CN103969105B - 一种聚焦离子束机台之探针的降震装置及其降震方法 - Google Patents

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一种聚焦离子束机台之探针的降震装置，包括：固定支架，所述固定支架环设于探针之外端的外围；弹性元件，所述弹性元件之一端固定设置在所述固定支架上，所述弹性元件之另一端固定设置在所述探针上，且所述弹性元件之间呈120°角。本发明通过在探针之外端的外围环设固定支架，并在所述固定支架内设置弹性元件，所述弹性元件之一端固定设置在所述固定支架上，所述弹性元件之另一端固定设置在所述探针上，且所述弹性元件之间呈120°角，使得所述降震装置可有效的抑制所述弹性元件向任一方向抖动，极大的改善了外部环境对所述聚焦离子束机台之探针带来的震动影响，降低样品抖落的机会，改善了样品制备的效率和工艺产品的循环时间。

Description

一种聚焦离子束机台之探针的降震装置及其降震方法
技术领域
本发明涉及半导体器件之测试技术领域，尤其涉及一种聚焦离子束机台之探针的降震装置及其降震方法。
背景技术
随着市场需求，晶圆的尺寸在逐渐变大，工艺尺寸越来越小，致命缺陷也已经小到微米，纳米级别，很多缺陷通过扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、聚焦离子束(Focused Ion Beam,FIB)等数据收集方法已经不能完全分析出缺陷之源头，透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)便成为缺陷源头分析不可缺少的手段之一。但是，传统的TEM要首先将待测试晶圆破片再去进行样品制备，已破片之晶圆不能重返生产线进行后续的加工生产，进而很大程度上造成资源浪费。
另一方面，FIB机台已用于生产线上对晶圆异常缺陷进行全检分析，该机台不需要进行破片，产品不需要报废。但是，在进行样品制备时，使用者需利用FIB机台之探针(Omniprobe)提取样品，并黏附在样品载具上，直接镶嵌于FIB机台里。在样品制品过程中，所述探针将会有部分外露于FIB机台。显然地，外围机台的震动和噪音的共鸣势必引起所述探针之外露部分进行抖动。更严重地，将会造成所述提取之样品脱落，大大降低了样品制备的效率和工艺产品的循环时间。
故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种聚焦离子束机台之探针的降震装置及其降震方法。
发明内容
本发明是针对现有技术中，传统的聚焦离子束机台之探针易于受到外围机台的震动和噪音的共鸣产生抖动，更严重的将会造成所述提取之样品脱落，大大降低了样品制备的效率和工艺产品的循环时间等缺陷提供一种聚焦离子束机台之探针的降震装置。
本发明之又一目的是针对现有技术中，传统的聚焦离子束机台之探针易于受到外围机台的震动和噪音的共鸣产生抖动，更严重的将会造成所述提取之样品脱落，大大降低了样品制备的效率和工艺产品的循环时间等缺陷提供一种聚焦离子束机台之探针的降震方法。
为了解决上述问题，本发明提供一种聚焦离子束机台之探针的降震装置，所述聚焦离子束机台之探针的降震装置包括：固定支架，所述固定支架环设于探针之外端的外围；弹性元件，所述弹性元件之一端固定设置在所述固定支架上，所述弹性元件之另一端固定设置在所述探针上，且所述弹性元件之间呈120°角。
可选地，所述弹性元件为弹簧。
为实现本发明之又一目的，本发明提供一种聚焦离子束机台之探针的降震方法，所述降震方法包括：在所述探针之外端的外围环设固定支架，并在所述固定支架内设置弹性元件，所述弹性元件之一端固定设置在所述固定支架上，所述弹性元件之另一端固定设置在所述探针上，且所述弹性元件之间呈120°角。
可选地，所述弹性元件为弹簧。
综上所述，本发明通过在探针之外端的外围环设固定支架，并在所述固定支架内设置弹性元件，所述弹性元件之一端固定设置在所述固定支架上，所述弹性元件之另一端固定设置在所述探针上，且所述弹性元件之间呈120°角，使得所述降震装置可有效的抑制所述弹性元件向任一方向抖动，极大的改善了外部环境对所述聚焦离子束机台之探针带来的震动影响，降低样品抖落的机会，改善了样品制备的效率和工艺产品的循环时间。
附图说明
图1所示为本发明聚焦离子束机台之探针的降震装置结构示意图；
图2所示为本发明聚焦离子束之探针受震动原理图；
图3所示为未设置本发明之降震装置的测试结果图；
图4所示为具有本发明之降震装置的测试结果图。
具体实施方式
为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。
请参阅图1，并结合参阅图2，图1所示为本发明聚焦离子束机台之探针的降震装置结构示意图。图2所示为本发明聚焦离子束之探针受震动原理图。在聚焦离子束机台2中，所述聚焦离子束机台2之探针20倾斜穿设在所述聚焦离子束机台2之腔体21内，且所述探针20之外端201露于外部环境。当所述外部环境之其它机台震动和噪音共鸣时，则势必引起所述探针20之外端201震动，对半导体器件测试造成不利影响，甚至抖落待测试样品。
为了有效的避免外界机台震动和噪音共鸣，导致探针20之外端201震动，进而使得对半导体器件测试造成不利影响，本发明所述聚焦离子束机台之探针的降震装置1，包括固定支架11，所述固定支架环设于所述探针20之外端201的外围；弹性元件12，所述弹性元件12之一端固定设置在所述固定支架11上，所述弹性元件12之另一端固定设置在所述探针20上，且所述弹性元件12之间呈120°角。
作为本领域技术人员，容易理解地，所述聚焦离子束机台之探针的降震装置1通过各弹性元件12施力在所述探针20上，且所述弹性元件12之间呈120°角，故所述降震装置1可有效的抑制所述弹性元件12向任一方向抖动，极大的改善了外部环境对所述聚焦离子束机台之探针20带来的震动影响，降低样品抖落的机会，改善了样品制备的效率和工艺产品的循环时间。
为更直观的揭露本发明之技术方案，凸显本发明之有益效果，现以具体实验结果进行佐证。作为具体的实施方式，所述弹性元件20为弹簧。所述聚焦离子束机台之探针的降震方法，包括：在所述探针20之外端201的外围环设固定支架11，并在所述固定支架11内设置弹性元件12。其中，所述弹性元件12之一端固定设置在所述固定支架11上，所述弹性元件12之另一端固定设置在所述探针20上，且所述弹性元件12之间呈120°角。
请参阅图3、图4，并结合参阅图1和图2，图3所示为未设置本发明之降震装置的测试结果图。图4所示为具有本发明之降震装置的测试结果图。从图3和图4明显可知，具有本发明之降震装置的聚焦离子束机台在测试样品3，并将所述样品3黏附在样品载具4的过程中较不具有本发明之降震装置的聚焦离子束机台在测试过程中具有更优异的稳定性，所述探针20未发生抖动。反之，不具有本发明之降震装置的聚焦离子束机台在测试过程中严重抖动，导致观测模糊。
综上所述，本发明通过在探针之外端的外围环设固定支架，并在所述固定支架内设置弹性元件，所述弹性元件之一端固定设置在所述固定支架上，所述弹性元件之另一端固定设置在所述探针上，且所述弹性元件之间呈120°角，使得所述降震装置可有效的抑制所述弹性元件向任一方向抖动，极大的改善了外部环境对所述聚焦离子束机台之探针带来的震动影响，降低样品抖落的机会，改善了样品制备的效率和工艺产品的循环时间。
本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。

Claims (4)

1.一种聚焦离子束机台之探针的降震装置，其特征在于，所述聚焦离子束机台之探针的降震装置包括：
固定支架，所述固定支架环设于探针之外端的外围；
弹性元件，所述弹性元件之一端固定设置在所述固定支架上，所述弹性元件之另一端固定设置在所述探针上，且所述弹性元件之间呈120°角。
2.如权利要求1所述的聚焦离子束机台之探针的降震装置，其特征在于，所述弹性元件为弹簧。
3.一种如权利要求1所述的聚焦离子束机台之探针的降震装置的降震方法，其特征在于，所述降震方法包括：通过在所述探针之外端的外围环设固定支架，并在所述固定支架内设置弹性元件，所述弹性元件之一端固定设置在所述固定支架上，所述弹性元件之另一端固定设置在所述探针上，且所述弹性元件之间呈120°角，从而抑制与所述弹性元件连接的探针向任一方向抖动，改善外部环境对所述聚焦离子束机台之探针带来的震动影响。
4.如权利要求3所述的聚焦离子束机台之探针的降震装置的降震方法，其特征在于，所述弹性元件为弹簧。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1871684A (zh) * 2003-09-23 2006-11-29 塞威公司 采用fib准备的样本的抓取元件的显微镜检查的方法、系统和设备
CN101644639A (zh) * 2003-11-11 2010-02-10 全域探测器公司 在聚焦离子束显微镜中进行快速样品制备的方法和装置
CN201548656U (zh) * 2009-11-30 2010-08-11 上海华虹Nec电子有限公司 多芯片同测的防干扰装置
JP2013057533A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Toppan Printing Co Ltd 試料作製方法および集束イオンビーム加工装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1871684A (zh) * 2003-09-23 2006-11-29 塞威公司 采用fib准备的样本的抓取元件的显微镜检查的方法、系统和设备
CN101644639A (zh) * 2003-11-11 2010-02-10 全域探测器公司 在聚焦离子束显微镜中进行快速样品制备的方法和装置
CN201548656U (zh) * 2009-11-30 2010-08-11 上海华虹Nec电子有限公司 多芯片同测的防干扰装置
JP2013057533A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Toppan Printing Co Ltd 試料作製方法および集束イオンビーム加工装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
原子力显微镜探针悬臂几何结构变化对高次谐波信息增强的研究;杨海艳等;《物理学报》;20131231;第62卷(第20期);第1-6页 *
应用聚焦离子束/电子束技术的碳纳米管探针制备工艺研究;韩涛等;《现代制造工程》;20101231(第3期);第5-8、118页 *

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