CN103998947B - 补偿mri系统中机械振动引起的磁场变形的系统及装置 - Google Patents

Abstract

一种用于磁共振成像系统的磁体装置，该磁体装置包含真空容器、布置在真空容器中的氦容器、以及布置于真空容器与氦容器之间的热屏蔽。一组无源补偿线圈布置在真空容器内或氦容器内，且用来补偿磁体装置内机械振动引起的磁场变形。

Description

补偿MRI系统中机械振动引起的磁场变形的系统及装置

相关申请的交叉引用

本申请要求序号为61/577,805、2011年12月20日提交的美国临时申请的权益，该美国临时申请通过引用整体地结合到本文中。

技术领域

本发明大体上涉及磁共振成像（MRI）系统，且尤其涉及用于补偿MRI系统中由机械振动引起的磁场变形的系统及装置。

背景技术

磁共振成像（MRI）是一种可不使用x-射线或其他离子辐射而创建人体内部的图片的医学成像模态。MRI使用强磁体来创建强大的、均一的、静态的磁场（即，“主磁场”）。当将人体或人体的一部分置于主磁场中时，与组织水中的氢原子核相关的核自旋变得极化。这意味着与这些自旋相关的磁矩会变得优选地沿着主磁场的方向对齐，导致沿着该轴（“z轴”，按照惯例）出现少量的净组织磁化。MRI系统还包括称为梯度线圈的部件；当对梯度线圈施加电流时其产生较小幅度的、空间变化的磁场。典型地，梯度线圈设计成产生沿着z轴对齐的磁场分量，且该磁场分量的幅度随着沿着x轴、y轴或z轴之一的位置而线性变化。梯度线圈的效果在于沿单个轴在磁场强度上且伴随着在核自旋的谐振频率上创建较小斜坡。具有正交轴的三个梯度线圈用来通过在体内的每个位置处创建签名谐振频率而将MR信号“空间编码”。射频（RF）线圈用来在或接近氢原子核的谐振频率处创建RF能量的脉冲。RF线圈用来以受控方式为核自旋系统增加能量。随着核自旋随后衰减回其静能状态，它们以RF信号的形式放出能量。MRI系统检测到该信号，并使用计算机和已知的重建算法将其转换成图像。

在MRI扫描过程中，MRI系统的各种元件会经受机械振动，例如冷头马达或梯度线圈（例如，由于梯度线圈的脉动）。MRI系统的机械振动也可能是由外部源引起的，例如附近的升降机或地铁引起的地面振动。这样的源的机械振动可引起MRI系统内部的其他元件（例如低温恒温器热屏蔽）的机械振动，且在低温恒温器内的导电材料（例如，真空容器、热屏蔽、氦容器）中感应涡流。诸如热屏蔽中感应的涡流可导致磁场变形、均一性退化并降低图像质量。主磁场越高，感应的涡流将越高，且因此磁场变形越高。

希望提供一种无源地（例如，自动地）消除或降低由机械振动感应的涡流引起的磁场变形的系统及装置。

发明内容

根据一实施例，磁共振成像系统的磁体装置，该磁体装置包含真空容器、布置在真空容器内的氦容器、布置在真空容器与氦容器之间的热屏蔽、以及布置在真空容器内的一组无源补偿线圈。

根据另一实施例，磁共振成像系统的磁体装置包含真空容器、布置在真空容器内的氦容器、布置在真空容器与氦容器之间的热屏蔽、以及布置在氦容器内的一组无源补偿线圈。

附图说明

根据以下的详细描述结合附图将更充分地理解本发明，其中相似的标号表示相似的部分，其中：

图1是根据一实施例的示范性磁共振成像（MRI）系统的示意性框图；

图2是根据一实施例的磁体组件的示意性横截面侧视图；

图3是根据一实施例的示范性开放式体系结构的磁体组件的简化横截面侧视图；

图4是示出了根据一实施例的多个示范组的无源补偿线圈的示意图；

图5是示出了根据一备选实施例的多个示范组的无源补偿线圈的示意图；

图6是磁体组件低温恒温器的示意性横截面框图，其示出了根据一实施例的无源补偿线圈的示范性径向位置；以及

图7是开放式体系结构的磁体组件的低温恒温器的示意性横截面框图，其示出了根据一备选实施例的无源补偿线圈的示范性径向位置。

具体实施方式

图1是根据一实施例的示范性磁共振成像（MRI）系统的示意性框图。包含键盘或其他输入设备13、控制面板14和显示器16的操作员控制台12控制MRI系统10的操作。控制台12通过链路18与计算机系统20通信，并提供接口供操作员用来规定MRI扫描、显示所得图像、在图像上执行图像处理、以及将数据和图像存档。计算机系统20包含通过电连接和/或数据连接彼此通信的多个模块，诸如例如使用后面板20a提供的电连接和/或数据连接。数据连接可是直接有线链路、或可是光纤连接或无线通信链路或类似物。计算机系统20的模块包含图像处理器模块22、CPU模块24和存储器模块26，存储器模块26可包含用于存储图像数据阵列的帧缓冲器。在备选实施例中，图像处理器模块22可被CPU模块24上的图像处理功能性代替。计算机系统20链接到存档媒体设备、永久性或备用存储器存储设备、或网络。计算机系统20也可通过链路34与单独的系统控制计算机32通信。输入设备13可包含鼠标、操纵杆、键盘、轨迹球、触碰激活屏幕、光棒、声控、或其他相似或等同的输入设备，且可用于交互式的几何指示。

系统控制计算机32包含经由电连接和/或数据连接32a进行相互通信的一组模块。数据连接32a可是直接有线链路、或可是光纤连接或无线通信链路或类似物。在备选实施例中，系统控制计算机32和计算机系统20的模块可在相同计算机系统或多个计算机系统上实现。系统控制计算机32的模块包含CPU模块36和通过通信链路40连接到操作员控制台12的脉冲发生器模块38。脉冲发生器模块38可备选地集成到扫描器设备（例如，共振组件52）中。系统控制计算机32正是通过链路40接收来自于操作员的、以指示要被执行的扫描序列的命令。通过发送描述要产生的RF脉冲和脉冲序列的定时、强度和形状以及数据获取窗的定时和长度的指令、命令和/或请求，脉冲发生器模块38对放出（即，执行）所希望的脉冲序列的系统部件进行操作。脉冲发生器模块38连接到梯度放大器系统42，并产生称为梯度波形的、在扫描期间控制要使用的梯度脉冲的定时和形状的数据。脉冲发生器模块38还可接收来自生理采集控制器44的患者数据，该生理采集控制器44接收来自连接到患者的多个不同传感器的信号，例如来自附连到患者的电极的ECG信号。脉冲发生器模块38连接到扫描室接口电路46，该扫描室接口电路46从各种传感器接收与患者和磁体系统的状况相关的信号。患者定位系统48也正是通过扫描室接口电路46接收将患者台移动到所希望的位置来进行扫描的命令。

脉冲发生器模块38产生的梯度波形应用于包括有G_x放大器、G_y放大器和G_z放大器的梯度放大器系统42。每个梯度放大器激励通常指定为50的梯度线圈组件中相应的物理梯度线圈，从而产生用于对获取的信号进行空间编码的磁场梯度脉冲。梯度线圈组件50形成共振组件52的一部分，该共振组件52包含具有超导主线圈54的极化超导磁体。共振组件52可包含全身RF线圈56、表面或并行成像线圈76、或这两种线圈。RF线圈组件的线圈56、76可配置用于传送和接收、或用于仅传送或仅接收。患者或成像对象70可定位在共振组件52的圆筒形患者成像体积72内。系统控制计算机32内的收发器模块58产生由RF放大器60放大并通过传送/接收开关62耦合到RF线圈56、76的脉冲。患者内的激励核发出的结果信号可被相同的RF线圈56感测，并通过传送/接收开关62耦合到前置放大器64。备选地，激励核发出的信号可由诸如并行或表面线圈76的单独的接收线圈所感测。在收发器58的接收器段对放大的MR信号进行解调、滤波和数字化。传送/接收开关62受控于来自脉冲发生器模块38的信号，以在传送模式期间将RF放大器60电连接到RF线圈56、并在接收模式期间将前置放大器64连接到RF线圈56。传送/接收开关62也可使得能够在传送模式或接收模式中使用单独的RF线圈（例如，并行或表面线圈76）。

由RF线圈56或并行或表面线圈76感测的MR信号由收发器模块58数字化，并传递到系统控制计算机32中的存储器模块66中。典型地，与MR信号对应的数据的帧临时存储在存储器模块66中，直至随后对它们进行变换以创建图像。阵列处理器68使用已知的变换方法（最常见为傅里叶变换）来从MR信号创建图像。这些图像通过链路34传送给计算机系统20，其中其存储在存储器中。响应于从操作员控制台12接收的命令，该图像数据可存档在长期存储装置中，或者其可进一步由图像处理器22处理，以及传递给操作员控制台12并呈现在显示器16上。

图2是根据一实施例的磁体组件的示意性横截面侧视图。磁体组件200可用于共振组件中，例如图1中示出的MRI系统10的共振组件52。磁体组件200为圆筒形，且围绕圆筒患者体积220。中心轴222平行于主磁场B0的方向对齐，主磁场B0由磁体组件200的主超导线圈202生成。主线圈202由若干个径向对齐且纵向间隔开的超导线圈组成，每个超导线圈能够承载较大电流。正如所提及的，主线圈202设计成在患者体积220内创建主磁场B0。主线圈202定位在主线圈架203上，主线圈架203为圆筒形，且为主线圈202和线圈间力提供支承。使用外部的一组超导抵消或屏蔽线圈204来提供例如杂散磁场控制。抵消线圈204定位在抵消线圈架205上，抵消线圈架205为圆筒形且为抵消线圈204和线圈间力提供支承。

主线圈202和抵消线圈204封闭在提供致冷剂环境的低温恒温器中，该致冷剂环境设计成将超导线圈的温度维持在适当的临界温度下，以便超导线圈处于具有零阻抗的超导状态。主线圈202和抵消线圈204封闭在氦容器212中，该氦容器212设计成为超导线圈提供操作环境（例如，容纳并冷却）。一组超导的有源匀场线圈206也可布置在氦容器212中，且用来提供制造公差补偿。有源匀场线圈206定位在圆筒形的线圈架232上。氦容器212布置在真空容器216中，真空容器216配置成维持真空环境且用来控制热负荷。热屏蔽214布置在真空容器216与氦容器212之间。热屏蔽214用来冷却和控制冷质热负荷。悬挂构件218定位在氦容器212和真空容器216之间，以为冷质和热屏蔽214提供机械支承。无源匀场线圈208可定位在真空容器216的内圆筒表面（或暖孔）234上，从而提供制造公差补偿。主导线224用来为主磁体线圈202提供电流输入，以及匀场导线226用来为有源匀场线圈206提供电流输入。检测仪器228用来监控磁体200的参数。为清楚起见，图2中省略了诸如盖、端盖、支承、支架等的各种其他元件。

冷头230（例如，包含再冷凝器）用来优选地在零氦蒸发下管理低温恒温器热负荷。在磁体组件200的操作期间，冷头230生成（例如，来自马达的）机械振动，该机械振动在热屏蔽214中以及在低温恒温器内具有导电材料的其他元件中引起感应涡流。另外，冷头230的机械振动可引起热屏蔽214的机械振动。例如，当热屏蔽214沿z-轴方向、x-轴方向或y-轴方向交替（或振动）时可感应涡流。机械振动感应的涡流将引起主磁场B0的磁场变形和均一性退化。磁场变形可引起图像变形并影响图像质量。为降低、消除或补偿磁场变形，将无源补偿线圈结合到磁体组件200中。在一优选实施例中，对每个正交方向（X,Y,Z）提供一组无源补偿线圈。在其他实施例中，多组线圈可用于每个正交方向。如以下进一步讨论的，无源补偿线圈可定位在真空容器216内的不同径向圆筒位置处、以及真空容器216内沿着元件的圆筒长度的不同位置处。

在一备选实施例中，磁体组件可是开放式体系结构的磁体组件。图3是根据一实施例的示范性开放式体系结构的磁体组件的简化横截面侧视图。开放式体系结构的超导磁体310包含间隔平行的极片312和313，两者在一端上由一对非磁性连接构件或连接杆314分离和支承。极片312和313具有诸如铁的铁磁材料。对极面316定形318，以改进沿着超导磁体310的轴322的成像区域320内的磁场不均一性。支承324将磁体310紧固到地面326。

成像区域320内通常由箭头328指示的主磁场B₀由氦容器332和333内的主超导磁体线圈329生成。外部的一组超导抵消或屏蔽线圈330也定位在氦容器332和333内，且用来提供例如对杂散磁场的控制。间隔的氦容器332和333为圆筒构件，其提供至成像区域320的开口端331。磁场匀场装置，例如致冷剂容器332和333内的有源匀场线圈（未示出）和通常指示为336的外匀场线屉内的无源匀场，以本领域众所周知的方式补偿成像区域320内的磁场不均一性。氦容器332和333布置在致冷剂压力容器或真空容器370中。热屏蔽372布置在真空容器370与氦容器332和333之间。超导磁体线圈329和330组装到磁体组件中，其中在线圈之间插入冷铁环340。主线圈329和抵消线圈330分别支承在线圈架或支承344和342（例如，由玻璃纤维-环氧树脂的复合物组成）上对于线圈机器制造的套中。有源匀场线圈（未示出）定位在线圈架376上。

冷凝器334和相关的机械低温冷气机335（冷头376的共同部分）使得产生自超导操作的氦气再冷凝为液氦。再冷凝的液氦借助重力从再冷凝器334流到上部的氦容器332。垂直的传递管337使氦容器332和333相互连接，并实现从上部的氦容器332到下部的氦容器333的氦重力流。如上结合图2所提及的，在磁体组件310的操作期间，冷头376生成在热屏蔽372中以及在低温恒温器中具有导电材料的其他元件内引起感应涡流的机械振动（例如，来自马达）。另外，冷头376的机械振动可引起热屏蔽372的机械振动。例如，当热屏蔽372在z-轴方向、x-轴方向或y-轴方向交替（或振动）时，可感应涡流。机械振动所感应的涡流将引起主磁场B0的磁场变形和均一性退化。磁场变形可引起图像变形并影响图像质量。为降低、消除或补偿磁场变形，无源补偿线圈结合到磁体组件310内部。在优选实施例中，对每个正交方向（X,Y,Z）提供一组无源补偿线圈。在其他实施例中，多组线圈可用于每个正交方向。如以下进一步讨论的，无源补偿线圈可定位在真空容器370中的不同径向圆筒位置处、以及真空容器370内沿着元件的圆筒长度的不同位置处。

图4是示出了根据一实施例的多个示范组的无源补偿线圈的示意图。在图4中示出了三组无源补偿线圈400，具体而言，对于每个正交方向（X,Y,Z）一组无源补偿线圈。对于z-轴方向的第一组无源补偿线圈402包括配置成在例如图2中所示的氦容器212内围绕圆筒状元件定位的两个线圈。对于y-轴方向的第二组无源补偿线圈404包括配置成在例如图2中所示的氦容器212内围绕圆筒状元件定位的两个线圈。对于x-轴方向的第三组无源补偿线圈406包括配置成在例如图2中所示的氦容器212内围绕圆筒状元件定位的两个线圈。虽然图4中示出的每个线圈组402、404和406具有两个无源补偿线圈，但每组中的线圈数量可大于2。另外，在其他实施例中可使用不同线圈形状。例如，无源补偿线圈的形状、位置和数量可基于成像体积内需要的消除量或补偿量、与热屏蔽的距离、与热屏蔽磁耦合需要的设计等。

图5是示出了根据一备选实施例的、开放式体系结构的磁体组件的多个示范组的无源补偿线圈的示意图。在图5中示出了三组无源补偿线圈500，具体而言，对于每个正交方向（X,Y,Z）一组无源补偿线圈。对于z-轴方向的第一组无源补偿线圈502包含配置成在例如图3中所示的氦容器332和333内围绕元件定位的两个线圈。对于y-轴方向的第二组无源补偿线圈504包括配置成在例如图3中所示的氦容器332和333内围绕元件定位的两个线圈。对于x-轴方向的第三组无源补偿线圈506包括配置成在例如图3中所示的氦容器332和333内围绕元件定位的两个线圈。虽然图5中示出的每个线圈组502、504和506具有两个无源补偿线圈，但每组中的线圈数量可大于2。另外，在其他实施例中可使用不同线圈形状。例如，无源补偿线圈的形状、位置和数量可基于成像体积内需要的消除量或补偿量、与热屏蔽的距离、与热屏蔽磁耦合需要的设计等。

无源补偿线圈可使用已知的超导材料构造，例如MbB2线、MgB2带、诸如NbTi-Cu线、Nb3Sn-Cu线、Nb3Sn-Cu带的低温或中温超导体、或诸如BSCCO-2212、BSCCO-2223和YBCO的高温超导体。在一优选实施例中，无源补偿线圈设计成与热屏蔽、氦容器或真空容器磁耦合。机械振动（例如，来自冷头和热屏蔽）在无源补偿线圈中感应电流。无源补偿线圈内的感应电流生成的磁场贡献与机械振动在例如热屏蔽内感应的涡流所生成的磁场相反。优选地，使补偿线圈中的感应电流引起的磁场变形和例如热屏蔽中的感应涡流引起的磁场变形的和最小化。

如上所述，无源补偿线圈可位于氦容器或真空容器内的不同径向位置处。图6是磁体组件的低温恒温器的示意性横截面框图，其示出了根据一实施例的无源补偿线圈的示范性径向位置。低温恒温器600包含真空容器，该真空容器具有通过末端凸缘602耦合在一起的外圆筒604和内圆筒606。该真空容器内布置氦容器，该氦容器具有通过末端凸缘622耦合在一起的外圆筒624和内圆筒626。热屏蔽定位在真空容器和氦容器之间。热屏蔽包含通过末端凸缘612耦合在一起的外圆筒614和内圆筒616。各种超导线圈容纳在氦容器内，其例如包含主线圈632、抵消线圈630和有源匀场线圈（未示出）。主线圈632布置在主线圈架638上。抵消线圈630布置在抵消线圈架634上。匀场线圈架636用来支承有源匀场线圈（未示出）。为清楚起见，图6中省略了诸如盖、支承、悬挂构件、支架、冷头、电线等的各种其他元件。

在一个实施例中，使用低温或中温超导材料来构造无源补偿线圈。由低温超导材料制成的无源补偿线圈的示例径向位置是主线圈架650的内部（例如，玻璃纤维线圈架的内部）、主线圈架的外表面652、抵消线圈架654的内部（例如，玻璃纤维线圈架的内部）、抵消线圈架的外表面656或匀场线圈架的外表面658。

在另一实施例中，用来构造无源补偿线圈的超导材料是MgB2。由MgB2制成的无源补偿线圈的示例径向位置是氦容器的外圆筒的外表面670、氦容器的内圆筒的外表面672、主线圈架的外表面652、抵消线圈架的外表面656或匀场线圈架的外表面658。

在另一实施例中，使用高温超导材料来构造无源补偿线圈。由高温超导材料制成的无源补偿线圈的示例径向位置是热屏蔽的外圆筒的外表面680、热屏蔽的内圆筒的外表面682、氦容器的外圆筒的外表面670、氦容器的内圆筒的外表面672、主线圈架650的内部（例如，玻璃纤维线圈架的内部）、主线圈架的外表面652、抵消线圈架654的内部（例如，玻璃纤维线圈架的内部）、抵消线圈架的外表面656或匀场线圈架的外表面658。在另一实施例中，对由任何类型的超导材料构造的无源补偿线圈，可在氦容器内提供分开的独立线圈架660，且无源补偿线圈布置在分开的线圈架660上。

图7是开放式体系结构的磁体组件的低温恒温器的示意性横截面框图，其示出了根据一备选实施例的无源补偿线圈的示范性径向位置。低温恒温器700包含真空容器710和布置在真空容器内的氦容器702。热屏蔽706定位于真空容器710和氦容器702之间。各种超导线圈容纳在氦容器702内，其例如包含主线圈712、抵消线圈716和有源匀场线圈720。主线圈712布置在主线圈架714上。抵消线圈630布置在抵消线圈架718上。匀场线圈架722用来支承有源匀场线圈。为清楚起见，图7中省略了诸如盖、支承、悬挂构件、支架、冷头、电线等的各种其他元件。

在一个实施例中，使用低温或中温超导材料来构造无源补偿线圈。由低温超导材料制成的无源补偿线圈的示例径向位置为主线圈架或抵消线圈架的内径730，超导线圈712、716、720的顶部724（例如，在其自身的线圈架（未示出）上），以及主线圈结构的外径726（在氦容器702的内部）。例如，补偿线圈可附连到具有玻璃纤维圆筒支承（未示出）的主线圈架结构上。在另一实施例中，用来构造无源补偿线圈的超导材料是MgB2。由MgB2制成的无源补偿线圈的示例性径向位置为氦容器702的外表面704。在另一实施例中，使用高温超导材料来构造无源补偿线圈。由高温超导材料制成的无源补偿线圈的示例径向位置为热屏蔽708的外表面708。

该书面描述使用示例来公开包含最佳模式的本发明，而且还使得本领域任何技术人员能够制造和使用本发明。本发明的专利性范围由权利要求所限定，且可包含本领域技术人员想到的其他示例。如果这样其他的示例具有与权利要求的字面语言无区别的结构要素，或者如果它们包含了与权利要求的字面语言无实质区别的等同结构要素，则规定为在权利要求的范围内。可根据备选实施例改变或重新排序任何过程或方法步骤的次序和顺序。

在没有脱离本发明的精神的情况下可对本发明做出许多其他改变和修改。通过所附权利要求，这些以及其他改变的范围将清晰呈现。

Claims (20)

1.一种用于磁共振成像系统的磁体装置，所述磁体装置包括：

真空容器；

布置在所述真空容器中的氦容器；

布置在所述真空容器与所述氦容器之间的热屏蔽；以及

布置在所述真空容器内的一组无源补偿线圈。

2.根据权利要求1所述的磁体装置，其中该组无源补偿线圈包括：

对于z-轴方向的第一组无源补偿线圈；

对于y-轴方向的第二组无源补偿线圈；以及

对于x-轴方向的第三组无源补偿线圈。

3.根据权利要求1所述的磁体装置，其中所述无源补偿线圈为超导线圈。

4.根据权利要求3所述的磁体装置，其中所述无源补偿线圈由低温超导材料构造。

5.根据权利要求3所述的磁体装置，其中所述无源补偿线圈由高温超导材料构造。

6.根据权利要求1所述的磁体装置，其中所述氦容器包括外圆筒和内圆筒，所述外圆筒具有外表面，且该组无源补偿线圈布置在所述氦容器的所述外圆筒的所述外表面上。

7.根据权利要求1所述的磁体装置，其中所述氦容器包括外圆筒和内圆筒，所述内圆筒具有外表面，且该组无源补偿线圈布置在所述氦容器的所述内圆筒的所述外表面上。

8.根据权利要求1所述的磁体装置，其中所述热屏蔽包括外圆筒和内圆筒，所述外圆筒具有外表面，且该组无源补偿线圈布置在所述热屏蔽的所述外圆筒的所述外表面上。

9.根据权利要求1所述的磁体装置，其中所述热屏蔽包括外圆筒和内圆筒，所述内圆筒具有外表面，且该组无源补偿线圈布置在所述热屏蔽的所述内圆筒的所述外表面上。

10.一种用于磁共振成像系统的磁体装置，所述磁体装置包括：

真空容器；

布置在所述真空容器中的氦容器；

布置在所述真空容器与所述氦容器之间的热屏蔽；以及

布置在所述氦容器内的一组无源补偿线圈。

11.根据权利要求10所述的磁体装置，其中该组无源补偿线圈包括：

对于z-轴方向的第一组无源补偿线圈；

对于y-轴方向的第二组无源补偿线圈；以及

对于x-轴方向的第三组无源补偿线圈。

12.根据权利要求10所述的磁体装置，其中所述无源补偿线圈为超导线圈。

13.根据权利要求12所述的磁体装置，其中所述无源补偿线圈由低温超导材料构造。

14.根据权利要求12所述的磁体装置，其中所述无源补偿线圈由高温超导材料构造。

15.根据权利要求10所述的磁体装置，还包括：

布置在所述氦容器内的主线圈架；以及

其中该组无源补偿线圈定位在所述主线圈架的内部。

16.根据权利要求10所述的磁体装置，还包括：

布置在所述氦容器内且具有外表面的主线圈架；以及

其中该组无源补偿线圈定位在所述主线圈架的所述外表面上。

17.根据权利要求10所述的磁体装置，还包括

布置在所述氦容器内的抵消线圈架；以及

其中该组无源补偿线圈定位在所述抵消线圈架的内部。

18.根据权利要求10所述的磁体装置，还包括：

布置在所述氦容器内且具有外表面的抵消线圈架；以及

其中该组无源补偿线圈定位在所述抵消线圈架的所述外表面上。

19.根据权利要求10所述的磁体装置，还包括：

布置在所述氦容器内且具有外表面的匀场线圈架；以及

其中该组无源补偿线圈定位在所述匀场线圈架的所述外表面上。

20.根据权利要求10所述的磁体装置，还包括：

布置在所述氦容器内且具有外表面的无源补偿线圈架；以及

其中该组无源补偿线圈定位在所述无源补偿线圈架的所述外表面上。