CN103887197A - 一种量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，通过采用可穿透待测键合器件结构的光线照射待测键合器件结构，以在沿光线入射方向上非键合区域对应的位置处产生牛顿环，然后利用光学测量显微镜量测牛顿环在与光线入射方向垂直的方向上的宽度，进而获得非键合区域在垂直于光线入射方向上的宽度；该方法采用牛顿环原理来实现键合器件结构上非键合区域尺寸的测量，可以获得精确的测量结果，且在测量过程中，对作为样品的待测键合器件结构不会造成任何损坏，从而节约了生产成本，且该方法可以应用于单片厚度为0-775μm的晶圆、芯片或者其他的硅衬底通过键合工艺所形成的键合器件结构中，并支持衬底掺杂，应用范围广，实用性强。

Description

一种量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法。
背景技术
目前，晶圆键合技术在半导体集成制造中的应用日益广泛，因此对晶圆键合技术中的非键合区域尺寸的探测就显得尤为重要，并因而成为一项重要的课题。目前常用的方法是利用超声波显微镜（SAM）的声学特性来探测键合晶圆中的非键合区域的尺寸，利用超声波显微镜（SAM）的声学特性来探测非键合区域的尺寸，其精确度较低，并且对于样品边缘的非键合区域的检测，其使用的水介质会对量测隙缝间距带来影响，并不能最真实的反应非键合区域的尺寸，且该探测的过程会对待测键合晶圆的样品造成一定的损坏，从而造成材料的浪费。
因此，如何提高非键合区域尺寸的测量精确度，且在探测键合晶圆非键合区域尺寸的同时对待测键合晶圆的样品不会造成损害成为本领域技术人员致力研究的方向。
中国专利（CN1534273A）公开了一种对准键合精度检测系统，包括：一显微镜，一螺旋游标测量目镜，一CCD摄像机，一图像显示器，一红外光源，所述螺旋游标测量目镜连接在所述显微镜的垂直目镜的接口上，所述CCD摄像机连接在所述螺旋游标测量目镜上，所述图像显示器通过视频电缆与所述CCD摄像机连接，所述红外光源设置在所述显微镜的承片台下方。该发明利用在近红外区硅片具有较好的红外通过能力，CCD摄像机对红外光具有较好的成像质量，以及螺旋游标测量目镜对键合误差具有较精确的测量效果等特点，将其与显微镜结合成一体，为微电子机械系统(MEMS)加工技术提供了一种有效的测量手段。它可以广泛用于各种硅MEMS器件加工工艺过程的质量监控中，还可以作为可见光黑白图像的摄像测量显微镜使用。
中国专利（CN10749346A）公开了一种硅/硅键合质量测试仪。硅/硅直接键合技术广泛地应用于SOI(在绝缘层上的硅)材料的制造、不同材料之间的连接及体硅微机械传感器与执行器的制造。硅片键合界面空洞的检测是关键技术之一。该实用新型采用普通CCD摄像仪,普通光源，配以可变焦镜头，观测硅/硅直接键合样品，图像清晰，简单实用，成本较低。
上述两件专利均未解决现有技术中晶圆非键合区域尺寸的测量精确度较差，且在探测晶圆非键合区域尺寸的同时会对待测键合晶圆的样品造成损害的问题。
发明内容
鉴于上述问题，本发明提供一种通过可穿透待测键合器件结构的光源照射待测键合器件结构产生的牛顿环得到待测键合器件结构的非键合区域尺寸的方法，解决了现有技术中待测键合器件结构上非键合区域尺寸的测量精确度较差，且在探测晶圆非键合区域尺寸的同时会对待测键合器件结构造成损害的问题。
本发明解决技术问题所采用的技术方案为：
本发明提供了一种量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，包括如下步骤：
提供一具有非键合区域的待测键合器件结构；
采用一光源照射所述待测键合器件结构，以在沿所述光源照射方向上所述非键合区域对应的位置处产生牛顿环；
通过量测所述牛顿环在与所述光源照射方向垂直的方向上的宽度，进而获得所述非键合区域在垂直于所述光源照射方向上的宽度。
上述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其中，所述待测键合器件结构的衬底为晶圆或芯片。
上述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其中，所述光源发出的光线穿透所述待测键合器件结构后产生所述牛顿环。
上述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其中，所述光源为红外光源。
上述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其中，采用所述红外光源发出的单色红外光线垂直照射所述待测键合器件结构，以在沿竖直方向上所述非键合区域对应的位置处产生牛顿环。
上述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其中，若所述非键合区域为位于所述待测键合器件结构上的密封的非键合区域，所述牛顿环为完整的牛顿环。
上述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其中，若所述非键合区域为位于所述待测键合器件结构上的非密封的非键合区域，所述牛顿环为不完整的牛顿环。
上述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其中，所述待测键合器件结构中单个器件结构的厚度小于或等于775μm。
上述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其中，通过显微镜量测所述牛顿环在与所述光源照射方向垂直的方向上的宽度，进而获得所述非键合区域在垂直于所述光源照射方向上的宽度。
上述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其中，所述显微镜为光学测量显微镜。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：
综上所述，本发明公开的一种量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，通过采用能产生可穿透待测键合器件结构的光线的光源照射待测键合器件结构，以在沿光源照射方向上非键合区域对应的位置处产生牛顿环，然后利用一光学测量显微镜量测牛顿环在与光源照射方向垂直的方向上的宽度，进而获得非键合区域在垂直于光线入射方向上的宽度，该方法采用了光学牛顿环原理来实现待测键合器件结构上非键合区域尺寸的测量，可以获得精确的测量结果，且在测量过程中，对作为样品的待测键合器件结构不会造成任何损坏，从而节约了生产成本，且该方法可以应用于单片厚度为0-775μm的晶圆、芯片或者其他的硅衬底通过键合工艺所形成的键合器件结构中，并支持衬底掺杂，应用范围广，实用性强。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1是本发明实施例中量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法的流程示意图；
图2是本发明实施例中具有非键合区域的待测键合器件结构的剖面示意图；
图3是本发明实施例中量测键合器件结构上非键合区域尺寸的原理示意图；
图4是本发明实施例中通过光学测量显微镜测量牛顿环的宽度获得位于待测键合器件结构边缘的非键合区域尺寸的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。
图1是本发明实施例中量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法的流程示意图，如图1所示：
本实施例涉及一种量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，该方法包括如下步骤：
步骤S1，提供一具有至少一个非键合区域的待测键合器件结构。
图2是本发明方法实施例中具有非键合区域的待测键合器件结构的剖面示意图；如图2所示，该待测键合器件结构的衬底为晶圆，即图2为晶圆1和晶圆2通过晶圆键合技术键合在一起形成的键合晶圆，此外，该待测键合器件结构的衬底还可以为芯片，即该键合器件结构还可以为两个芯片通过芯片键合技术键合在一起形成的键合芯片，或者其他以硅为衬底的键合，且支持衬底掺杂，且该待测键合器件结构中单个器件结构的厚度小于或等于775μm，即图2中待测键合晶圆中单片晶圆的厚度小于或等于775μm；在本发明的实施例中，晶圆1和晶圆2形成的待测键合晶圆中具有2个非键合区域，分别为位于待测键合晶圆上的密封的非键合区域，即第一非键合区域11，以及位于待测键合晶圆上的非密封的非键合区域，即第二非键合区域12。
其中，键合晶圆或者其他键合器件结构具有的非键合区域是指键合晶圆或者其他键合器件结构中的空隙，即键合不严密的区域形成的空气薄膜，也可以视为键合缺陷。当然，待测键合器件结构还可以只具有一个非键合区域，该一个非键合区域可以是位于待测键合器件结构内部的密封的空气薄膜，或者是位于待测键合器件结构边缘的非密封的空气薄膜；该待测键合器件结构也可以包括两个或两个以上的非键合区域，即N个位于待测键合器件结构内部的非键合区域和/或M个位于待测器件结构边缘的非键合区域，其中，M和N的值均为正整数，无论是哪种情况，均可以运用本发明提供的方法进行非键合区域尺寸的量测。
在本发明的实施例中，晶圆1和晶圆2的位置可以互换，待测键合晶圆上的非键合区域11和非键合区域12的形状、大小也可以为其他形状和尺寸，另外，该非键合区域1和非键合区域2也可以为凹入晶圆1的非键合区域，均可以采用本发明的方法进行测量，其区别仅仅在于形成的牛顿环的不同，例如牛顿环的大小和形状或者条纹间距的不同。
步骤S2，采用一光源照射上述待测键合器件结构，以在沿光源照射方向上非键合区域对应的位置处产生牛顿环，且光源发出的光线能穿透所述待测键合器件结构后产生所述牛顿环。
优选的，该光源垂直照射上述待测键合器件结构，以在沿竖直方向上所述非键合区域对应的位置处产生牛顿环。
图3是本发明方法实施例中量测键合器件结构上非键合区域尺寸的原理示意图；如图3所示，在本发明的实施例中该光源为红外光源，且该红外光源发出单色红外光线，即采用红外光源发出的单色红外光线垂直照射图2中的待测键合器件结构以在沿红外光源照射方向上即竖直方向上非键合区域对应的位置处产生牛顿环。位于待测键合晶圆内部的非键合区域11由于单色红外光线的垂直照射产生的牛顿环为图3中的完整牛顿环，对应非键合区域11产生的牛顿环位于非键合区域11沿竖直方向（即单色红外光线的入射方向）上的对应位置；位于待测键合晶圆边缘的非键合区域12由于单色红外光线的垂直照射产生的牛顿环为图3中的不完整牛顿环，对应非键合区域12产生的牛顿环位于非键合区域12沿竖直方向（即单色红外光线的入射方向）上的对应位置。
上述产生牛顿环的原理为：待测键合晶圆内的非键合区域即为空气薄膜，当单色红外光线穿透晶圆1射入非键合区域（即空气薄膜）时，空气薄膜的上表面透射/折射的光线和空气薄膜的下表面透射/折射的光线发生干涉，从而形成明暗相间的条纹，这些条纹构成牛顿环，如图3所示，空气薄膜越厚的地方产生的牛顿环中的条纹本身的间距（即条纹的宽度）越小，空气薄膜越薄的地方产生的牛顿环中的条纹本身的间距越大，在本发明的实施例中，采用的是单色红外光线，所以会产生具有明暗相间的条纹的牛顿环，此外，也可以采用能穿透该待测键合器件结构的其他单色光线或者复色光线照射该待测键合器件结构，以在沿光源照射方向上非键合区域对应的位置处产生牛顿环，其区别仅仅在于产生的牛顿环的条纹色彩的不同，不影响量测的结果。
步骤S3，通过量测上述牛顿环在与光源照射方向垂直的方向上的宽度，进而获得非键合区域在垂直于光源照射方向上的宽度。
优选的，采用显微镜量测上述牛顿环在与光源照射方向垂直的方向上的宽度；且该显微镜为光学测量显微镜，且该牛顿环在与光源照射方向垂直的方向上的宽度即为相应的非键合区域在垂直于光源照射方向上的宽度。
下面通过一实施例说明通过测量牛顿环的宽度获得待测键合晶圆上的非键合区域尺寸的测量结果，例如，本实施例所采用的对象为单片晶圆的厚度为775μm的待测键合晶圆，且该非键合区域位于该待测键合晶圆的边缘。
牛顿环在光学测量显微镜下经过若干倍放大后的图像如图4所示，其中，W/C为待测键合晶圆的中心位置方向，W/E为待测键合晶圆的边缘位置方向；调节光学测量显微镜的测量角度，使得光学显微镜测量的0点位置（原点位置）对准不在牛顿环上面的图像，也可以使得该0点位置对准牛顿环的一个边界位置，如图4所示，该光学显微镜测量的0点位置对准不在牛顿环上面的图像，然后找出该待测键合晶圆中位于边缘的非键合区域所成的牛顿环靠近0点位置的边界，测量出其距离0点位置的长度为X1，另外，再找出该牛顿环远离0点位置的边界，测量出其距离0点位置的长度为X2，则该牛顿环的宽度即为X2-X1，在本实施例中X2-X1=12mm，而牛顿环在与光源照射方向垂直的方向上的宽度，即为与该牛顿环相应的非键合区域在垂直于该光源照射方向上的宽度，本实施例中，光线是垂直入射到待测键合晶圆，即位于上述待测键合晶圆边缘处的非键合区域在水平方向上的长度为12mm。
综上所述，本发明公开的一种量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，通过采用能产生可穿透待测键合器件结构的光线的光源照射具有非键合区域的待测键合器件结构，以在沿光源照射方向上非键合区域对应的位置处产生牛顿环，然后利用一光学测量显微镜量测牛顿环在与光源照射方向垂直的方向上的宽度，进而获得非键合区域在垂直于光线入射方向上的宽度，该方法采用了光学牛顿环原理来实现待测键合器件结构上非键合区域尺寸的测量，可以获得精确的测量结果，且在测量过程中，对作为样品的待测键合器件结构不会造成任何损坏，从而节约了生产成本，且该方法可以应用于单片厚度为0-775μm的晶圆、芯片或者其他的硅衬底通过键合工艺所形成的键合器件结构中，并支持衬底掺杂，应用范围广，实用性强。
本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例，在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一具有非键合区域的待测键合器件结构；
采用一光源照射所述待测键合器件结构，以在沿所述光源照射方向上所述非键合区域对应的位置处产生牛顿环；
通过量测所述牛顿环在与所述光源照射方向垂直的方向上的宽度，进而获得所述非键合区域在垂直于所述光源照射方向上的宽度。
2.如权利要求1所述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其特征在于，所述待测键合器件结构的衬底为晶圆或芯片。
3.如权利要求1所述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其特征在于，所述光源发出的光线穿透所述待测键合器件结构后产生所述牛顿环。
4.如权利要求1所述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其特征在于，所述光源为红外光源。
5.如权利要求4所述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其特征在于，所述方法还包括：
采用所述红外光源发出的单色红外光线垂直照射所述待测键合器件结构，以在沿竖直方向上所述非键合区域对应的位置处产生牛顿环。
6.如权利要求1所述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其特征在于，若所述非键合区域为位于所述待测键合器件结构上的密封的非键合区域，所述牛顿环为完整的牛顿环。
7.如权利要求1所述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其特征在于，若所述非键合区域为位于所述待测键合器件结构上的非密封的非键合区域，所述牛顿环为不完整的牛顿环。
8.如权利要求1所述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其特征在于，所述待测键合器件结构中单个器件结构的厚度小于或等于775μm。
9.如权利要求1所述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其特征在于，所述方法还包括：
通过显微镜量测所述牛顿环在与所述光源照射方向垂直的方向上的宽度，进而获得所述非键合区域在垂直于所述光源照射方向上的宽度。
10.如权利要求9所述的量测键合器件结构上非键合区域尺寸的方法，其特征在于，所述显微镜为光学测量显微镜。
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