CN103975001B - 制备cmp组合物的方法及其应用 - Google Patents
制备cmp组合物的方法及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103975001B CN103975001B CN201180075378.2A CN201180075378A CN103975001B CN 103975001 B CN103975001 B CN 103975001B CN 201180075378 A CN201180075378 A CN 201180075378A CN 103975001 B CN103975001 B CN 103975001B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bpsg
- cmp composition
- teos
- weight
- cmp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000012313 reversal agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims abstract description 12
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 57
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 17
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 13
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H sodium hexametaphosphate Chemical compound [Na]OP1(=O)OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])O1 GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 7
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims description 7
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical group [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 claims description 6
- 229910052700 potassium Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000011591 potassium Chemical group 0.000 claims description 6
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N Metaphosphoric acid Chemical compound OP(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N hexamethylphosphoric triamide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000019982 sodium hexametaphosphate Nutrition 0.000 claims description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical group C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- TVHALOSDPLTTSR-UHFFFAOYSA-H hexasodium;[oxido-[oxido(phosphonatooxy)phosphoryl]oxyphosphoryl] phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])(=O)OP([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O TVHALOSDPLTTSR-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 3
- 239000011734 sodium Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- VWAGSGYWIGYIIZ-UHFFFAOYSA-N [Si](O)(O)(O)O.[P].[B] Chemical compound [Si](O)(O)(O)O.[P].[B] VWAGSGYWIGYIIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KHKQTRJMBORFEK-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diamine;oxirane Chemical group C1CO1.NCCN KHKQTRJMBORFEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 125000005341 metaphosphate group Chemical group 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 20
- -1 anion phosphate Chemical class 0.000 abstract description 17
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 abstract description 9
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000002585 base Substances 0.000 description 20
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 6
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 description 4
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 4
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-L ethenyl-dioxido-oxo-$l^{5}-phosphane Chemical compound [O-]P([O-])(=O)C=C ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 3
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- DOAMZWOPDPPKJS-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ol Chemical compound OC1CO1 DOAMZWOPDPPKJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAWLHNHITYQVHZ-UHFFFAOYSA-N C(C=C)(=O)O.P(OC=C)(O)=O Chemical compound C(C=C)(=O)O.P(OC=C)(O)=O ZAWLHNHITYQVHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000555268 Dendroides Species 0.000 description 1
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004425 Makrolon Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100107923 Vitis labrusca AMAT gene Proteins 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001854 alkali hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- PYCBFXMWPVRTCC-UHFFFAOYSA-N ammonium metaphosphate Chemical compound N.OP(=O)=O PYCBFXMWPVRTCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003831 antifriction material Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 1
- 150000001767 cationic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- TZIBOXWEBBRIBM-UHFFFAOYSA-N cerium(3+) oxygen(2-) titanium(4+) Chemical compound [O--].[O--].[Ti+4].[Ce+3] TZIBOXWEBBRIBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- NFMHSPWHNQRFNR-UHFFFAOYSA-N hyponitrous acid Chemical class ON=NO NFMHSPWHNQRFNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- VDGJOQCBCPGFFD-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-) silicon(4+) titanium(4+) Chemical compound [Si+4].[O-2].[O-2].[Ti+4] VDGJOQCBCPGFFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003019 stabilising effect Effects 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229920006301 statistical copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
提供了一种制造半导体器件的方法,其包括在化学机械抛光(CMP)组合物存在下化学机械抛光硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)材料,所述组合物包含:(A)无机颗粒、有机颗粒或其混合物或复合物,(B)至少一种作为分散剂或电荷反转剂的阴离子磷酸盐或膦酸盐,(C)至少一种表面活性剂,和(D)水性介质。
Description
本发明基本上涉及一种化学机械抛光(CMP)组合物及其在抛光半导体工业中的基材中的用途。本发明的方法包括在特定CMP组合物存在下化学机械抛光硼磷硅酸盐玻璃(下文中称为“BPSG”)材料。
在半导体工业中,化学机械抛光(缩写为CMP)为公知的用于制造先进光子、微机电和微电子材料及器件如半导体晶片的技术。
在制造用于半导体工业的材料和器件期间,使用CMP使金属和/或氧化物表面平面化。CMP利用化学和机械作用的相互作用以获得待抛光表面的平面化。化学作用由也称为CMP组合物或CMP淤浆的化学组合物提供。机械作用通常借助通常压在待抛光表面且安装在运动盘上的抛光垫进行。该盘的运动通常为直线式、旋转式或轨道式的。
在典型的CMP工艺步骤中,旋转晶片固定架使得待抛光晶片与抛光垫接触。CMP组合物通常施加在待抛光晶片与抛光垫之间。
在现有技术中,已知化学机械抛光硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)材料的方法且例如述于以下参考文献中。
US2004/0029375A1公开了一种化学机械抛光BPSG材料的方法,其中使用没有进一步明确说明其配方的二氧化硅基或氧化铈基淤浆,或者使用含有阴离子性表面活性剂如多羧酸铵(APC)的二氧化硅基淤浆。
US2009/0081927A1公开了一种用于抛光基材(例如BPSG)的CMP组合物,其包含(i)液体载体,(ii)悬浮在所述液体载体中的研磨剂,其中所述研磨剂包含具有已用选自氨基硅烷化合物、硅烷化合物和锍硅烷化合物的化合物处理的表面的金属氧化物颗粒,和(iii)选自膦酸和含硼酸的酸。
US2007/176141A1公开了一种可用于抛光半导体晶片上的二氧化硅和硼-磷磷酸盐-硅酸盐玻璃的含水组合物,其包含羧酸聚合物、研磨剂、聚乙烯基吡咯烷酮、阳离子化合物、两性离子化合物和作为余量的水,其中所述聚乙烯基吡咯烷酮具有100-1,000,000g/mol的平均分子量。
JP2006/041033A2公开了一种用于平面化层间绝缘膜、BPSG膜或浅沟道隔离用绝缘膜的CMP技术。所述CMP组合物包含氧化铈颗粒、分散剂、水溶性聚合物和水。所述水溶性聚合物通过使用偶氮化合物(阴离子或两性的)或其盐作为聚合引发剂使包括不饱和羧酸或其盐的单体聚合而获得。
本发明的一个目的是提供一种CMP组合物和一种CMP方法,其适于化学机械抛光BPSG且显示出改善的抛光性能,尤其是BPSG的高材料移除速率(MRR)或小于1:1的就MRR而言的BPSG对硅氧化物的合适选择性(下文称为“BPSG:氧化物选择性”)—例如就MRR而言的BPSG对原硅酸四乙酯(TEOS)选择性为0.5:1-1:1,或者高BPSG-MRR与小于1:1的就MRR而言的合适BPSG:氧化物选择性的组合。此外,本发明的一个目的是提供一种CMP组合物和一种CMP方法,其适于化学机械抛光作为含硅氧化物如TEOS、氮化硅和多晶硅的基材一部分的BPSG材料。此外,试图寻找一种易于使用且需要尽可能少的步骤的CMP方法。
因此,发现了一种制造半导体器件的方法,其包括在CMP组合物存在下化学机械抛光硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)材料,所述CMP组合物包含:
(A)无机颗粒、有机颗粒或其混合物或复合物,
(B)至少一种作为分散剂或电荷反转剂的阴离子磷酸盐或膦酸盐,
(C)至少一种表面活性剂,和
(D)水性介质。
该CMP组合物在下文中称为(Q)或CMP组合物(Q)。
此外,发现了CMP组合物(Q)在化学机械抛光含BPSG材料的基材中的用途。
优选实施方案在权利要求数和说明书中加以说明。应理解的是优选实施方案的组合处于本发明的范围之内。
半导体器件可通过本发明的方法制造,所述方法包括在CMP组合物(Q)存在下化学机械抛光BPSG材料。优选地,所述方法包括在(Q)存在下化学机械抛光BPSG和硅氧化物。更优选地,所述方法包括在(Q)存在下化学机械抛光作为包含BPSG、硅氧化物、氮化硅和多晶硅的基材一部分的BPSG和硅氧化物。最优选地,所述方法包括在(Q)存在下化学机械抛光作为包含BPSG、TEOS、氮化硅和多晶硅的基材一部分的BPSG和TEOS。一般而言,该BPSG可为任何类型、形式或形状的BPSG。该BPSG优选具有层和/或过度生长的形状。如果该BPSG具有层和/或过度生长的形状,则BPSG含量优选大于该相应层和/或过度生长的重量的90%,更优选大于95%,最优选大于98%,特定地大于99%,例如大于99.9%。一般而言,该BPSG可以以不同方式制备或获得。例如,BPSG可以以WO2003/008665或M.Kirchhoff,M.Ilg,D.Cote,Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie,Application ofborophosphosilicate glass(BPSG)in microelectronic processing,第100卷,第9期,第1434-1437页,1996年9月中所述的方法获得。
如果本发明的方法包括化学机械抛光包含BPSG和二氧化硅的基材,则就MRR而言的BPSG对二氧化硅选择性优选小于1:1,更优选小于0.98:1,最优选小于0.95:1,特别地小于0.9:1,例如小于0.85:1,以及就MRR而言的BPSG对二氧化硅选择性优选大于0.1:1,更优选高于0.25:1,最优选高于0.4:1,特别地高于0.55:1,例如高于0.65:1。该选择性可例如借助CMP组合物(Q)的组分(B)和/或(C)的类型和浓度且通过设定其他参数如pH值而调节。
所述CMP组合物(Q)用于化学机械抛光包含BPSG材料的基材,优选用于化学机械抛光包含BPSG和硅氧化物的基材,最优选用于化学机械抛光作为包含BPSG、硅氧化物、氮化硅和多晶硅的基材一部分的BPSG和硅氧化物,特别是用于化学机械抛光作为包含BPSG、TEOS、氮化硅和多晶硅的基材一部分的BPSG和TEOS。
如果将所述CMP组合物(Q)用于抛光包含BPSG和二氧化硅的基材,则就MRR的BPSG对二氧化硅选择性优选小于1:1,更优选小于0.98:1,最优选小于0.95:1,特别是小于0.9:1,例如小于0.85:1,以及就MRR而言的BPSG对二氧化硅选择性优选大于0.1:1,更优选高于0.25:1,最优选高于0.4:1,特别是高于0.55:1,例如高于0.65:1。
所述CMP组合物(Q)包含下述组分(A)、(B)、(C)和(D)。
所述CMP组合物(Q)包含无机颗粒、有机颗粒或其混合物或复合物(A)。(A)可以是:
-一种类型的无机颗粒,
-不同类型无机颗粒的混合物或复合物,
-一种类型的有机颗粒,
-不同类型有机颗粒的混合物或复合物,或
-一种或多种类型无机颗粒与一种或多种类型有机颗粒的混合物或复合物。
复合物为以使得它们机械地、化学地或以其他方式彼此结合的方式包含两种或更多种颗粒的复合颗粒。复合物的实例为包含呈外球体(壳)的一种颗粒和呈内球体(核)的另一种颗粒的核-壳颗粒。
一般而言,颗粒(A)可以以不同含量包含于CMP组合物(Q)中。优选地,(A)的量不超过7重量%(重量%表示“重量百分比”),更优选不超过3重量%,最优选不超过1.5重量%,特别是不超过0.7重量%,例如不超过0.3重量%,基于组合物(Q)的总重量。优选地,(A)的量为至少0.002重量%,更优选为至少0.01重量%,最优选为至少0.05重量%,特别是至少0.1重量%,例如至少0.2重量%,基于组合物(Q)的总重量。
一般而言,颗粒(A)可以以不同粒度分布掺入。颗粒(A)的粒度分布可为单模或多模的。在多模粒度分布的情况下,通常优选双模分布。为了在本发明CMP方法期间具有容易再现的性能和容易再现的条件,(A)优选具有单模粒度分布。最优选(A)具有单模粒度分布。
颗粒(A)的平均粒度可在宽范围内变化。平均粒度为(A)在水性介质(D)中的粒度分布的d50值且可使用动态光散射技术测得。此时,d50值在假设颗粒基本上为球形下计算。平均粒度分布的宽度为粒度分布曲线横跨相对颗粒计数50%高度的两个交点之间的距离(以x轴的单位表示),其中最大颗粒计数的高度归一化为100%高度。
优选地,颗粒(A)的平均粒度优选不超过1000nm,更优选不超过500nm,最优选不超过300nm,特别是不超过250nm,例如不超过220nm,且颗粒(A)的平均粒度优选为至少5nm,更优选至少20nm,最优选至少40nm,特别是至少60nm,例如至少80nm,利用动态光散射技术使用诸如购自Malvern Instruments,Ltd.的High Performance Particle Sizer(HPPS)或Horiba LB550的仪器测定。
颗粒(A)可为不同形状的。因此,颗粒(A)可为一种形状的或基本上仅为一种形状的。然而,颗粒(A)也可具有不同的形状。例如,可存在两种不同形状的颗粒(A)。例如,(A)可具有立方体、具有倒角边缘的立方体、八面体、二十面体、结节或具有或不具有凸起或凹陷的球形形状。优选地,其为不具有或仅具有极少数凸起或凹陷的球形。
颗粒(A)的化学性质没有特别的限制。(A)可具有相同的化学性质或为具有不同化学性质的颗粒的混合物或复合物。通常优选具有相同化学性质的颗粒(A)。一般而言,(A)可为:
-无机颗粒,如金属、金属氧化物或碳化物,包括类金属、类金属氧化物或碳化物,或
-有机颗粒,如聚合物颗粒,
-无机和有机颗粒的混合物或复合物。
颗粒(A)优选为无机颗粒。其中优选金属或类金属的氧化物和碳化物。更优选地,颗粒(A)为氧化铝、二氧化铈、氧化铜、氧化铁、氧化镍、氧化锰、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化锡、氧化钛、碳化钛、氧化钨、氧化钇、氧化锆或其混合物或复合物。最优选地,颗粒(A)为氧化铝、二氧化铈、二氧化硅、氧化钛、氧化锆或其混合物或复合物。特别地,(A)为二氧化铈颗粒。例如,(A)为胶态二氧化铈颗粒。胶态二氧化铈颗粒通常由湿沉淀法制得。
在其中(A)为有机颗粒或无机和有机颗粒的混合物或复合物的另一实施方案中,优选以聚合物颗粒作为有机颗粒。聚合物颗粒可为均聚物或共聚物。后者可例如为嵌段共聚物或统计共聚物。所述均聚物或共聚物可具有不同结构,例如,线性、支化、梳状、树枝状、缠绕或交联的。所述聚合物颗粒可根据阴离子、阳离子、受控自由基、自由基机理通过悬浮聚合法或乳液聚合法获得。优选地,所述聚合物颗粒为如下聚合物中的至少一种:聚苯乙烯、聚酯、醇酸树脂、聚氨酯、聚内酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚醚、聚N-烷基丙烯酰胺、聚甲基乙烯基醚或包含乙烯基芳族化合物、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、马来酸酐、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、丙烯酸或甲基丙烯酸中的至少一种作为单体单元的共聚物,或其混合物或复合物。其中优选具有交联结构的聚合物颗粒。
CMP组合物(Q)包含作为分散剂或电荷反转剂的至少一种阴离子磷酸盐或膦酸盐(B),优选包含一种或两种(B),更优选包含一种(B)。一般而言,用于CMP组合物中的分散剂为若添加至悬浮液的话可改善颗粒的分离并防止沉降或结块的表面活性化合物。一般而言,CMP组合物中的电荷反转剂为能反转存在于CMP组合物中的研磨剂颗粒电荷的化合物。
作为分散剂或电荷反转剂的阴离子磷酸盐或膦酸盐(B)可以以不同含量包含在CMP组合物(Q)中。优选地,(B)的量不超过4000ppm(“ppm”表示“份/百万份”),更优选不超过1000ppm,最优选不超过300ppm,特别是不超过150ppm,例如不超过80ppm,基于组合物(Q)的总重量。优选地,(B)的量为至少0.1ppm,更优选为至少1ppm,最优选至少3ppm,特别是至少6ppm,例如至少10ppm,基于组合物(Q)的总重量。
基于组合物(Q)总重量的颗粒(A)的重量百分比与基于组合物(Q)总重量的作为分散剂或电荷反转剂的磷酸盐或膦酸盐(B)的重量百分比之比可在宽范围内变化。该比值在下文中称为“(A/B)比”。优选地,(A/B)比不大于2000:1,更优选不大于1000:1,最优选不大于600:1,特别是不大于400:1,例如不大于250:1。优选地,(A/B)比为至少3:1,更优选为至少15:1,最优选为至少60:1,特别是至少100:1,例如至少150:1。
优选地,(B)选自水溶性缩合磷酸盐。
水溶性缩合磷酸盐的实例为盐,尤其是通式(I)的偏磷酸铵、钠和钾盐:
[M+ n(PO3)n] (I)
以及通式(II)和(III)的聚磷酸盐:
M+ nPnO3n+1 (II)
M+H2PnO3n+1 (III)
其中M为铵、钠和/或钾且指数n为2-10,000。就式(I)、(II)和(III)的聚磷酸盐而言,指数n优选为2-2,000,更优选为2-300,最优选为2-50,特别为2-15,例如3-8。
特别合适的水溶性缩合磷酸盐(B)的实例为Graham盐(NaPO3)40-50、CalgonTM(NaPO3)15-20、Kurrol盐(NaPO3)n(n=约5000)和六偏磷酸铵、六偏磷酸钠和六偏磷酸钾。
在另一实施方案中,优选以聚乙烯基膦酸盐和/或包含乙烯基膦酸和另一单体作为单体单元的共聚物的脱质子化形式作为(B)。如果使用聚乙烯基膦酸盐作为(B),则优选聚乙烯基膦酸盐呈根据下式(IV)的聚乙烯基膦酸的脱质子化形式,其中n为5-1000的整数。如果使用聚乙烯基膦酸盐和/或包含乙烯基膦酸和另一单体作为单体单元的共聚物的脱质子化形式作为(B),则重均分子量优选不大于120000道尔顿,更优选不大于70000道尔顿,最优选不大于40000道尔顿,特别是不大于20000道尔顿,例如不大于13000道尔顿,且重均分子量优选为至少500道尔顿,更优选为至少1500道尔顿,最优选为至少4000道尔顿,特别是至少7000道尔顿,例如至少9000道尔顿,通过凝胶渗透色谱法(GPC)测定。如果使用包含乙烯基膦酸和另一单体作为单体单元的共聚物的脱质子化形式作为(B),则该共聚物优选为包含乙烯基膦酸和丙烯酸作为单体单元的共聚物,例如通过未取代乙烯基膦酸和未取代丙烯酸的共聚而获得的聚(乙烯基膦酸-丙烯酸)共聚物。
CMP组合物(Q)包含至少一种表面活性剂(C),优选包含一种或两种(C),更优选包含一种(C)。一般而言,用于CMP组合物中的表面活性剂为降低液体表面张力、两种液体之间的界面张力或者液体与固体之间的界面张力的表面活性化合物。表面活性剂(C)优选为水溶性聚合物表面活性剂,更优选为线性或支化的氧化烯均聚物或共聚物,最优选为包含氧化乙烯和氧化丙烯单体单元的嵌段共聚物,特别是乙二胺的氧化乙烯/氧化丙烯共聚物,特别优选为诸如BASF所提供的“304”、“904”或“PE3500”,例如BASF所提供的“304”或“904”的表面活性剂。
如果使用包含氧化乙烯和氧化丙烯单体单元的嵌段共聚物作为表面活性剂(C),则重均分子量优选不超过200000道尔顿,更优选不超过70000道尔顿,最优选不超过20000道尔顿,特别是不超过10000道尔顿,例如不超过7000道尔顿,且重均分子量优选为至少500道尔顿,更优选为至少1000道尔顿,最优选为至少1300道尔顿,特别是至少1600道尔顿,例如至少1900道尔顿,通过凝胶渗透色谱法(GPC)测定。
根据本发明,CMP组合物(Q)包含水性介质(D)。(D)可为一种或不同种水性介质的混合物。
一般而言,水性介质(D)可为包含水的任何介质。优选地,水性介质(D)为水和可与水混溶的有机溶剂(例如醇,优选C1-C3醇,或亚烷基二醇衍生物)的混合物。更优选地,水性介质(D)为水。最优选地,水性介质(D)为去离子水。
如果除(D)之外,所述组分的量总计占所述CMP组合物的y重量%,则(D)的量占所述CMP组合物的(100-y)重量%。
CMP组合物(Q)可任选进一步包含至少一种生物杀伤剂(E),例如一种生物杀伤剂。一般而言,生物杀伤剂为以化学或生物方式控制阻止、无害化、或对任何有害生物发挥防治效果的化合物。优选地,(E)为季铵化合物、异噻唑啉酮基化合物、N-取代的二氮烯二氧化物或N'-羟基二氮烯氧化物盐。更优选地,(E)为N-取代的二氮烯二氧化物或N'-羟基二氮烯氧化物盐。
如果存在的话,则生物杀伤剂(E)可以以不同量掺入。如果存在的话,则(E)的量优选不超过0.5重量%,更优选不超过0.1重量%,最优选不超过0.05重量%,特别是不超过0.02重量%,例如不超过0.008重量%,基于相应组合物的总重量。如果存在的话,则(E)的量优选为至少0.0001重量%,更优选为至少0.0005重量%,最优选为至少0.001重量%,特别是至少0.003重量%,例如至少0.006重量%,基于相应组合物的总重量。
所述CMP组合物(Q)和在(Q)存在下的所述方法的性质,如稳定性和抛光性能可取决于相应组合物的pH值。组合物(Q)的pH值优选为至少4,更优选为至少5,更优选为至少5.5,特别是至少6。组合物(Q)的pH值优选不超过10,更优选不超过9,更优选不超过8.5,特别是不超过8。
CMP组合物(Q)可任选进一步包含至少一种pH调节剂(G)。一般而言,pH调节剂(G)为添加至CMP组合物(Q)以将其pH值调节至所需值的化合物。优选地,CMP组合物(Q)包含至少一种pH调节剂(G)。优选的pH调节剂为无机酸、羧酸、胺碱、碱氢氧化物、氢氧化铵,包括氢氧化四烷基铵。例如,pH调节剂(G)为硝酸、硫酸、氨、氢氧化钠或氢氧化钾。
如果存在的话,则pH调节剂(G)可以以不同含量掺入。如果存在的话,则(G)的量优选不超过10重量%,更优选不超过2重量%,最优选不超过0.5重量%,特别是不超过0.1重量%,例如不超过0.05重量%,基于相应组合物的总重量。如果存在的话,则(G)的量优选为至少0.0005重量%,更优选为至少0.005重量%,最优选为至少0.025重量%,特别是至少0.1重量%,例如至少0.4重量%,基于相应组合物的总重量。
需要的话,CMP组合物(Q)也可包含各种其他添加剂,包括但不限于稳定剂、减摩剂等。所述其他添加剂例如为通常用于CMP组合物中且因此为本领域技术人员所已知的那些。该类添加剂可例如稳定分散体,或改善抛光性能或不同层之间的选择性。
如果存在的话,则所述其他添加剂可以以不同量掺入。优选地,所述其他添加剂的总量不超过10重量%,更优选不超过2重量%,最优选不超过0.5重量%,特别是不超过0.1重量%,例如不超过0.01重量%,基于相应CMP组合物的总重量。优选地,所述其他添加剂的总量为至少0.0001重量%,更优选为至少0.001重量%,最优选为至少0.008重量%,特别是至少0.05重量%,例如至少0.3重量%,基于相应组合物的总重量。
根据一个优选实施方案,在CMP组合物存在下实施制造半导体器件的方法,所述方法包括化学机械抛光BPSG材料,所述CMP组合物包含:
(A)二氧化铈颗粒,
(B)作为分散剂或电荷反转剂的水溶性缩合磷酸盐,其选自Graham盐(NaPO3)40-50、CalgonTM(NaPO3)15-20、Kurrol盐(NaPO3)n(其中n=约5000)以及六偏磷酸铵、六偏磷酸钠和六偏磷酸钾,
(C)至少一种表面活性剂,和
(D)水性介质。
根据另一优选实施方案,在CMP组合物存在下实施制造半导体器件的方法,所述方法包括化学机械抛光BPSG材料,所述CMP组合物包含:
(A)二氧化铈颗粒,
(B)至少一种作为分散剂或电荷反转剂的阴离子磷酸盐或膦酸盐,
(C)水溶性聚合物表面活性剂,其为线性或支化氧化烯的均聚物或共聚物,和
(D)水性介质。
根据另一优选实施方案,在CMP组合物存在下实施制造半导体器件的方法,所述方法包括化学机械抛光BPSG材料,所述CMP组合物包含:
(A)二氧化铈颗粒,
(B)作为分散剂或电荷反转剂的水溶性缩合磷酸盐,
(C)水溶性聚合物表面活性剂,其为乙二胺的氧化乙烯/氧化丙烯共聚物,和
(D)水性介质。
根据另一优选实施方案,在CMP组合物存在下实施制造半导体器件的方法,所述方法包括化学机械抛光BPSG材料,所述CMP组合物包含:
(A)其量占所述CMP组合物重量的0.05-1.5%的具有通过动态光散射测得为50-250nm平均粒度的二氧化铈颗粒,
(B)其量占所述CMP组合物重量的为2-150ppm的作为分散剂或电荷反转剂的水溶性缩合磷酸盐,
(C)其量占所述CMP组合物重量的50-5000ppm的水溶性聚合物表面活性剂,其为线性或支化的氧化烯均聚物或共聚物,和
(D)水性介质。
根据另一优选实施方案,在CMP组合物存在下实施制造半导体器件的方法,所述方法包括化学机械抛光BPSG材料,所述CMP组合物包含:
(A)其量占所述CMP组合物重量的0.05-1.5%的具有通过动态光散射测得为50-250nm平均粒度的二氧化铈颗粒,
(B)其量占所述CMP组合物重量的2-150ppm的作为分散剂或电荷反转剂的水溶性缩合磷酸盐,其选自Graham盐(NaPO3)40-50、CalgonTM(NaPO3)15-20、Kurrol盐(NaPO3)n(n=约5000)以及六偏磷酸铵、六偏磷酸钠和六偏磷酸钾,
(C)其量占所述CMP组合物重量的50-5000ppm的水溶性聚合物表面活性剂,其为线性或支化的氧化烯均聚物或共聚物,和
(D)水性介质。
CMP组合物的制备方法是公知的。这些方法可用于制备CMP组合物(Q)。这可通过将上述组分(A)、(B)和(C)分散或溶解于水性介质(D),优选水中,且任选通过添加酸、碱、缓冲剂或pH调节剂调节pH值而进行。为此,可使用常规和标准的混合方法和混合装置,如搅拌釜、高剪切高速搅拌机、超声混合器、均化器喷嘴或逆流式混合器。
CMP组合物(Q)优选通过在水性介质(D)中分散颗粒(A)、分散和/或溶解作为分散剂或电荷反转剂的所述至少一种阴离子磷酸盐或膦酸盐(B)、所述至少一种表面活性剂(C)和任选的其他添加剂而制备。
所述抛光方法是公知的且可用所述方法和设备在通常用于制造具有集成电路的晶片的CMP的条件下进行。对可用于实施所述抛光方法的设备没有限制。
正如本领域所已知的那样,用于所述CMP方法的典型设备由覆盖有抛光垫的旋转盘组成。也已使用轨道式抛光机。将晶片安装在载体或卡盘上。将要加工的晶片一面朝向抛光垫(单面抛光方法)。保持环将晶片保持在水平位置。
在载体下方,所述较大直径的盘通常还水平定位且代表与待抛光晶片表面平行的表面。位于该盘上的抛光垫在平面化期间与晶片表面接触。
为了产生材料消耗,将晶片压在抛光垫上。通常使载体和盘二者围绕其各自的轴旋转,所述轴垂直于载体和盘延伸。旋转载体轴可相对于旋转盘保持在固定位置或可相对所述盘水平振动。载体的旋转方向通常(但并非必须)与该盘的旋转方向相同。载体和盘的旋转速度通常(但并非必须)设定为不同值。于本发明的CMP方法中,通常将CMP组合物(Q)以连续流或逐滴方式施加至抛光垫上。所述盘的温度通常设定为10-70℃的温度。
晶片上的载荷可例如由覆盖有软垫(通常称为背衬膜)的钢制平板施加。如果使用更为先进的设备,则负载有空气或氮气压的柔性膜将晶片压在垫上。当使用硬抛光垫时,该膜载体优选用于低下压力方法,这是因为与具有硬盘设计的载体相比,晶片上的下压力分布更为均匀。根据本发明,也可使用可选择性地控制晶片上的压力分布的载体。它们通常设计成具有可彼此独立地负载至特定程度的许多不同腔室。
进一步的细节参考WO2004/063301A1,尤其是第16页第[0036]段至第18页第[0040]段以及图2。
借助本发明的CMP方法,可获得具有包括介电层的集成电路且具有优异功能的晶片。
CMP组合物(Q)可作为即用型淤浆用于CMP方法中,其具有长储藏寿命且显示出长时间的稳定粒度分布。因此,其易于处理和储存。其显示出优异的抛光性能,特定是就BPSG的MRR而言、小于1:1的就MRR而言的合适BPSG:氧化物选择性(例如0.5:1-1:1的就MRR而言的BPSG对TEOS选择性),以及就高BPSG-MRR与小于1:1的就MRR而言的合适BPSG:氧化物选择性的组合而言。由于其各组分的量保持在最低水平,因此本发明的CMP组合物(Q)和CMP方法可以以具有成本效益的方式使用或应用。
实施例和对比实施例
pH值使用pH电极(Schott,蓝线,pH0-14/-5至100℃/3mol/L氯化钠)测定。
实施例中所用的无机颗粒(A)
用作颗粒(A)的二氧化铈颗粒为胶态类型,其具有100-200nm的平均粒度,通过动态光散射使用诸如购自Malvern Instruments,Ltd.的High Performance Particle Sizer(HPPS)或Horiba LB550的仪器测定。这些二氧化铈颗粒在下文中称为二氧化铈颗粒(A1)。
CMP实验的一般程序
CMP方法:
抛光工具:可抛光200mm晶片的AMAT Mirra
抛光基材:包含硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)硅氧化物、四乙氧基硅烷(TEOS)硅氧化物、LPCVD硅氮化物和无定形多晶硅的多层基材。该基材在下文中称为基材(S1)。
流速:160ml/min
抛光垫:IC1010-k槽垫
调节装置:3M A166;在5磅下原位调节
盘rpm:93rpm
载体rpm:87rpm
下压力:2.0、2.5和3.0psi
抛光时间:60秒
在CMP前后,使用Thermawave Optiprobe2600测定抛光基材的膜厚。以此方式确定材料移除速率。
淤浆制备的标准程序:
对于水性抛光组合物Q1-Q7的制备而言,将二氧化铈颗粒(A1)、六偏磷酸钠(二氧化铈与六偏磷酸钠的重量比=200:1)分散或溶解于超纯水中。六偏磷酸钠用作分散剂。用1重量%储备溶液将表面活性剂添加至上述混合物中。
表1:CMP组合物Q1-Q7
实施例Q1-Q7的CMP组合物及其pH性能示于表1中,其中所述CMP组合物的水性介质(D)为去离子水。组分(A)、(B)、(C)的量表以占相应CMP组合物重量的重量百分比(重量%)或份/百万份(ppm)表示。如果除(D)之外,各组分的量总体占所述CMP组合物的y重量%,则(D)的量占所述CMP组合物的(100-y)重量%。
a)PEG10k为具有通过凝胶渗透色谱法(GPC)测得的10,000道尔顿重均分子量的聚乙二醇。
b) PE3500(由BASF提供)为低起泡性非离子表面活性剂且为中心聚丙二醇基团被两个聚乙二醇基团侧护的嵌段共聚物。PE3500的重均分子量为1900道尔顿,通过凝胶渗透色谱法(GPC)测定。
c) 304(由BASF提供)为非离子表面活性剂且为被伯羟基封端的乙二胺的氧化乙烯/氧化丙烯共聚物。304的重均分子量为1650道尔顿,通过凝胶渗透色谱法(GPC)测定。
d) 904(由BASF提供)为非离子表面活性剂且为被伯羟基封端的乙二胺的氧化乙烯/氧化丙烯共聚物。904的重均分子量为6700道尔顿,通过凝胶渗透色谱法(GPC)测定。
表2:CMP组合物Q1-Q7的抛光性能
表2显示了使用CMP组合物Q1-Q7化学机械抛光基材(S1)的方法中的BPSG/TEOS选择性数据。在实施例5、6和8-15中,获得了低于1的BPSG/TEOS选择性。
使用CMP组合物的这些实施例的本发明CMP方法显示出改善的抛光性能。
Claims (12)
1.一种制造半导体器件的方法,其包括在化学机械抛光(CMP)组合物存在下化学机械抛光包含硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)材料和原硅酸四乙酯(TEOS)的基材,所述组合物包含:
(A)其量占所述CMP组合物重量的0.05-1.5重量%的具有通过动态光散射测得为50-250nm平均粒度的二氧化铈颗粒,
(B)其量占所述CMP组合物重量的2-150ppm的作为分散剂或电荷反转剂的水溶性缩合磷酸盐,
(C)其量占所述CMP组合物重量的50-5000ppm的水溶性聚合物表面活性剂,其为乙二胺的氧化乙烯/氧化丙烯共聚物,和
(D)水性介质,
其中所述CMP组合物的pH值为4-10,并且硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)对原硅酸四乙酯(TEOS)的选择性小于1:1。
2.如权利要求1的方法,其中颗粒(A)具有通过动态光散射测得为80-220nm的平均粒度。
3.如权利要求1的方法,其中水溶性缩合磷酸盐(B)选自通式(I)的偏磷酸盐:
[M+ n(PO3)n] (I)
以及通式(II)和(III)的聚磷酸盐:
M+ nPnO3n+1 (II)
M+H2PnO3n+1 (III)
其中M为铵、钠和/或钾且指数n为2-10,000。
4.如权利要求1的方法,其中水溶性缩合磷酸盐其选自Graham盐(NaPO3)40-50、CalgonTM(NaPO3)15-20、Kurrol盐(NaPO3)n、六偏磷酸铵、六偏磷酸钠和六偏磷酸钾。
5.如权利要求1-4中任一项的方法,其中表面活性剂(C)为304或904。
6.如权利要求1-4中任一项的方法,其中所述CMP组合物的pH值为5.5-8.5。
7.如权利要求5的方法,其中所述CMP组合物的pH值为5.5-8.5。
8.如权利要求1-4中任一项的方法,其包括化学机械抛光硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层和原硅酸四乙酯(TEOS)层,其中BPSG对TEOS的选择性为0.5:1至小于1:1。
9.如权利要求5的方法,其包括化学机械抛光硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层和原硅酸四乙酯(TEOS)层,其中BPSG对TEOS的选择性为0.5:1至小于1:1。
10.如权利要求6的方法,其包括化学机械抛光硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层和原硅酸四乙酯(TEOS)层,其中BPSG对TEOS的选择性为0.5:1至小于1:1。
11.如权利要求7的方法,其包括化学机械抛光硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层和原硅酸四乙酯(TEOS)层,其中BPSG对TEOS的选择性为0.5:1至小于1:1。
12.一种如权利要求1-11中任一项所定义的CMP组合物在化学机械抛光包含硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)材料的基材中的用途。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/IB2011/055862 WO2013093556A1 (en) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | Method for manufacturing cmp composition and application thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103975001A CN103975001A (zh) | 2014-08-06 |
CN103975001B true CN103975001B (zh) | 2017-09-01 |
Family
ID=48667832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201180075378.2A Expired - Fee Related CN103975001B (zh) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 制备cmp组合物的方法及其应用 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9157012B2 (zh) |
EP (1) | EP2794733B1 (zh) |
JP (1) | JP6035346B2 (zh) |
KR (1) | KR101931930B1 (zh) |
CN (1) | CN103975001B (zh) |
SG (1) | SG11201403505UA (zh) |
TW (1) | TWI570227B (zh) |
WO (1) | WO2013093556A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103725256A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-16 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 用于cmp的研磨颗粒体系及抛光液 |
JP6243791B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2017-12-06 | 信越化学工業株式会社 | Cmp研磨剤及びその製造方法、並びに基板の研磨方法 |
KR102464630B1 (ko) * | 2014-06-25 | 2022-11-08 | 씨엠씨 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 콜로이드성 실리카 화학적-기계적 연마 조성물 |
JP6170027B2 (ja) * | 2014-10-09 | 2017-07-26 | 信越化学工業株式会社 | Cmp研磨剤及びその製造方法、並びに基板の研磨方法 |
CN105802506B (zh) * | 2014-12-29 | 2020-06-09 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
US10781342B2 (en) * | 2015-03-30 | 2020-09-22 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
JP6951933B2 (ja) * | 2017-10-10 | 2021-10-20 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用仕上げ研磨液組成物 |
JP7138477B2 (ja) * | 2018-05-18 | 2022-09-16 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
CN114806411B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-06-02 | 德米特(苏州)电子环保材料有限公司 | 一种氧化锆抛光液的制备方法 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5169491A (en) * | 1991-07-29 | 1992-12-08 | Micron Technology, Inc. | Method of etching SiO2 dielectric layers using chemical mechanical polishing techniques |
DE69734868T2 (de) * | 1996-07-25 | 2006-08-03 | Dupont Air Products Nanomaterials L.L.C., Tempe | Zusammensetzung und verfahren zum chemisch-mechanischen polieren |
US6271123B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Chemical-mechanical polish method using an undoped silicon glass stop layer for polishing BPSG |
US6203407B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for increasing-chemical-polishing selectivity |
JP2008155368A (ja) * | 1999-06-23 | 2008-07-10 | Jsr Corp | 研磨用組成物、および研磨方法 |
US20020197935A1 (en) * | 2000-02-14 | 2002-12-26 | Mueller Brian L. | Method of polishing a substrate |
US6399461B1 (en) * | 2001-01-16 | 2002-06-04 | Promos Technologies, Inc. | Addition of planarizing dielectric layer to reduce a dishing phenomena experienced during a chemical mechanical procedure used in the formation of shallow trench isolation regions |
US6612911B2 (en) * | 2001-01-16 | 2003-09-02 | Cabot Microelectronics Corporation | Alkali metal-containing polishing system and method |
US6726534B1 (en) * | 2001-03-01 | 2004-04-27 | Cabot Microelectronics Corporation | Preequilibrium polishing method and system |
TW543093B (en) * | 2001-04-12 | 2003-07-21 | Cabot Microelectronics Corp | Method of reducing in-trench smearing during polishing |
US7638161B2 (en) | 2001-07-20 | 2009-12-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling dopant concentration during BPSG film deposition to reduce nitride consumption |
KR100518536B1 (ko) * | 2002-08-07 | 2005-10-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 표면 평탄화 방법과 그에 따라 제조된반도체 소자 |
US20040175942A1 (en) | 2003-01-03 | 2004-09-09 | Chang Song Y. | Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals |
CN100377310C (zh) | 2003-01-31 | 2008-03-26 | 日立化成工业株式会社 | Cmp研磨剂以及研磨方法 |
MXPA06000251A (es) * | 2003-07-11 | 2006-03-30 | Grace W R & Co | Particulas abrasivas para pulido quimico mecanico. |
US7427361B2 (en) * | 2003-10-10 | 2008-09-23 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Particulate or particle-bound chelating agents |
JP2006041033A (ja) | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
US20070218811A1 (en) * | 2004-09-27 | 2007-09-20 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cmp polishing slurry and method of polishing substrate |
US20060205218A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Mueller Brian L | Compositions and methods for chemical mechanical polishing thin films and dielectric materials |
US7368388B2 (en) * | 2005-04-15 | 2008-05-06 | Small Robert J | Cerium oxide abrasives for chemical mechanical polishing |
US20060276041A1 (en) * | 2005-05-17 | 2006-12-07 | Jsr Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method, and kit for preparing chemical mechanical polishing aqueous dispersion |
US20070077865A1 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for controlling polysilicon removal |
US20070144915A1 (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Applied Materials, Inc. | Process and composition for passivating a substrate during electrochemical mechanical polishing |
US20070176141A1 (en) | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Lane Sarah J | Compositions and methods for chemical mechanical polishing interlevel dielectric layers |
KR101194881B1 (ko) * | 2006-01-31 | 2012-10-25 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 절연막 연마용 cmp 연마제, 연마 방법, 상기 연마 방법으로 연마된 반도체 전자 부품 |
US20080149884A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Junaid Ahmed Siddiqui | Method and slurry for tuning low-k versus copper removal rates during chemical mechanical polishing |
JP2010535422A (ja) * | 2007-08-02 | 2010-11-18 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | マイクロ電子デバイスから残渣を除去するための非フッ化物含有組成物 |
EP2188344B1 (en) | 2007-09-21 | 2016-04-27 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane |
US8735293B2 (en) * | 2008-11-05 | 2014-05-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and methods relating thereto |
JP2011142284A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-07-21 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨液、基板の研磨方法及び電子部品 |
TWI598434B (zh) * | 2010-09-08 | 2017-09-11 | 巴斯夫歐洲公司 | 含有N-取代重氮烯(diazenium)二氧化鹽及/或N’-羥基-重氮烯(diazenium)氧化鹽之水研磨組成物 |
MY170196A (en) * | 2010-09-08 | 2019-07-09 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates for electrical, mechanical and optical devices |
SG10201606566SA (en) * | 2010-09-08 | 2016-09-29 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric and polysilicon films |
WO2012077063A1 (en) * | 2010-12-10 | 2012-06-14 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric and polysilicon films |
US9496146B2 (en) * | 2011-03-11 | 2016-11-15 | Basf Se | Method for forming through-base wafer vias |
US8865013B2 (en) * | 2011-08-15 | 2014-10-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for chemical mechanical polishing tungsten |
US20130045599A1 (en) * | 2011-08-15 | 2013-02-21 | Rohm and Electronic Materials CMP Holdings, Inc. | Method for chemical mechanical polishing copper |
TWI573864B (zh) * | 2012-03-14 | 2017-03-11 | 卡博特微電子公司 | 具有高移除率及低缺陷率之對氧化物及氮化物有選擇性之cmp組成物 |
-
2011
- 2011-12-21 JP JP2014548215A patent/JP6035346B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-21 SG SG11201403505UA patent/SG11201403505UA/en unknown
- 2011-12-21 CN CN201180075378.2A patent/CN103975001B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-21 EP EP11878326.5A patent/EP2794733B1/en not_active Not-in-force
- 2011-12-21 KR KR1020147020125A patent/KR101931930B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-21 US US14/362,439 patent/US9157012B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-21 WO PCT/IB2011/055862 patent/WO2013093556A1/en active Application Filing
-
2012
- 2012-12-20 TW TW101148817A patent/TWI570227B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9157012B2 (en) | 2015-10-13 |
KR20140107522A (ko) | 2014-09-04 |
KR101931930B1 (ko) | 2018-12-24 |
EP2794733B1 (en) | 2019-05-15 |
WO2013093556A1 (en) | 2013-06-27 |
EP2794733A1 (en) | 2014-10-29 |
EP2794733A4 (en) | 2015-11-11 |
TW201329215A (zh) | 2013-07-16 |
CN103975001A (zh) | 2014-08-06 |
SG11201403505UA (en) | 2014-07-30 |
JP2015507356A (ja) | 2015-03-05 |
JP6035346B2 (ja) | 2016-11-30 |
TWI570227B (zh) | 2017-02-11 |
US20140326701A1 (en) | 2014-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103975001B (zh) | 制备cmp组合物的方法及其应用 | |
KR101931926B1 (ko) | 폴리비닐 포스폰산 및 이의 유도체를 포함하는 화학적 기계 연마 조성물 | |
JP5447482B2 (ja) | 酸化ケイ素用研磨剤、添加液および研磨方法 | |
CN105814163B (zh) | 混合研磨剂型抛光组合物 | |
EP2499210B1 (en) | A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising inorganic particles and polymer particles | |
US10214663B2 (en) | Chemical-mechanical polishing composition comprising organic/inorganic composite particles | |
KR20160013077A (ko) | 높은 제거율 및 낮은 결함성으로 산화물 및 질화물에 대해 선택적인 cmp 조성물 | |
CN104081501B (zh) | 包含蛋白质的化学机械抛光(cmp)组合物 | |
EP3099756A1 (en) | A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a poly(aminoacid) | |
CN108026432A (zh) | 具有改善的稳定性和改善的抛光特性的选择性氮化物淤浆 | |
EP2870212A2 (en) | A chemical mechanical polishing composition comprising a non-ionic surfactant and a carbonate salt | |
JP6595510B2 (ja) | 高い除去速度と低欠陥性を有する、ポリシリコン及び窒化物を上回り酸化物に対して選択的なcmp組成物 | |
KR20230170737A (ko) | 유전체 물질 연마용 cmp 조성물 | |
JP7398304B2 (ja) | 研磨用組成物、研磨方法および半導体基板の製造方法 | |
CN118159613A (zh) | 用于介电质化学机械研磨的包含高分子量聚合物的基于二氧化硅的浆料组合物 | |
JP2016146466A (ja) | 研磨剤と研磨方法、および研磨用添加液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170901 Termination date: 20191221 |