CN103945726A - 心箭SiC宝石 - Google Patents

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安东尼·里奇
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Abstract

除了别的以外，本申请公开了适合于碳化硅(“SiC”)的光学特性的特定的一组切割比例，其可产生“心箭”反射图案。

Description

心箭SiC宝石
领域
本公开涉及一种在透明的碳化硅(“SiC”)宝石中产生“心箭（Hearts & Arrows）”反射图案的方法。
背景
通常，在珍贵宝石和次珍贵宝石上切割平面，以采用经济的方式为这些宝石提供光泽。也可切割宝石，以提供具有可见图案的反射。
发明概述
除了别的以外，本申请公开了适合于碳化硅(“SiC”)的光学特性的特定的一组切割比例，其可产生“心箭”反射图案。
附图简述
图1为具有心箭图案的SiC宝石切割的一个实例的侧视图。
图2为具有心箭图案的SiC宝石切割的一个实例的俯视图。
图3为具有心箭图案的SiC宝石切割的一个实例的仰视图。
图4说明产生具有心箭图案的SiC宝石的一种方法的流程图。
图5说明具有心箭图案的SiC宝石的仰视图。
图6说明具有心箭图案的SiC宝石的俯视图。
发明描述
碳化硅(SiC)为硅和碳的化合物。它以多种结晶形式存在，通常分组为具有类似结构的多型体。三种常见的多型体为3C(β)、4H和6H(α)。3C(β)具有立方晶体结构；4H和6H (α)各自具有六方晶体结构。
图1为具有心箭图案的SiC宝石切割的一个实例的侧视图。冠100为在腰之上的宝石部分。冠100具有星平面200、冠主平面210和冠腰平面220。腰130为宝石的外边缘，使冠100与亭110分隔。腰130通常坐落于宝石最宽部分处的宝石区域附近，其中直径120指示宝石的边缘到边缘的宽度。台面140为宝石上最大的平面。
图2为具有心箭图案的SiC宝石切割的一个实例的俯视图。星平面200(围绕台面的平面)可以21.46°切割。冠腰平面220(冠上接近腰的平面)可切割为具有39.00°的角度。冠主平面可以31.91°切割。在该图中为了减少零乱，标识了每一种类型的平面中的两个。本领域技术人员认识到，在该图中存在8个星平面200、8个冠主平面210和16个冠腰平面220。
图3为具有心箭图案的SiC宝石切割的一个实例的仰视图。亭主平面300可以40.70°的角度切割。亭腰平面310可以41.84°的角度切割。在该图中为了减少零乱，标识了每一种类型的平面中的两个。本领域技术人员认识到，在该图中存在8个亭主平面300和16个亭腰平面310。
具有所示角度的SiC宝石切割可显示心箭图案。本领域技术人员认识到，切割角度最多大或小0.1°的轻微变化仍可生产心箭图案。
图4说明产生具有心箭图案的SiC宝石的一种方法的流程图。在该实例中，切割腰轮廓400，以提供SiC宝石的直径。切割亭平面410，包括亭主平面和亭腰平面。
将亭平面抛光420，同样将腰抛光430。将宝石转移以允许冠侧的切割和抛光。
切割冠主平面、星平面和腰平面450，和抛光460。
图5说明具有心箭图案的SiC宝石的仰视图。箭510可为SiC宝石的期望的设计。在该图中为了减少零乱，仅标识了8个箭510中的两个。
图6说明具有心箭图案的SiC宝石的俯视图。心610可为SiC宝石的期望的设计。在该图中为了减少零乱，仅标识了8个心610中的两个。
虽然已就具体实施例表述了以上详细说明，但是本领域技术人员认识到，可使用许多其它结构。因此，认识到在不偏离本发明的精神和范围下可以对上述实施方案进行各种等价修改。
此外，在说明书中说明的操作显示以特定顺序发生的特定事件。在备选的实施方案中，特定操作可以不同的顺序进行、修改或除去。此外，可对以上描述的逻辑增加步骤，并且仍符合所描述的实施方案。此外，本文描述的操作可序贯发生，或者特定操作可并行处理。另外，操作可通过单一加工单元或通过多个分散的加工单元进行。
为了说明和描述的目的，呈现本发明的各种实施方案的前述描述。不旨在为穷举的或使本发明局限于所公开的精确形式。旨在本发明的范围不局限于该详细说明，而是由所附权利要求限定。以上说明书、实施例和数据提供本发明的制造和使用的完整说明。由于在不偏离本发明的精神和范围下可以进行本发明的许多实施方案，本发明在于下文所附权利要求。

Claims (11)

1. 一种SiC宝石，所述宝石包含：
冠部分，其包含：
多个以约31.91°的角度切割的冠主平面；
多个以约39.00°的角度切割的冠腰平面；
多个以约21.46°的角度切割的星平面；
亭部分，其包含：
多个以约40.70°的角度切割的亭主平面；
多个以约41.84°的角度切割的亭腰平面；和
腰部分，其邻接冠部分并且沿着预定的平面延伸。
2. 权利要求1的SiC宝石，其中存在8个冠主平面。
3. 权利要求1的SiC宝石，其中存在16个冠腰平面。
4. 权利要求1的SiC宝石，其中存在8个星平面。
5. 权利要求1的SiC宝石，其中存在8个亭主平面。
6. 权利要求1的SiC宝石，其中存在16个亭腰平面。
7. 权利要求1的SiC宝石，其中所述SiC选自6H、4H和3C SiC。
8. 一种切割SiC宝石的方法，所述方法包括：
切割SiC宝石的腰轮廓；
以约40.70°的角度在SiC宝石的亭侧上切割主平面；
以约41.84°的角度在SiC宝石的亭侧上切割腰平面；
以约31.91°的角度在SiC宝石的冠侧上切割主平面；
以约39.00°的角度在SiC宝石的冠侧上切割腰平面；
以约21.46°的角度在SiC宝石的冠侧上切割星平面；和
在SiC宝石的冠侧上切割台面。
9. 权利要求8的方法，其中所述切割通过机器人切割机器进行。
10. 权利要求8的方法，所述方法还包括抛光SiC宝石的冠侧上的平面。
11. 权利要求8的方法，所述方法还包括抛光SiC宝石的亭侧上的平面。
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