KR101262173B1 - 전도성 필름 패터닝 방법 및 가요성 표시장치 제조 방법 - Google Patents

전도성 필름 패터닝 방법 및 가요성 표시장치 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101262173B1
KR101262173B1 KR1020110027714A KR20110027714A KR101262173B1 KR 101262173 B1 KR101262173 B1 KR 101262173B1 KR 1020110027714 A KR1020110027714 A KR 1020110027714A KR 20110027714 A KR20110027714 A KR 20110027714A KR 101262173 B1 KR101262173 B1 KR 101262173B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser
conductive film
ultra
patterning
flexible member
Prior art date
Application number
KR1020110027714A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110109957A (ko
Inventor
손익부
노영철
김영섭
Original Assignee
광주과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 광주과학기술원 filed Critical 광주과학기술원
Publication of KR20110109957A publication Critical patent/KR20110109957A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101262173B1 publication Critical patent/KR101262173B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
    • C01G15/003—Preparation involving a liquid-liquid extraction, an adsorption or an ion-exchange
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G19/00—Compounds of tin
    • C01G19/003—Preparation involving a liquid-liquid extraction, an adsorption or an ion-exchange
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

본 발명은 레이저를 이용한 가요성 부재 상의 전도성 필름의 패터닝 방법과, 가요성 표시장치의 제조 방법과, 가요성 표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 극초단 펄스 레이저를 이용하여 가요성 부재에는 손상을 주지 않고 전도성 필름을 패터닝 하는 방법과, 이와 같은 전도성 필름 패터닝 방법을 이용한 가요성 표시장치 제조 방법과, 이와 같은 가요성 표시장치 제조 방법을 이용해 제조된 가요성 표시장치에 관한 것이다.

Description

전도성 필름 패터닝 방법 및 가요성 표시장치 제조 방법{CONDUCTIVE FILM PATTERNING METHOD, AND FABRICATING METHOD OF FLEXIBLE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 레이저를 이용한 가요성 부재 상의 전도성 필름의 패터닝 방법과, 가요성 표시장치의 제조 방법과, 가요성 표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 극초단 펄스 레이저를 이용하여 가요성 부재에는 손상을 주지 않고 필름을 패터닝 하는 방법과, 이와 같은 전도성 필름 패터닝 방법을 이용한 가요성 표시장치 제조 방법과, 이와 같은 가요성 표시장치 제조 방법을 이용해 제조된 가요성 표시장치에 관한 것이다.
기존에는 유리 기판을 기초로 한 유연성이 없는 표시장치의 개발이 왕성했지만, 최근에는 플라스틱 기판을 기초로 하여 구부릴 수 있는 가요성 표시장치의 개발이 활발해지고 있다.
가요성 표시장치는 플라스틱 기판을 사용함으로써 생산 과정에서 인쇄법을 채택하게 됐고, 궁극적으로는 롤 투 롤(roll to roll) 제조 공법의 적용이 가능해져서 생산 비용을 낮출 수 있고 높은 생산성을 기대할 수 있다는 장점이 있다.
따라서, 최근에는 전 세계적으로 대표적인 기업체들에 의해서 가요성 유기전계발광 표시장치(OLED), 가요성 액정 표시장치(LCD) 및 가요성 전기영동 표시장치(EPD) 등의 개발이 활발히 진행되고 있다.
그리고, ITO(Indium Tin Oxide) 필름은 높은 전도성을 가지고 가시광이나 적외선 영역에서 매우 우수한 투명도를 가지고 있어 표시장치, 광전지 소자 및 다양한 광산업 분야에 투명 전극으로써 폭넓게 활용되고 있다.
상기와 같은 ITO 필름이 가요성 표시장치의 투명전극으로 사용되는 경우에는 ITO 필름을 패터닝하는데 있어서 레이저를 이용한 패터닝 방법이 주로 이용되고 있는데, 이와 같이 레이저를 이용하여 ITO 필름을 패터닝할 시에는 ITO 필름만을 정확히 패터닝하는 것이 바람직하지만 레이저가 플라스틱 기판에 흡수되어 플라스틱 기판이 손상되는 등의 문제가 발생하여 왔다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 플라스틱으로의 흡수도가 낮은 IR 파장의 고반복률 극초단 펄스 레이저를 사용함으로써 플라스틱 기판에 손상을 주지 않을 수 있고 ITO 필름에 대하여 고속으로 고정밀 패터닝을 수행할 수 있는 ITO 필름을 패터닝하는 방법과, 이와 같은 ITO 필름 패터닝 방법을 이용한 가요성 표시장치 제조 방법과, 이와 같은 가요성 표시장치 제조 방법을 이용하여 제조된 가요성 표시장치를 제공하는데 있다.
더 나아가, 본 발명은 플라스틱으로의 흡수도가 낮은 IR 파장의 고반복률 극초단 펄스 레이저를 사용하여 탄소나노튜브 필름 또는 산화물-금속-산화물 적층 필름 또는 그래핀(graphene) 필름에 대하여 고속으로 고정밀 패터닝을 수행할 수 있는 필름 패터닝 방법과, 이와 같은 필름 패터닝 방법을 이용한 가요성 표시 장치 제조 방법과, 이와 같은 가요성 표시장치 제조 방법을 이용하여 제조된 가요성 표시장치를 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전도성 필름 패터닝 방법은, 일면에 전도성 필름이 형성된 가요성 부재를 레이저 시스템의 위치 이동부 상에 안착시키는 단계; 상기 레이저 시스템을 이용해 극초단 펄스 레이저를 발생시키는 단계; 및 상기 위치 이동부와 극초단 펄스 레이저의 상대적인 이동을 수행하면서 상기 극초단 펄스 레이저를 상기 전도성 필름에 조사하여 전도성 필름 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 전도성 필름은 인듐틴옥사이드, 탄소나노튜브, 산화물-금속-산화물, 그래핀 중에 선택된 어느 하나로 이루어진 층이다.
그리고, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가요성 표시장치 제조 방법은, 다수의 화소가 정의된 가요성 부재를 준비하는 단계; 상기 가요성 부재 상에 전도성 필름을 형성하는 단계; 상기 가요성 부재를 레이저 시스템의 위치 이동부 상에 안착시키는 단계; 상기 레이저 시스템을 이용해 극초단 펄스 레이저를 발생시키는 단계; 및 상기 위치 이동부와 극초단 펄스 레이저의 상대적인 이동을 수행하면서 상기 극초단 펄스 레이저를 상기 전도성 필름에 조사하여 패터닝함으로써 가요성 부재 상의 각 화소에 투명전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 전도성 필름은 인듐틴옥사이드, 탄소나노튜브, 산화물-금속-산화물, 그래핀 중에 선택된 어느 하나로 이루어진 층이다.
그리고, 본 발명에 따른 가요성 표시장치는, 다수의 화소가 정의된 가요성 부재; 및 상기 가요성 부재의 각 화소마다 형성되어 화소를 구동하며, 인듐틴옥사이드, 탄소나노튜브, 산화물-금속-산화물, 그래핀 중에 하나를 재료로 하여 형성된 투명전극; 을 포함하여 구성되며, 상기 투명전극은 레이저를 이용하여 패터닝된 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 전도성 필름 패터닝 방법은, 플라스틱 기판 상의 전도성 필름을 적외선 파장 영역의 고반복률 극초단 펄스 레이저를 이용하여 효율적으로 패터닝 할 수 있는 장점이 있으며, 플라스틱 물질에 흡수도가 낮은 적외선 영역대의 파장을 사용함으로써 플라스틱 기판에 손상을 주지 않고 전도성 필름만을 깨끗하게 가공할 수 있는 장점이 있으며, 100[kHz]의 높은 반복률을 가지기 때문에 5[m/s] 이상의 고속 고정밀 패터닝이 가능하여 실제 산업체 적용이 가능한 장점이 있다.
그리고, 상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 가요성 표시장치 제조 방법은, 플라스틱 기판 상의 전도성 필름을 적외선 파장 영역의 고반복률 극초단 펄스 레이저를 이용하여 효율적으로 패터닝할 수 있는 장점이 있으며, 플라스틱 물질에 흡수도가 낮은 적외선 영역대의 파장을 사용함으로써 플라스틱 기판에 손상을 주지 않고 전도성 필름만을 깨끗하게 가공할 수 있는 장점이 있으며, 100[kHz]의 높은 반복률을 가지기 때문에 5[m/s] 이상의 고속 고정밀 패터닝이 가능하여 실제 산업체 적용이 가능한 장점이 있다.
그리고, 상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 가요성 표시장치는 투명전극을 대기압, 상온에서 화소 전극을 형성함으로써 기존의 진공, 고온, 고압 공정을 대체하는 신규 공정을 가능하게 하며, 더욱이 롤투롤(Roll to Roll) 공정의 진행을 가능하게 함으로써 생산성 향상과 원가 절감을 통해 제품의 경쟁력을 향상할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전도성 필름 패터닝 방법 및 가요성 표시장치 제조 방법을 수행하는데 이용되는 레이저 시스템의 일 예를 도시한 개념도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전도성 필름 패터닝 방법을 설명하기 위한 플로우 차트.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가요성 표시장치 제조 방법을 설명하기 위한 플로우 차트.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가요성 표시장치의 일 예를 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 극초단 펄스 레이저를 이용하여 패터닝한 플라스틱 기판 상의 플렉시블 ITO 필름의 광학 현미경 및 공초점 현미경 측정사진.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 극초단 펄스 레이저의 다양한 펄스 에너지에서 가공한 ITO 필름의 현미경 측정 사진.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 극초단 펄스 레이저의 다양한 스캔 속도에서 가공한 ITO 필름의 현미경 측정 사진.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 극초단 펄스 레이저를 이용하여 가공한 그래핀 필름의 현미경 측정 사진으로서, 더욱 상세히는 빔 쉐이퍼(beam shaper)를 사용하지 않는 레이저 시스템의 위치 이동부를 원하는 형태로 이동시키면서 패터닝한 그래핀 필름의 현미경 측정 사진.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 극초단 펄스 레이저를 이용하여 가공한 그래핀 필름의 현미경 측정 사진으로서, 더욱 상세히는 빔 쉐이퍼(beam shaper)를 사용하는 레이저 시스템의 위치 이동부를 원하는 형태로 이동시키면서 패터닝한 그래핀 필름의 현미경 측정 사진.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 극초단 펄스 레이저를 이용하여 가공한 그래핀 필름의 현미경 측정 사진으로서, 더욱 상세히는 빔 쉐이퍼(beam shaper)를 사용하지 않는 레이저 시스템의 레이저 빔을 원하는 형태로 스캐너를 사용하여 조사하면서 패터닝한 그래핀 필름의 현미경 측정 사진.
도 11은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 극초단 펄스 레이저를 이용하여 가공한 그래핀 필름의 현미경 측정 사진으로서, 더욱 상세히는 빔 쉐이퍼(beam shaper)를 사용하는 레이저 시스템의 레이저 빔을 원하는 형태로 스캐너를 사용하여 조사하면서 패터닝한 그래핀 필름의 현미경 측정 사진.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 첨가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 실시될 수 있음은 물론이다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전도성 필름 패터닝 방법에 대하여 설명한다.
본 발명에 따른 전도성 필름 패터닝 방법에 대하여 설명하기에 앞서 본 발명에 따른 전도성 필름 패터닝 방법을 수행하는데 이용되는 레이저 시스템의 구성 및, 각 구성 요소의 기능에 대하여 먼저 설명한다.
도 1에는 본 발명에 따른 전도성 필름 패터닝 방법을 수행하는데 이용되는 레이저 시스템의 일 예를 도시하였다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 전도성 필름 패터닝 방법을 수행하는데 이용되는 레이저 시스템은 위치 이동부(101), 레이저 광원(102), 빔 전송계(103), 빔 분배기(104), 집광기(105) 및 CCD 카메라(106)를 포함하여 구성된다.
상기 위치 이동부(101) 상에는 피가공체, 즉 일면에 전도성 필름(202)이 형성된 가요성 부재(201, 예:플라스틱 기판)이 안착된다. 여기서, 상기 전도성 필름(202)은 전도성을 가지는 것이 바람직하며, 상기 전도성 필름(202)의 일 예로서 인듐틴옥사이드, 탄소나노튜브, 산화물-금속-산화물, 그래핀 중에 선택된 어느 하나로 이루어진 층이 있다. 여기서, 산화물-금속-산화물로 이루어진 층은 제1산화물 층과, 상기 제1산화물 층 상에 형성된 금속층과, 상기 금속층 상에 형성된 제2산화물 층을 포함하는 층이다.
일 실시예로서, 상기 레이저 광원(102)은 1030[nm], 6[W], 250[fs], 100[kHz]의 사양을 가지는 펨토초 레이저(femtosecond laser)를 사용하거나 피코초 레이저(picosecond laser) 또는 펨토초 광섬유 레이저 또는 피코초 광섬유 레이저를 사용함이 바람직하다. 본 발명을 설명함에 있어서 상기 레이저 광원(102)은 펨토초 레이저, 피코초 레이저, 펨토초 광섬유 레이저, 피코초 광섬유 레이저 중에 선택된 어느 하나인 것을 그 예로 하였지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니면, 상기 레이저 광원(102)의 종류는 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 예가 가능할 것이다.
상기 레이저 광원(101)으로부터 발생되는 펄스 레이저는 빔 전송계(103)로 입사된다. 상기 빔 전송계(103)는 펄스 레이저의 광학계와 제어를 위한 장치들을 가진다.
상기 빔 전송계(103)를 통과한 펄스 레이저는 빔 분배기(104)로 입사된다. 상기 빔 분배기(104)는 입사되는 펄스 레이저를 반사하여 집광기(105)에 입사시키고, CCD 카메라(106)가 전도성 필름(201)의 가공 상태를 확인할 수 있도록 가시광은 투과시킨다.
상기 집광기(105)는 빔 분배기(104)로부터 입사되는 펄스 레이저를 집광하여 피가공체인 필름(201)에 극초단 펄스 레이저를 조사한다.
상기 집광기(105)로부터 극초단 펄스 레이저가 전도성 필름(202)에 조사될 때, 전도성 필름(202)이 구비된 위치 이동부(101)의 이동에 의해서 전도성 필름(201)을 패터닝을 하게 된다. 즉, 상기 전도성 필름(202)에 펄스 레이저를 조사하여 전도성 필름(202)을 선택적으로 제거함으로써 전도성 필름(202) 패터닝이 이루어진다. 따라서, 펄스 레이저를 지속적으로 조사하면서 위치 이동부(101)를 원하는 형태로 이동시키면 피가공체인 전도성 필름(202) 상에는 원하는 형태의 패턴이 형성되게 된다.
또한, 위치 이동부(101)는 고정시킨 채로 스캐너 시스템을 이용하여 펄스 레이저 빔을 원하는 형태로 스캐닝 하는 경우에도 원하는 형태로의 전도성 필름(202) 패터닝이 가능하다. 즉, 스캐너에 포함된 스캐너 미러의 회전에 의한 펄스 레이저의 경로가 변경되어 위치 이동부(101) 상의 전도성 필름(202)과의 상대적 이동을 통해 고속으로 패터닝할 수 있다.
도 2에는 본 발명의 바람직한 실시예에 전도성 필름 패터닝 방법을 설명하기 위한 플로우 차트를 도시하였다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 극초단 펄스 레이저를 이용한 가요성 부재 상의 전도성 필름 패터닝 방법은 적외선 레이저를 사용한다. 즉, 자외선 파장 영역에서 흡수도가 높은 블렉서블 부재(201)에 손상을 주지 않기 위해서 적외선 파장을 가지는 극초단 펄스 레이저를 사용하여 전도성 필름(202)을 정밀하고 깨끗하게 패터닝 할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 100[kHz] 이상의 고반복률 극초단 펄스 레이저를 사용하여 1[m/s] 이상의 스캔 속도로 고속 가공이 가능하다. 바람직하게는 100[kHz]의 반복률을 가지는 극초단 펄스 레이저 또는 극초단 광섬유 레이저를 사용할 수 있다.
이하, 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 전도성 필름 패터닝 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 일면에 전도성 필름(202)이 형성된 블렉서블 부재(201)를 레이저 시스템의 위치 이동부(101) 상에 안착시킨다. 여기서, 상기 전도성 필름(202)은 전도성을 가지는 것이 바람직하며, 상기 전도성 필름(202)의 일 예로서 인듐틴옥사이드, 탄소나노튜브, 산화물-금속-산화물, 그래핀 중에 선택된 어느 하나로 이루어진 층이 있다. 여기서, 산화물-금속-산화물로 이루어진 층은 제1산화물 층과, 상기 제1산화물 층 상에 형성된 금속층과, 상기 금속층 상에 형성된 제2산화물 층을 포함하는 층이다.
다음으로, 레이저 시스템의 레이저 광원(102)을 이용하여 펄스 레이저를 발생시킨다.
다음으로, 상기 위치 이동부(101)와 펄스 레이저의 상대적인 이동을 수행하면서 상기 레이저 광원(102)에서 발생된 펄스 레이저를 집광기(105)를 통해 집광하여 필름에 조사한다(S200). 여기서, 상기 펄스 레이저의 조사는 빔 전송계(103), 빔 분배기(104) 및 집광기(105)에 의해 전송되는 펄스 레이저를 위치 이동부(101) 상에 안착된 블렉서블 부재(201) 상의 전도성 필름(202)에 조사하는 것에 의해 구현된다.
상기 위치 이동부(101)와 펄스 레이저의 상대적인 이동을 수행하는 방법으로는 위치 이동부(101)를 이동시키는 방법과, 펄스 레이저를 스캐닝하는 방법과, 위치 이동부(101)와 펄스 레이저를 동시에 이동시키는 방법 등 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 예가 가능하다.
이하, 도 1 및 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가요성 표시장치 제조 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 다수의 화소가 정의된 가요성 부재(201)를 준비한다.
다음으로, 상기 가요성 부재(201) 상에 전도성 필름(202)을 형성한다. 여기서, 상기 전도성 필름(202)은 전도성을 가지는 것이 바람직하며, 상기 전도성 필름(202)의 일 예로서 인듐틴옥사이드, 탄소나노튜브, 산화물-금속-산화물, 그래핀 중에 선택된 어느 하나로 이루어진 층이 가능하다. 여기서, 산화물-금속-산화물로 이루어진 층은 제1산화물 층과, 상기 제1산화물 층 상에 형성된 금속층과, 상기 금속층 상에 형성된 제2산화물 층을 포함하는 층이다.
다음으로, 상기 블렉서블 부재(201)를 레이저 시스템의 위치 이동부(101) 상에 안착시킨다.
다음으로, 상기 레이저 시스템의 레이저 광원(102)을 이용해 극초단 펄스 레이저를 발생시킨다.
다음으로, 상기 위치 이동부(101)와 극초단 펄스 레이저의 상대적인 이동을 수행하면서 상기 레이저 광원(102)에서 발생된 극초단 펄스 레이저를 집광기(105)를 통해 집광하여 상기 전도성 필름(202)에 조사하여 패터닝함으로써 가요성 부재(101) 상의 각 화소에 투명전극(도 4의 302 참조)을 형성한다. 여기서, 상기 펄스 레이저의 조사는 빔 전송계(103), 빔 분배기(104) 및 집광기(105)에 의해 전송되는 펄스 레이저를 위치 이동부(101) 상에 안착된 가요성 부재(201)상의 전도성 필름(202)에 조사하는 것에 의해 구현된다.
상기 위치 이동부(101)와 펄스 레이저의 상대적인 이동을 수행하는 방법으로는 위치 이동부(101)를 이동시키는 방법과, 펄스 레이저를 스캐닝하는 방법과, 위치 이동부(101)와 펄스 레이저를 동시에 이동시키는 방법 등 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 예가 가능할 것이다.
상술한 바와 같은 본 발명에 따른 가요성 표시장치 제조 방법은 가요성 표시장치 분야에 널리 적용될 수 있으며, 위에서 언급한 바와 같이 투명전극이 각 화소마다 분리되도록 형성하는데도 이용되지만, 각 투명전극마다 홈을 형성하여 가요성 표시장치의 유연성을 더욱 높이는데 기여하는 등 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 응용이 가능하다.
이하, 도 4를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가요성 표시장치에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 4에는 본 발명에 따른 가요성 액정 표시장치의 단면도를 도시하였다.
도 4에는 가요성 액정 표시장치를 예로 하였지만 이는 본 발명의 설명의 용이함을 위한 것으로서, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명은 가요성 유기전계발광 표시장치, 가요성 플라즈마 표시장치, 및 가요성 전기영동 표시장치 등 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 가요성 표시장치에 적용될 수 있을 것이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가요성 액정 표시장치는, 다수의 화소가 정의된 가요성 부재; 상기 가요성 부재의 각 화소마다 형성되어 화소를 구동하며, 인듐틴옥사이드, 탄소나노튜브, 산화물-금속-산화물, 그래핀 중에 선택된 어느 하나를 재료로 하여 형성된 투명전극; 및 상기 각 화소의 투명전극과 액정층을 두고 이격되도록 형성되어 투명전극과 함께 액정층을 구동하는 공통전극; 을 포함하여 구성되며, 상기 투명전극은 유연성을 제공하는 다수의 홈이 레이저를 이용하여 형성되어 있을 수 있다.
그리고, 상기 각 화소의 투명전극 간의 간격 및 투명전극마다 형성된 다수의 홈은 극초단 펄스 레이저를 이용해 형성된다.
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 가요성 액정 표시장치는 공통전극마다 다수의 홈이 형성되므로, 가요성 표시장치의 장점인 가요성의 정도가 더욱 향상되게 되는 장점이 있다.
이상에서 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명에 따른 전도성 필름 패터닝 방법이 가요성 표시장치의 제조에 적용된 것을 그 예로 하였지만 이는 본 발명의 설명의 용이함을 위한 것으로서, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 가요성 부재 상에 형성되어 가요성(flexible)의 특징을 가지는 태양 전지(solar cell)를 제조할 시에 인듐틴옥사이드, 탄소나노튜브, 산화물-금속-산화물, 그래핀 중에 선택된 어느 하나를 재료로 한 전극을 패터닝하는 과정에서 적용되는 등, 가요성 부재 상에 형성되는 전도성 층의 패터닝이라면 어디든지 적용될 수 있을 것이다.
이하, 도 5 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 효과를 증명하면 다음과 같다.
도 5에는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 극초단 펄스 레이저를 이용하여 패터닝한 가요성 부재 상의 ITO 필름의 광학 현미경 및 공초점 현미경 측정 사진이다.
도 5를 참조하면, 상기 도 1에서 극초단 펄스 레이저의 일종인 펨토초 레이저를 이용하여 스캔 속도 1[m/s], 펄스 에너지 2.33[uJ], 초점거리 100[mm]의 가공 조건으로 가요성 부재에는 손상이 없이 ITO 필름에 패턴을 형성할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 펨토초 레이저 펄스는 열 영향에 의한 가공 주변부의 Burr가 없이 깨끗하고 정밀한 가공이 가능함을 알 수 있다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 극초단 펄스 레이저의 다양한 펄스 에너지에서 가공한 ITO 필름의 현미경 측정 사진이다.
도 6을 참조하면, 상기 도 1에서 스캔 속도를 2[m/s]로 고정하고 극초단 펄스 레이저의 일종인 펨토초 레이저의 펄스 에너지를 각각 2.35[μJ], 4.26[μJ], 7.81[μJ], 10.7[μJ]와 20.5[μJ]로 조사하여 50[um] 간격을 갖는 ITO 필름 패턴을 형성하였다. ITO 필름이 가공이 되는 임계값(threshold)은 도 6(a)에서와 같이 2.35[μJ]이며, 가요성 부재의 임계값은 도 6(e)에서와 같이 20.5[μJ]이다. 이와 같이 펄스 에너지가 ITO 필름이 가공되는 임계값 2.35[μJ]와 가요성 부재의 임계값 20.5[μJ] 사이에서 원하는 형태의 ITO 필름 패터닝이 가능하다.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 극초단 펄스 레이저의 다양한 스캔 속도에서 가공한 ITO 필름의 현미경 측정 사진이다.
도 7을 참조하면, 상기 도 1에서 펄스 에너지를 5.1[uJ]로 고정하고 극초단 펄스 레이저의 일종인 펨토초 레이저의 스캔 속도를 1[m/s], 2[m/s], 3[m/s], 5[m/s]와 7[m/s]로 가공하여 50 um 간격을 갖는 ITO 필름 패턴을 형성하였다. 스캔 속도가 1[m/s], 2[m/s], 3[m/s]에서 각각 16[μm], 20[μm], 23[μm]의 선폭을 얻었다. 펄스 에너지는 5.1[μJ]에서 ITO 필름 패터닝을 하는데 있어 스캔 속도가 5[m/s]가 되면 펄스 중첩은 90[%] 정도가 되며, 스캔 속도가 7[m/s] 이상이 되면 펄스가 중첩이 되지 않는 것을 각각 도 5의 (d)와 (e)에서 볼 수 있다. 이와 같이 펨토초 레이저를 이용하여 5.1[μJ] 펄스 에너지에서 스캔 속도 5[m/s]의 고속 ITO 필름 패터닝이 가능하다.
이하, 도 8 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 효과를 증명하면 다음과 같다.
도 8과 도 9은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 극초단 펄스 레이저를 이용하여 가공한 그래핀 필름의 현미경 측정 사진이며, 도 8은 빔 쉐이퍼(beam shaper)를 사용하지 않는 레이저 시스템의 위치 이동부를 원하는 형태로 이동시키면서 패터닝한 경우이고, 도 9는 빔 쉐이퍼(beam shaper)를 사용하는 레이저 시스템의 위치 이동부를 원하는 형태로 이동시키면서 패터닝한 경우이다.
더욱 상세히, 도 8은 극초단 펄스 레이저의 일종인 펨토초 레이저를 이용하여 파장 1030[nm], 펄스반복률 100[kHz], 펄스폭 250[fs], 스캔 속도 50[mm/s], 출력 3~5[mW]의 가공 조건으로 제거 임계점이 2[mW]인 그래핀 필름을 패터닝한 후에 현미경으로 관측한 사진이며, 도 9a는 펨토초 레이저를 이용하여 파장 1030[nm], 펄스반복률 100[kHz], 펄스폭 250[fs], 스캔 속도 50[mm/s], 출력 100[mW]의 가공 조건으로 제거 임계점이 70[mW]인 그래핀 필름을 패터닝한 후에, 50배율 대물렌즈(objective lens) 의 현미경을 사용하여 조리개값(f) 10[mm], 개구수(NA) 0.4로 측정한 사진이고, 도 9b는 펨토초 레이저를 이용하여 파장 1030[nm], 펄스반복률 100[kHz], 펄스폭 250[fs], 스캔 속도 50[mm/s], 출력 75[mW]의 가공 조건으로 제거 임계점이 70[mW]인 그래핀 필름을 패터닝한 후에 현미경으로 관측한 사진이다.
이와 같은 도 8과 도 9을 참조하면 펨토초 레이저를 이용하여 가요성 부재에는 손상이 없이 가요성 부재 상의 그래핀 필름에 패턴을 형성할 수 있으며, 열 영향에 의한 가공 주변부의 Burr가 없이 깨끗하고 정밀한 가공이 가능함을 알 수 있다.
도 10과 도 11은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 극초단 펄스 레이저를 이용하여 가공한 그래핀 필름의 현미경 측정 사진이며, 도 10은 빔 쉐이퍼(beam shaper)를 사용하지 않는 레이저 시스템의 레이저 빔을 원하는 형태로 스캔하면서 패터닝한 경우이며, 도 11은 빔 쉐이퍼(beam shaper)를 사용하는 레이저 시스템의 레이저 빔을 원하는 형태로 스캔하면서 패터닝한 경우이다.
더욱 상세히, 도 10a는 극초단 펄스 레이저의 일종인 펨토초 레이저를 이용하여 파장 1030[nm], 펄스반복률 100[kHz], 펄스폭 250[fs], 스캔 속도 1[m/s], 출력 0.2[W], 100[mm] 거리의 가공 조건으로 제거 임계점이 50[mW]인 그래핀 필름을 패터닝한 후에 현미경을 사용하여 측정한 사진이고, 도 10b는 극초단 펄스 레이저의 일종인 펨토초 레이저를 이용하여 파장 1030[nm], 펄스반복률 100[kHz], 펄스폭 250[fs], 스캔 속도 1[m/s], 출력 0.1[W], 100[mm] 거리의 가공 조건으로 그래핀 필름을 패터닝한 후에 현미경을 사용하여 측정한 사진이며, 도 11a는 극초단 펄스 레이저의 일종인 펨토초 레이저를 이용하여 파장 1030[nm], 펄스반복률 100[kHz], 펄스폭 250[fs], 스캔 속도 1[m/s], 출력 0.2[W], 100[mm] 거리의 가공 조건으로 제거 임계점이 80[mW]인 가요성 부재(즉, PET 필름) 상의 그래핀 필름을 패터닝한 후에 현미경을 사용하여 측정한 사진이고, 도 11b는 극초단 펄스 레이저의 일종인 펨토초 레이저를 이용하여 파장 1030[nm], 펄스반복률 100[kHz], 펄스폭 250[fs], 스캔 속도 1[m/s], 출력 0.1[W], 100[mm] 거리의 가공 조건으로 제거 임계점이 80[mW]인 가요성 부재(즉, PET 필름) 상의 그래핀 필름을 패터닝한 후에 현미경을 사용하여 측정한 사진이다.
이와 같은 도 10과 도 11을 참조하면 펨토초 레이저를 이용하여 가요성 부재에는 손상이 없이 가요성 부재 상의 그래핀 필름에 패턴을 형성할 수 있으며, 열 영향에 의한 가공 주변부의 Burr가 없이 깨끗하고 정밀한 가공이 가능함을 알 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
102 : 레이저 광원 103 : 빔 전송계
104 : 빔 분배기 105 : 집광기
101 : 위치 이동부 106 : CCD 카메라
201 : 가요성 부재 202 : 필름

Claims (15)

  1. 일면에 전도성 필름이 형성된 가요성 부재를 레이저 시스템의 위치 이동부 상에 안착시키는 단계;
    상기 레이저 시스템을 이용해 극초단 펄스 레이저를 발생시키는 단계; 및
    상기 위치 이동부와 극초단 펄스 레이저의 상대적인 이동을 수행하면서 상기 극초단 펄스 레이저를 상기 전도성 필름에 조사하여 전도성 필름 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 전도성 필름은 인듐틴옥사이드, 탄소나노튜브, 산화물-금속-산화물, 그래핀 중에 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 층으로 형성되고, 상기 극초단 펄스 레이저는 적외선 파장을 가지고 적어도 100 kHZ의 반복률을 가지는 것을 특징으로 하는 전도성 필름 패터닝 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 극초단 펄스 레이저는 펨토초 레이저, 피코초 레이저, 펨토초 광섬유 레이저 및 피코초 광섬유 레이저 중에 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 필름 패터닝 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전도성 필름 패턴의 선폭은 상기 극초단 펄스 레이저를 집광하는 렌즈의 배율과 펄스 에너지의 조절에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 전도성 필름 패터닝 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 위치 이동부와 극초단 펄스 레이저의 상대적인 이동을 수행함과 동시에 상기 극초단 펄스 레이저를 상기 전도성 필름에 조사하여 전도성 필름 패턴을 형성하는 단계에서는, 위치 이동부를 이동시키거나 극초단 펄스 레이저를 스캐닝 하여 전도성 필름을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름 패터닝 방법.
  6. 삭제
  7. 다수의 화소가 정의된 가요성 부재를 준비하는 단계;
    상기 가요성 부재 상에 전도성 필름을 형성하는 단계;
    상기 가요성 부재를 레이저 시스템의 위치 이동부 상에 안착시키는 단계;
    상기 레이저 시스템을 이용해 극초단 펄스 레이저를 발생시키는 단계; 및
    상기 위치 이동부와 극초단 펄스 레이저의 상대적인 이동을 수행하면서 상기 극초단 펄스 레이저를 상기 전도성 필름에 조사하여 패터닝함으로써 가요성 부재 상의 각 화소에 투명전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 전도성 필름은 인듐틴옥사이드, 탄소나노튜브, 산화물-금속-산화물, 그래핀 중에 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 층으로 형성되고, 상기 극초단 펄스 레이저는 적외선 파장을 가지고 적어도 100 kHZ의 반복률을 가지는 것을 특징으로 하는 가요성 표시장치 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서, 상기 극초단 펄스 레이저는 펨토초 레이저, 피코초 레이저, 펨토초 광섬유 레이저 및 피코초 광섬유 레이저 중에 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가요성 표시장치 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 전도성 필름 패턴의 선폭은 상기 극초단 펄스 레이저를 집광하는 렌즈의 배율과 펄스 에너지의 조절에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 가요성 표시장치 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 위치 이동부와 극초단 펄스 레이저의 상대적인 이동을 수행하면서 상기 극초단 펄스 레이저를 상기 전도성 필름에 조사하여 패터닝함으로써 가요성 부재 상의 각 화소에 투명전극을 형성하는 단계에서는, 위치 이동부를 이동시키거나 극초단 펄스 레이저를 스캐닝하여 전도성 필름을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시장치 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 위치 이동부와 극초단 펄스 레이저의 상대적인 이동을 수행하면서 상기 극초단 펄스 레이저를 상기 전도성 필름에 조사하여 패터닝함으로써 가요성 부재 상의 각 화소에 투명전극을 형성하는 단계에서는, 극초단 펄스 레이저를 필름에 조사하여 각 화소에 투명전극을 형성함과 동시에 각 투명전극마다 다수의 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시장치 제조 방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
KR1020110027714A 2010-03-31 2011-03-28 전도성 필름 패터닝 방법 및 가요성 표시장치 제조 방법 KR101262173B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100029243 2010-03-31
KR20100029243 2010-03-31
KR1020100064807 2010-07-06
KR1020100064807A KR20110109771A (ko) 2010-03-31 2010-07-06 Ｉｔｏ필름 패터닝 방법, 가요성 표시장치 제조 방법 및 가요성 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110109957A KR20110109957A (ko) 2011-10-06
KR101262173B1 true KR101262173B1 (ko) 2013-05-14

Family

ID=45026866

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100064807A KR20110109771A (ko) 2010-03-31 2010-07-06 Ｉｔｏ필름 패터닝 방법, 가요성 표시장치 제조 방법 및 가요성 표시장치
KR1020110027714A KR101262173B1 (ko) 2010-03-31 2011-03-28 전도성 필름 패터닝 방법 및 가요성 표시장치 제조 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100064807A KR20110109771A (ko) 2010-03-31 2010-07-06 Ｉｔｏ필름 패터닝 방법, 가요성 표시장치 제조 방법 및 가요성 표시장치

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR20110109771A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017052045A1 (ko) * 2015-09-21 2017-03-30 레이저닉스 주식회사 극초단 펄스 레이저를 이용하여 가공대상을 변성시키는 방법 및 장치
US10124438B2 (en) 2015-08-27 2018-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of patterning graphene holes and method of fabricating graphene transparent electrode by using pulse laser
KR20200056938A (ko) 2018-11-15 2020-05-25 주식회사 동진쎄미켐 투명전극 및 이를 채용한 터치패널

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105144346B (zh) 2013-02-21 2017-12-15 恩耐公司 多层结构的激光刻图
US9537042B2 (en) * 2013-02-21 2017-01-03 Nlight, Inc. Non-ablative laser patterning
US10464172B2 (en) 2013-02-21 2019-11-05 Nlight, Inc. Patterning conductive films using variable focal plane to control feature size
KR102024647B1 (ko) * 2013-05-08 2019-09-24 엘지디스플레이 주식회사 무기 리간드를 갖는 용액형 ito 및 그 제조 방법
CN103737181B (zh) * 2013-12-24 2016-01-20 西安交通大学 一种提高ito导电薄膜表面红外波段透光率的方法
US10618131B2 (en) 2014-06-05 2020-04-14 Nlight, Inc. Laser patterning skew correction
US9837783B2 (en) 2015-01-26 2017-12-05 Nlight, Inc. High-power, single-mode fiber sources
US10050404B2 (en) 2015-03-26 2018-08-14 Nlight, Inc. Fiber source with cascaded gain stages and/or multimode delivery fiber with low splice loss
CN107924023B (zh) 2015-07-08 2020-12-01 恩耐公司 具有用于增加的光束参数乘积的中心折射率受抑制的纤维
US11179807B2 (en) 2015-11-23 2021-11-23 Nlight, Inc. Fine-scale temporal control for laser material processing
EP3380266B1 (en) 2015-11-23 2021-08-11 NLIGHT, Inc. Fine-scale temporal control for laser material processing
US10295820B2 (en) 2016-01-19 2019-05-21 Nlight, Inc. Method of processing calibration data in 3D laser scanner systems
US10295845B2 (en) 2016-09-29 2019-05-21 Nlight, Inc. Adjustable beam characteristics
US10730785B2 (en) 2016-09-29 2020-08-04 Nlight, Inc. Optical fiber bending mechanisms
US10732439B2 (en) 2016-09-29 2020-08-04 Nlight, Inc. Fiber-coupled device for varying beam characteristics
US11173548B2 (en) 2017-04-04 2021-11-16 Nlight, Inc. Optical fiducial generation for galvanometric scanner calibration

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008106361A (ja) 2007-10-18 2008-05-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭素膜
KR100839298B1 (ko) 2007-01-11 2008-06-17 광주과학기술원 미세 홈을 구비한 통기성필름 및 이의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100839298B1 (ko) 2007-01-11 2008-06-17 광주과학기술원 미세 홈을 구비한 통기성필름 및 이의 제조방법
JP2008106361A (ja) 2007-10-18 2008-05-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭素膜

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10124438B2 (en) 2015-08-27 2018-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of patterning graphene holes and method of fabricating graphene transparent electrode by using pulse laser
WO2017052045A1 (ko) * 2015-09-21 2017-03-30 레이저닉스 주식회사 극초단 펄스 레이저를 이용하여 가공대상을 변성시키는 방법 및 장치
KR20200056938A (ko) 2018-11-15 2020-05-25 주식회사 동진쎄미켐 투명전극 및 이를 채용한 터치패널

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110109957A (ko) 2011-10-06
KR20110109771A (ko) 2011-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101262173B1 (ko) 전도성 필름 패터닝 방법 및 가요성 표시장치 제조 방법
Kuang et al. Ultrashort pulse laser patterning of indium tin oxide thin films on glass by uniform diffractive beam patterns
US20110132885A1 (en) Laser machining and scribing systems and methods
Tseng et al. Electrode patterning on PEDOT: PSS thin films by pulsed ultraviolet laser for touch panel screens
JP2007260773A (ja) 基板切断方法及びこれを用いた基板切断装置
Burn et al. All fiber laser scribing of Cu (In, Ga) Se2 thin-film solar modules
CN203636207U (zh) 一种真空式脉冲激光刻蚀装置
Choi et al. A study of ultrafast ablation on ITO thin films with wavelengths of 513 and 1026 nm for high resolution patterning
Henry et al. Laser direct write of active thin-films on glass for industrial flat panel display manufacture
CN113146061A (zh) 双光束蚀刻大幅面导电薄膜的激光加工装置及其方法
Tseng et al. Investigation of the ablation of fluorine-doped tin oxide thin films by square top-hat ultraviolet laser beams
JP2008168328A (ja) レーザスクライブ装置、基板の分断方法及び電気光学装置の製造方法
KR101385235B1 (ko) 레이저 스크라이빙 기술을 이용한 투명전도막 미세 패터닝 방법
CN215034520U (zh) 双光束蚀刻大幅面导电薄膜的激光加工装置
CN201666995U (zh) 用于面板导电薄膜的声光调制曲线工艺的雷射装置
JP2010089142A (ja) レーザーによる被処理対象物の処理装置及びその処理方法
KR101285876B1 (ko) 레이저 가공 기술을 이용한 기판 상 박막의 선택적 제거 장치
CN109982984A (zh) 电致变色涂布的玻璃物件和用于激光处理电致变色涂布的玻璃物件的方法
KR20220035332A (ko) 복합재의 분단 방법
Hördemann et al. Ultrashort-pulsed laser processing and solution based coating in roll-to-roll manufacturing of organic photovoltaics
Du et al. Laser processing over a large area by wavefront-controlled scanning
Burn et al. High throughput P2 laser scribing of Cu (In, Ga) Se2 thin-film solar cells
Wipliez et al. Ultrafast laser ablation of transparent conductive silver nanowire thin film on polyethylene terephthalate substrate
JP4647388B2 (ja) レーザ加工方法及び装置
KR102113908B1 (ko) 터치스크린 패널의 전극 브리지 접합 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20110328

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20120731

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20130429

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20130502

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20130502

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160610

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160610

Start annual number: 4

End annual number: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20200213