CN103916081B - 可配置的宽调谐范围振荡器核心 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及可配置的宽调谐范围振荡器核心。一种振荡器包括谐振器、第一和第二p型晶体管，以及第一和第二n型晶体管。所述谐振器具有第一端子和第二端子。所述第一p型晶体管可切换地连接到所述第一端子，而所述第二p型晶体管可切换地连接到所述第二端子。所述第一n型晶体管的第一漏极和所述第二n型晶体管的第二漏极分别电连接到所述第一端子和所述第二端子。所述振荡器能够在仅NMOS模式下和在CMOS模式下操作。

Description

可配置的宽调谐范围振荡器核心
分案申请的相关信息
本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2010年6月17日、申请号为201080026846.2、发明名称为“可配置的宽调谐范围振荡器核心”的发明专利申请案。
技术领域
本发明大体上涉及振荡器，且更特定来说，涉及可配置的宽调谐范围振荡器。
背景技术
振荡器可用于多种通信系统中，包括射频(RF)系统和其它无线通信系统。在所述多种通信系统内，振荡器可用于发射器电路和接收器电路中。两种常见类型的振荡器为压控振荡器(VCO)和数控振荡器(DCO)。
与无线通信系统有关的演进技术和产业标准已导致对更灵活且更有效率的振荡器的需要。所述标准导致针对相位噪声和振荡器振幅的不同要求。需要可高度配置的振荡器以优化依照所述标准操作的无线通信系统的性能。效率考虑因素包括最小化振荡器电流消耗，以便增加通话时间，和覆盖多个频带的灵活性。
过去对这些可配置的振荡器的尝试包括：(a)提供多个振荡器，其中每一振荡器覆盖整个频率范围的小部分，且其中每一振荡器在功率和相位噪声方面针对特定标准得以优化；(b)提供与多个区段组合的单一振荡器且混合以产生频率阵列；(c)提供基于变压器的振荡器，例如，如2008年9月9日颁予拜危拉克(Bevilacqua)等人且标题为“用于产生振荡器信号的振荡器和方法(Oscillator and Method for Generating an OscillatorSignal)”的第7,423,495号美国专利中所论述，所述专利的全文以引用的方式并入本文中；以及(d)提供接入一个LC振荡回路和从所述LC振荡回路切断以覆盖宽调谐范围的具有不同尺寸的多个有效核心，如D·霍斯皮(D.Hauspie)等人在“具有频带、有效核心和变抗器大小的同时切换的宽带VCO(Wideband VCO with simultaneous switching of frequencyband,active core and varactor size)”(IEEE固态电路期刊，2007年7月第7期第42卷)中所论述，所述文献的全文以引用的方式并入本文中。
提供每一振荡器覆盖整个频率范围的小部分的多个振荡器归因于使用许多电感器而可能需要专用于振荡器系统的大区域。举例来说，针对每一振荡器可能需要至少一个电感器。
提供与多个区段组合的单一振荡器且混合以产生频率阵列可能导致过度功率消耗且导致在功率和相位噪声方面的编程灵活性减少。另外，可能归因于多级混合而存在不合意的杂散信号。
提供基于变压器的振荡器可能需要可能难以实现的具有大磁耦合(k因子)的变压器，且芯片上实施方案通常导致较低Q。
提供接入一个LC振荡回路和从所述LC振荡回路切断以覆盖宽调谐范围的具有不同尺寸的多个有效核心可能会在接入其它组件时导致在频率调谐范围的下端处的电流消耗增加。
虽然已尝试各种技术以更有效率地满足针对相位噪声和振荡器振幅的不同要求，但已知技术并不提供用于可配置的宽调谐范围振荡器的最佳解决方案且可能包括不合意限制。需要较佳技术以更有效率地满足针对无线通信系统中相位噪声和振荡器振幅的不同要求。
发明内容
本文中揭示一种新式且改进的可配置的宽调谐范围振荡器。
根据一方面，一种设备包括：谐振器，其具有第一端子和第二端子；第一p型晶体管，其具有第一源极、第一栅极和第一漏极，所述第一栅极电连接到所述第二端子，且所述第一漏极经由第一开关而电连接到所述第一端子；第二p型晶体管，其具有第二源极、第二栅极和第二漏极，所述第二源极电连接到所述第一源极，所述第二栅极电连接到所述第一端子，且所述第二漏极经由第二开关而电连接到所述第二端子；第一n型晶体管，其具有第三源极、第三栅极和第三漏极，所述第三栅极电连接到所述第二端子，所述第三漏极经由不包括开关的第一连接而电连接到所述第一端子；以及第二n型晶体管，其具有第四源极、第四栅极和第四漏极，所述第四栅极连接到所述第一端子，所述第四漏极经由不包括开关的第二连接而电连接到所述第二端子，且所述第四源极电连接到所述第三源极。
根据另一方面，一种设备包括：谐振器，其具有第一端子和第二端子；第一p型晶体管，其具有第一源极、第一栅极和第一漏极，所述第一栅极电连接到所述第二端子，且所述第一漏极电连接到所述第一端子；第二p型晶体管，其具有第二源极、第二栅极和第二漏极，所述第二源极电连接到所述第一源极，所述第二栅极电连接到所述第一端子，且所述第二漏极电连接到所述第二端子；第一n型晶体管，其具有第三源极、第三栅极和第三漏极，所述第三栅极电连接到所述第二端子，所述第三漏极经由第一开关而电连接到所述第一端子；以及第二n型晶体管，其具有第四源极、第四栅极和第四漏极，所述第四栅极电连接到所述第一端子，所述第四漏极经由第二开关而电连接到所述第二端子，且所述第四源极电连接到所述第三源极，其中所述第四源极和所述第三源极经由第三开关而电连接到接地。
根据另一方面，一种操作具有谐振器的振荡器的方法包含：当要求所述振荡器产生在较高范围内的频率时，在两个p型晶体管无效且两个n型晶体管有效的情况下操作所述振荡器；以及当要求所述振荡器产生在较低范围内的频率时，在所述两个p型晶体管有效且所述两个n型晶体管有效的情况下操作所述振荡器，其中所述两个p型晶体管中的第一者具有第一漏极，且所述两个p型晶体管中的第二者具有第二漏极，且当所述第一p型晶体管无效时，使所述第一漏极从所述谐振器的第一端子断开，且当所述第二p型晶体管无效时，使所述第二漏极从所述谐振器的第二端子断开。
根据一另外方面，一种设备包含：用于当要求振荡器产生在较低频率范围内的频率时操作两个n型晶体管和两个p型晶体管以作为所述振荡器中的有效组件的装置；用于当要求所述振荡器产生在较高频率范围内的频率时操作所述两个n型晶体管作为有效组件而使所述p型晶体管从所述振荡器的谐振器断开的装置；以及用于当要求所述振荡器最小化相位噪声同时产生在所述较低频率范围内的频率时操作所述两个n型晶体管作为有效组件而使所述p型晶体管从所述谐振器断开的装置。
在审查以下图式和具体实施方式后，本文中所揭示的用于更有效率地满足针对相位噪声和振荡器振幅的不同要求的改进技术的其它系统、方法、方面、特征、实施例和优势对于所属领域的技术人员将显而易见或将变得显而易见。期望所有这些额外系统、方法、方面、特征、实施例和优势包括于此描述内，且在所附权利要求书的范围内。
附图说明
应理解，图式仅出于说明的目的。此外，各图中的组件未必按比例，而是着重于说明本文中所揭示的设备和方法的原理。在所述图中，类似的参考数字在所有不同视图中表示对应部分。
图1A为示范性数控振荡器(DCO)的示意图。
图1B为另一示范性DCO和用于DCO的偏置系统的示意图。
图1C为另一示范性DCO的示意图。
图2为可用于图1A、图1B和图1C的DCO中的开关的示意图。
图3为说明与图1A、图1B和图1C的DCO相关联的操作频带的频带图。
图4A为说明操作DCO(图1A、图1B和图1C的DCO)的示范性方法的流程图。
图4B为说明操作DCO(例如，图1A、图1B和图1C的DCO)的另一示范性方法的流程图。
图4C为说明操作DCO(图1A、图1B和图1C的DCO)的另一示范性方法的流程图。
具体实施方式
参考且并入有所述图式的以下具体实施方式描述且说明一个或一个以上特定实施例。展示且充分详细地描述这些实施例(提供这些实施例并非进行限制，而是仅用以示范和教示)以使所属领域的技术人员能够实践所主张的内容。因此，为了简洁起见，所述描述可省略所属领域的技术人员已知的一些信息。
词语“示范性”在本文中用以指“充当实例、例子或说明”。本文中描述为“示范性”的任何实施例或变体未必被解释为比其它实施例或变体优选或有利。此描述中所描述的所有实施例和变体均为示范性实施例和变体，其经提供以使所属领域的技术人员能够制作和使用本发明，且未必限制所附权利要求书所提供的合法保护范围。
图1A展示示范性数控振荡器(DCO)100，其包括第一p型晶体管102a、第二p型晶体管102b、第一n型晶体管104a、第二n型晶体管104b、谐振器106、电感器108、第一开关110a和第二开关110b。将调节电压Vreg施加到线路112。振荡器100可用于大量装置中，例如(但不限于)可能需要具有功率节约选项的宽调谐范围振荡器的蜂窝式集成电路和无线集成电路。振荡器100说明在互补金属氧化物半导体(CMOS)频带304、负沟道金属氧化物半导体(NMOS)频带308和NMOS/CMOS频带306(见图3)中操作的实施例。
谐振器106具有连接到线路114a的第一端子，和连接到线路114b的第二端子。第一p型晶体管102a具有连接到线路112的第一源极S1、连接到线路114b的第一栅极G1，和经由第一开关110a可切换地电连接到线路114a的第一漏极D1。第二p型晶体管102b具有连接到线路112的第二源极S2、连接到线路114a的第二栅极G2，和经由第二开关110b可切换地电连接到线路114b的第二漏极D2。
第一n型晶体管104a具有连接到线路116的第三源极S3、连接到线路114b的第三栅极G3，和连接到线路114a的第三漏极D3。在图1A的实例中，第三漏极D3以不包括开关的方式电连接到线路114a。第二n型晶体管104b具有连接到线路116的第四源极S4、连接到线路114a的第四栅极G4，和连接到线路114b的第四漏极D4。在图1A的实例中，第四漏极D4以不包括开关的方式电连接到线路114b。
出于说明的目的，谐振器106为与电感器并联的具有可变电容的LC振荡回路。谐振器106的电感器被展示成在大约中心处具有电压调节分接头Vreg_Ltap。在其它情形下，谐振器106可为所属领域的技术人员已知的许多其它谐振器，例如(但不限于)具有开关电容器组的LC振荡回路、可连续调谐的可变电抗器、开关电容器组与可调谐的可变电抗器的组合、单一电感器、开关电感器、具有多个端口(在所述端口中的一者或一者以上上具有电容器)的变压器，和基于变压器的谐振器。线路112接收调节电压Vreg。对于图1A的实例，线路116经由电感器108而连接到接地。在一些情形下，可省略电感器108。在其它情形下，可使用其它装置使线路116电连接到接地。
为了在CMOS模式下配置核心，闭合开关110A和开关110B，且其因此“接通”。经由节点Vreg而馈送CMOS核心的偏压。在此配置中，Vreg_ltap节点保持不连接或“浮动”。在此条件下，在谐振器振荡回路106上出现了PMOS晶体管(102a 102b)的全部寄生电容，其会降低频率。因为CMOS核心具有固有较佳的电流消耗，且因为在谐振器振荡回路上出现的寄生电容较大，所以频率调谐范围的下端扩展，同时电流消耗减少。为了在“仅NMOS”模式下配置核心，打开或“关断”开关110A和开关110B。通过断开这些开关，最小化从PMOS晶体管102a和102b的漏极到谐振振荡回路106的寄生电容。将节点Vreg(112)拉到接地。在一些情形下，Vreg可保持浮动或在“仅NMOS”模式下连接到Vdd。经由Vreg_ltap节点而供应NMOS晶体管104a和104b的偏压。因为在此条件下振荡回路106可摆动达2*Vreg_ltap，所以与在CMOS情况下的Vreg相比(且在NMOS情况下的Vreg_ltap可为与在CMOS情况下的Vreg相同的值)，相位噪声可低于在CMOS情况下的相位噪声。因此，与CMOS情况相比，仅NMOS模式可以电流为代价实现较高频率和较低相位噪声。在最小化相位噪声并非关键的情况下，可降低电压Vreg_ltap以降低余量，同时仍保持较高频率调谐范围的优势。
图1B展示第二示范性振荡器150和用于振荡器150的偏置系统152。振荡器150包括关于振荡器100所论述的组件，和谐振器154。谐振器154包括微调和采集可变电容器部分156，和粗调部分158。偏置系统152包括运算放大器160、开关162、晶体管164、开关166和晶体管168。
在图1B的实例中，向运算放大器160的倒相输入提供参考电压Vref，且线路112可为运算放大器160的非倒相输入。在其它实施例中，可提供电压调节分接头Vreg_Ltap以作为运算放大器160的非倒相输入。
在振荡器150中，开关110a和110b可载运DC电流。因为开关110a和110b的源极可能不接地，所以可能存在较大电容进行闭合。在图1B的实例中，第一开关110a和第二开关110b为NMOS开关。在其它实施例中，开关110a和110b可为所属领域的技术人员已知的许多开关，例如(但不限于)p型金属氧化物半导体(PMOS)、微机电系统(MEMS)、异质结双极晶体管(HBT)，且可具有图2所说明的类型。
图1B中所示的核心电路的操作是根据图1A的电路的操作。另外，图1B中所示的偏置电路152提供维持适当偏置电平的技术的一个实例。在CMOS模式下，开关110a、开关110b和开关162闭合且开关166打开，以将晶体管168的栅极的电压置于Vdd。结果，节点Vreg_ltap浮动，此为CMOS模式所需要的。运算放大器160确保节点112保持于Vref。
对于仅NMOS模式，开关110a、开关110b和开关162打开。将晶体管164的栅极拉到Vdd。在此情况下，节点112(Vreg)保持浮动。开关166还闭合。运算放大器160的非倒相端子经由另一组开关(未图示)而连接到Vreg_ltap。此配置中的运算放大器160确保Vreg_ltap保持于电压Vref。
图1C展示第三示范性振荡器176。振荡器176包括关于振荡器100所论述的组件、谐振器178、电感器180、开关182a、开关182b、开关184和开关186。振荡器176说明适合于尤其在PMOS模式下操作的实施例。
图1C展示用以实现仅PMOS模式和CMOS模式的实施方案。图1C中所示的核心电路的CMOS模式操作是根据上文参看图1A所论述的操作。开关182a、开关182b和开关184闭合且开关186保持打开。在PMOS模式下，开关186闭合且开关182a、182b和184保持打开。
图2为可用于图1A、图1B和图1C的DCO中的开关110b的示意图。图2中的示范性开关110b包括晶体管202和电阻器204。使用电阻器204可减少来自驱动晶体管202的栅极的偏置电压的噪声。电阻器204可允许晶体管202的栅极电压在开关110b接通时维持对晶体管202的源极/漏极电压的成比例响应，从而维持开关110b的接通电阻。
图3为可利用振荡器(例如图1A和图1B所示的振荡器)实现的振荡器调谐范围302的图表说明。振荡器调谐范围302包括CMOS频带304、NMOS/CMOS频带306和NMOS频带308。频带304、306和308包括多个通道。CMOS频带304包括频率调谐范围的下端，而NMOS频带308包括频率调谐范围的高端。NMOS/CMOS频带306可允许在需要相位噪声减少的情况下在NMOS模式下操作，而在需要较低功率消耗的情况下允许CMOS模式。
在一些实施例中且在一些条件下，可能需要在仅CMOS模式、仅NMOS模式和仅PMOS模式下操作振荡器100、150和176，同时允许随着条件和要求改变而在其它模式下操作。
图4A展示说明操作振荡器(例如，图1的振荡器100和图2的振荡器150)的方法400的流程图。可在无线通信装置中执行方法400。方法400以方框402开始，或被要求以方框402操作。
在方框404中，振荡器在NMOS模式下操作。作为一实例，当在高于频率调谐范围的下端的情况下操作时，例如(但不限于)，当在高于频率调谐范围的下端10％的情况下操作时，在NMOS模式下操作可能有益，其中频率调谐范围的下端可为如下频率：在低于所述频率的情况下，振荡器不能振荡，因为所有可用电容均已用于LC振荡回路(例如，与谐振器106和/或谐振器154相关联的LC振荡回路)中。作为振荡器100的NMOS模式的实例，第一开关(例如，第一开关110a)和第二开关(例如，第二开关110b)可打开，且第一n型晶体管(例如，第一n型晶体管104a)和第二n型晶体管(例如，第二n型晶体管104b)可作为有效组件进行操作，而第一p型晶体管(例如，第一p型晶体管102a)和第二p型晶体管(例如，第二p型晶体管102b)为被动组件。作为振荡器150的NMOS模式的实例，通过打开开关110a、110b和162，同时闭合开关166，且迫使晶体管164的漏极电压为Vdd，可实现NMOS模式。
在方框406中，方框404的振荡器在CMOS模式下操作。作为一实例，当在频率调谐范围的下端中操作时，在CMOS模式下操作可能有益。在CMOS模式下，方框404的第一开关和第二开关可闭合，且方框204的第一n型晶体管、第二n型晶体管、第一p型晶体管和第二p型晶体管可作为有效组件进行操作。作为振荡器150的CMOS模式的实例，通过闭合开关110a、110b和162，同时打开开关166，且提供线路112以作为运算放大器160的非倒相输入，可实现CMOS模式。在方框408中，方法400终止。
通过在仅NMOS模式与CMOS模式之间切换来实现有效率操作和宽调谐范围。具体来说，可经由在CMOS模式下操作而实现功率节约。在一些实施例中，可能仅需要本文中所描述的一个可重新配置的有效组件分组来实现所要宽调谐范围，同时提供与功率效率和相位噪声减少有关的可配置性。可经由与有效装置尺寸相关联的相对固定电容而实现宽调谐范围。除了在CMOS模式下操作的其它优势以外，起动增益可得以增加，此可导致调谐范围的另外增益。
在相同振荡器组件和相同电源供应器的情况下，在如本文中所说明的还允许CMOS模式的系统中，在NMOS模式下操作可允许振荡器增加电流，且满足严格的相位噪声要求。在NMOS模式下操作可允许振荡器有效率地达到最大频率。在CMOS模式下操作可在较低频率中操作时允许功率节约。
电感器108为第二谐波电感器。当在NMOS模式下操作时，电感器108可在较低频率偏移下导致闪烁噪声成分减少。当在CMOS模式下操作时，单侧对称特性有效组件可导致来自所述有效组件的闪烁噪声成分减少。
再次参看图4A，方法400可包括操作偏置电路，例如，偏置电路152，其中方框404的NMOS模式的偏置不同于方框406的CMOS模式的偏置。举例来说，方框404的偏置可包括如下偏置，其中闭合开关(例如开关166)以形成晶体管(例如，晶体管168)(放大器160的输出级)。许多供应配置和偏置配置是可能的。举例来说，当在CMOS模式下操作时，振荡器150可从2.1伏的供应被偏置，且当在NMOS模式下操作时，振荡器150可从1.3伏或2.1伏的供应被偏置。对偏置系统152的供应电压的选择可与相位噪声要求有关。举例来说，NMOS模式的2.1伏的供应可允许振荡器150满足严格的相位噪声要求，同时最小化晶体管102a和102b的影响。
方框406的CMOS模式可包括串联地使用运算放大器和晶体管(例如，放大器160和晶体管164)，其中晶体管的漏极用作偏置电路152的输出级。可从谐振器154的电感器的分接头得到反馈，所述分接头可为谐振器154的电感器的共模点。在一些实施例中，还可从线路112得到反馈。
图4B展示说明操作振荡器(例如，图1的振荡器100和图2的振荡器150)的第二示范性方法420的第二流程图。可在无线通信装置中执行方法420。方法420以方框422开始，或被要求从方框422操作。在方框406中，振荡器在CMOS模式下操作。在方框424中，确定无线系统和/或条件是否要求在振荡器调谐范围的较高频带(例如，范围302的频带308(见图3))中操作。当需要在较高频带中操作时，方法420移到方框404(见图4A)且在NMOS模式下操作。如果不需要在振荡器调谐范围的较高频带中操作，则方法420移到方框426。
在方框426中，确定无线系统和/或条件是否要求在振荡器调谐范围的较低频带(例如，范围302的频带304)中操作。如果需要在较低频带中操作，则方法420移到方框406(见图4A)且在CMOS模式下操作。如果不需要在振荡器调谐范围的较高频带和/或较低频带中操作，则方法420移到方框428。
在方框428中，确定在需要低噪声时的时间或条件期间无线系统和/或条件是否要求在最佳噪声模式下(例如，在范围302的频带306内)操作。当需要在最佳噪声模式下操作时，方法420移到方框404且在NMOS模式下操作。如果不需要最佳噪声模式，则方法420移到方框406，其中可最小化功率消耗。
图4C展示说明操作振荡器(例如，图1C的振荡器176)的另外示范性方法420的第三流程图。可在无线通信装置中执行方法440。方法440以方框442开始，或被要求以方框442操作。在方框406中，振荡器在CMOS模式下操作。作为振荡器176的CMOS模式的实例，通过闭合开关182a和182b，同时打开开关184和186，可实现CMOS模式。
在方框424中，确定无线系统和/或条件是否要求在振荡器调谐范围的较高频带(例如，范围302的频带308(见图3)中操作。当需要在较高频带中操作时，方法420移到方框444且在PMOS模式下操作。作为振荡器176的PMOS模式的实例，通过打开开关182a和182b，同时闭合开关184和186，可实现PMOS模式。如果不需要在振荡器调谐范围的较高频带中操作，则方法440移到方框426。方框426如关于图4B所描述进行操作。
在方框428中，确定在需要低噪声时的时间或条件期间无线系统和/或条件是否要求在最佳噪声模式下操作。当需要在最佳噪声模式下操作时，方法440移到方框444且在PMOS模式下操作。如果不需要最佳噪声模式，则方法440移到方框406，其中可最小化功率消耗。
通过本文中所说明的方法的方框描绘的功能性、操作和架构可至少部分使用软件和/或固件代码的模块、片段和/或部分来实施。代码的模块、片段和/或部分包括用于实施指定逻辑功能的一个或一个以上可执行指令。在一些实施方案中，方框中所提及的功能可以不同于所展示的次序的次序发生。举例来说，视所涉及的功能性而定，可同时执行在图4A到图4C中接连地展示的两个方框，或有时可以另一次序执行所述方框。
所属领域的技术人员应进一步了解，结合本文中所揭示的实施例而描述的各种说明性逻辑块、模块、电路和算法步骤可至少部分地实施为电子硬件、计算机软件或此两者的组合。为了清楚地说明硬件与软件的此互换性，上文已大体上在功能性方面描述了各种说明性组件、块、模块、电路和步骤。此功能性是实施为硬件还是软件视特定应用和强加于整个系统的设计约束而定。所属领域的技术人员可针对每一特定应用以不同方式来实施所描述的功能性，但不应将此些实施方案决策解释为导致脱离本发明的范围。
在一个或一个以上示范性实施例中，可至少部分地以硬件、软件、固件或其任何组合来实施所描述的功能。如果以软件实施，则所述功能可作为指令或代码而存储于一个或一个以上计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体进行传输。计算机可读媒体包括计算机存储媒体和通信媒体两者，通信媒体包括促进将计算机程序从一个位置传递到另一位置的任何媒体。存储媒体可为可由计算机存取的任何可用媒体。举例来说(且非限制)，此计算机可读媒体可包含RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用以载运或存储呈指令或数据结构的形式的所要程序代码且可由计算机存取的任何其它媒体。而且，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤线缆、双绞线、数字订户线(DSL)或无线技术(例如红外线、无线电和微波)而从网站、服务器或其它远程源传输软件，则同轴电缆、光纤线缆、双绞线、DSL或无线技术(例如红外线、无线电和微波)包括于媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包括压缩光盘(CD)、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘用激光以光学方式再现数据。以上各者的组合也应包括于计算机可读媒体的范围内。
提供所揭示的实施例的以上描述以使所属领域的技术人员能够制作或使用由所附权利要求书界定的内容。所附权利要求书无意限于所揭示的实施例。鉴于这些教示，所属领域的技术人员将易于想到其它实施例和修改。因此，当结合以上说明书和附图进行考虑时，所附权利要求书意欲涵盖所有此些实施例和修改。

Claims (15)

1.一种宽调谐范围振荡器，包括：
谐振器，其具有第一端子和第二端子；
第一n型晶体管，其具有第一漏极；
第二n型晶体管，其具有第二漏极，其中所述第一漏极连接到所述第一端子并且所述第二漏极连接到所述第二端子；
第一p型晶体管，其可切换地连接到所述第一端子；以及
第二p型晶体管，其可切换地连接到所述第二端子；
其中选择性地切换所述第一p型晶体管和所述第一端子之间的连接以及所述第二p型晶体管和所述第二端子之间的连接促进所述宽调谐范围振荡器在覆盖CMOS频带、NMOS频带和CMOS/NMOS频带的模式中的操作，其中所述CMOS频带包括宽调谐范围的下端，而所述NMOS频带包括所述宽调谐范围的高端，且所述CMOS/NMOS频带允许在NMOS模式和CMOS模式下操作；
其中所述选择性地切换包括：
操作将所述第一p型晶体管连接到所述第一端子的第一开关；以及
操作将所述第二p型晶体管连接到所述第二端子的第二开关；且
其中闭合所述第一开关并且闭合所述第二开关降低振荡器频率且促进在所述CMOS频带中在CMOS模式下的操作；以及
其中打开所述第一开关并且打开所述第二开关提高振荡器频率，由此促进在所述NMOS频带中在NMOS模式下的操作。
2.根据权利要求1所述的宽调谐范围振荡器，其中所述谐振器包括电容器、电感器、电抗器和变压器中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的宽调谐范围振荡器，其中所述第一n型晶体管和所述第二n型晶体管利用来自由开关和电感器组成的组中的一个装置接地。
4.根据权利要求1所述的宽调谐范围振荡器，其进一步包括连接到所述第一p型晶体管的偏置电路。
5.根据权利要求4所述的宽调谐范围振荡器，其中所述偏置电路进一步连接到所述第二p型晶体管。
6.一种用于操作宽调谐范围振荡器的方法，包括：
操作具有第一端子和第二端子的谐振器；
操作具有第一漏极的第一n型晶体管和具有第二漏极的第二n型晶体管，其中所述第一漏极连接到所述第一端子并且所述第二漏极连接到所述第二端子；
操作可切换地连接到所述第一端子的第一p型晶体管和可切换地连接到所述第二端子的第二p型晶体管；以及
选择地切换所述第一p型晶体管和所述第一端子之间的连接以及所述第二p型晶体管和所述第二端子之间的连接，以在覆盖CMOS频带、NMOS频带和CMOS/NMOS频带的模式中操作所述宽调谐范围振荡器，其中所述CMOS频带包括宽调谐范围的下端，而所述NMOS频带包括所述宽调谐范围的高端，且所述CMOS/NMOS频带允许在NMOS模式和CMOS模式下操作；
其中所述选择性地切换包括：
操作将所述第一p型晶体管连接到所述第一端子的第一开关；以及
操作将所述第二p型晶体管连接到所述第二端子的第二开关；且
其中闭合所述第一开关并且闭合所述第二开关降低振荡器频率且促进在所述CMOS频带中在CMOS模式下的操作；以及
其中打开所述第一开关并且打开所述第二开关提高振荡器频率，由此促进在所述NMOS频带中在NMOS模式下的操作。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述谐振器包括电容器、电感器、电抗器和变压器中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一n型晶体管和所述第二n型晶体管利用来自由开关和电感器组成的组中的一个装置接地。
9.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括将第一偏压提供到所述第一p型晶体管。
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括将第二偏压提供到所述第二p型晶体管。
11.一种用于操作宽调谐范围振荡器的设备，包括：
用于操作具有第一端子和第二端子的谐振器的装置；
用于操作具有第一漏极的第一n型晶体管和具有第二漏极的第二n型晶体管的装置，其中所述第一漏极连接到所述第一端子并且所述第二漏极连接到所述第二端子；
用于操作可切换地连接到所述第一端子的第一p型晶体管和可切换地连接到所述第二端子的第二p型晶体管的装置；以及
用于选择地切换所述第一p型晶体管和所述第一端子之间的连接以及所述第二p型晶体管和所述第二端子之间的连接以在覆盖CMOS频带、NMOS频带和CMOS/NMOS频带的模式中操作所述宽调谐范围振荡器的装置，其中所述CMOS频带包括宽调谐范围的下端，而所述NMOS频带包括所述宽调谐范围的高端，且所述CMOS//NMOS频带允许在NMOS模式和CMOS模式下操作；
其中用于选择性地切换的所述装置包括：
用于操作将所述第一p型晶体管连接到所述第一端子的第一开关的装置；以及
用于操作将所述第二p型晶体管连接到所述第二端子的第二开关的装置；且
其中闭合所述第一开关并且闭合所述第二开关降低振荡器频率且促进在所述CMOS频带中在CMOS模式下的操作；以及
其中打开所述第一开关并且打开所述第二开关提高振荡器频率，由此促进在所述NMOS频带中在NMOS模式下的操作。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述谐振器包括电容器、电感器、电抗器和变压器中的至少一种。
13.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一n型晶体管和所述第二n型晶体管利用来自由开关和电感器组成的组中的一个装置接地。
14.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括用于将第一偏压提供到所述第一p型晶体管的装置。
15.根据权利要求14所述的设备，其进一步包括用于将第二偏压提供到所述第二p型晶体管的装置。
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