CN104051675B - 显示器件及其邦定方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示了一种显示器件的邦定方法及由上述邦定方法制成的显示器件。所述显示器件包括基板及设于基板上的邦定件，基板上设有与邦定件对应的邦定区。所述显示器件的邦定方法包括：于基板邦定区覆盖各向异性导电膜；原子层沉积并形成原子层沉积层；对覆盖各向异性导电膜的位置进行穿刺；及将邦定件邦定至各向异性导电膜。上述显示器件邦定方法，使用原子层沉积技术对基板进行封装，并将邦定件的邦定工艺过程设定在各向异性导电膜沉积之后，通过对覆盖各向异性导电膜的位置进行穿刺进而实现基板与邦定件之间的邦定。这种邦定方法无需对原子层沉积层进行图形化处理，就可以实现显示器件的有效邦定，简化了显示器件的邦定工艺并降低了生产成本。

Description

显示器件及其邦定方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示器件的邦定方法及使用该方法所制成的显示器件。
背景技术
原子层沉积(ALD：AtomicLayerDeposition)技术具有极高的包裹性及台阶覆盖性，是一种用于OLED领域的新型封装技术，通过ALD封装后的OLED，具有极高的耐水性及耐腐蚀性。传统OLED在ALD封装前，通常需要将OLED上待邦定芯片(IC)和电路板的邦定区进行掩膜处理，然而，由于ALD技术具有极高的包裹性及台阶覆盖性，在经过ALD后，上述被掩膜的邦定区仍有可能被ALD沉积层污染，从而导致邦定区无法与芯片(IC)或电路板正常接触。另外，由于OLED对水的高度敏感性，也没有办法利用光刻技术对上述邦定区的ALD沉积层进行处理。
发明内容
基于此，有必要针对上述问题，提供了一种无需对ALD沉积层进行图形化处理，就可以实现显示器件有效邦定的邦定方法及使用该方法所制成的显示器件。
一种显示器件的邦定方法，所述显示器件包括基板及设于所述基板上的邦定件，所述基板上设有与所述邦定件对应的邦定区；具体包括如下步骤：
于基板邦定区形成各向异性导电膜；
原子层沉积并形成原子层沉积层；
对形成各向异性导电膜的位置进行穿刺；
将邦定件邦定至各向异性导电膜。
在其中一个实施例中，所述于基板邦定区形成各向异性导电膜的步骤中，所述形成方式包括贴合、涂覆或压印。
在其中一个实施例中，所述原子层沉积并形成原子层沉积层的步骤中包括至少两次原子层沉积的步骤。
在其中一个实施例中，所述原子层沉积层的厚度为10-500nm。
在其中一个实施例中，所述原子层沉积层的厚度为50nm。
在其中一个实施例中，所述原子层沉积并形成原子层沉积层的步骤中，通过气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成所述原子层。
在其中一个实施例中，所述对形成各向异性导电膜的位置进行穿刺的步骤中包括：通过穿刺元件刺穿所述原子层并暴露出所述各向异性导电膜。
在其中一个实施例中，所述穿刺元件为带针尖的滚轮、滚球或针板。
在其中一个实施例中，所述将邦定件邦定至各向异性导电膜的步骤包括：通过热压将所述邦定件邦定在经过穿刺的所述各向异性导电膜上。
在其中一个实施例中，所述邦定件为芯片及电路板中的至少一种。
一种显示器件，采用上述任一项实施例中所述显示器件的邦定方法制成。
上述显示器件邦定方法，使用ALD技术对基板进行封装，并将邦定件的邦定工艺过程设定在ACF沉积之后，通过对形成ACF的位置进行穿刺进而实现基板与邦定件之间的邦定。这种邦定方法无需对ALD进行图形化处理，就可以实现显示器件的有效邦定，并简化了显示器件的邦定工艺，进一步降低了显示器件的生产成本。
附图说明
图1为OLED的基本结构示意图；
图2为OLED邦定区邦定后的横截面结构示意图；
图3为OLED的邦定步骤；
图4为OLED的邦定流程。
具体实施方式
请参图1，本实施方式揭示了一种OLED100，其主要包括基板110。基板110上设有发光区111、引线区112以及邦定区113。其中发光区111位于基板110中央，并用于OLED的图像显示，其顺次设置有阳极层、有机功能层以及阴极层。引线区112为阳极引线以及阴极引线的布线区，引线区112内的阳极引线、阴极引线通过邦定区113与芯片(IC)或与电路板等邦定件邦定。需要指出的是，本实施方式的OLED为单边邦定型，即将所有阴极引线，所有阳极引线集中到一边与驱动芯片或电路板邦定，在其它实施方式中，OLED可以为双边邦定型(即将所有阴极引线集中到一边与阴极驱动电路进行邦定，所有阳极引线集中到另一边与阳极驱动芯片或电路板邦定)、三边邦定型(即将所有阳极引线集中到一边与阳极驱动电路进行邦定，阳极引线分奇数行及偶数行分别进行邦定)或四边邦定型(即将阳极引线分奇数行及偶数行分别进行邦定，阴极引线也分奇数行及偶数行分别进行邦定)，在此不作具体限定。
请参图2，揭示了上述OLED100邦定区113经过邦定后的横截面结构示意图，该OLED100由底部至顶部顺次设置有基板110、原子层沉积(ALD)层120、各向异性导电膜(ACF)层130及邦定件140。其中，ACF130设置在基板110上的邦定区113上，而ALD120覆盖在基板110上除邦定区113以外的其它区域上。邦定件140为与邦定区113电性连接的IC或电路板，通常情况下，在OLED制程中，上述电路板优选为软性电路板(FPC)。
本实施方式中所采用的ALD技术是能够将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基板上，由于其能够以原子膜的形式镀在基板上，因此确保了由ALD技术所镀的膜层具有极高的致密性，能够完全隔绝外界水汽和氧气透过基板110，并有效保护引线。从而使得OLED100具有极高耐水性及抗腐蚀性能。并且，采用上述ALD技术所镀的膜层具有极高的台阶覆盖性，膜层厚度可控且能够确保镀膜的均匀性。
请参图3及图4，揭示了OLED的邦定流程及相应步骤，其具体包括如下步骤：
S110：于基板邦定区形成ACF层。具体步骤如下：
S111：取一待封装，待邦定的基板，请参图3-1。
S112：在上述基板的邦定区域上形成有ACF层，请参图3-2，该形成方式包括有贴合、涂覆或压印方式等。
S120：ALD并形成ALD沉积层。具体步骤如下：
S121：将上述形成有ACF层的基板放置到ALD反应器内。
S122：通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器中，并在基板上化学吸附并反应，进而沉积第一层ALD沉积层。当前躯体达到沉积基板表面，它们会在基板表面化学吸附并在基板表面发生化学反应，在前驱体脉冲之间还需用惰性气体对ALD反应器进行清洗。
S123：根据基板上实际所需ALD沉积层的厚度重复S122步骤，并沉积多层ALD沉积层。
在ALD沉积过程中，新一层沉积层的化学反应是直接与之前一层沉积层相关联的，这种方式能够使每次反应只沉积一层原子，由于沉积的每一周期具有自约束性，因此对于沉积层的厚度生长的控制要容易的多，并且，ALD是在低于350℃的温度下进行的，相比较其它薄膜沉积技术(如化学气相沉积所要求的沉积温度高于600℃)而言，这种技术能够减少基板的温度损伤，且对基板的污染较低。优选方案中，基板上所沉积的ALD沉积层的厚度为10-500nm，优选方案中，ALD沉积层的厚度为50nm。请参图3-3，经过ALD沉积后，ALD沉积层覆盖了整个基板表面。
S130：对覆盖有ACF的位置进行穿刺。具体步骤如下：
S131：根据基板上所沉积的ALD沉积层的厚度选取穿刺元件。本实施方式中所使用的穿刺元件为带针尖的滚轮，在其它实施方式中，还可以选取针板、针球等穿刺元件。穿刺元件的长度须大于ALD沉积层的厚度，这样才能够在后续制程中对ALD沉积层进行穿刺作用，并且，穿刺元件的长度还须小于ALD沉积层与ACF的整体厚度之和，在穿刺过程中，这种长度不会损伤基板上的阳极引线或阴极引线。
S132：通过穿刺元件对沉积有原子层的ACF进行穿刺，并刺穿所述ALD沉积层。如可以通过将带针尖的滚轮在ACF上方的ALD沉积层上滚过，从而将ALD沉积层刺破，并使其呈现不连续状态。请参图3-4。上述穿刺方法可以使用机械方式实现，也可以使用手工碾压方式实现。经过穿刺元件针刺的针刺孔密度越大越好，从而能够确保邦定件与ACF内的导电粒子充分接触。
S140：将邦定件邦定至ACF。即通过热压将邦定件邦定在经过穿刺的ACF上。此时，导电粒子通过被破坏的ALD沉积层与邦定件接触，导电粒子将邦定件的各Pin引脚与其所对应在基板上的PAD连接。其中，本实施方式中所述的邦定件可以为芯片、电路板中的至少一种。在OLED制程中，上述电路板优选为FPC。
上述OLED的邦定方法，通过对覆盖有ACF的位置进行穿刺从而实现基板与邦定件之间的邦定。这种邦定方法无需对ALD沉积层进行图形化处理，就可以实现显示器件有效邦定，并简化了OLED的邦定工艺，进一步降低了OLED的生产成本。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示器件的邦定方法，所述显示器件包括基板及设于所述基板上的邦定件，所述基板上设有与所述邦定件对应的邦定区；其特征在于，具体包括如下步骤：
于基板邦定区形成各向异性导电膜；
原子层沉积并形成原子层沉积层；
对形成各向异性导电膜的位置进行穿刺；及，
将邦定件邦定至各向异性导电膜。
2.根据权利要求1所述的显示器件的邦定方法，其特征在于，所述于基板邦定区形成各向异性导电膜的步骤中，所述形成方式包括贴合、涂覆或压印。
3.根据权利要求1所述的显示器件的邦定方法，其特征在于，所述原子层沉积并形成原子层沉积层的步骤中包括至少两次原子层沉积的步骤。
4.根据权利要求3所述的显示器件的邦定方法，其特征在于，所述原子层沉积层的厚度为10-500nm。
5.根据权利要求1所述的显示器件的邦定方法，其特征在于，所述原子层沉积并形成原子层沉积层的步骤中，通过气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成所述原子层。
6.根据权利要求1所述的显示器件的邦定方法，其特征在于，所述对形成各向异性导电膜的位置进行穿刺的步骤中包括：通过穿刺元件刺穿所述原子层并暴露出所述各向异性导电膜。
7.根据权利要求6所述的显示器件的邦定方法，其特征在于，所述穿刺元件为带针尖的滚轮、滚球或针板。
8.根据权利要求1所述的显示器件的邦定方法，其特征在于，所述将邦定件邦定至各向异性导电膜的步骤包括：通过热压将所述邦定件邦定在经过穿刺的所述各向异性导电膜上。
9.根据权利要求1所述的显示器件的邦定方法，其特征在于，所述邦定件为芯片及电路板中的至少一种。
10.一种显示器件，其特征在于，所述显示器件采用权利要求1-9中任一项所述显示器件的邦定方法制成。
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