CN103924296A - 多晶铸锭晶体冷却工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种多晶铸锭晶体冷却工艺,晶锭出炉体后的炉体外冷却中,采用保温笼罩罩住晶锭,从而降低晶锭在炉体外的冷却速度。本发明能够降低晶锭在炉体外的冷却速度,随之降低出现晶锭内部的热应力与隐裂缺陷现象的几率,最终降低切片环节中隐裂片的比例。
Description
技术领域
本发明涉及一种多晶铸锭晶体冷却工艺,多晶铸锭技术领域。
背景技术
目前,晶锭出炉后,在车间环境中自然冷却,不做任何保温措施,晶锭在炉体外的冷却速度过快,经常出现晶锭内部的热应力与隐裂缺陷的现象。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种多晶铸锭晶体冷却工艺,它能够降低晶锭在炉体外的冷却速度,随之降低出现晶锭内部的热应力与隐裂缺陷现象的几率,最终降低切片环节中隐裂片的比例。
为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是:一种多晶铸锭晶体冷却工艺,晶锭出炉体后的炉体外冷却中,采用保温笼罩罩住晶锭,从而降低晶锭在炉体外的冷却速度。
进一步为了降低晶锭在炉体中的运行周期而提高晶锭的产出,在晶锭出炉体前,提高晶锭的出炉温度,从而降低晶锭在炉体中的冷却时间。
进一步限定了最优的出炉温度使得晶锭的产出最多,所述的晶锭的出炉温度为400℃。
更进一步提供了一种保温笼罩的结构,所述的保温笼罩由框架和石墨保温层组成,石墨保温层设置在框架的内侧壁上。
采用了上述技术方案后,晶锭出炉体后的炉体外冷却中,使用设计的保温笼罩住晶锭,显著地降低晶锭在炉体外的冷却速度,随之降低出现晶锭内部的热应力与隐裂的现象的几率,最终降低切片环节中隐裂片的比例,可以使得硅片隐裂片比例下降0.2~0.3%;同时可以提高晶锭出炉温度,降低晶锭在炉体中的冷却时间,进而降低晶锭在炉体中的运行周期而提高晶锭产出,当晶锭的出炉温度为400℃的时候,可以使得在炉体中的周期降低1.2小时,最终晶锭的产出提升1.5%。
具体实施方式
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例,对本发明作进一步详细的说明。
一种多晶铸锭晶体冷却工艺,晶锭出炉体后的炉体外冷却中,采用保温笼罩罩住晶锭,从而降低晶锭在炉体外的冷却速度。
为了降低晶锭在炉体中的运行周期而提高晶锭的产出,在晶锭出炉体前,提高晶锭的出炉温度,从而降低晶锭在炉体中的冷却时间。
为了使得晶锭的产出最多,所述的晶锭的出炉温度优选为400℃,从原来的350℃提高到400℃。
所述的保温笼罩由框架和石墨保温层组成,石墨保温层设置在框架的内侧壁上。
本发明的工作原理如下:
晶锭出炉体后的炉体外冷却中,使用设计的保温笼罩住晶锭,显著地降低晶锭在炉体外的冷却速度,随之降低出现晶锭内部的热应力与隐裂的现象的几率,最终降低切片环节中隐裂片的比例,可以使得硅片隐裂片比例下降0.2~0.3%;同时可以提高晶锭出炉温度,降低晶锭在炉体中的冷却时间,进而降低晶锭在炉体中的运行周期而提高晶锭产出,当晶锭的出炉温度为400℃的时候,可以使得在炉体中的周期降低1.2小时,最终晶锭的产出提升1.5%。
以上所述的具体实施例,对本发明解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种多晶铸锭晶体冷却工艺,其特征在于:晶锭出炉体后的炉体外冷却中,采用保温笼罩罩住晶锭,从而降低晶锭在炉体外的冷却速度。
2.根据权利要求1所述的多晶铸锭晶体冷却工艺,其特征在于:在晶锭出炉体前,提高晶锭的出炉温度,从而降低晶锭在炉体中的冷却时间。
3.根据权利要求2所述的多晶铸锭晶体冷却工艺,其特征在于:所述的晶锭的出炉温度为400℃。
4.根据权利要求1或2或3所述的多晶铸锭晶体冷却工艺,其特征在于:所述的保温笼罩由框架和石墨保温层组成,石墨保温层设置在框架的内侧壁上。
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CN201410175059.4A CN103924296A (zh) | 2014-04-29 | 2014-04-29 | 多晶铸锭晶体冷却工艺 |
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CN107741159A (zh) * | 2017-11-13 | 2018-02-27 | 晶科能源有限公司 | 一种硅锭热量的回收装置及回收利用系统 |
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CN101660209A (zh) * | 2009-06-25 | 2010-03-03 | 南安市三晶阳光电力有限公司 | 一种减少多晶硅铸锭应力的方法和装置 |
CN103205797A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | 北京京运通科技股份有限公司 | 高效多晶硅铸锭方法 |
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