CN103869540A - 一种取向层形成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种取向层形成方法，应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层进行脉冲轰击，以在所述有机高分子层上形成凹槽；将包含所述凹槽的所述有机高分子层作为取向层。本发明的取向层形成技术应用了脉冲轰击，提高了取向层上凹槽的形成速度，并且取向层上不会产生碎屑、杂质等残留物，因此能够有效避免取向层不清洁以及受损等情况的发生，进而显著提高了取向层的产品质量，也使得最终制造出的液晶显示器的质量得到明显提高。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器制造技术，具体涉及一种取向层形成方法。
背景技术
在制造液晶显示器的过程中需要形成取向层，传统的取向层形成方式是对基板上的PI类树脂等有机高分子层进行摩擦工艺处理，以使所述有机高分子层上形成能够使液晶按照特定方向规则排列的凹槽，最终将具有所述凹槽的有机高分子层作为取向层。但上述的摩擦工艺是通过摩擦辊向基板施加外界作用力实现的，因此摩擦辊上的摩擦布绒毛容易残留在基板上，并且容易产生摩擦静电、取向层刮蹭等不良现象。
可见，传统的取向层形成方式极易导致取向层不清洁或受损，使得取向层的产品质量较低，进而影响取向层与液晶的相互作用，使得液晶不能够按照特定的方向规则排列，影响最终制造出的液晶显示器的质量。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种取向层形成方法，尽量避免取向层不清洁以及受损等情况的发生，提高取向层的产品质量。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种取向层形成方法，该方法包括：
应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层进行脉冲轰击，以在所述有机高分子层上形成凹槽；将包含所述凹槽的所述有机高分子层作为取向层。
所述超高速脉冲激光器为飞秒脉冲激光器。
所述有机高分子层为PI层。
所述应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层进行脉冲轰击的方法为：
应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层的表面进行脉冲轰击。
进行所述脉冲轰击之前，该方法还包括：
在所述基板上形成所述有机高分子层，并对该有机高分子层进行预固化与固化。
所述超高速脉冲激光器与基板的表面距离12～30cm。
本发明的取向层形成技术应用了脉冲轰击，提高了取向层上凹槽的形成速度，并且取向层上不会产生碎屑、杂质等残留物，因此能够有效避免取向层不清洁以及受损等情况的发生，进而显著提高了取向层的产品质量，也使得最终制造出的液晶显示器的质量得到明显提高。
附图说明
图1为本发明实施例的取向层形成原理示意图；
图2为本发明实施例的取向层形成流程简图；
附图标记说明：
1、基板；2、有机高分子层；3、超高速脉冲激光器；4、凹槽；5、取向层。
具体实施方式
在实际应用中，可以如图1所示，先在基板1上形成PI类树脂等有机高分子层2，并对有机高分子层2进行预固化与固化。
之后，应用超高速脉冲激光器3对有机高分子层2的表面进行脉冲轰击，以在有机高分子层2上形成凹槽4，这样就可以将包含凹槽4的有机高分子层2作为取向层5使用。
需要说明的是，有机高分子层2上被超高速脉冲激光器3轰击到的有机高分子材料会被直接气化，再加上超高速脉冲激光器3的每次脉冲轰击时间非常短，因此凹槽4的形成速度非常快，并且在取向层5上不会产生碎屑、杂质等残留物。另外，由于高速脉冲激光器3的每次脉冲能量相同，因此各个凹槽4具有很好的均一性。
结合以上描述可见，本发明形成取向层的操作思路可以表示如图2所示的流程，该流程包括以下步骤：
步骤210：应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层(如：PI层)进行脉冲轰击，以在所述有机高分子层上形成凹槽；
步骤220：将包含所述凹槽的所述有机高分子层作为取向层。
所述超高速脉冲激光器可以为飞秒脉冲激光器等，只要能够尽量保证在轰击后不在取向层上产生残留物，并且能够保证取向层上的各个凹槽具有较好的均一性即可。另外，应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层进行脉冲轰击时，超高速脉冲激光器可以与基板的表面距离12～30cm，超高速脉冲激光器与基板表面之间的角度取决于液晶分子的预倾角，轰击时长则可以取决于基板的大小。并且，在对基板的表面进行轰击时，可以采用惰性气体进行保护。
综上所述可见，本发明的取向层形成技术应用了脉冲轰击，提高了取向层上凹槽的形成速度，并且取向层上不会产生碎屑、杂质等残留物，因此能够有效避免取向层不清洁以及受损等情况的发生，进而显著提高了取向层的产品质量，也使得最终制造出的液晶显示器的质量得到明显提高。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种取向层形成方法，其特征在于，该方法包括：
应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层进行脉冲轰击，以在所述有机高分子层上形成凹槽；将包含所述凹槽的所述有机高分子层作为取向层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超高速脉冲激光器为飞秒脉冲激光器。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机高分子层为PI层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层进行脉冲轰击的方法为：
应用超高速脉冲激光器对基板上的有机高分子层的表面进行脉冲轰击。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行所述脉冲轰击之前，该方法还包括：
在所述基板上形成所述有机高分子层，并对该有机高分子层进行预固化与固化。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超高速脉冲激光器与基板的表面距离12～30cm。
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