CN103904249B - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极及阻挡层，所述阻挡层包括依次层叠的有机阻挡膜及无机阻挡膜，所述有机阻挡膜的材料选自酞菁铜、NPB、Alq3、m-MTDATA及BCP中的至少一种，所述无机阻挡膜的材料包括氧化物及混合在所述氧化物中的碳化物，所述氧化物选自MgAl2O4、Bi2Ti4O11、CrNiO4、CoCr2O4、Fe2LuO4及Y3Al5O12中的至少一种，所述碳化物选自SiC、WC、TaC、BC、TiC及HfC中的至少一种。上述有机电致发光器件的寿命较长。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制作几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。
有机电致发光器件受到湿气和潮气侵蚀后，会引起有机电致发光器件内部元件的材料发生老化进而失效，从而所述有机电致发光器件的寿命较短。
发明内容
基于此，有必要提供一种寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极及阻挡层，所述阻挡层包括依次层叠的有机阻挡膜及无机阻挡膜，所述阴极与所述有机阻挡膜直接接触；所述有机阻挡膜的材料选自酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺及4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉中的至少一种，所述无机阻挡膜的材料包括氧化物及混合在所述氧化物中的碳化物，所述氧化物选自MgAl2O4、Bi2Ti4O11、CrNiO4、CoCr2O4、Fe2LuO4及Y3Al5O12中的至少一种，所述碳化物选自SiC、WC、TaC、BC、TiC及HfC中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述无机阻挡膜中所述碳化物的质量百分含量为10％～30％。
在其中一个实施例中，所述阻挡层的层数为4～6，多个所述阻挡层依次层叠。
在其中一个实施例中，所述有机阻挡膜的厚度为200nm～300nm，所述无机阻挡膜的厚度为100nm～200nm。
在其中一个实施例中，所述发光层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及掺杂在所述1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的三(2-苯基吡啶)合铱，所述三(2-苯基吡啶)合铱的质量百分含量为5％；
所述空穴注入层的材质为MoO3按照25wt％的掺杂浓度掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中组成的掺杂混合材料；
所述空穴传输层的材质为采用4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺；
所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；
所述电子注入层的材质为CsN3按照25wt％的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在阳极基底的阳极层上依次真空蒸镀层叠形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；及
在所述阴极上形成阻挡层，所述阻挡层包括依次层叠的有机阻挡膜及无机阻挡膜，所述阴极与所述有机阻挡膜直接接触；所述有机阻挡膜的材料选自酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺及4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉中的至少一种，所述无机阻挡膜的材料包括氧化物及混合在所述氧化物中的碳化物，所述氧化物选自MgAl2O4、Bi2Ti4O11、CrNiO4、CoCr2O4、Fe2LuO4及Y3Al5O12中的至少一种，所述碳化物选自SiC、WC、TaC、BC、TiC及HfC中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述阻挡层的层数为4～6，多个所述阻挡层依次层叠。
在其中一个实施例中，所述有机阻挡膜由真空蒸镀制备，蒸镀时，真空度为1×10- 5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度
在其中一个实施例中，所述无机阻挡膜由磁控溅射制备，本底真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
在其中一个实施例中，所述有机阻挡膜的厚度为200nm～300nm，所述无机阻挡膜的厚度为100nm～200nm。
上述有机电致发光器件及其制备方法，通过制备阻挡层，有机阻挡膜与无机阻挡膜配合，致密性高，防水氧能力较强，可以有效的阻挡水气的腐蚀，从而有机电致发光器件的寿命较长。
附图说明
图1为一实施例的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施例的有机电致发光的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的具有阳极图案的阳极10、功能层20、阴极30及阻挡层40。
阳极基底10为导电玻璃，起到衬底和阳极导电作用，其中，玻璃为基底，ITO为阳极层，也可以是IZO、AZO、FTO。优选为ITO玻璃，ITO层的厚度为100nm。阳极基底10也可是IZO玻璃、AZO玻璃、FTO玻璃。
功能层20形成于基底10表面。功能层20包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。可以理解，也可根据需要设置其他功能层。
本实施方式中，空穴注入层起到注入空穴的作用，有利于空穴从阳极注入到传输材料中。空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钼(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30％。空穴注入层的厚度为10nm。
空穴传输层起传输空穴的作用，有利于空穴传输到发光材料中。空穴传输层的材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。
电子和空穴在发光层复合，然后将能量转移给发光分子发光。发光层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及掺杂在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。Ir(ppy)3的质量百分含量为5％。发光层的厚度为20nm。
电子传输层起传输电子的作用，有利于电子传输到发光材料中。电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。
电子注入层起注入电子的作用，有利于电子从阳极注入到传输材料中。电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3)。CsN3的质量百分含量为30％。电子注入层的厚度为20nm。
需要说明的是，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层也可以根据需要采用其他材料。
阴极30形成于功能层20的电子注入层表面。阴极的厚度为100nm。阴极30的材料为铝(Al)。
阻挡层40形成于阴极30表面。阻挡层40包括依次层叠的有机阻挡膜42及无机阻挡膜44；阴极与有机阻挡膜直接接触。
有机阻挡膜42形成于阴极30表面。有机阻挡膜42的材料选自酞菁铜(CuPc)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)及4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉(BCP)中的至少一种。有机阻挡膜42的厚度为200nm～300nm。
无机阻挡膜44形成于有机阻挡膜42表面。无机阻挡膜44的材料包括氧化物及混合在氧化物中的碳化物。氧化物选自MgAl2O4、Bi2Ti4O11、CrNiO4、CoCr2O4、Fe2LuO4及Y3Al5O12中的至少一种。碳化物选自SiC、WC、TaC、BC、TiC及HfC中的至少一种。碳化物的质量百分含量为10％～30％。无机阻挡膜44的厚度为100nm～200nm。
本实施方式中，阻挡层40为4层～6层。多层阻挡层40依次层叠。
上述有机电致发光器件100，通过制备阻挡层40，有机阻挡膜42提供无机阻挡膜衬底和应力缓冲作用，无机阻挡膜作为水氧阻隔层，有机阻挡膜42与无机阻挡膜44配合，致密性高，防水氧能力较强，可以有效的阻挡水气的腐蚀，从而有机电致发光器件的寿命较长。
请同时参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S110、在阳极基底10的阳极层(其材质一般为ITO、AZO、IZO、FTO，优选ITO)上依次真空蒸镀层叠形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。
功能层20包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
阳极10为导电玻璃基板。优选导电玻璃基板，其中，玻璃为基底，导电氧化物，如ITO、IZO、AZO、FTO为阳极，与玻璃组合后简称ITO玻璃、AZO玻璃、AZO玻璃、FTO玻璃；更优选为ITO玻璃，ITO层的厚度为100nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
本实施方式中，空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钼(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30％。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及掺杂在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。Ir(ppy)3的质量百分含量为5％。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3)，CsN3的质量百分含量为30％。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
需要说明的是，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层也可以根据需要采用其他材料，当然也可根据需要设置其他功能层。
步骤S120、在功能层20表面形成阴极30。
阴极30的材料为铝(Al)。阴极30的厚度为100nm。阴极30由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
步骤S130、在阴极30表面形成阻挡层40。
阻挡层40形成于阴极30表面。阻挡层40包括依次层叠的有机阻挡膜42及无机阻挡膜44。
有机阻挡膜42形成于阴极30表面。有机阻挡膜42的材料选自酞菁铜(CuPc)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)及4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉(BCP)中的至少一种。有机阻挡膜42的厚度为200nm～300nm。有机阻挡膜42由真空蒸镀制备，真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度
无机阻挡膜44形成于有机阻挡膜42表面。无机阻挡膜44的材料包括氧化物及混合在氧化物中的碳化物。氧化物选自MgAl2O4、Bi2Ti4O11、CrNiO4、CoCr2O4、Fe2LuO4及Y3Al5O12中的至少一种。碳化物选自SiC、WC、TaC、BC、TiC及HfC中的至少一种。碳化物的质量百分含量为10％～30％。无机阻挡膜44的厚度为100nm～200nm。无机阻挡膜44由磁控溅射制备，本底真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
优选的，阻挡层40为4层～6层。多层阻挡层40依次层叠。
上述有机电致发光器件的制备方法，制备工艺简单，容易大批量制备。
以下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件制备方法进行详细说明。
实施例1
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/(CuPc/MgAl2O4:SiC)6的有机电致发光器件；其中，相应层中“：”表示掺杂，括弧内百分比数据表示前者在整个层中的掺杂质量百分比，“/”表示层叠，下述各实施例类似。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极为导电玻璃基板。优选为ITO玻璃，ITO层的厚度为100nm。
阳极表面在形成功能层之前先进行预处理以去除基底表面的污染物，并进行表面活化增加阳极表面的含氧量以提高阳极表面的功函数。具体为，将阳极依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钼(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30％。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及掺杂在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。Ir(ppy)3的质量百分含量为5％。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3)，CsN3的质量百分含量为30％。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
阻挡层包括依次层叠的有机阻挡膜及无机阻挡膜。
有机阻挡膜形成于阴极表面。有机阻挡膜的材料为CuPc。有机阻挡膜的厚度为300nm。有机阻挡膜由真空蒸镀制备，真空度为1×10-5Pa，蒸发速度
无机阻挡膜形成于有机阻挡膜表面。无机阻挡膜的材料包括MgAl2O4及混合在MgAl2O4中的SiC。SiC的质量百分含量为20％。无机阻挡膜的厚度为170nm。无机阻挡膜由磁控溅射制备，本底真空度为1×10-5Pa。
阻挡层共有六层。六层阻挡层依次叠加。
实施例2
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/(NPB/Bi2Ti4O11:WC)6的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极为导电玻璃基板。优选为ITO玻璃，ITO层的厚度为100nm。
阳极表面在形成功能层之前先进行预处理以去除基底表面的污染物，并进行表面活化增加阳极表面的含氧量以提高阳极表面的功函数。具体为，将阳极依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钼(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30％。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及掺杂在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。Ir(ppy)3的质量百分含量为5％。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3)，CsN3的质量百分含量为30％。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
阻挡层包括依次层叠的有机阻挡膜及无机阻挡膜。
有机阻挡膜形成于阴极表面。有机阻挡膜的材料为NPB。有机阻挡膜的厚度为250nm。有机阻挡膜由真空蒸镀制备，真空度为5×10-5Pa，蒸发速度
无机阻挡膜形成于有机阻挡膜表面。无机阻挡膜的材料包括Bi2Ti4O11及混合在Bi2Ti4O11中的WC。WC的质量百分含量为30％。无机阻挡膜的厚度为200nm。无机阻挡膜由磁控溅射制备，本底真空度为1×10-5Pa。
阻挡层共有六层。六层阻挡层依次叠加。
实施例3
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/(Alq3/CrNiO4:TaC)6的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极为导电玻璃基板。优选为ITO玻璃，ITO层的厚度为100nm。
阳极表面在形成功能层之前先进行预处理以去除基底表面的污染物，并进行表面活化增加阳极表面的含氧量以提高阳极表面的功函数。具体为，将阳极依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钼(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30％。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及掺杂在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。Ir(ppy)3的质量百分含量为5％。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3)，CsN3的质量百分含量为30％。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
阻挡层包括依次层叠的有机阻挡膜及无机阻挡膜。
有机阻挡膜形成于阴极表面。有机阻挡膜的材料为Alq3。有机阻挡膜的厚度为200nm。有机阻挡膜由真空蒸镀制备，真空度为5×10-5Pa，蒸发速度
无机阻挡膜形成于有机阻挡膜表面。无机阻挡膜的材料包括CrNiO4及混合在CrNiO4中的TaC。TaC的质量百分含量为10％。无机阻挡膜的厚度为100nm。无机阻挡膜由磁控溅射制备，本底真空度为1×10-5Pa。
阻挡层共有六层。六层阻挡层依次叠加。
实施例4
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/(m-MTDATA/CoCr2O4:BC)5的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极为导电玻璃基板。优选为ITO玻璃，ITO层的厚度为100nm。
阳极表面在形成功能层之前先进行预处理以去除基底表面的污染物，并进行表面活化增加阳极表面的含氧量以提高阳极表面的功函数。具体为，将阳极依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钼(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30％。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及掺杂在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。Ir(ppy)3的质量百分含量为5％。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3)，CsN3的质量百分含量为30％。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
阻挡层包括依次层叠的有机阻挡膜及无机阻挡膜。
有机阻挡膜形成于阴极表面。有机阻挡膜的材料为m-MTDATA。有机阻挡膜的厚度为250nm。有机阻挡膜由真空蒸镀制备，真空度为5×10-5Pa，蒸发速度
无机阻挡膜形成于有机阻挡膜表面。无机阻挡膜的材料包括CoCr2O4及混合在CoCr2O4中的BC。BC的质量百分含量为20％。无机阻挡膜的厚度为170nm。无机阻挡膜由磁控溅射制备，本底真空度为5×10-5Pa。
阻挡层共有五层。五层阻挡层依次叠加。
实施例5
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/(BCP/Fe2LuO4:TiC)5的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极为导电玻璃基板。优选为ITO玻璃，ITO层的厚度为100nm。
阳极表面在形成功能层之前先进行预处理以去除基底表面的污染物，并进行表面活化增加阳极表面的含氧量以提高阳极表面的功函数。具体为，将阳极依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钼(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30％。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及掺杂在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。Ir(ppy)3的质量百分含量为5％。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3)，CsN3的质量百分含量为30％。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
阻挡层包括依次层叠的有机阻挡膜及无机阻挡膜。
有机阻挡膜形成于阴极表面。有机阻挡膜的材料为BCP。有机阻挡膜的厚度为250nm。有机阻挡膜由真空蒸镀制备，真空度为5×10-5Pa，蒸发速度
无机阻挡膜形成于有机阻挡膜表面。无机阻挡膜的材料包括Fe2LuO4及混合在Fe2LuO4中的TiC。TiC的质量百分含量为20％。无机阻挡膜的厚度为160nm。无机阻挡膜由磁控溅射制备，本底真空度为5×10-5Pa。
阻挡层共有五层。五层阻挡层依次叠加。
实施例6
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/(CuPc/Y3Al5O12:HfC)4的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极为导电玻璃基板。优选为ITO玻璃，ITO层的厚度为100nm。
阳极表面在形成功能层之前先进行预处理以去除基底表面的污染物，并进行表面活化增加阳极表面的含氧量以提高阳极表面的功函数。具体为，将阳极依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钼(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30％。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及掺杂在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。Ir(ppy)3的质量百分含量为5％。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3)，CsN3的质量百分含量为30％。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
阻挡层包括依次层叠的有机阻挡膜及无机阻挡膜。
有机阻挡膜形成于阴极表面。有机阻挡膜的材料为CuPc。有机阻挡膜的厚度为250nm。有机阻挡膜由真空蒸镀制备，真空度为1×10-3Pa，蒸发速度
无机阻挡膜形成于有机阻挡膜表面。无机阻挡膜的材料包括Fe2LuO4及混合在Y3Al5O12中的HfC。HfC的质量百分含量为20％。无机阻挡膜的厚度为150nm。无机阻挡膜由磁控溅射制备，本底真空度为1×10-3Pa。
阻挡层共有四层。四层阻挡层依次叠加。
对比例
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/(CuPc)4的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极为导电玻璃基板。优选为ITO玻璃，ITO层的厚度为100nm。
阳极表面在形成功能层之前先进行预处理以去除基底表面的污染物，并进行表面活化增加阳极表面的含氧量以提高阳极表面的功函数。具体为，将阳极依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钼(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30％。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层的材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)及掺杂在TPBI中的三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。Ir(ppy)3的质量百分含量为5％。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3)，CsN3的质量百分含量为30％。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
阻挡层为依次层叠的有机阻挡膜。
有机阻挡膜形成于阴极表面。有机阻挡膜的材料为CuPc。有机阻挡膜的厚度为250nm。有机阻挡膜由真空蒸镀制备，真空度为1×10-3Pa，蒸发速度
阻挡层共有四层。四层阻挡层依次叠加。
本发明实施例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司)、美国海洋光学OceanOptics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱、美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能、日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
请参阅表1，表1所示为实施例1～实施例6的有机电致发光器件的水气穿透率(WaterVaporTransmissionRate)的测试结果。从表1中可以看出实施例1～实施例6制备的有机电致发光器件的水气穿透率均小于5.4×10-4g/m2/day，防水效果较好，可以有效减少外部水气对有机电致发光器件的侵蚀，从而提高有机电致发光器件的寿命。
表1
WVTR(g/m2/day)
实施例1 3.4×10-4
实施例2 3.8×10-4
实施例3 4.1×10-4
实施例4 4.3×10-4
实施例5 4.7×10-4
实施例6 5.4×10-4
对比例 6.3×10-1
请参阅表2，表2所示为实施例1～实施例6制备的有机电致发光器件在初始亮度为1000cd/m2的条件下的寿命(亮度降低到初始亮度的70％所用的时间)。
表2
从表2可以看出，实施例1～实施例6制备的有机电致发光器件的起始亮度为1000cd/m2时，寿命达到5976小时以上，寿命较长。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于：包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极及阻挡层，所述阻挡层包括依次层叠的有机阻挡膜及无机阻挡膜，所述阴极与所述有机阻挡膜直接接触；
所述有机阻挡膜的材料选自酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺及4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉中的至少一种，
所述无机阻挡膜的材料包括氧化物及混合在所述氧化物中的碳化物，所述氧化物选自MgAl2O4、Bi2Ti4O11、CrNiO4、CoCr2O4、Fe2LuO4及Y3Al5O12中的至少一种，所述碳化物选自SiC、WC、TaC、BC、TiC及HfC中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述无机阻挡膜中所述碳化物的质量百分含量为10%~30%。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述阻挡层的层数为4~6层，多个所述阻挡层依次层叠。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述有机阻挡膜的厚度为200nm~300nm，所述无机阻挡膜的厚度为100nm~200nm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述发光层的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及掺杂在所述1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的三（2-苯基吡啶）合铱，所述三（2-苯基吡啶）合铱的质量百分含量为5%;
所述空穴注入层的材质为MoO3按照25wt%的掺杂浓度掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中组成的掺杂混合材料；
所述空穴传输层的材质为采用4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；
所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；
所述电子注入层的材质为CsN3按照25wt%的掺杂浓度掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中组成的混合材料。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在阳极基底的阳极层上依次真空蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；及
在所述阴极上形成阻挡层，所述阻挡层包括依次层叠的有机阻挡膜及无机阻挡膜，所述阴极与所述有机阻挡膜直接接触；其中，所述有机阻挡膜的材料选自酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺及4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉中的至少一种，所述无机阻挡膜的材料包括氧化物及混合在所述氧化物中的碳化物，所述氧化物选自MgAl2O4、Bi2Ti4O11、CrNiO4、CoCr2O4、Fe2LuO4及Y3Al5O12中的至少一种，所述碳化物选自SiC、WC、TaC、BC、TiC及HfC中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述阻挡层的层数为4~6，多个所述阻挡层依次层叠。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述有机阻挡膜由真空蒸镀制备，蒸镀时，真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述无机阻挡膜由磁控溅射制备，本底真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述有机阻挡膜的厚度为200nm~300nm，所述无机阻挡膜的厚度为100nm~200nm。
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