CN103915057A - 像素驱动电路及使用其的有机发光显示器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种像素驱动电路，其包括第一至第五晶体管、第一至第二电容。第一至第二晶体管的第一电极及控制电极、第三晶体管及第五晶体管的控制电极与对应的信号线相连。第一电容及第二电容串联于第二晶体管的第二电极与第二直流电源之间。第三晶体管的第一电极与第二晶体管的第二电极相连。第四晶体管的第一电极与第二直流电源相连，控制电极与第三晶体管的第一电极相连，第二电极与第三晶体管的第二电极相连。第五晶体管的第一电极与第四晶体管的第二电极相连，第二电极通过有机发光二极管的阳极与第一直流电压源相连。本发明还提供一种有机发光显示器。本发明的像素驱动电路减少了走线及制成造成的影响，改善了面板亮度不均匀的问题。

Description

像素驱动电路及使用其的有机发光显示器

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种像素驱动电路及使用其的有机发光显示器。

背景技术

有源矩阵有机发光二极体面板（Active Matrix Organic Light EmittingDiode，AMOLED）被称为下一代显示技术，相比传统的液晶面板，AMOLED具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。

图1为传统的有机发光显示器的像素驱动电路。如图1所示，像素驱动电路10用于驱动有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode，OLED）11，所述OLED的阴极与第一直流电源OVSS相连，像素驱动电路10包括N沟道场效应晶体管M11、P沟道场效应晶体管M12、第一电容C11。N沟道场效应晶体管M11及P沟道场效应晶体管M12均包括源极、栅极及漏极。N沟道场效应晶体管M11的漏极与数据信号线Data相连，N沟道场效应晶体管M11的栅极与扫描数据线相连SCAN，N沟道场效应晶体管M11的源极与所述P沟道场效应晶体管M12的栅极相连。P沟道场效应晶体管M12的源极与第二直流电源OVDD相连，P沟道场效应晶体管M12的漏极与所述OLED11的阳极相连。第一电容C11的一端与第二直流电源OVDD相连，第一电容C11的另一端与P沟道场效应晶体管M12的栅极相连。

由于在AMOLED上，每个像素驱动电路均与第二直流电源OVDD相连，以接收第二直流电压，当像素驱动电路驱动对应的OLED发光时，每个像素驱动电路接收的第二直流电压由于走线的不同而存在差异，从而使得流经每个OLED的电流不同。此外，由于制成的影响，每个像素驱动电路中场效应管的栅极与源极的偏置电压不相同，从而使每个OLED产生的亮度不同，造成AMOLED亮度不均匀。

因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。

发明内容

本发明要解决的主要技术问题是提供一种像素驱动电路及使用其的有机发光显示器，其改善面板亮度不均匀的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种像素驱动电路，所述像素驱动电路用于驱动有机发光二极管（organic light emitting diode，OLED）发光。OLED包括阳极及阴极，OLED的阴极与第一直流电压源相连。像素驱动电路包括第一至第五晶体管、第一电容、及第二电容。第一晶体管的第一电极与重置信号线相连，第一晶体管的控制电极与所述重置信号线相连。第二晶体管的第一电极与数据信号线相连，第二晶体管的控制电极与第一扫描信号线相连。第一电容连接于第一晶体管的第二电极与第二晶体管的第二电极之间。第二电容连接于第二直流电源与第一晶体管的第二电极之间。

第三晶体管的第一电极通过第二电容与第二直流电源相连，第三晶体管M3的控制电极与控制信号线相连。第四晶体管的第一电极与第二直流电源相连，第四晶体管的控制电极与第三晶体管的第一电极相连，第四晶体管的第二电极与第三晶体管的第二电极相连。第五晶体管的第一电极与第四晶体管的第二电极相连，第五晶体管的控制电极与第二扫描信号线相连，第五晶体管第二电极的与OLED的阳极相连。

本发明还提供一种使用所述像素驱动电路的有机发光显示器。

本发明的像素驱动电路及使用其的有机发光显示器使流经有机发光二极管的电流与晶体管栅极与源极的偏置电压及直流电压源均无关，减少了走线及制成造成的影响，改善了面板亮度不均匀的问题。

通过以下参考附图的详细说明，本发明的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本发明的范围的限定，这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。

附图说明

下面将结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细的说明。

图1为传统的像素驱动电路的示意图。

图2为本发明一实施方式的像素驱动电路的架构示意图。

图3为本发明一实施方式的重置信号线、第一扫描信号线、第二扫描信号线、数据信号线、控制信号线的时序图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

图2为本发明一实施方式的像素驱动电路的架构示意图。如图2所示，像素驱动电路20用于驱动有机发光二极管（organic light emitting diode，OLED）发光。OLED包括阳极及阴极，OLED的阴极与第一直流电压源OVSS相连。像素驱动电路20包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第一电容C1、及第二电容C2。

在本发明一实施方式中，第一晶体管M1的第一电极与重置信号线Reset相连，第一晶体管M1的控制电极与所述重置信号线Reset相连。第二晶体管M2的第一电极与数据信号线Data相连，第二晶体管M2的控制电极与第一扫描信号线SCAN相连。第一电容C1连接于第一晶体管M1的第二电极与第二晶体管M2的第二电极之间。第二电容C2连接于第二直流电源OVDD与第一晶体管M1的第二电极之间。

第三晶体管M3的第一电极通过第二电容C2与第二直流电源OVDD相连，第三晶体管M3的控制电极与控制信号线COM相连。第四晶体管M4的第一电极与第二直流电源OVDD相连，第四晶体管M4的控制电极与第三晶体管M3的第一电极相连，第四晶体管M4的第二电极与第三晶体管M3的第二电极相连。第五晶体管M5的第一电极与第四晶体管M4的第二电极相连，第五晶体管M5的控制电极与第二扫描信号线EM相连，第五晶体管M5第二电极的与OLED的阳极相连。

在本发明的一实施方式中，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第三晶体管M3、第四晶体管M4及第五晶体管M5均为P沟道场效应晶体管。在本发明的另一实施方式中，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第三晶体管M3、第四晶体管M4及第五晶体管M5可以均为N沟道场效应晶体管。

在本发明的一实施方式中，第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第三晶体管M3、第四晶体管M4及第五晶体管M5的第一电极均为源极。第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第三晶体管M3、第四晶体管M4及第五晶体管M5的控制电极均为栅极。第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第三晶体管M3、第四晶体管M4及第五晶体管M5第二电极均为漏极。

在本发明的一实施方式中，重置信号线Reset、第一扫描信号线SCAN、第二扫描信号线EM、数据信号线Data、控制信号线COM分别输出重置信号、第一扫描信号、第二扫描信号、数据信号、控制信号，以控制第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第三晶体管M3、第四晶体管M4及第五晶体管M5的导通或截止及第一电容C1、第二电容C2的充放电，进而控制OLED的亮度。

如图3为重置信号线Reset、第一扫描信号线SCAN、第二扫描信号线EM、数据信号线Data、控制信号线COM的时序图。如图3所示，在时序周期T1阶段，第一扫描信号线SCAN输出低电平的第一扫描信号，第二晶体管M2导通。第二扫描信号线EM输出高电平的第二扫描信号，第五晶体管M5截止，OLED上无电流通过，从而不发光。控制信号线COM输出高电平的控制信号，第三晶体管M3截止。重置信号线Reset输出低电平的重置信号，第一晶体管M1导通。第二电容通过第二直流电源OVDD充电，第四晶体管M4导通。

在时序周期T2阶段，重置信号线Reset输出的重置信号由低电平变为高电平，第一晶体管M1截止。控制信号线COM输出的控制信号由高电平变为低电平，第三晶体管M3导通。第五晶体管M5仍截止，第二晶体管M2、及第四晶体管M4仍导通。OLED上仍无电流通过，仍不发光。第二电容C2通过第二直流电源OVDD继续充电，第四晶体管M4栅极的电压Vg等于第二直流电源OVDD提供的电压Vdd与第四晶体管M4的栅极与源极的偏置电压Vth的和。即Vg=Vdd+Vth。第四晶体管M4源极的电压Vs等于第二直流电源OVDD提供的电压Vdd。即Vs=Vdd。

在时序周期T3阶段，数据信号通过数据信号线Data写入，控制信号线COM输出的控制信号由低电平变为高电平，第三晶体管M3截止。第一晶体管M1、第五晶体管M5仍截止，第二晶体管M2、及第四晶体管M4仍导通。第四晶体管M4栅极的电压Vg=Vdd+Vth+T1*(VData-Vref)/（T1+T2），其中T1为第一电容C1的容值，T2为第二电容C2的容值，VData为数据信号线Data提供的数据信号的电压值，Vref为所述数据信号线Data未写入数据信号时的提供的参考电压。第四晶体管M4源极的电压Vs等于第二直流电源OVDD提供的电压Vdd，即Vs=Vdd。

在时序周期T4阶段，第一扫描信号线输出的第一扫描信号由低电平变为高电平，第二晶体管M2截止。第二扫描信号线输出的第二扫描信号由高电平变为低电平，第五晶体管M5导通。第一晶体管M1、第三晶体管M3仍截止，第四晶体管M4仍导通。OLED经过第四晶体管M4及第五晶体管M5接收第二直流电压。由于OLED上流经的电流Ioled=K*(Vgs-Vth)，且第四晶体管M4栅极的电压Vg=Vdd+Vth+T1*(VData-Vref)/（T1+T2），第四晶体管M4源极的电压Vs=Vdd，因此流经OLED的电流Ioled=K*(Vg-Vs-Vth)=K*T1*(VData-Vref)/（T1+T2）。由上述公式可知，流经OLED的电流与第一至第五晶体管栅极与源极的偏置电压及第二直流电源OVDD及OLED的跨压均无关，从而使OLED的亮度仅由VData决定，进而使由多个OLED组成的有源矩阵有机发光二极体面板（ActiveMatrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED）的亮度更加均匀。

本发明一实施方式的有机发光显示器，包括AMOLED及多个像素驱动电路20，所述多个像素驱动电路20用于分别驱动AMOLED中对应的OLED，由于OLED的亮度与第一至第五晶体管栅极与源极的偏置电压及第二直流电源OVDD及OLED的跨压均无关，从而使OLED的亮度仅由VData决定，进而使由多个OLED组成的有源矩阵有机发光二极体面板（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED）的亮度更加均匀。

综上所述，本发明的像素驱动电路由第一至第五晶体管及二个电容组成，使流经OLED的电流与晶体管栅极与源极的偏置电压及直流电压源均无关，减少了走线及制成造成的影响，改善了面板亮度不均匀的问题。

本文中应用了具体个例对本发明的像素驱动电路及使用其的有机发光显示器的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，本发明的保护范围应以所附的权利要求为准。

Claims (8)

1.一种像素驱动电路，用于驱动有机发光二极管（organic light emittingdiode，OLED）发光，所述OLED包括阳极及阴极，所述OLED的阴极与第一直流电压源相连，其特征在于，所述像素驱动电路包括：

第一晶体管，包括与重置信号线相连的第一电极、与所述重置信号线相连的控制电极、及第二电极；

第二晶体管，包括与数据信号线相连的第一电极、与第一扫描信号线相连的控制电极、及第二电极；

第一电容，连接于所述第一晶体管的第二电极与所述第二晶体管的第二电极之间；

第二电容，连接于第二直流电源与所述第一晶体管的第二电极之间；

第三晶体管，包括通过所述第二电容与所述第二直流电源相连的第一电极、与控制信号线相连的控制电极、及第二电极；

第四晶体管，包括与所述第二直流电源相连的第一电极、与所述第三晶体管的第一电极相连的控制电极、及与所述第三晶体管的第二电极相连的第二电极；及

第五晶体管，包括与所述第四晶体管的第二电极相连的第一电极、与第二扫描信号线相连的控制电极、及与所述OLED的阳极相连的第二电极。

2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一至第五晶体管均为薄膜场效应晶体管。

3.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管为P沟道场效应晶体管，所述第一晶体管的第一电极为源极，所述第一晶体管的控制电极均为栅极，所述第一晶体管的第二电极为漏极。

4.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第二晶体管为P沟道场效应晶体管，所述第二晶体管的第一电极为源极，所述第二晶体管的控制电极均为栅极，所述第二晶体管的第二电极为漏极。

5.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第三晶体管为P沟道场效应晶体管，所述第三晶体管的第一电极为源极，所述第三晶体管的控制电极均为栅极，所述第三晶体管的第二电极为漏极。

6.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第四晶体管为P沟道场效应晶体管，所述第四晶体管的第一电极为源极，所述第四晶体管的控制电极均为栅极，所述第四晶体管的第二电极为漏极。

7.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第五晶体管为P沟道场效应晶体管，所述第五晶体管的第一电极为源极，所述第五晶体管的控制电极均为栅极，所述第五晶体管的第二电极为漏极。

8.一种有机发光显示器，其特征在于，所述有机发光显示器包括多个如权利要求1-7任一项所述的像素驱动电路。