CN103996668A - 银镧钙合金键合丝及其制造方法 - Google Patents

银镧钙合金键合丝及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103996668A
CN103996668A CN201410234962.3A CN201410234962A CN103996668A CN 103996668 A CN103996668 A CN 103996668A CN 201410234962 A CN201410234962 A CN 201410234962A CN 103996668 A CN103996668 A CN 103996668A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silver
lanthanum
calcium alloy
bonding wire
purity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410234962.3A
Other languages
English (en)
Inventor
徐云管
李湘平
彭庶瑶
梁建华
涂海情
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JIANGXI LAN WEI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
JIANGXI LAN WEI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIANGXI LAN WEI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical JIANGXI LAN WEI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201410234962.3A priority Critical patent/CN103996668A/zh
Publication of CN103996668A publication Critical patent/CN103996668A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H01L2224/438—Post-treatment of the connector
    • H01L2224/43848—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

银镧钙合金键合丝及其制造方法，该键合丝是以高纯银为主体材料，包括镧、钙、金金属材料。其组成键合丝的材料各成分重量百分比为：银含量为：95%-97%、镧含量为2%-3%、钙含量为0.5%-1%、金含量为0.5%-1%；其制造方法包括：提取纯度大于99.9999%的高纯银，制备成银合金铸锭，再制成铸态银镧钙合金母线，将合金母线拉制成1mm左右的丝经热处理后，再经精密拉拔、热处理、清洗后制成不同规格的银镧钙合金键合丝。

Description

银镧钙合金键合丝及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种金属键合丝及其制造方法，尤其涉及一种银镧钙等合金材料制作的银镧钙合金键合丝及其制造方法。
背景技术
    目前用于集成电路、半导体分立器件等领域的引线封装键合丝最为广泛采用的是黄金类键合丝。由于黄金属贵重金属，价格昂贵且日益上涨，给用量最大的中低端LED、IC封装用户带来沉重的成本压力。因而业界急需成本相对低廉、性能稳定可靠的新型键合丝材料用以取代黄金键合丝。以高纯银为主体材料的银镧钙合金键合丝既有银基类键合丝的优点又兼顾黄金类键合丝的优点，是一种价格相对低廉且性能又稳定可靠的一种新型键合丝。
发明内容
本发明的目的是提供一种以高纯银为主体材料的银镧钙合金键合丝及其制造方法，它克服现有合金类键合铜丝、铝丝表面易氧化、高温稳定性差和拉拔断线问题，以及黄金类键合丝生产成本高、电镀层硬度低不耐摩擦的缺陷和不足。
为达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种银镧钙合金键合丝，组成键合丝的材料各成分重量百分比为：金（Au）占0.5%-1%、钙（Ca）占0.5%-1%、镧（La）占2%-3%，银（Ag）占95%-97%。其中要求金的纯度大于99.99%、钙的纯度大于99.999%、镧的纯度大于99.5%、银的纯度大于99.9999%。
所述银镧钙合金键合丝的制造方法步骤如下：
① 提取高纯银：将1号银（IC-Ag99.99）作为阳极浸入电解液中，以高纯银箔作为阴极浸入电解液中；在阳极、阴极之间输入（7-9）V、（2.5-3.5）A的直流电，以补充新鲜电解液方式维持电解液温度不超过60℃，待阴极积聚一定重量的纯度大于99.9999%的高纯银时及时更换高纯银箔，再经清洗、烘干备用。
② 制备成银合金铸锭：按下述成分含量准备材料：金（Au）占0.5%-1%、钙（Ca）占0.5%-1%、镧（La）占2%-3%，银（Ag）占95%-97%。这些金属经机械混合后放入高纯石墨坩埚中，在惰性气体保护条件下使用感应电炉加热使其熔化，进而制备成银合金铸锭。
③ 连铸成铸态银镧钙合金母线：将制备好的银合金铸锭加入有氮气保护的水平连铸金属连铸室，应用中频感应加热至（1100-1150）℃，待完全熔化、精炼和除气后，将熔液注入连铸室中间的储液池保温，在维持（2-5）L/min净化氮气流量的连铸室中，完成对银镧钙合金熔液的水平连铸，得到Φ3mm左右铸态银镧钙合金母线。
④ 粗拔：将Φ3mm左右的银镧钙合金母线拉拔成直径为1mm左右的银镧钙合金丝。
⑤ 热处理：将直径为1mm左右的银镧钙合金丝进行退火处理。
⑥ 精拔：将经退火处理的银镧钙合金丝精密拉拔成不同规格的（0.013mm-0.050mm）银镧钙合金键合丝。
⑦ 热处理：将精拔后的银镧钙合金键合丝进行退火处理。
⑧ 表面清洗：将退火处理后的银镧钙合金键合丝先经稀释后的酸液中进行清洗，然后经超声波清洗，再经高纯水清洗、烘干。
⑨ 分卷：将成品银镧钙合金键合丝进行复绕、分卷、包装。
本发明的技术效果是：以高纯银为主体材料的银镧钙合金键合丝既有银基类键合丝的优点又兼顾黄金类键合丝的优点，是一种价格相对低廉且性能又稳定可靠的一种新型键合丝。它克服现有合金类键合铜丝、铝丝表面易氧化、高温稳定性差和拉拔断线问题，以及黄金类键合丝生产成本高、电镀层硬度低不耐摩擦的缺陷和不足。
具体实施方式
为了便于理解，下面结合具体实施例对本发明予以进一步说明。
实施例1
本发明是这样实现的，一种以高纯银为主体材料的银镧钙合金键合丝，组成该键合丝的材料由下列重量百分比的原材料组成：金（Au)占0.5%、钙（Ca)占0.5%、镧（La）占2%，银（Ag）占97%；要求金的纯度大于99.99%、、钙的纯度大于99.999%、镧的纯度大于99.5%、银的纯度大于99.9999%。
银镧钙合金键合丝的制作工艺步骤和方法如下：
① 提取高纯银：将1号银（IC-Ag99.99）作为阳极浸入电解液中，以高纯银箔作为阴极浸入电解液中；在阳极、阴极之间输入7V、2.5A的直流电，以补充新鲜电解液方式维持电解液温度不超过60℃，待阴极积聚一定重量的纯度大于99.9999%的高纯银时及时更换高纯银箔，再经清洗、烘干备用。
② 制备成银合金铸锭：按金（Au)占0.5%、钙（Ca）占0.5%、镧（La）占2%，银占（Ag）97%的配比称取材料，这些金属经机械混合后放入高纯石墨坩埚中，在惰性气体保护条件下使用感应电炉加热使其熔化，进而制备成银合金铸锭。
③ 连铸成铸态银镧钙合金母线：将制备好的银合金铸锭加入有氮气保护的水平连铸金属连铸室，应用中频感应加热、熔化、精炼和除气后，将熔液注入储液池保温，完成对银镧钙合金熔液的水平连铸，得到Φ3mm左右的铸态银镧钙合金母线。
④ 粗拔：将Φ3mm左右的银镧钙合金母线拉拔成直径为1mm左右的银镧钙合金丝。
⑤ 热处理：将直径为1mm左右的银镧钙合金丝进行退火处理。
⑥ 精拔：将经退火处理的银镧钙合金丝精密拉拔成不同规格的（0.013mm-0.050mm）银镧钙合金键合丝。
⑦ 热处理：将精拔后的银镧钙合金键合丝进行退火处理。
⑧ 表面清洗：将退火处理后的银镧钙合金键合丝先经稀释后的酸液中进行清洗，然后经超声波清洗，再经高纯水清洗、烘干。
⑨ 分卷：将成品银镧钙合金键合丝进行复绕、分卷、包装。
 
实施例2
一种以高纯银为主体材料的银镧钙合金键合丝，组成该键合丝的材料由下列重量百分比的原材料组成：金（Au)占1%、钙（Ca）占1%、镧（La）占3%，银（Ag）占95%；要求金的纯度大于99.99%、钙的纯度大于99.999%、镧的纯度大于99.5%、银的纯度大于99.9999%。
银镧钙合金键合丝的制作工艺步骤和方法如下：
① 提取高纯银：将1号银（IC-Ag99.99）作为阳极浸入电解液中，以高纯银箔作为阴极浸入电解液中；在阳极、阴极之间输入9V、3.5A的直流电，以补充新鲜电解液方式维持电解液温度不超过60℃，待阴极积聚一定重量的纯度大于99.9999%的高纯银时及时更换高纯银箔，再经清洗、烘干备用。
② 制备成银合金铸锭：按金（Au)占1%、钙（Ca）占1%、镧（La）占3%，银（Ag）占95%的配比称取材料，这些金属经机械混合后放入高纯石墨坩埚中，在惰性气体保护条件下使用感应电炉加热使其熔化，进而制备成银合金铸锭。
③ 连铸成铸态银镧钙合金母线：将制备好的银合金铸锭加入有氮气保护的水平连铸金属连铸室，应用中频感应加热、熔化、精炼和除气后，将熔液注入储液池保温，完成对银镧钙合金熔液的水平连铸，得到Φ3mm左右的铸态银镧钙合金母线。
④ 粗拔：将Φ3mm左右的银镧钙合金母线拉拔成直径为1mm左右的银镧钙合金丝。
⑤ 热处理：将直径为1mm左右的银镧钙合金丝进行退火处理。
⑥ 精拔：将经退火处理的银镧钙合金丝精密拉拔成不同规格的（0.013mm-0.050mm）银镧钙合金键合丝。
⑦ 热处理：将精拔后的银镧钙合金键合丝进行退火处理。
⑧ 表面清洗：将退火处理后的银镧钙合金键合丝先经稀释后的酸液中进行清洗，然后经超声波清洗，再经高纯水清洗、烘干。
⑨ 分卷：将成品银镧钙合金键合丝进行复绕、分卷、包装。
 
实施例3
一种以高纯银为主体材料的银镧钙合金键合丝，组成该键合丝的材料由下列重量百分比的原材料组成：金（Au)占0.8%、钙（Ca)占0.7%、镧（La）占2.6%，银（Ag）占95.9%。要求金的纯度大于99.99%、钙的纯度大于99.999%、镧的纯度大于99.5%、银的纯度大于99.9999%。
银镧钙合金键合丝的制作工艺步骤和方法如下：
① 提取高纯银：将1号银（IC-Ag99.99）作为阳极浸入电解液中，以高纯银箔作为阴极浸入电解液中；在阳极、阴极之间输入8V、3.0A的直流电，以补充新鲜电解液方式维持电解液温度不超过60℃，待阴极积聚一定重量的纯度大于99.9999%的高纯银时及时更换高纯银箔，再经清洗、烘干备用。
② 制备成银合金铸锭：按金（Au)占0.8%、钙（Ca)占0.7%、镧（La）占2.6%，银（Ag）占95.9%的配比称取材料，将这些金属经机械混合后放入高纯石墨坩埚中，在惰性气体保护条件下使用感应电炉加热使其熔化，进而制备成银合金铸锭。
③ 连铸成铸态银镧钙合金母线：将制备好的银合金铸锭加入有氮气保护的水平连铸金属连铸室，应用中频感应加热、熔化、精炼和除气后，将熔液注入储液池保温，完成对银镧钙合金熔液的水平连铸，得到Φ3mm左右的铸态银镧钙合金母线。
④ 粗拔：将Φ3mm左右的银镧钙合金母线拉拔成直径为1mm左右的银镧钙合金丝。
⑤ 热处理：将直径为1mm左右的银镧钙合金丝进行退火处理。
⑥ 精拔：将经退火处理的银镧钙合金丝精密拉拔成不同规格的（0.013mm-0.050mm）银镧钙合金键合丝。
⑦ 热处理：将精拔后的银镧钙合金键合丝进行退火处理。
⑧ 表面清洗：将退火处理后的银镧钙合金键合丝先经稀释后的酸液中进行清洗，然后经超声波清洗，再经高纯水清洗、烘干。
⑨ 分卷：将成品银镧钙合金键合丝进行复绕、分卷、包装。

Claims (3)

1.银镧钙合金键合丝，其特征在于它由下列重量百分比的材料制备而成：金占0.5%-1%、钙占0.5%-1%、镧占2%-3%、银占95%-97%。
2.根据权利要求1所述的银镧钙合金键合丝，其特征是所使用的材料中，银的纯度大于99.9999%、镧的纯度大于99.5%、钙的纯度大于99.999%、金的纯度大于99.99%、。
3.一种权利要求1所述的银镧钙合金键合丝的制造方法，其特征是制作的工艺步骤和方法如下：
① 提取高纯银：以国家标准GB/T4135中1号银为基材，经电镀后提取纯度大于99.9999%的高纯银，再经清洗、烘干备用；
② 制备成银合金铸锭：提取纯度大于99.9999%的高纯银，然后加入镧、钙、金；其成分含量按照重量百分比分别为：镧占2%-3%、钙占0.5%-1%、金占0.5%-1%，其余为银，之和等于100%，这些金属经机械混合后放入高纯石墨坩埚中，在惰性气体保护条件下使用感应电炉加热使其熔化，进而制备成银合金铸锭；
③ 连铸成铸态银镧钙合金母线：将制备好的银合金铸锭加入有氮气保护的水平连铸金属连铸室，应用中频感应加热熔化、精炼和除气后，将熔液注入储液池保温，完成对银镧钙合金熔液的水平连铸，得到Φ3mm左右铸态银镧钙合金母线；
④ 粗拔：将Φ3mm左右的银镧钙合金母线拉拔成直径为1mm左右的银镧钙合金丝；
⑤ 热处理：将直径为1mm左右的银镧钙合金丝进行退火；
⑥ 精拔：对经热处理后的银镧钙合金丝精密拉拔成直径分别为13μm-50μm的成品银镧钙合金键合丝；
⑦ 热处理：将精拔后的银镧钙合金键合丝进行退火；
⑧ 表面清洗：先用稀释后的酸液对键合丝进行清洗，然后经超声波清洗，再经高纯水清洗、烘干；
⑨ 分卷：将成品银镧钙合金键合丝进行复绕、分卷、包装。
CN201410234962.3A 2014-05-30 2014-05-30 银镧钙合金键合丝及其制造方法 Pending CN103996668A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410234962.3A CN103996668A (zh) 2014-05-30 2014-05-30 银镧钙合金键合丝及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410234962.3A CN103996668A (zh) 2014-05-30 2014-05-30 银镧钙合金键合丝及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103996668A true CN103996668A (zh) 2014-08-20

Family

ID=51310780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410234962.3A Pending CN103996668A (zh) 2014-05-30 2014-05-30 银镧钙合金键合丝及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103996668A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105925831A (zh) * 2016-05-06 2016-09-07 河南理工大学 一种低弧度led封装用高强度银合金键合线的制造方法
CN109411362A (zh) * 2018-10-13 2019-03-01 深圳粤通应用材料有限公司 一种高强度耐冷热冲击键合合金丝的制备方法
CN113737049A (zh) * 2021-09-06 2021-12-03 江西蓝微电子科技有限公司 一种高含铂金属的银铂键合丝及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101630670A (zh) * 2008-07-14 2010-01-20 Mk电子株式会社 用于半导体封装的Ag基合金引线
US20130126934A1 (en) * 2011-11-21 2013-05-23 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Bonding wire for semiconductor devices
CN103155130A (zh) * 2011-02-10 2013-06-12 田中电子工业株式会社 Ag-Au-Pd三元合金接合线
CN103779308A (zh) * 2014-01-20 2014-05-07 江西蓝微电子科技有限公司 金银钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN103779309A (zh) * 2014-01-20 2014-05-07 江西蓝微电子科技有限公司 镀金金银钯合金单晶键合丝及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101630670A (zh) * 2008-07-14 2010-01-20 Mk电子株式会社 用于半导体封装的Ag基合金引线
CN103155130A (zh) * 2011-02-10 2013-06-12 田中电子工业株式会社 Ag-Au-Pd三元合金接合线
US20130126934A1 (en) * 2011-11-21 2013-05-23 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Bonding wire for semiconductor devices
CN103779308A (zh) * 2014-01-20 2014-05-07 江西蓝微电子科技有限公司 金银钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN103779309A (zh) * 2014-01-20 2014-05-07 江西蓝微电子科技有限公司 镀金金银钯合金单晶键合丝及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105925831A (zh) * 2016-05-06 2016-09-07 河南理工大学 一种低弧度led封装用高强度银合金键合线的制造方法
CN109411362A (zh) * 2018-10-13 2019-03-01 深圳粤通应用材料有限公司 一种高强度耐冷热冲击键合合金丝的制备方法
CN113737049A (zh) * 2021-09-06 2021-12-03 江西蓝微电子科技有限公司 一种高含铂金属的银铂键合丝及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103779308A (zh) 金银钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN103199073B (zh) 银钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN100421246C (zh) 键合铜丝及其制备方法
CN100428460C (zh) 一种键合铜丝及其制备方法
CN103779309A (zh) 镀金金银钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN103474408B (zh) 一种表面有镀金层的金银合金键合丝及其制备方法
CN103194637B (zh) 一种键合合金银丝及制备方法
CN106992164B (zh) 一种微电子封装用铜合金单晶键合丝及其制备方法
CN104388861B (zh) 一种多晶串联led用微细银金合金键合线的制造方法
CN102226991B (zh) 铜钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN102121077B (zh) 一种键合金丝的制备方法
CN106011516B (zh) 一种掺杂金合金键合丝及其深冷处理制备方法
CN101667566B (zh) 一种银基覆金的键合丝线的制造方法
CN104377185A (zh) 镀金银钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN104835797B (zh) 一种铜钯银合金键合引线及其制备方法
CN109767991B (zh) 一种高金合金键合丝的制备方法
CN107799496A (zh) 一种电子封装用高可靠性铜合金键合丝及其制备方法
CN103469001B (zh) 一种铜基超细丝材及其制备方法
CN104372197A (zh) 半导体封装用银合金线及其制备方法
CN103996668A (zh) 银镧钙合金键合丝及其制造方法
CN104028769A (zh) 一种高生坯强度雾化铜粉的制作方法
CN109449133A (zh) 一种铜镀纯镍键合丝及其制备方法
CN103219246A (zh) 一种镀钯镀银的双镀层键合铜丝的制造方法
CN105543563B (zh) 一种减少钛元素烧损的锌铜钛中间合金熔炼方法
CN108754196A (zh) 一种键合用铝基合金母线的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140820

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication