具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步阐述,但本发明的实现方式不限于此。
参见图2所示,为本发明的晶体振荡器的一个实施例的结构示意图。参见图3所示,为本发明实施例的晶体振荡器的原理图。
如图2所示,本实施例中的晶体振荡器,包括幅度控制电路10、反相放大器20反馈电阻30,反相放大器20的输出端vout连接幅度控制电路10的输入端vin,幅度控制电路10的输出端连接反相放大器20的电流偏置端,反馈电阻30的一端连接反相放大器20的输入端,反馈电阻30的另一端连接所述反相放大器20的输出端,其中,反相放大器20包括一接地端,该接地端接地。
上述本实施例的晶体振荡器的工作原理是,在本实施例的晶体振荡器开始工作时,幅度控制电路10先产生起始振荡电流,将反相放大器20偏置于增益比较大的状态,使得电路快速起振,同时,振荡的幅度信息反馈到幅度控制电路10里,经峰值检测,产生控制信号反向调节振荡电流,使得幅度变大,振荡电流减小,最终达到一个平衡点,控制驱动石英晶体的能量在一个合适的水平,实现了振荡电流的自动控制,因而,不会产生从电源到地的过大的短路电流,降低了功耗,同时,由于石英晶体的能量被稳定在固定的范围,使其不易受到电源和地的噪声影响,稳定了振荡频率。
在其中一个实施例中,如图3所示,上述实施例中的幅度控制电路10可以包括第一MOS管N1、第二MOS管N2、第三MOS管N3、第四MOS管N4、第五MOS管N5、第一参考电流源Iref1、第二参考电流源Iref2、运算放大器OP1、第一电流镜Imi1、第二电流镜Imi2,第一MOS管N1的漏极、第一MOS管N1的栅极、第二MOS管N2的栅极、第三MOS管N3的源极、运算放大器OP1的正端相互连接,第一MOS管N1的源极连接第一电流镜Imi1的输出端,第一电流镜Imi1的输入端连接第一参考电流源Iref1的一端,第一参考电流源Iref1的另一端分别连接第三MOS管N3的漏极、第二电流镜Imi2的输入端、第二参考电流源Iref2的一端,第二参考电流源Iref2的另一端分别连接第二MOS管N2的漏极、第三MOS管N3的栅极,第二电流镜Iref2的输出端连接反相放大器20的电流偏置端,运算放大器OP1的负端、运算放大器OP1的输出端、第四MOS管N4的栅极、第五MOS管N5的漏极、第五MOS管N5的栅极相互连接,第四MOS管N4的源极接地,第四MOS管N4的漏极连接第二电流镜Imi2的接地端,第五MOS管N5的源极连接反相放大器20的输出端;
其中,上述的第一MOS管N1、第二MOS管N2、第三MOS管N3、第四MOS管N4、第五MOS管N5为N型MOS管。
如图3所示,由于第二MOS管N2的漏极和栅极接在一起,产生参考电压vrd,第二MOS管N2栅极接到vrd上,第二参考电流源Iref2接第二MOS管N2的漏极,第三MOS管N3的栅极接到第二MOS管N2的漏极,第三MOS管N3的源极接到参考电压vrd上。这样第二MOS管N2、第三MOS管N3与第二参考电流源Iref2构成负反馈电路,稳定了参考电压vrd。
而运算放大器OP1的正端接参考电压vrd,运算放大器OP1的负端接运算放大器OP1的输出节点vrb,组成单位增益缓冲器。第五MOS管N5的栅极和漏极都接在vrb上,源极接反相放大器的输出端vout,组成二极管作为检测vout的峰值用。
第四MOS管N4的栅极接在节点vrb上,第四MOS管N4的漏极连接第二电流镜Imi2的输入端,电流镜Imi2的输出端为振荡电流Iosc输出端,连接反相放大器的电流偏置端。
在本实施例的晶体振荡器开始工作时,晶体振荡器的电路还未振荡,反相放大器20的输入端、输出端的电压相等,参考电压vrd和参考电压vrb相等,第四MOS管N4的漏极的电流与第二MOS管N2的漏极的电流成固定比例。
振荡开始后,反相放大器20的输出端vout的幅度越来越大达到一定幅度时,第五MOS管N5组成的二极管开始导通,流走部分电荷,使得节点vrb的电压下降,第四MOS管N4的电流减小,从而使第二电流镜Imi2输出的振荡电流Iosc减小。
最终反相放大器20的输出端vout的幅度在一个合适驱动水平上达到稳定,节点vrb的电压和振荡电流Iosc也不再变化。
本实施例中的幅度控制电路10结构简单、器件成本低,同时,由于可以控制反相放大器20的输出端vout的幅度在一个合适驱动水平上达到稳定,降低了功耗。
在其中一个实施例中,如图4所示,上述的第一电流镜Imi1可以包括第六MOS管N6、第七MOS管N7,第六MOS管N6的漏极、第六MOS管N6的栅极、第七MOS管N7的栅极相互连接,第六MOS管N6的源极、第七MOS管N7的源极分别接地,第六MOS管N6的漏极还连接第一参考电流源Iref1的一端,第七MOS管N7的漏极连接第一MOS管N1的源极;
其中,第六MOS管N6、第七MOS管N7均为N型MOS管,第一电流镜Imi1将第一参考电流源Iref1的输入电流转换为参考电压,采用本实施例中第一电流镜Imi1与幅度控制电路10的其他器件相配合,实现简单,稳定性高。
在其中一个实施例中,如图4所示,在上述的第一电流镜Imi1包括第六MOS管N6、第七MOS管N7的情况下,由于需要整个幅度控制电路10满足对称结构,第二电流镜Imi2可以包括第八MOS管P8、第九MOS管P9,第八MOS管P8的漏极、第八MOS管P8的栅极、第九MOS管P9的栅极相互连接,第八MOS管P8的源极、第九MOS管P9的源极分别连接是所述第二参考电流源的一端,所述第九MOS管的漏极连接所述反相放大器的电流偏置端,第八MOS管P8的漏极连接所述第四MOS管N4的漏极;
其中,第八MOS管P8、第九MOS管P9均为P型MOS管,本实施例中的第二电流镜Imi2结构简单,稳定性高。
在其中一个实施例中,如图4所示,在上述实施例的基础上,本实施例的幅度控制电路10还可以包括第一电容器C1、第二电容器C2、第三电容器C3、滤波电阻R1,滤波电阻R1连接在第八MOS管P8的栅极和第九MOS管P9的栅极之间,第一电容器C1连接在运算放大器OP1的输出端和地之间,第二电容器C2连接在第八MOS管P8的源极和第九MOS管P9的栅极之间,第三电容器C3连接在第九MOS管P9的漏极和地之间,也就是说,运算放大器OP1的输出端经第一电容器C1后接地,第九MOS管P9的漏极经第三电容器C3后接地,第九MOS管P9(或者第八MOS管P8)的栅极经第八MOS管P8的源极、第八MOS管P8的漏极、第四MOS管N4的源极、第四MOS管N4的漏极后接地,第一电容器C1可以使得参考电压vrb的变化更加平稳,第二电容器C2、第三电容器C3、滤波电阻R1构成低通滤波电路,可以使得振荡电流Iosc平稳变化,有利于振荡环路的稳定。
在其中一个实施例中,如图5所示,本发明实施例的晶体振荡器,还可以包括微调电容阵列40,该微调电容阵列40包括第一引出端A、第二引出端B、控制端C,第一引出端A连接反相放大器20的输入端vin,第二引出端B连接反相放大器20的输出端vout,所述控制端连接外部的寄存器;
微调电容阵列40由外部的寄存器控制,微调电容阵列40的位数和电容值变化需求根据具体的频率调节范围和精度确定,微调电容阵列40接收到寄存器发出的寄存器控制信号,控制微调电容阵列40中的电容的通断(即是否接入电路);
一般地,如图6所示,所述微调电容阵列包括第一电容阵列41、第二电容阵列42,第一电容阵列41、第二电容阵列42分别包括两个以上的并联的电容器,各电容器分别串联一个寄存器控制接口,各寄存器控制接口分别连接外部的寄存器,在图6中,是以第一电容阵列41包括电容器CL0~CL3、第二电容阵列42包括电容器CR0~CR3为例,以各电容器CL0~CL3、CR0~CR3分别串联一个寄存器控制接口BL0~BL3、BR0~BR3,各寄存器控制接口BL0~BL3、BR0~BR3分别连接外部的寄存器为例,但第一电容阵列41、第二电容阵列42的具体电路结构不限于此;
第一电容阵列41、第二电容阵列42的构成一般是相一致的,即第一电容阵列41、第二电容阵列42包括的电容器个数相同,电容器的电容值相一致,也就是说,若第一电容阵列41中包括一个某一电容值的电容器,则第二电容阵列42也同样包括一个该电容值的电容器;
寄存器控制接口BL0~BL3、BR0~BR3可以决定相应的电容器CL0、CL1、CL2、CL3和CR0、CR1、CR2、CR3是否接入反向放大器20的输入端vin和输出端vout,电容器CL0~CL3,CR0~CR3为二进制变化,CL0=CR0=0.5皮法,CL1=CR1=1皮法,CL2=CR2=2皮法,CL3=CR3=4皮法。左右端的电容变化为7.5皮法。一般石英晶体的负载电容要求为15皮法左右,则该4比特的微调电容阵列可以提供超过±20%的调整范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。