CN104022132B - 一种x射线探测基板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及X射线探测技术领域，公开一种X射线探测基板及其制备方法，X射线探测基板包括第一掺杂层、本征层、第二掺杂层、透明电极层、金属阴极、钝化层以及树脂层；本征层和第二掺杂层形成开口位于第二掺杂层背离第一掺杂层一侧表面的阴极沟槽；阴极沟槽的侧壁以及槽底上形成有离子掺杂浓度大于第二掺杂层内的离子掺杂浓度的离子注入层；透明电极层覆盖第二掺杂层背离衬底基板的侧面、且覆盖阴极沟槽的槽底和侧壁；金属阴极贯穿钝化层，且一端伸入阴极沟槽内与透明电极层电连接，另一端伸入树脂层内。本发明提供的X射线探测基板的光电流收集效率和量子转换效率都较高，因此对照射的X射线的强度要求较低，提升了探测效果。

Description

一种X射线探测基板及其制备方法
技术领域
本发明涉及X射线探测技术领域，特别涉及一种X射线探测基板及其制备方法。
背景技术
由于电子转换模式不同，数字化X射线照相检测可分为直接转换型(DirectDR)和间接转换型(Indirect DR).直接转化型X射线平板探测器由射线接收器、命令处理器和电源组成。
间接转换型探测器由X射线转换层与非晶硅光电二极管、薄膜晶体管、信号存储基本像素单元及信号放大与信号读取等组成。间接平板探测器的结构主要是由闪烁体(碘化铯)或荧光体(硫氧化钆)层加具有光电二极管作用的非晶硅层，再加TFT阵列构成。
PIN光电二极管是间接型X射线探测基板的关键组成，其决定了可见光的吸收效率，对于X射线剂量、X射线成像的分辨率、图像的响应速度等关键指标有很大影响。间接型X射线探测基板的PIN的制备工艺方法主要为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，PECVD技术通过不同的工艺气体(如：SiH4、NH3、N2O、PH3、H2、B2H6等)可以同时方便快捷的形成PIN器件，但是其缺点为掺杂浓度固定，无法实现特殊区域化的掺杂，因此PIN器件的量子效率和光电流的收集效率都较低，对照射的X射线的强度要求较高。
发明内容
本发明提供了一种X射线探测基板及其制备方法，此X射线探测基板对照射的X射线的强度要求较低。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种X射线探测基板，包括：
衬底基板、源漏极金属层、第一掺杂层、本征层、第二掺杂层、透明电极层、金属阴极、钝化层、树脂层以及闪烁层；其中：
所述源漏极金属层形成于所述衬底基板；
所述第一掺杂层位于所述源漏极金属层背离所述衬底基板的一侧，所述本征层位于所述第一掺杂层背离所述衬底基板的一侧，所述第二掺杂层位于所述本征层背离所述衬底基板的一侧；所述第一掺杂层和第二掺杂层中，一层为P型掺杂层，另一层为N型掺杂层；
所述本征层和所述第二掺杂层形成开口位于第二掺杂层背离第一掺杂层一侧表面的阴极沟槽，所述阴极沟槽的深度大于第二掺杂层的厚度；所述阴极沟槽的侧壁以及槽底上形成有离子注入层，所述离子注入层中的离子掺杂浓度大于所述第二掺杂层内的离子掺杂浓度；
所述透明电极层覆盖所述第二掺杂层背离所述衬底基板的侧面、且覆盖所述阴极沟槽的槽底和侧壁；
所述钝化层位于所述透明电极层背离所述衬底基板的一侧；
所述树脂层位于所述钝化层背离所述衬底基板的一侧；
所述金属阴极贯穿所述钝化层，且一端伸入所述阴极沟槽内与所述透明电极层电连接，另一端伸入所述树脂层内；
所述闪烁层位于所述树脂层背离所述衬底基板的一侧。
上述X射线探测基板中，金属阴极通过透明电极层在阴极沟槽处与PIN器件接触，阴极沟槽的侧壁以及槽底上形成的离子注入层内的离子掺杂浓度高，可以降低透明电极层及金属阴极与PIN器件的接触电阻，从而提高光电流的收集效率；而第二掺杂层与透明电极层接触，第二掺杂层的离子掺杂浓度可以很低，此时晶格缺陷就很少，少数载流子在缺陷中心的湮灭就会很少，从而少数载流子的收集效率就很高，因而PIN器件的量子效率就很高。同时，由于阴极沟槽的深度大于第二掺杂层的厚度，可以有效增加透明电极层与PIN器件及金属阴极的接触面积，从而增加光电流收集效率，同时由于接触面积的增加，可有效减小金属阴极的线宽，从而增加PIN器件的有效受光面积，提高量子转换效率。
上述X射线探测基板的光电流收集效率和量子转换效率都较高，因此，其对照射的X射线的强度要求较低。
较佳的实施例中，所述第一掺杂层的厚度为200～700埃；所述本征层的厚度为5000～15000埃；所述第二掺杂层的厚度为200～700埃。
较佳的实施例中，
所述第一掺杂层内的离子掺杂浓度小于1017cm-3，所述第二掺杂层内的离子掺杂浓度小于1017cm-3，所述离子注入层内的离子掺杂浓度大于1019cm-3。
一种X射线探测基板的制备方法，包括以下步骤：
沉积源漏极金属层；
在源漏极金属层上依次形成第一掺杂层、本征层以及第二掺杂层，并采用干法刻蚀工艺形成阴极沟槽的图形；其中，所述阴极沟槽的深度大于第二掺杂层的厚度，且所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中，一层为P型掺杂层，另一层为N型掺杂层；
采用离子注入工艺对阴极沟槽区域进行离子注入，以形成所述离子注入层；
对所述离子注入层内注入的离子进行激活；
在所述第二掺杂层上沉积透明电极层，并通过构图工艺形成透明电极层图形；
在所述透明电极层上沉积钝化层，并通过构图工艺形成钝化层图形；
在钝化层上沉积金属阴极，并通过构图工艺形成金属阴极图形；
在金属阴极上形成树脂层；
在树脂层上形成闪烁层。
采用上述X射线探测基板的制备方法制备的X射线探测基板中，第一掺杂层、本征层以及第二掺杂层构成了一个PIN器件，采用干法刻蚀工艺形成开口位于第二掺杂层上的阴极沟槽，然后采用离子注入工艺对阴极沟槽区域进行离子注入，以形成所述离子注入层，可以在第二掺杂层的离子掺杂浓度很低的情况下实现离子注入层的离子掺杂浓度很高。
采用上述X射线探测基板的制备方法制备的X射线探测基板，金属阴极通过透明电极层在阴极沟槽处与PIN器件接触，阴极沟槽的侧壁以及槽底上形成的离子注入层内的离子掺杂浓度高，可以降低透明电极层及金属阴极与PIN器件的接触电阻，从而提高光电流的收集效率；而第二掺杂层与透明电极层接触，第二掺杂层的离子掺杂浓度可以很低，此时晶格缺陷就很少，少数载流子在缺陷中心的湮灭就会很少，从而少数载流子的收集效率就很高，因而PIN器件的量子效率就很高。同时，由于阴极沟槽的深度大于第二掺杂层的厚度，可以有效增加透明电极层与PIN器件及金属阴极的接触面积，从而增加光电流收集效率，同时由于接触面积的增加，可有效减小金属阴极的线宽，从而增加PIN器件的有效受光面积，提高量子转换效率。
采用上述X射线探测基板的制备方法制备的X射线探测基板的光电流收集效率和量子转换效率都较高，因此，其对照射的X射线的强度要求较低。
较佳的实施例中，
当所述第一掺杂层为P型掺杂层，所述第二掺杂层为N型掺杂层时，所述采用离子注入工艺对阴极沟槽区域进行离子注入为进行N型离子注入；或者，
当所述第一掺杂层为N型掺杂层，所述第二掺杂层为P型掺杂层时，所述采用离子注入工艺对阴极沟槽区域进行离子注入为进行P型离子注入。
较佳的实施例中，所述在源漏极金属层上依次形成第一掺杂层、本征层以及第二掺杂层中，具体包括：
在源漏极金属层上沉积第一半导体层，采用离子注入工艺对第一半导体层进行离子注入，形成第一掺杂层；
在第一掺杂层上形成本征层；
在本征层上沉积第二半导体层，采用离子注入工艺对第二半导体层进行离子注入，形成第二掺杂层。
较佳的实施例中，所述离子注入工艺中，进行P型离子注入时使用B2H6作为工艺气体，进行N型离子注入时使用PH3作为工艺气体。
较佳的实施例中，所述沉积源漏极金属层之前，还包括：
初始清洗；
在衬底基板上沉积金属栅极层，并通过构图工艺形成金属栅极层图形；
在金属栅极层上沉积栅绝缘层；
在栅绝缘层上沉积有源层，并通过构图工艺形成有源层图形。
较佳的实施例中，在所述通过构图工艺形成透明电极层图形之后和所述沉积钝化层之前，还包括：通过构图工艺形成源漏极金属层图形。
较佳的实施例中，所述对离子注入层内注入的离子进行激活采用退火活化处理工艺。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种X射线探测基板结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种X射线探测基板制备方法流程图；
图3为本发明实施例提供的另一种X射线探测基板制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，图1为本发明实施例提供的一种X射线探测基板结构示意图。
如图1所示，本发明提供的X射线探测基板，包括：衬底基板1、源漏极金属层5、第一掺杂层6、本征层7、第二掺杂层8、透明电极10、金属阴极12、钝化层11、树脂层13以及闪烁层14；其中：
源漏极金属层5形成于衬底基板1；
第一掺杂层6位于源漏极金属5背离衬底基板1的一侧，本征层7位于第一掺杂层6背离衬底基板1的一侧，第二掺杂层8位于本征层7背离衬底基板1的一侧；第一掺杂层6和第二掺杂层8中，一层为P型掺杂层，另一层为N型掺杂层；
本征层7和第二掺杂层8形成开口位于第二掺杂层8背离第一掺杂层6一侧表面的阴极沟槽9，阴极沟槽9的深度大于第二掺杂层8的厚度；阴极沟槽9的侧壁以及槽底上形成有离子注入层，离子注入层中的离子掺杂浓度大于第二掺杂层8内的离子掺杂浓度；
透明电极层10覆盖第二掺杂层8背离衬底基板1的侧面、且覆盖阴极沟槽9的槽底和侧壁；
钝化层11位于透明电极层10背离衬底基板1的一侧；
树脂层13位于钝化层11背离衬底基板1的一侧；
金属阴极12贯穿钝化层11，且一端伸入阴极沟槽9内与透明电极层10电连接，另一端伸入树脂层13内；
闪烁层14位于树脂层13背离衬底基板1的一侧。
上述X射线探测基板中，金属阴极12通过透明电极层10在阴极沟槽9处与PIN器件接触，阴极沟槽9的侧壁以及槽底上形成的离子注入层内的离子掺杂浓度高，可以降低透明电极层10及金属阴极9与PIN器件的接触电阻，从而提高光电流的收集效率；而第二掺杂层8与透明电极层10接触，第二掺杂层8的离子掺杂浓度可以很低，此时晶格缺陷就很少，少数载流子在缺陷中心的湮灭就会很少，从而少数载流子的收集效率就很高，因而PIN器件的量子效率就很高。同时，由于阴极沟槽9的深度大于第二掺杂层8的厚度，可以有效增加透明电极层10与PIN器件及金属阴极12的接触面积，从而增加光电流收集效率，同时由于接触面积的增加，可有效减小金属阴极12的线宽，从而增加PIN器件的有效受光面积，提高量子转换效率。
上述X射线探测基板的光电流收集效率和量子转换效率都较高，因此，其对照射的X射线的强度要求较低。
一种实施例中，所述第一掺杂层6的厚度为200～700埃；所述本征层7的厚度为5000～15000埃；所述第二掺杂层8的厚度为200～700埃。
在上述实施例的基础上，一种实施例中，
所述第一掺杂层6内的离子掺杂浓度小于1017cm-3，所述第二掺杂层内的离子掺杂浓度7小于1017cm-3，所述阴极沟槽9区域的离子注入层内的离子掺杂浓度大于1019cm-3。
请参考图1和图2，图2为本发明实施例提供的一种X射线探测基板制备方法流程图。
如图1和图2所示，本发明提供的一种X射线探测基板的制备方法，包括以下步骤：
步骤S105，沉积源漏极金属层5。
步骤S106，在源漏极金属层5上依次形成第一掺杂层6、本征层7以及第二掺杂层8，并采用干法刻蚀工艺形成阴极沟槽9的图形；其中，阴极沟槽9的深度大于第二掺杂层8的厚度，且第一掺杂层6和第二掺杂层8中，一层为P型掺杂层，另一层为N型掺杂层；其中，第一掺杂层6、本征层7以及第二掺杂层8构成了一个PIN器件。
步骤S107，采用离子注入工艺对阴极沟槽9区域进行离子注入，以形成所述离子注入层；因此，离子注入层内的离子掺杂浓度大于第二掺杂层8内的离子掺杂浓度。
步骤S108，对离子注入层内的离子进行激活；优选地，上述步骤S108中可以采用退火活化处理进行对注入的离子进行激活。
步骤S109，在第二掺杂层8上沉积透明电极层10，并通过构图工艺形成透明电极层10图形。
步骤S111，在透明电极层10上沉积钝化层11，并通过构图工艺形成钝化层11图形。
步骤S112，在钝化层11上沉积金属阴极12，并通过构图工艺形成金属阴极12图形；使金属阴极通过透明电极层在阴极沟槽区域与PIN器件接触。
步骤S113，在金属阴极12上形成树脂层13。
步骤S114，在树脂层13上形成闪烁层14。
采用上述X射线探测基板的制备方法制备的X射线探测基板中，在步骤S106中，第一掺杂层6、本征层7以及第二掺杂层8构成了一个PIN器件，采用干法刻蚀工艺形成开口位于第二掺杂层8上的阴极沟槽9，然后在步骤S107中，采用离子注入工艺对阴极沟槽9区域进行离子注入以形成离子注入层，可以实现在第二掺杂层8的离子掺杂浓度很低的情况下阴极沟槽9区域的离子注入层的离子掺杂浓度很高。
在步骤S112中，金属阴极通过透明电极层10在阴极沟槽9处与PIN器件接触，因此，阴极沟槽9的侧壁以及槽底上形成的离子注入层内的离子掺杂浓度高可以降低透明电极层10及金属阴极12与PIN器件的接触电阻，从而提高光电流的收集效率；第二掺杂层8与透明电极层10接触，第二掺杂层8的离子掺杂浓度可以很低，此时晶格缺陷就很少，少数载流子在缺陷中心的湮灭就会很少，从而少数载流子的收集效率就很高，因而PIN器件的量子效率就很高。同时，由于阴极沟槽9的深度大于第二掺杂层8的厚度，可以有效增加透明电极层10与PIN器件及金属阴极12的接触面积，从而增加光电流收集效率，同时由于接触面积的增加，可有效减小金属阴极的线宽，从而增加PIN器件的有效受光面积，提高量子转换效率。
采用上述X射线探测基板的制备方法制备的X射线探测基板的光电流收集效率和量子转换效率都较高，因此，其对照射的X射线的强度要求较低。
一种具体实施方式中，
第一掺杂层6为P型掺杂层，第二掺杂层8为N型掺杂层，采用离子注入工艺对阴极沟槽9区域进行离子注入为进行N型离子注入；或者，
第一掺杂层6为N型掺杂层，第二掺杂层8为P型掺杂层，采用离子注入工艺对阴极沟槽9区域进行离子注入为进行P型离子注入。
在上述实施方式的基础上，一种具体实施方式中，步骤S106中，在源漏极金属层5上依次形成第一掺杂层6、本征层7以及第二掺杂层8中，具体包括：
在源漏极金属层上5沉积第一半导体层，采用离子注入工艺对第一半导体层进行离子注入，形成第一掺杂层6；
在第一掺杂层6上形成本征层7；
在本征层7上沉积第二半导体层，采用离子注入工艺对第二半导体层进行离子注入，形成第二掺杂层8。
在上述实施方式的基础上，一种优选实施方式中，在步骤S106和步骤S107中，在采用离子注入工艺对第一半导体层进行离子注入、采用离子注入工艺对第二半导体层进行离子注入以及采用离子注入工艺对阴极沟槽9区域进行离子注入时，进行P型离子注入时使用B2H6作为工艺气体，进行N型离子注入时使用PH3作为工艺气体。
另一种具体实施方案中，请参考图2和图3，本实施方案提供的X射线探测基板的制备方法具体包括以下步骤：
步骤S201，初始清洗；
步骤S202，在衬底基板上1沉积金属栅极层2，并通过构图工艺形成金属栅极层2图形；
步骤S203，在金属栅极层2上沉积栅绝缘层3；
步骤S204，在栅绝缘层3上沉积有源层4，并通过构图工艺形成有源层4图形；
步骤S205，沉积源漏极金属层5；
步骤S206，在源漏极金属层5上依次形成第一掺杂层6、本征层7以及第二掺杂层8，并采用干法刻蚀工艺形成阴极沟槽9的图形；其中，阴极沟槽9的深度大于第二掺杂层8的厚度，且第一掺杂层6和第二掺杂层8中，一层为P型掺杂层，另一层为N型掺杂层；其中，第一掺杂层6、本征层7以及第二掺杂层8构成了一个PIN器件。
步骤S207，采用离子注入工艺对阴极沟槽9区域进行离子注入步骤S107，采用离子注入工艺对阴极沟槽9区域进行离子注入，以形成所述离子注入层；因此，离子注入层内的离子掺杂浓度大于第二掺杂层8内的离子掺杂浓度。
步骤S208，对离子注入层内的离子进行激活；优选地，上述步骤S208中可以采用退火活化处理进行对注入的离子进行激活。
步骤S209，在第二掺杂层8上沉积透明电极层10，并通过构图工艺形成透明电极层10图形。
步骤S210，通过构图工艺形成源漏极金属层5图形。
步骤S211，在透明电极层10上沉积钝化层11，并通过构图工艺形成钝化层11图形。
步骤S212，在钝化层11上沉积金属阴极12，并通过构图工艺形成金属阴极12图形；使金属阴极通过透明电极层10在阴极沟槽9区域与PIN器件接触。
步骤S213，在金属阴极12上形成树脂层13。
步骤S214，在树脂层13上形成闪烁层14。
采用上述X射线探测基板的制备方法制备的X射线探测基板中，在步骤S206中，第一掺杂层6、本征层7以及第二掺杂层8构成了一个PIN器件，采用干法刻蚀工艺形成开口位于第二掺杂层8上的阴极沟槽9，然后在步骤S207中，采用离子注入工艺对阴极沟槽9区域进行离子注入以形成离子注入层，可以实现在第二掺杂层8的离子掺杂浓度很低的情况下阴极沟槽9区域的离子注入层的离子掺杂浓度很高。
在步骤S212中，金属阴极通过透明电极层10在阴极沟槽9处与PIN器件接触，因此，阴极沟槽9区域掺杂浓度很高的离子注入层可以降低透明电极层10及金属阴极12与PIN器件的接触电阻，从而提高光电流的收集效率；第二掺杂层8与透明电极层10接触，第二掺杂层8的离子掺杂浓度可以很低，此时晶格缺陷就很少，少数载流子在缺陷中心的湮灭就会很少，从而少数载流子的收集效率就很高，因而PIN器件的量子效率就很高。同时，由于阴极沟槽9的深度大于第二掺杂层8的厚度，可以有效增加透明电极层10与PIN器件及金属阴极12的接触面积，从而增加光电流收集效率，同时由于接触面积的增加，可有效减小金属阴极的线宽，从而增加PIN器件的有效受光面积，提高量子转换效率。
采用上述X射线探测基板的制备方法制备的X射线探测基板的光电流收集效率和量子转换效率都较高，因此，其对照射的X射线的强度要求较低。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种X射线探测基板，其特征在于，包括衬底基板、源漏极金属层、第一掺杂层、本征层、第二掺杂层、透明电极层、金属阴极、钝化层、树脂层以及闪烁层；其中：
所述源漏极金属层形成于所述衬底基板；
所述第一掺杂层位于所述源漏极金属层背离所述衬底基板的一侧，所述本征层位于所述第一掺杂层背离所述衬底基板的一侧，所述第二掺杂层位于所述本征层背离所述衬底基板的一侧；所述第一掺杂层和第二掺杂层中，一层为P型掺杂层，另一层为N型掺杂层；
所述本征层和所述第二掺杂层形成开口位于第二掺杂层背离第一掺杂层一侧表面的阴极沟槽，所述阴极沟槽的深度大于第二掺杂层的厚度；所述阴极沟槽的侧壁以及槽底上形成有离子注入层，所述离子注入层中的离子掺杂浓度大于所述第二掺杂层内的离子掺杂浓度；
所述透明电极层覆盖所述第二掺杂层背离所述衬底基板的侧面、且覆盖所述阴极沟槽的槽底和侧壁；
所述钝化层位于所述透明电极层背离所述衬底基板的一侧；
所述树脂层位于所述钝化层背离所述衬底基板的一侧；
所述金属阴极贯穿所述钝化层，且一端伸入所述阴极沟槽内与所述透明电极层电连接，另一端伸入所述树脂层内；
所述闪烁层位于所述树脂层背离所述衬底基板的一侧。
2.根据权利要求1所述的X射线探测基板，其特征在于，所述第一掺杂层的厚度为200～700埃；所述本征层的厚度为5000～15000埃；所述第二掺杂层的厚度为200～700埃。
3.根据权利要求1所述的X射线探测基板，其特征在于，所述第一掺杂层内的离子掺杂浓度小于1017cm-3，所述第二掺杂层内的离子掺杂浓度小于1017cm-3，所述离子注入层内的离子掺杂浓度大于1019cm-3。
4.一种如权利要求1～3任一项所述的X射线探测基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
沉积源漏极金属层；
在源漏极金属层上依次形成第一掺杂层、本征层以及第二掺杂层，并采用干法刻蚀工艺形成阴极沟槽的图形；其中，所述阴极沟槽的深度大于第二掺杂层的厚度，且所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中，一层为P型掺杂层，另一层为N型掺杂层；
采用离子注入工艺对阴极沟槽区域进行离子注入，以形成所述离子注入层；
对所述离子注入层内注入的离子进行激活；
在所述第二掺杂层上沉积透明电极层，并通过构图工艺形成透明电极层图形；
在所述透明电极层上沉积钝化层，并通过构图工艺形成钝化层图形；
在钝化层上沉积金属阴极，并通过构图工艺形成金属阴极图形；
在金属阴极上形成树脂层；
在树脂层上形成闪烁层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，当所述第一掺杂层为P型掺杂层，所述第二掺杂层为N型掺杂层时，所述采用离子注入工艺对阴极沟槽区域进行离子注入为进行N型离子注入；或者，
当所述第一掺杂层为N型掺杂层，所述第二掺杂层为P型掺杂层时，所述采用离子注入工艺对阴极沟槽区域进行离子注入为进行P型离子注入。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在源漏极金属层上依次形成第一掺杂层、本征层以及第二掺杂层中，具体包括：
在源漏极金属层上沉积第一半导体层，采用离子注入工艺对第一半导体层进行离子注入，形成第一掺杂层；
在第一掺杂层上形成本征层；
在本征层上沉积第二半导体层，采用离子注入工艺对第二半导体层进行离子注入，形成第二掺杂层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入工艺中，进行P型离子注入时使用B2H6作为工艺气体，进行N型离子注入时使用PH3作为工艺气体。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述沉积源漏极金属层之前，还包括：
初始清洗；
在衬底基板上沉积金属栅极层，并通过构图工艺形成金属栅极层图形；
在金属栅极层上沉积栅绝缘层；
在栅绝缘层上沉积有源层，并通过构图工艺形成有源层图形。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述通过构图工艺形成透明电极层图形之后和所述沉积钝化层之前，还包括：通过构图工艺形成源漏极金属层图形。
10.根据权利要求4～9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述对离子注入层内注入的离子进行激活采用退火活化处理工艺。
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