于根据所述高压检测电路的测量结果判断高压电容器的充电电压是否到达预设值，是则停止输出启动信号，充电结束。
7.如权利要求1所述的高压电容器充电电源，其特征在于，所述桥式逆变电路为一个或多个。
8.如权利要求1所述的高压电容器充电电源，其特征在于，所述低压整流电路、所述桥式逆变电路和所述谐振电路组成一个充电单元，所述充电单元为一个或多个。
9.如权利要求1所述的高压电容器充电电源，其特征在于，所述低压整流电路、所述桥式逆变电路、所述谐振电路和所述升压变压器组成一个充电单元，所述充电单元为一个或多个。
10.如权利要求1所述的高压电容器充电电源，其特征在于，所述低压整流电路、所述桥式逆变电路、所述谐振电路、所述升压变压器和所述高压整流电路组成一个充电单元，所述充电单元为一个或多个。
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