CN104030368B - 一种具有成分梯度的一维NixFe3-xO4磁性纳米线的制备方法 - Google Patents
一种具有成分梯度的一维NixFe3-xO4磁性纳米线的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104030368B CN104030368B CN201410053738.4A CN201410053738A CN104030368B CN 104030368 B CN104030368 B CN 104030368B CN 201410053738 A CN201410053738 A CN 201410053738A CN 104030368 B CN104030368 B CN 104030368B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- powder
- matrix
- heating zone
- febr
- nii
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N nickel ferrite Chemical compound [Ni]=O.O=[Fe]O[Fe]=O NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有成分梯度的一维NixFe3-xO4磁性纳米线的制备方法:按FeBr3、NiI2物质的量之比为2:1,将FeBr3粉末、NiI2粉末分别放入管式炉的第一加热区,基体放入第二加热区,FeBr3粉末放置于NiI2粉末和基体的中间,FeBr3粉末和NiI2粉末之间的距离为6~9cm,调节管式炉第一加热区的温度为750~900℃,第二加热区的温度为850~1000℃,并向管式炉内通入载气,保温2~3h,然后将管式炉冷却至室温,将基体取出,即制得具有成分梯度的一维NixFe3-xO4纳米线,x=0.05-0.2。本发明将温度控制与基体和源物质的距离相结合下,成功制备了大面积的可控成分梯度变化的一维NixFe3-xO4纳米线。
Description
技术领域
本发明涉及一种成分梯度的NixFe3-xO4一维磁性纳米线及其制备方法,具体的说就是在化学气相沉积中,改变反应源物质FeBr3和NiI2两者之间的距离实现具有成分梯度的NixFe3-xO4磁性纳米线生长过程中所需要的铁和镍浓度梯度。
背景技术
纳米线是指直径处于纳米尺度范围内(1-100nm)且具有很高的长径比的一维纳米结构材料。纳米线不仅具有纳米微粒的效应,如:量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应等,又存在有纳米结构组合引起的新效应,如量子耦合和协同效应等,从而表现出独特的电子学、磁学、光学和催化性质。随着工业的高速发达,以及能源和减少污染的要求,对材料性能的要求越来越高如何能够尽可能最高的利用材料的性能,并能够达到减少资源、降低污染成为现在大家比较关心的问题。
当前报道出的以合成的磁性纳米线中,无论是金属还是氧化物都是均质材料,即在长度方向上,成分均匀分布,具有高的长径比纳米线是一种大大的资源浪费,纳米线的线长优势就被掩盖住了。本发明旨在得到成分呈梯度变化的纳米线,在化学气相法制备纳米线中通过控制反应源物质FeBr3和NiI2之间的距离来实现达到基体上铁和镍浓度梯度来生长成分梯度可控的纳米线。得到单根磁性纳米线上性能也呈现出梯度变化,可以大大的减少资源,对其它材料的发展也具有指导性作用。
发明内容
本发明的目的是在化学气相沉积法中控制到达基体上铁和镍的浓度生长具有成分梯度的一维NixFe3-xO4磁性纳米线并实现单根纳米线呈现性能梯度。
为得到具有可控成分梯度的一维NixFe3-xO4磁性纳米线,所采用的技术方案是:通过在化学气相沉积法中控制到达基体上铁和镍的浓度生长一维NixFe3-xO4磁性纳米线也即在管式炉中改变反应源物质FeBr3和FeBr2之间的距离来实现生长温度梯度。本发明采用的技术方案是:
一种具有成分梯度的一维NixFe3-xO4磁性纳米线的制备方法,所述方法为:
FeBr3和NiI2分别研磨成粉末,按FeBr3、NiI2物质的量之比为2:1,将FeBr3粉末、NiI2粉末分别装入瓷舟中,然后将两个瓷舟放入管式炉的第一加热区,基体放入第二加热区,所述基体为SiO2/Si基体;所述SiO2/Si基体为覆盖有SiO2膜的硅片;FeBr3粉末、NiI2粉末以及基体放置在一条直线上,且与管式炉方向平行,FeBr3粉末放置于NiI2粉末和基体之间,FeBr3粉末和NiI2粉末之间的距离为6~9cm(优选6~8cm),调节管式炉第一加热区的温度为750~900℃(优选750℃),第二加热区的温度为850~1000℃(优选1000℃),所述第二加热区的温度高于第一加热区的温度,并向管式炉内通入载气,载气的方向由第一加热区入口吹向第二加热区出口;所述载气是含有体积分数2~5%的氧气的氮气;载气流速为65~90mL/min,保温2~3h,然后将管式炉冷却至室温,将基体取出,基体表面有均匀的暗灰色薄膜,即制得具有成分梯度的一维NixFe3-xO4纳米线,所述NixFe3-xO4纳米线中,x=0.05-0.2。
进一步,优选所述方法包括以下步骤:
(1)FeBr3和NiI2分别研磨成粉末,按FeBr3、NiI2物质的量之比为2:1,将FeBr3粉末、NiI2粉末分别装入瓷舟中,然后将两个瓷舟分别装入两根小刚玉管中,装有FeBr3粉末的小刚玉管和装有NiI2粉末的小刚玉管平行并排紧靠放入一根大刚玉管的一端,小刚玉管的方向与大刚玉管平行,大刚玉管的另一端放置基体,两根小刚玉管整体与基体在一条直线上,两根小刚玉管内放置瓷舟的位置错开,使FeBr3粉末位于NiI2粉末和基体之间,且FeBr3粉末和NiI2粉末之间在垂直于基体的方向上的距离为6~9cm(优选6~8cm),所述基体为SiO2/Si基体;所述SiO2/Si基体为覆盖有SiO2膜的硅片;
(2)将大刚玉管放置于管式炉中,使大刚玉管中FeBr3和NiI2粉末均位于管式炉的第一加热区,大刚玉管中的基体位于管式炉的第二加热区出口,大刚玉管的放置方向与管式炉方向平行,调节管式炉第一加热区的温度为750~900℃(优选750℃),第二加热区的温度为850~1000℃(优选1000℃),所述第二加热区的温度高于第一加热区的温度,并向管式炉内通入载气,载气的方向由第一加热区入口吹向第二加热区;所述载气是含有体积分数2~5%的氧气的氮气;载气流速为65~90mL/min,保温2~3h,然后将管式炉冷却至室温,将基体取出,基体表面有均匀的暗灰色薄膜,即制得具有成分梯度的一维NixFe3-xO4纳米线,所述NixFe3-xO4纳米线中,x=0.05-0.2。
在上述制备纳米线的过程中管式炉的温度控制在750~900℃和850~1000℃,必须保证FeBr3和NiI2位置间距在6-9cm,这样才能保证反应源物质浓度达到基体上能够呈现铁和镍浓度梯度变化,进而使得NixFe3-xO4纳米线中的x=0.05-0.2。
所述步骤(1)中,所述小刚玉管的内径以能放入瓷舟为准,一般瓷舟大小为3~4cm,所述小刚玉管的内径可以为4~6cm。
所述步骤(1)中,装有FeBr3粉末的小刚玉管和装有NiI2粉末的小刚玉管平行并排紧靠放入一根大刚玉管的一端,小刚玉管的方向与大刚玉管平行,大刚玉管的另一端放置基体,两根小刚玉管与基体在一条直线上,两根小刚玉管内瓷舟的位置错开,使FeBr3粉末位于NiI2粉末和基体之间,且FeBr3粉末和NiI2粉末之间在垂直于基体的方向上的距离为6~9cm。上述放置方法中,虽然FeBr3粉末、NiI2粉末和基体不在严格上的一条直线上,但就整体而言,两根小刚玉管平行并排紧靠放置,两根小刚玉管内FeBr3粉末、NiI2粉末偏离两根小刚玉管的中线的距离很短,两根小刚玉管整体与基体成一条直线,基体也是具有一定宽度的,因此可以认为FeBr3粉末、NiI2粉末和基体总体在一条直线上。
所述小刚玉管的长度通常为30~50cm。
所述大刚玉管的内径以能放入小刚玉管和基体为准,通常大刚玉管的内径为10~15cm。
所述基体与FeBr3粉末之间的距离通常为8~15cm,优选10cm。所述大刚玉管的长度通常为80~100cm。
本发明所述瓷舟为氧化铝瓷舟,是本领域中常用于管式炉加热的器皿。
所述载气的方向由第一加热区入口吹向第二加热区出口,是指载气由第一加热区入口,依次经过NiI2粉末、FeBr3粉末,吹向放置有基体的第二加热区,从第二加热区的出口排出。
所述步骤(2)中,管式炉冷却时,载气持续通入。
本发明所述基体优选覆盖有SiO2膜的硅片,所述覆盖有SiO2膜的硅片一般按以下方法得到:将硅片分别依次用丙酮、乙醇和去离子水中超声处理10~15min,用高纯氮气吹干后,将干燥的硅片浸没于体积比为1:1:5的30wt%双氧水、37wt%盐酸和水的混合溶液中,70~80℃处理20~30min,然后取出用高纯氮气吹干,制得表面覆盖有40~100nm厚度SiO2膜的硅片。这是本领域技术人员公知的处理方法。
本发明的反应机理在于,反应源物质在第一加热区加热,分解气化后在载气的作用下进入第二加热区,在基体上生长纳米线,由于反应源物质之间存在一定间距,到达基体的距离不同,会导致铁、镍的浓度不同,从而在基体上形成铁和镍的浓度梯度,生长得到具有成分梯度的纳米线。
一维纳米材料的制备中,除了需要合适的源材料,对到达基体的源材料浓度的控制也是生长具有一维梯度变化的磁性纳米线的关键所在。本发明把温度控制与基体和源物质的距离相结合下,成功制备了大面积的可控成分梯度变化的一维NixFe3-xO4纳米线。
附图说明
图1为实施例1制得的纳米线的SEM图。
图2为图1中A位置的EDS图。
图3实施例2制得的纳米线的SEM图。
图4为图3中A位置的EDS图。
具体实施方式
下面以具体实施例来对本发明做进一步说明,但本发明的保护范围不限于此。
本发明实施例中的基体均按以下方法制得:
将P型(111)硅片(20×20×0.7mm)依次在丙酮、乙醇和去离子水中分别超声处理10min,并用高纯氮气吹干。紧接着将干燥的硅片放在体积比为1:1:5的30%H2O2、37%HCl和H2O混合溶液中,70℃处理20min,硅片表面形成一层50~100nm厚的SiO2膜,作为基体使用。
实施例1:
(1)纯度为99.99%的FeBr3、NiI2按摩尔比为2:1(FeBr3为1.89g,NiI2为1.00g),分别研磨成粉末,分别放入氧化铝瓷舟中,分别置于两个内径5cm、长度50cm的小刚玉管中,两个小刚玉管平行并排紧靠放置,放入内径14cm、长度1m的大刚玉管的一端,小刚玉管的方向与大刚玉管平行,大刚玉管的另一端放置基体,两根小刚玉管整体与基体在一条直线上,两根小刚玉管内放置瓷舟的位置错开,使FeBr3粉末位于NiI2粉末和基体之间,且FeBr3粉末和NiI2粉末之间的距离为6cm,FeBr3、基体之间的距离为10cm。
(2)将大刚玉管放置于管式炉中,使大刚玉管中FeBr3和NiI2粉末均位于管式炉的第一加热区,大刚玉管中的基体位于管式炉的第二加热区,大刚玉管的放置方向与管式炉方向平行,通过程序调节管式炉第一加热区的温度达到750℃,第二加热区的温度为1000℃,并向管式炉内通入载气,载气的方向由第一加热区入口吹向第二加热区;所述载气是含有体积分数2%的氧气的氮气;载气流速为75mL/min,反应源物质分解气化,在载气的作用下进入第二加热区,然后在基体上生长纳米线,在基体上铁和镍存在浓度梯度,从而生长得到具有成分梯度的镍铁氧体磁性纳米线。保持此条件3h,之后自然冷却,载气持续通入。
(3)当管式炉冷却至室温后,把基体从管式炉中取出来,基体表面有均匀的暗灰色薄膜。即为可控成分梯度的一维NixFe3-xO4
(x=0.05-0.15)纳米线。附图1为所得纳米线的SEM图,由SEM图可见产物为一维纳米线结构。图2为图1中A点的EDS图,由A点的EDS知x=0.12。对产品纳米线其他位置同样做了EDS检测,检测结果表明x为不同值,最小为0.05,最大为0.15,即x在0.05-0.15范围内具有可变梯度。
实施例2:
(1)纯度为99.99%的FeBr3和NiI2按摩尔比为2:1(FeBr3为1.89g,NiI2为1.00g)分别研磨成粉末,分别放入氧化铝瓷舟中,分别置于两个内径5cm、长度50cm的小刚玉管中,两个小刚玉管平行并排紧靠放置,放入内径14cm、长度1m的大刚玉管的一端,小刚玉管的方向与大刚玉管平行,大刚玉管的另一端放置基体,两根小刚玉管整体与基体在一条直线上,两根小刚玉管内瓷舟的位置错开,使FeBr3粉末位于NiI2粉末和基体之间,且FeBr3粉末和NiI2粉末之间的距离为8cm,FeBr3、基体之间的距离为10cm。
(2)将大刚玉管放置于管式炉中,使大刚玉管中FeBr3和NiI2粉末均位于管式炉的第一加热区,大刚玉管中的基体位于管式炉的第二加热区,大刚玉管的放置方向与管式炉方向平行,通过程序调节管式炉第一加热区的温度达到750℃,第二加热区的温度为1000℃,并向管式炉内通入载气,载气的方向由第一加热区入口吹向第二加热区;所述载气是含有体积分数5%的氧气的氮气;载气流速为75mL/min,反应源物质分解气化,在载气的作用下进入第二加热区,然后在基体上生长纳米线,在基体上铁和镍存在浓度梯度,从而生长得到具有成分梯度的镍铁氧体磁性纳米线。保持此条件3h,之后自然冷却,载气持续通入。
(3)当管式炉冷却至室温后,把基体从管式炉中取出来,基体表面有均匀的暗灰色薄膜。即为可控成分梯度的一维NixFe3-xO4(x=0.1-0.2)纳米线。附图3为所得纳米线的SEM图,由SEM图可见产物为一维纳米线结构。图4为图3中A点的EDS图,由A点的EDS知x=0.16。对产品纳米线其他位置同样做了EDS,检测结果表明x为不同值,最小取值为0.1,最大取值为0.2,即x在0.1-0.2范围内具有可变梯度。
Claims (7)
1.一种具有成分梯度的一维NixFe3-xO4磁性纳米线的制备方法,其特征在于所述方法为:
FeBr3和NiI2分别研磨成粉末,按FeBr3、NiI2物质的量之比为2:1,将FeBr3粉末、NiI2粉末分别装入瓷舟中,然后将两个瓷舟放入管式炉的第一加热区,基体放入第二加热区,所述基体为SiO2/Si基体;所述SiO2/Si基体为覆盖有SiO2膜的硅片;FeBr3粉末、NiI2粉末以及基体放置在一条直线上,且与管式炉方向平行,FeBr3粉末放置于NiI2粉末和基体之间,FeBr3粉末和NiI2粉末之间的距离为6~9cm,调节管式炉第一加热区的温度为750~900℃,第二加热区的温度为850~1000℃,所述第二加热区的温度高于第一加热区的温度,并向管式炉内通入载气,载气的方向由第一加热区入口吹向第二加热区出口;所述载气的方向由第一加热区入口吹向第二加热区出口,是指载气由第一加热区入口,依次经过NiI2粉末、FeBr3粉末,吹向放置有基体的第二加热区,从第二加热区的出口排出;所述载气是含有体积分数2~5%的氧气的氮气;载气流速为65~90mL/min,保温2~3h,然后将管式炉冷却至室温,将基体取出,基体表面有均匀的暗灰色薄膜,即制得具有成分梯度的一维NixFe3-xO4纳米线,所述NixFe3-xO4纳米线中,x=0.05-0.2。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:
(1)FeBr3和NiI2分别研磨成粉末,按FeBr3、NiI2物质的量之比为2:1,将FeBr3粉末、NiI2粉末分别装入瓷舟中,然后将两个瓷舟分别装入两根小刚玉管中,装有FeBr3粉末的小刚玉管和装有NiI2粉末的小刚玉管平行并排紧靠放入一根大刚玉管的一端,小刚玉管的方向与大刚玉管平行,大刚玉管的另一端放置基体,两根小刚玉管整体与基体在一条直线上,两根小刚玉管内放置瓷舟的位置错开,使FeBr3粉末位于NiI2粉末和基体之间,且FeBr3粉末和NiI2粉末之间在垂直于基体的方向上的距离为6~9cm,所述基体为SiO2/Si基体;所述SiO2/Si基体为覆盖有SiO2膜的硅片;
(2)将大刚玉管放置于管式炉中,使大刚玉管中FeBr3和NiI2粉末均位于管式炉的第一加热区,大刚玉管中的基体位于管式炉的第二加热区出口,大刚玉管的放置方向与管式炉方向平行,调节管式炉第一加热区的温度为750~900℃,第二加热区的温度为850~1000℃,所述第二加热区的温度高于第一加热区的温度,并向管式炉内通入载气,载气的方向由第一加热区入口吹向第二加热区;所述载气是含有体积分数2~5%的氧气的氮气;载气流速为65~90mL/min,保温2~3h,然后将管式炉冷却至室温,将基体取出,基体表面有均匀的暗灰色薄膜,即制得具有成分梯度的一维NixFe3-xO4纳米线,所述NixFe3-xO4纳米线中,x=0.05-0.2。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于所述步骤(2)中,管式炉冷却时,载气持续通入。
4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述基体为覆盖有SiO2膜的硅片,所述覆盖有SiO2膜的硅片按以下方法得到:将硅片分别依次用丙酮、乙醇和去离子水中超声处理10~15min,用高纯氮气吹干后,将干燥的硅片浸没于体积比为1:1:5的30wt%双氧水、37wt%盐酸和水的混合溶液中,70~80℃处理20~30min,然后取出用高纯氮气吹干,制得表面覆盖有40~100nm厚度SiO2膜的硅片。
5.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述第一加热区的温度为750℃。
6.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述第二加热区的温度为1000℃。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述FeBr3粉末和NiI2粉末之间的距离为6~8cm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410053738.4A CN104030368B (zh) | 2014-02-17 | 2014-02-17 | 一种具有成分梯度的一维NixFe3-xO4磁性纳米线的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410053738.4A CN104030368B (zh) | 2014-02-17 | 2014-02-17 | 一种具有成分梯度的一维NixFe3-xO4磁性纳米线的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104030368A CN104030368A (zh) | 2014-09-10 |
CN104030368B true CN104030368B (zh) | 2016-01-13 |
Family
ID=51461399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410053738.4A Expired - Fee Related CN104030368B (zh) | 2014-02-17 | 2014-02-17 | 一种具有成分梯度的一维NixFe3-xO4磁性纳米线的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104030368B (zh) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6347908A (ja) * | 1986-08-16 | 1988-02-29 | Sony Corp | ニツケルフエライト系スピネル薄膜 |
US4975324A (en) * | 1986-10-21 | 1990-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Perpendicular magnetic film of spinel type iron oxide compound and its manufacturing process |
-
2014
- 2014-02-17 CN CN201410053738.4A patent/CN104030368B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104030368A (zh) | 2014-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Sun et al. | Recent progress in the tailored growth of two-dimensional hexagonal boron nitride via chemical vapour deposition | |
Sha et al. | Silicon nanotubes | |
Kumar et al. | Optimization of the CVD parameters for ZnO nanorods growth: Its photoluminescence and field emission properties | |
Liu et al. | Synthesis of aligned copper oxide nanorod arrays by a seed mediated hydrothermal method | |
Al-Salman et al. | RF sputtering enhanced the morphology and photoluminescence of multi-oriented ZnO nanostructure produced by chemical vapor deposition | |
CN105197983B (zh) | 采用化学气相沉积法制备Zn掺杂p型β‑Ga2O3纳米线的方法 | |
Wu et al. | Effects of seed layer characteristics on the synthesis of ZnO nanowires | |
Cheng et al. | Indium oxide nanostructures | |
CN106957051B (zh) | 一种超长单壁碳纳米管水平阵列、制备方法及反应装置 | |
Liang et al. | Synthesis of in-situ SiC nanowires by self-assembly nanoparticles on carbon fibers and their photoluminescence properties | |
Bi et al. | Control of ZnO nanowire growth and optical properties in a vapor deposition process | |
Zhang et al. | ZnO1− x coatings deposited by atmospheric plasma spraying for room temperature ppb-level NO2 detection | |
CN104030368B (zh) | 一种具有成分梯度的一维NixFe3-xO4磁性纳米线的制备方法 | |
García-Gutiérrez et al. | Luminescence and structure of ZnO grown by physical vapor deposition | |
CN100500949C (zh) | 一种纳米氧化锌晶面可控生长的方法 | |
Yu et al. | Fabrication and characterization of Au-doped ZnO nanocandles synthesized on diamond film | |
CN104058446A (zh) | 一种低维氧化锌纳米材料及其低温等离子体制备方法 | |
Abd Aziz et al. | Growth of Fe-doped ZnO nanorods using aerosol-assisted chemical vapour deposition via in situ doping | |
CN104030370B (zh) | 一种成分梯度的一维NixFe3-xO4磁性纳米线的制备方法 | |
CN104030366B (zh) | 一种具有成分梯度的一维CoxFe3-xO4磁性纳米线的制备方法 | |
Wang et al. | Structure and surface effect of field emission from gallium nitride nanowires | |
Mukherjee et al. | Synthesis, characterization and electrical properties of hybrid Zn2GeO4–ZnO beaded nanowire arrays | |
KR101335723B1 (ko) | 수열 합성법과 플라즈마 표면 처리의 반복에 의한 나노 로드의 제조 방법, 이에 의하여 제조된 나노 로드 및 이를 포함하는 소자 | |
CN107699863A (zh) | 一种MPCVD制备GaN纳米线的方法 | |
Korte et al. | Determination of thermooptical and transport parameters of ε iron (III) oxide-based nanocomposites by beam deflection spectroscopy |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160113 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |